專利名稱：用陽極氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用陽極氧
化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法。
背旦 豕技術(shù)
陽極氧化鋁膜是采用電化學(xué)技術(shù)在酸性電解質(zhì)中
對鋁片陽極氧化制備而成的，最早可以追溯到1 9 5
3年美國鋁研究實驗室的F. Keller等人的工作。早
期氧化鋁膜的應(yīng)用主要集中在鋁的抗腐蝕性、抗磨損、絕緣性及表面裝飾等方面，相應(yīng)的研究體系主要是致
密型氧化鋁膜和無序多孔型氧化鋁膜。到9 0年代以
后，準維納米材料研究逐漸興起，多孔氧化鋁模板
的特性正好符合了 一維納米體系的要求，它的研究出
現(xiàn)了飛猛進的發(fā)展?，F(xiàn)在，多孔氧化鋁膜己成為合
成介觀結(jié)構(gòu)材料的 一 種重要模板材料。人們在以多孔
氧化鋁膜為模板合成各種介觀陣列體系時，總是渴望
6得到盡可能大面積的、孔洞規(guī).排列的多孔氧化,呂膜。在此方面，曰本的HM a s u d a小'組.做出了具有重大思
義的工作1995年，他們在次陽極氧化的基礎(chǔ)
上，采用一次陽極氧化的方法，制備了有序性極咼的
氧化鋁單面和雙面通孔模板，之后他們又采用壓模的
方法制備了幾乎兀美無缺的六角形孔的氧化鋁模板
目.、/ -刖，陽極氧化鋁模板的制備己經(jīng)成為一項非常成熟
的技術(shù)，可以制備出厚度3 00納米至U 30微米，孔
徑20納米到200納米，單面通孔或雙面通孔的陽
極氧化鋁膜
隨著微電子集成工藝的發(fā)展，下 一 代元腿 益件尺寸
縮小到納米量級，而咼度有序的納米點、納米線陣列
體系由于苴 z 、量子尺寸所帶來的光、電、磁等特性越來
越受到廣泛的重視本專利將陽極氧化鋁膜從鋁基底
上剝離開，做成雙面通孔的陽極氧化鋁膜，以此為掩
?？珊铣筛鞣N結(jié)構(gòu)的納米陣列體系， 如纟內(nèi)米孔，納米
柱，納米點陣列等傳統(tǒng)的制備納米點陣列體系的方
法主要有電子束光刻、分子束外延、自組織生長、化
學(xué)氣相沉積等，但是，這些方法對工藝和設(shè)備要求較
咼，體系的有序度和均一性不咼，不能得到性能良好
的器件而鋁陽極氧化多孔膜員有膜厚度可調(diào)，孔直
徑和孔間距可調(diào)等特點，同時，多孔膜成分主要是二氧
7化鋁，是 一 種寬帶隙材料，員有良好的執(zhí) "、、穩(wěn)定性、
化學(xué)穩(wěn)定性和較高的熱導(dǎo)率。因此，利用鋁陽極氧化
多孔膜做模板能合成各種納米量級尺寸，咼密度，咼
有序度的納米陣列體系。由于鋁價格便宜，鋁陽極氧
化膜制備工藝簡單，易操作，利用鋁陽極氧化多孔膜
合成納米材料有著誘人的前景
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的巨的在于，提供 一 種利用陽極氧化鋁模
板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其是利用陽極
氧化鋁的方法制備出超薄的陽極氧化鋁膜，以陽極氧
化鋁膜為掩模實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上小孔陣列圖形轉(zhuǎn)移。
制備出的孔大小均勻，員有高的有序度，孔密度高達
每平方厘米十的十—次方個，孔直徑2 0納米至U 20
0納米可調(diào)
本發(fā)明提供一種利用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體
材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其步驟如下
步驟1取鋁片，清洗和拋光
步驟2:利用陽極氧化鋁的方法在鋁片上第一次
陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜；
步驟3:將第次陽極氧化形成的多孔氧化鋁膜
溶解掉步驟4 :利用陽極氧化鋁的方法在鋁片上第二次
陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜；
步驟5 :將多孔氧化鋁膜和鋁片剝離開；
步驟6 :將多孔氧化鋁薄膜反向貼在 一 半導(dǎo)體材料襯底上并烘干；
步驟7 :在退火爐中進行退火，改善膜的平整度；
步驟8 :在磷酸溶液中通孔，使孔雙向貫通；
步驟9 :以多孔氧化鋁膜作為掩模，干法刻蝕半
導(dǎo)體材料
步驟1 0:在氫氧化鈉溶液中溶解掉氧化鋁膜。
苴中所述的鋁片清洗，是先用丙酮浸泡1 - 5個小
時，隨后用質(zhì)量分數(shù)為4 - 6 %的氫氧化鈉溶液在60
攝氏度下浸泡6 0- 9 0秒，用去離子水沖洗后，再將
鋁片浸泡至'J 30 0_4 0 0克/升的硝酸溶液中3-5
分鐘，用去離子水沖洗。
中所述的鋁片厚度為1 0 0 - 5 0 0微米，純度
為99《。
苴 z 、中所述的鋁片拋光，是在o-i o攝氏度下，以
體積比為工4的高氯酸和乙醇的混合液為拋光液進
行拋光。
其中所述的第 一 次氧化過程為電解液為2 5攝氏度的質(zhì)量分數(shù)為4%的草酸溶液，鋁片為陽極，鉑
片為陰極，4 0伏直流電，通電時間2小時。
其中所述的第 一 次氧化形成的多孔氧化鋁膜溶
解，是放在質(zhì)量分數(shù)為6%的磷酸和質(zhì)量分數(shù)為1.8%的鉻酸混合溶液中，水浴加熱6 0 °C ，浸泡4個小
時，使第-*7欠氧化形成的多孔氧化鋁膜被溶解掉
其中所述的第二次氧化過程為電解液為25攝
氏度的質(zhì)量分數(shù)為4%的草酸溶液，鋁片為陽極，鉑
片為陰極，40伏直流電，通電時間5分鐘。
中所述的將多孔氧化鋁膜和鋁片剝離開，是將
多孔氧化鋁膜放在質(zhì)量分數(shù)為5 o %的鹽酸禾n o .2摩
/升的氯化銅的混和溶液中，溫度為3 0攝氏度，溶解掉多孔氧化鋁膜底部的鋁片。
其中所述的半導(dǎo)體材料是Si、 Ge元素半導(dǎo)體，或SiGe、 GaAs、 InP、 InGaAs、 GaN化合物半導(dǎo)體材料或Zn0合金以及多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料。
苴 7 、中所述的烘千，是將多孔氧化鋁薄膜反向貼在
半導(dǎo)體材料上，有孔的一面與半導(dǎo)體材料緊密接觸。
苴 z 、中所述退火，是將貼有氧化鋁薄膜的半導(dǎo)體材
料通氬氣保護，溫度50 0攝氏度，時間1 0-3 0分鐘。
中所述的在磷酸溶液中通孔，將貼有氧化鋁薄膜的半導(dǎo)體材料放在質(zhì)量分數(shù)為5 %的磷酸中通孔，溫
度30攝氏度，時間5—2 0分鐘。
本發(fā)明的有益效果在于利用陽極氧化鋁模板實
現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法制備出了超薄的陽極
氧化鋁膜，最薄的陽極氧化鋁膜厚度為3 00納米，
并將陽極氧化鋁膜從鋁基底上剝離開，作為掩模實現(xiàn)
半導(dǎo)體材料上小孔陣列圖形的轉(zhuǎn)移。陽極氧化鋁模板
制備成本低廉，制作過程和工藝簡單，實驗可重復(fù)率
咼，可以進行大規(guī)模的批量生產(chǎn)。與傳統(tǒng)的利用電子
束光刻做圖形轉(zhuǎn)移的方法相比，此方法可以實現(xiàn)大面
積、更小孔徑的圖形轉(zhuǎn)移，孔直徑能小到10納米左
右突破電子束光刻技術(shù)2 0納米的理論極限值，在
合成納米材料中有很大應(yīng)用前景。
為進步說明本發(fā)明的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合
實施例及附圖詳細說明如后，其中
圖1是H "型陽極氧化電解池示意圖2是多孔陽極氧化鋁膜結(jié)構(gòu)示意圖3是半導(dǎo)體材料襯底上反向貼多孔氧化鋁膜示
意圖4是圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料襯底上示意11圖5是圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料襯底上俯視圖。
具體實施例方式
如圖1所不，圖1是"H "型陽極氧化電解池示意
圖。包括鋁片1，鉬片2 ，電解液3禾B水4 。
如圖2所示，圖 2是多孔陽極氧化鋁膜結(jié)構(gòu)示意
圖。包括多孔氧化鋁膜5 ，小孑L 6 ，鋁基底7 。
如圖3所不，圖3是半導(dǎo)體材料襯底上反向貼多
孔氧化鋁膜示思圖。包括多孔氧化鋁膜5 ，小孔6 ，
半導(dǎo)體材料襯底8
如圖4所不，圖4是圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料襯底
上不意圖。包括:小孔6 ，半導(dǎo)體材料襯底8 。
如圖5所不，圖5是圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料襯底
上俯視圖。包括:小孔6 ，半導(dǎo)體材料襯底8 。
下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進 一 步說明
實施例
請參閱圖1圖2、圖3、圖4和圖5并結(jié)合具
體的實施例對本發(fā)明的利用制備的陽極氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上小孔陣列圖形轉(zhuǎn)移的工藝方法作進一
步詳細說明。具體包括如下步驟步驟1 :取 一 鋁片1 ，清洗和拋光；
取一鋁片l厚度為l00-5 00微米，純度為9
9.99%。先用丙酮浸泡1 - 5個小時，除去鋁片1表面的油污，隨后用質(zhì)量分數(shù)為4- 6%的氫氧化鈉溶液在6 0攝氏度下浸泡6 0-9 0秒，除去鋁片l表面
的自然氧化膜，用去離子水沖洗干凈后，再將鋁片1浸泡到3 0 0 - 4 0 0克/升的硝酸溶液中3 - 5分鐘，
除掉表面形成的堿膜，再用去離子水沖洗干凈。
接著將鋁片1進行拋光，是在0 - 1 0攝氏度下，以體積比為1 :4的高氯酸和乙醇的混合液為拋光液，鋁片1為陽極，鉑片2為陰極，通1 8-2 2 V的直流電，4 - 6分鐘后，當(dāng)電流由最大變到最小，再變回到最大值時，拋光過程結(jié)束，鋁片l表面光亮、平整，有利于多孔氧化鋁膜5的自組裝生長，提高小孔6的
有序性和均 一 性。
步驟2 :利用陽極氧化鋁的方法在鋁片1上第一次陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜5 ;
在如圖1所示的電解池中間夾上已經(jīng)拋光過的鋁
片1 ，接陽極，在電解池左側(cè)放入電解液3 ，并在電解液3中放入有鉑絲連接的鉑片2 ，接陰極，在電解池右側(cè)放入水4 ，電解池兩邊水位平衡。電解液3為2 5攝氏度的質(zhì)量分數(shù)為4%的草酸溶液，在電解液
13中放入攪拌磁子進行攪拌，使電解液3各處溫度均勻， 有利于小孔6的自組裝生長。第 一 次氧化過程通4 0
伏直流電，時間2小時，在鋁片1表面會形成高度有 序的小孔6狀陣列結(jié)構(gòu)。
步驟3 :將第 一 次陽極氧化形成的多孔氧化鋁膜
5溶解掉；
將經(jīng)過第 一 次陽極氧化后的鋁片1從電解池中取
出后放在質(zhì)量分數(shù)為6 %的磷酸和質(zhì)量分數(shù)為1 . 8
的鉻酸混合溶液中，水浴加熱6 0 °C， 浸泡4個小
時，使第次氧化形成的多孔氧化鋁膜5被溶解掉。
這時，在鋁片表面會形成排列高度有序的鋸齒狀凹槽，在進行第次氧化時，孔就會沿著鋸齒4犬的凹豐曹生長，
大大提咼孔的有序度。解決由于制作超薄多孔氧化膜
5時，氧化時間短導(dǎo)致的孔的均 一 性和有序性不好的
問題
步驟4:利用陽極氧化鋁的方法在鋁片1上第二
次陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜5 ;
在如圖1所示的電解池中間夾上去掉第次形成
的多孔氧化鋁膜5后的鋁片1 ，接陽極，在電解池左
側(cè)放入電解液3 ，并在電解液3中放入有鉑絲連接的
鉑片2，接陰極，在電解池右側(cè)放入水4 ，電解池兩
邊水位平衡電解液3為2 5攝氏度的質(zhì)量分數(shù)為4%的草酸溶液，在電解液中放入攪拌磁子進行攪拌， 使電解液3各處溫度均勻，有利于小孔6的自組裝生
長。第二次氧化過程通4 0伏直流電，時間5分鐘， 在鋁片1表面會形成高度有序的小孔6狀陣列結(jié)構(gòu)。 第二次氧化形成的多孔氧化鋁膜5厚度小于1微米， 小孑L 6孑L徑為5 0 nm左右，間距為1 0 0 nm左右，小 孔6大小均勻，排列高度有序，成規(guī)則的六角形排列， 基本上可以作為掩模來做離子刻蝕。如圖2所示，上 面為多孔氧化鋁膜5和小孔6 ，下面為鋁基底7 。
步驟5 :將多孔氧化鋁膜5和鋁片1剝離開；
將鋁片1放在質(zhì)量分數(shù)為5 0 %的鹽酸和0 . 2摩 /升的氯化銅的混和溶液中，溫度為3 0攝氏度，溶解 掉多孔氧化鋁膜5底部的鋁基體7 ，剩下 一 層1微米 厚的多孔氧化鋁膜5漂在水中，多孔氧化鋁膜5表面 覆著較多的銅，用去離子水多次沖洗。
步驟6 :將多孔氧化鋁薄膜5反向貼在 一 半導(dǎo)體 材料襯底8上并烘干；
取 一 半導(dǎo)體材料襯底8 ，其中所述的半導(dǎo)體材料 8是Si、 Ge元素半導(dǎo)體，或SiGe、 GaAs、 InP、 InGaAs、 GaN化合物半導(dǎo)體材料或ZnO合金以及多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 材料。將多孔氧化鋁薄膜5反向貼在半導(dǎo)體材料襯底 8上，有孔的 一 面與半導(dǎo)體材料襯底8緊密接觸。由于多孔氧化鋁膜5漂浮在水中時，將多孔氧化鋁膜5
貼在半導(dǎo)體材料襯底8上難度較大，在培養(yǎng)皿中放入
半導(dǎo)體材料襯底8 ，然后再加入去離子水，之后將多
孔氧化鋁膜5轉(zhuǎn)移至培養(yǎng)皿中，用吸管慢慢吸掉培養(yǎng)
皿中的去離子水之后，多孔氧化鋁膜5自然就貼在半
導(dǎo)體材料襯底8上，將半導(dǎo)體材料襯底8烘干，多孔
氧化鋁膜5便緊密貼在半導(dǎo)體材料襯底8上。如圖3
所示，上面為多孔氧化鋁薄膜5 ，下面為半導(dǎo)體材料
襯底8
步驟7:在退火爐中進行退火，改善多孔氧化鋁
膜5的平整度；
將貼有多孔氧化鋁薄膜5的半導(dǎo)體材料襯底8放
入退火爐中，通氬氣保護，溫度5 0 0攝氏度，退火
時間10- 3 0分鐘。由于多孔氧化鋁膜5貼在半導(dǎo)體
材料襯底8上并不是非常平整，可以通過退火來改善
多孔氧化鋁膜5的平整度，使多孔氧化鋁膜5能更好
的與半導(dǎo)體材料襯底8緊密接觸，有利于圖形的轉(zhuǎn)移。
步驟8 :在磷酸溶液中通孔，使孔雙向貫通；
將貼有多孔氧化鋁膜5的半導(dǎo)體材料襯底8放在
質(zhì)量分數(shù)為5 %的磷酸中通孔，溫度3 Q攝氏度，時間
15- 2 0分鐘。由于多孔氧化鋁膜5從鋁片1上剝離
開之后并沒有雙向貫通，有孔的一面與半導(dǎo)體材料
16襯底8緊密接觸，背面則是 一 層三氧化二鋁的阻擋層，
p有孔雙向貫通，才能作離子刻蝕進行圖形轉(zhuǎn)移，將
半導(dǎo)體材料襯底s和多孔氧化鋁膜5 :放在磷酸溶液
中，二氧化二鋁的阻擋層被溶解掉之后，小孔6就雙
向冊 貝通，可以進行圖形轉(zhuǎn)移。
步驟9 :以多孔氧化鋁膜5作為掩模，干法刻蝕
半導(dǎo)體材料襯底8 ;
以多孔陽極氧化鋁膜5作為掩模，對半導(dǎo)體材料
做離子刻蝕。如圖4所示，是圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料
襯底8之后的示意圖。如圖5所示，是圖形轉(zhuǎn)移到半
導(dǎo)體材料襯底8之后的俯視圖。
步驟10:在氫氧化鈉溶液中溶解掉多孔氧化鋁
膜5
在飽和的氫氧化鈉溶液中浸泡5 - 10分鐘，便可
溶解掉多孔氧化鋁膜5 ，用去離子水反復(fù)沖洗之后，
便可在半導(dǎo)體材料襯底8上得到小孔6陣列結(jié)構(gòu)圖
形小孔6的大小和分布與多孔氧化鋁膜5的上小孔
的大小和分布一致。因此，可以通過改變陽極氧化時
的條件來改變多孔陽極氧化鋁膜5的孔徑的大小和孔
間距，以得到實際應(yīng)用中半導(dǎo)體材料襯底8上所需要
的結(jié)構(gòu)參數(shù)。
以上所述的，僅為本發(fā)明的較佳實施例而己并
17非用來限定本發(fā)明實施的范圍。即凡是依本發(fā)明權(quán)利 要求所述的特征及精神所為的均等變化或修飾，均應(yīng) 包括于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種利用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，包括如下步驟步驟1取一鋁片，清洗和拋光；步驟2利用陽極氧化鋁的方法在鋁片上第一次陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜；步驟3將第一次陽極氧化形成的多孔氧化鋁膜溶解掉；步驟4利用陽極氧化鋁的方法在鋁片上第二次陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜；步驟5將多孔氧化鋁膜和鋁片剝離開；步驟6將多孔氧化鋁薄膜反向貼在一半導(dǎo)體材料襯底上并烘干；步驟7在退火爐中進行退火，改善膜的平整度；步驟8在磷酸溶液中通孔，使孔雙向貫通；步驟9以多孔氧化鋁膜作為掩模，干法刻蝕半導(dǎo)體材料；步驟10在氫氧化鈉溶液中溶解掉氧化鋁膜。
2 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于苴 z 、中所述的鋁片清洗，是先用丙酮浸泡1 - 5個小時，隨后用質(zhì)量分數(shù)為4 - 6 %的氫氧化鈉溶液在60攝氏度下浸泡6 0 - 9 0秒，用去離子水沖洗后，再將鋁片浸泡到30 0 - 4 0 0克/升的硝酸溶液中3 - 5分鐘，用去離子水沖洗。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實 現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其中所述的鋁片厚度為1 0 0 - 5 0 0微米，純度為9 9 . 9 9%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其中所述的鋁片拋光，是在o-1 o攝氏度下，以體積比為1:4的高氯酸和乙醇的混合液為拋光液進行拋光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其中所述的第一次氧化過程為:電解液為25攝氏度的質(zhì)且 里分數(shù)為4 %的草酸溶液，鋁片為陽極，鉑片為陰極，40伏直流電，通電時間2小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其中所述的第一次氧化形成的多孔氧化鋁膜溶解，是放在質(zhì)分數(shù)為6%的磷酸和質(zhì)量分數(shù)為1.8 %的鉻酸混合溶液中，水浴加熱6 0 °C ，浸泡4個小時使第次氧化形成的多孔氧化鋁膜被溶解掉c
7 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其中所述的第次氧化過程為電解液為25攝氏度的質(zhì)量分數(shù)為4的草酸溶液，、鋁片為陽極，鉑片為陰極，40伏直流電， 通電時間5分鐘。
8 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，中所述的將多孔氧化鋁膜和鋁片剝離開，是將多孔氧化鋁膜放在質(zhì)量分數(shù)為5 0 %的鹽酸和0.2摩/升的氯化銅的混和溶液中，溫度為3 0攝氏度，溶解掉多孔氧化鋁膜底部的鋁片。
9 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其中所述的半導(dǎo)體材料是Si、Ge元素半導(dǎo)體，或SiGe、G s 、InP、InGaAs 、GaN化合物半導(dǎo)體材料或Zn0合金以及多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其 中所述的烘干，是將多孔氧化鋁薄膜反向貼在半導(dǎo)體材料上，有孔的 一 面與半導(dǎo)體材料緊密接觸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板 實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其 中所述退火，是將貼有氧化鋁薄膜的半導(dǎo)體材料通氬氣保護，溫度5 0 0攝氏度，時間1 0-3 0分鐘。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用多孔氧化鋁模板 實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，其 中所述的在磷酸溶液中通孔，將貼有氧化鋁薄膜的半 導(dǎo)體材料放在質(zhì)量分數(shù)為5 %的磷酸中通孔，溫度3 0 攝氏度，時間1 5-2 0分鐘。
全文摘要
一種利用多孔氧化鋁模板實現(xiàn)半導(dǎo)體材料上圖形轉(zhuǎn)移的方法，包括如下步驟1取一鋁片，清洗和拋光；2利用陽極氧化鋁的方法在鋁片上第一次陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜；3將第一次陽極氧化形成的多孔氧化鋁膜溶解掉；4利用陽極氧化鋁的方法在鋁片上第二次陽極氧化，制作多孔氧化鋁膜；5將多孔氧化鋁膜和鋁片剝離開；6將多孔氧化鋁薄膜反向貼在一半導(dǎo)體材料襯底上并烘干；7在退火爐中進行退火，改善膜的平整度；8在磷酸溶液中通孔，使孔雙向貫通；9以多孔氧化鋁膜作為掩模，干法刻蝕半導(dǎo)體材料；10在氫氧化鈉溶液中溶解掉氧化鋁膜。
文檔編號H01L21/308GK101499417SQ200810057180
公開日2009年8月5日 申請日期2008年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月30日
發(fā)明者成步文, 王啟明, 白安琪, 迪 胡, 薛春來 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所