專(zhuān)利名稱(chēng)：Tft-lcd的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)(Data線(xiàn))結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其 是涉及一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)(lead區(qū))的結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)TFT-LCD生產(chǎn)過(guò)程中的5次掩模(5Mask )工藝中的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)， 如圖1和圖2所示，其工藝過(guò)程如下(1 )在基板7上形成柵極層薄膜(gate 層)，然后被刻蝕掉'；(2 )形成柵絕緣層薄膜3 ( G-SiNx層)和有源層薄膜 (Active層)，然后有源層薄膜被刻蝕掉；(3 )形成源/漏極金屬層薄膜(S/D 層)，并將數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2; (4)形 成鈍化層薄膜1 (PVX層)；(5)形成像素電極層薄膜，然后被刻蝕掉。圖 1和圖2中的B區(qū)域?yàn)殪o電釋放區(qū)，C區(qū)域?yàn)楣苣_區(qū)。
4次掩模(4 Mask)工藝中的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)如圖l和圖2所示，其工藝過(guò) 程如下(1)在基板7上形成柵極層薄膜，然后被刻蝕掉；(2 )形成柵絕 緣層薄膜3、有源層薄膜和源/漏極金屬層薄膜，并將數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的源/漏 極金屬層薄膜刻蝕^數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2，刻蝕掉數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)下方的有源層薄膜； (3)形成鈍化層薄膜l; (4)形成像素電極層薄膜，然后被刻蝕掉。
這兩種工藝均形成上、下層為絕緣層，中間為導(dǎo)線(xiàn)的引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)。然而 在源/漏極金屬層沉積(Deposition)過(guò)程前和過(guò)程中落在上面的微粒 (Particle)、后續(xù)工序中在引線(xiàn)區(qū)的靜電擊穿和異物壓斷數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)都會(huì) 導(dǎo)致數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)斷線(xiàn)，即引線(xiàn)斷開(kāi)(Lead Open)現(xiàn)象，在產(chǎn)品中表現(xiàn)為一條 豎直的亮線(xiàn)，直接影響了產(chǎn)品的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制作方法， 能夠避免數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的靜電放電(ESD)性導(dǎo)致的引線(xiàn)斷開(kāi)，沉積
開(kāi)的不良現(xiàn)象。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)，包 括基板、柵絕緣層薄膜、數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)和鈍化層薄膜，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)下方的 基板上保留有柵極層金屬線(xiàn)；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成有過(guò)孔；所述過(guò)孔下方 和上方對(duì)應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜被去除，并與所述過(guò)孔共同形 成連接孔；所述連接孔中形成有透明像素電極引線(xiàn)；所述透明像素電極引線(xiàn) 通過(guò)所述連接孔將所述柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的'，本發(fā)明還提供一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制 作方法，包括
步驟51，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻 蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)形成柵極層金屬線(xiàn)；
步驟52,在完血步驟51的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜和有源層薄 膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝刻蝕掉有源層薄膜；
步驟53，在完成步驟52的基板上，形成源/漏極金屬層薄膜，采用掩模 版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成 數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)，并在所迷數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成過(guò)孔；
步驟54,在完成步驟53的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版
掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將所述過(guò)孔正上方和正下方對(duì)應(yīng)位置處的鈍化 層薄膜和柵絕緣層薄,膜刻蝕掉，形成連接孔；
步驟55，在完成步驟54的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過(guò)掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)的像素電極引線(xiàn)。
本發(fā)明還提供了.一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，包括
步驟81,在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻 蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)形成柵極層金屬線(xiàn)；
步驟82,在完成步驟81的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄 膜和源/漏極金屬層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線(xiàn) 引線(xiàn)區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)，在數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成過(guò)孔， 然后將所述過(guò)孔處的有源層薄膜刻蝕掉；
步驟83,在完成步驟82的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版
掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將所述過(guò)孔正上方和正下方對(duì)應(yīng)位置處的鈍化 層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，形成連接孔；
步驟84，在完成步驟83的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過(guò)掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù) 線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)的森素電極引線(xiàn)。
因此，本發(fā)明通過(guò)引入在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)形成的通過(guò)沉積在所述過(guò) 孔中的透明像素電極引線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)相連接的柵極層金屬線(xiàn)，與現(xiàn)有技 術(shù)中的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)相比能夠很好的避免引線(xiàn)斷開(kāi)這種不良現(xiàn)象 的出現(xiàn)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)圖； 圖2為圖1中A - A向位置截面放大圖3為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū) 的結(jié)構(gòu)圖4為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例一的圖3中D-D
6向位置截面放大圖5為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例一的圖3中E-E 向位置剖面放大圖6為本發(fā)明T.FT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例二的圖3中D-D 向位置截面放大圖7為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例二的圖3中E-E 向位置剖面放大圖8為本發(fā)明T.FT-LCD的教:據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實(shí)施例一的流 程圖9為本發(fā)明TFT-LCD的凄t據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實(shí)施例二的流 程圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
l-鈍化層薄膜； 2-數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)；3-柵絕緣層薄膜；4-柵極層金屬線(xiàn);
5-透明像素電極引線(xiàn)；6-有源層薄膜；7-基板； 8-連接孔。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)介紹。
本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例一
如圖3所示，本實(shí)施例描述的結(jié)構(gòu)部分位于陣列基板的外圍引線(xiàn)區(qū)域， 通過(guò)圖4所示的D-D'向位置的截面放大圖和圖5所示的E-E向位置剖面放大 圖來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
如圖4所示，本實(shí)施例描述的結(jié)構(gòu)部分位于陣列基板的外圍引線(xiàn)區(qū)域包 括基板7、柵絕緣層薄膜3、數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2、鈍化層薄膜l和透明像素電極引 線(xiàn)5，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引^2下方的基板7上保留有柵極層金屬線(xiàn)4;所述數(shù)據(jù)線(xiàn) 引線(xiàn)2上方形成有過(guò)孔；所述過(guò)孔下方和上方對(duì)應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜3和鈍化層薄膜1被去除，并與所述過(guò)孔共同形成連接孔8;所述連接孔8中形 成有透明像素電極引線(xiàn)5;所述透明像素電極引線(xiàn)5通過(guò)所述連接孔8將所 述柵極層金屬線(xiàn)4和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2連接起來(lái)，所述柵極層金屬線(xiàn)4位于數(shù)據(jù) 線(xiàn)引線(xiàn)2的下方，最優(yōu)是正下方，這樣可使得其能與數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2通過(guò)連接 孔8方便的連接，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2上形成的過(guò)孔數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，形狀 可變化為多樣，如方形、圓形或截?cái)嗍降取?br> 如圖5所示，其為圖3中E-E向位置的截面放大圖，從E-E向看，該結(jié) 構(gòu)包含了間隔排列的多個(gè)過(guò)孔，圖中僅示出兩個(gè)過(guò)孔，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2上 的過(guò)孔為一個(gè)或多個(gè)，且可為截?cái)嘈瓦^(guò)孔，因此上述本實(shí)施例中所述數(shù)據(jù)線(xiàn) 引線(xiàn)可呈分段式結(jié)構(gòu).。
本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例二
如圖3和圖6所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于保留了數(shù)據(jù)線(xiàn) 引線(xiàn)2下方、柵絕緣層薄膜3上方的有源層薄膜6，并將連接孔8位置對(duì)應(yīng) 的有源層薄膜6去除。
如圖7所示，其為圖3中E-E向位置的截面放大圖，從E-E向看，該結(jié) 構(gòu)包含了間隔排列的多個(gè)過(guò)孔，圖中僅示出兩個(gè)過(guò)孔，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)2上 的過(guò)孔為一個(gè)或多個(gè)，且可為截?cái)嘈瓦^(guò)孔，因此上述本實(shí)施例中所述數(shù)據(jù)線(xiàn) 引線(xiàn)可呈分l殳式結(jié)構(gòu)。
通過(guò)上述兩個(gè)實(shí)施例可以看出，通過(guò)引入在柵極層形成的金屬線(xiàn)，這樣 在數(shù)據(jù)線(xiàn)的引線(xiàn)區(qū)就形成了上方為數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)、下方為柵極層金屬線(xiàn)的雙層 金屬線(xiàn)的連接結(jié)構(gòu)。通過(guò)雙層的金屬線(xiàn)連接結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，即使上層的數(shù)據(jù)線(xiàn)引 線(xiàn)由于在源/漏極金屬層沈積過(guò)程前和過(guò)程中落在上面的微粒、后續(xù)工序中在 引線(xiàn)區(qū)的靜電擊穿和異物壓斷而導(dǎo)致斷開(kāi)，也不會(huì)出現(xiàn)引線(xiàn)斷開(kāi)的不良現(xiàn)象。 在數(shù)據(jù)線(xiàn)的整個(gè)引線(xiàn)區(qū)通過(guò)雙層的金屬線(xiàn)連接能夠在很大程度上保證不會(huì)出 現(xiàn)引線(xiàn)斷開(kāi)的不良現(xiàn)象，并且本實(shí)施例在現(xiàn)有的工藝條件下就可以實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明TFT-LCD'的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實(shí)施例一
本實(shí)施例涉及5次掩模工藝，為了更好說(shuō)明本發(fā)明，本實(shí)施例結(jié)合陣列 基板的中心區(qū)域進(jìn)行說(shuō)明，如圖8所示，其具體實(shí)施過(guò)程如下
步驟51，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻 蝕工藝，在基板的中心區(qū)域形成柵線(xiàn)和柵電極的同時(shí)，在周邊引線(xiàn)區(qū)域的后 續(xù)形成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)位置處形成柵極層金屬線(xiàn)；
步驟52，在完成步驟51的基板上，依次沉積柵絕緣層和有源層薄膜， 采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝形成基板中心區(qū)域有源層的同時(shí)， 刻蝕掉周邊引線(xiàn)區(qū)域的有源層；
步驟53，在完成步驟52的基板上，形成源/漏極金屬層薄膜，采用掩模 版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線(xiàn) 的同時(shí)，在周邊引線(xiàn),區(qū)域形成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)，并在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成過(guò)孔， 所述過(guò)孔為一個(gè)或多個(gè)，形狀可為圓形、方形或截?cái)嗍降刃螤睿?br> 步驟54，在完成步驟53的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成漏極上方的鈍化層過(guò)孔 的同時(shí)，將周邊引線(xiàn)區(qū)域數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上過(guò)孔正上方和正下方對(duì)應(yīng)位置處的鈍 化層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，以形成連接孔；
步驟55，在完成步驟54的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過(guò)掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成像素電極的同時(shí)，在周邊 引線(xiàn)區(qū)域形成像素電極引線(xiàn)，像素電極引線(xiàn)通過(guò)連接孔將所述柵極層金屬線(xiàn) 和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)。
本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實(shí)施例二
本實(shí)施例涉及4次掩^^莫工藝，如圖9所示，其具體實(shí)施過(guò)程如下
步驟81，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻 蝕工藝，在基板的中心區(qū)域形成柵線(xiàn)和柵電極的同時(shí)，在周邊引線(xiàn)區(qū)域的后續(xù)形成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)位置處形成柵極層金屬線(xiàn)；
步驟82，在完成步驟81的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄 膜和源/漏極金屬層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝，在基板 中心區(qū)域形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線(xiàn)的同時(shí)，在周邊引線(xiàn)區(qū)域形成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)， 使其位于所述柵極層金屬線(xiàn)的正上方，并在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成過(guò)孔，所 述過(guò)孔為一個(gè)或多個(gè)，形狀可為圓形、方形或截?cái)嗍降刃螤睿缓髮⑺鲞^(guò) 孔處的有源層薄膜刻蝕掉；
步驟83，在完成步驟82的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成漏極上方的鈍化層過(guò)孔 的同時(shí)，將周邊引線(xiàn)區(qū)域數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上過(guò)孔正上方和正下方對(duì)應(yīng)位置處的鈍 化層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，以形成連接孔；
步驟84，在完成步驟83的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過(guò)掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成像素電極的同時(shí)，在周邊 引線(xiàn)區(qū)域形成像素電極引線(xiàn)，像素電極引線(xiàn)通過(guò)所述連接孔將所述柵極層金 屬線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)。
本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于保留了數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)下方、柵絕緣層 薄膜上方的有源層薄膜，并將連接孔位置對(duì)應(yīng)的有源層薄膜去除。
通過(guò)上述兩個(gè)TF.T-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實(shí)施例所公開(kāi)的方 法，可以在數(shù)據(jù)線(xiàn)的引線(xiàn)區(qū)形成上方為數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)、下方為柵才iU^r屬線(xiàn)的雙M 屬線(xiàn)的連接結(jié)構(gòu)，并且上述兩個(gè)實(shí)施例均可在現(xiàn)有的工藝條件下實(shí)現(xiàn)。
最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn) 行限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換， 而這些修改或者等同替換亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的 精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)，包括基板、柵絕緣層薄膜、數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)和鈍化層薄膜，其特征在于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)下方的基板上保留有柵極層金屬線(xiàn)；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成有過(guò)孔；所述過(guò)孔下方和上方對(duì)應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜被去除，并與所述過(guò)孔共同形成連接孔；所述連接孔中形成有透明像素電極引線(xiàn)；所述透明像素電極引線(xiàn)通過(guò)所述連接孔將所述柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)，其特征在于 還包括位于柵絕緣層薄膜上的有源層薄膜，所述連接孔對(duì)應(yīng)位置的有源層薄 膜被去除。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT-LCD數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述柵極層金屬線(xiàn)位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)的正下方。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT-LCD數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述過(guò)孔為圓形'、方形或截?cái)嗍健?br> 5、 一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 步驟51,在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)形成柵極層金屬線(xiàn)；步驟52，在完咸步驟51的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜和有源層薄 膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝刻蝕掉有源層薄膜；步驟53，在完成步驟52的基板上，形成源/漏極金屬層薄膜，采用掩模 版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成 數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)，并在所'述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成過(guò)孔；步驟54，在完成步驟53的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將所述過(guò)孔正上方和正下方對(duì)應(yīng)位置處的鈍化 層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，形成連接孔；步驟55，在完戍步驟54的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過(guò)掩模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù) 線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)的像素電極引線(xiàn)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟51中形成的柵極層金屬線(xiàn)位于所述步驟53中形成的數(shù) 據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)的正下方。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟53中形成的過(guò)孔為方形、圓形或截?cái)嗍健?br> 8、 一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 步驟81，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)形成柵極層金屬線(xiàn)；步驟82，在完成步驟81的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄 膜和源/漏極金屬層薄膜，采用掩模版掩模，并通過(guò)曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線(xiàn) 引線(xiàn)區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)，在數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成過(guò)孔， 然后將所述過(guò)孔處的有源層薄膜刻蝕掉；步驟83，在完成步驟82的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，形成連接孔；步驟84，在完成步驟83的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過(guò)掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù) 線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)的像素電極引線(xiàn)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟81中形成的柵極層金屬線(xiàn)位于所述步驟82中形成的數(shù) 據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)的正下方。
10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟82中形成的過(guò)孔為方形、圓形或截?cái)嗍健?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制作方法，該結(jié)構(gòu)包括基板、柵絕緣層薄膜、數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)和鈍化層薄膜，數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)下方的基板上保留有柵極層金屬線(xiàn)，數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上形成有過(guò)孔，過(guò)孔下方和上方對(duì)應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜被去除，并與過(guò)孔共同形成連接孔，連接孔中形成有透明像素電極引線(xiàn)，透明像素電極引線(xiàn)通過(guò)連接孔將柵極層金屬線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)連接起來(lái)。本發(fā)明還公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法。本發(fā)明通過(guò)引入在數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)形成的通過(guò)沉積在過(guò)孔中的透明像素電極引線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)相連接的柵極層金屬線(xiàn)，與現(xiàn)有技術(shù)中的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)區(qū)的結(jié)構(gòu)相比能夠很好的避免引線(xiàn)斷開(kāi)這種不良現(xiàn)象的出現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101504499SQ20081005769
公開(kāi)日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2008年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月4日
發(fā)明者威 王, 緯 秦 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司