專(zhuān)利名稱(chēng)：金屬平板式新型半導(dǎo)體封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝方法，主要用于半導(dǎo)體的四面無(wú)腳扁平貼 片式封裝。屬半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。(二) 背景技術(shù)傳統(tǒng)的四面無(wú)腳扁平貼片式封裝采用的是在穿透式蝕刻好的整條框架 的基礎(chǔ)上進(jìn)行裝片、打線(xiàn)、包封等半導(dǎo)體封裝方法。這種在穿透式蝕刻好 的整條框架基礎(chǔ)上進(jìn)行的半導(dǎo)體封裝主要存在以下不足-1、 因?yàn)榭蚣苁谴┩甘轿g刻過(guò)的，需要在整條框架的背面貼上一層專(zhuān)用 膠帶來(lái)避免半導(dǎo)體包封工序時(shí)產(chǎn)生塑封料溢料的問(wèn)題，進(jìn)而增加了材料成 本。2、 穿透式蝕刻后的引線(xiàn)框架，在打線(xiàn)工序時(shí)因框架結(jié)構(gòu)強(qiáng)度低而易產(chǎn) 生晃動(dòng)，進(jìn)而影響到打線(xiàn)互聯(lián)的穩(wěn)定性，為產(chǎn)品的可靠性埋下隱憂(yōu)。3、 雖然采取了專(zhuān)用膠帶來(lái)防止包封時(shí)產(chǎn)生溢料，但在灌注塑封料時(shí)還 是會(huì)因?yàn)楣嘧毫Φ膯?wèn)題而沖破粘結(jié)面，造成框架背面溢料。因此為了縮 小溢料面積常常使用較低的灌注壓力，這又導(dǎo)致塑封料過(guò)于疏松、吸水性 高而影響到產(chǎn)品的可靠性。4、 因?yàn)閷?zhuān)用膠帶的使用，在作業(yè)時(shí)會(huì)有化學(xué)物質(zhì)從膠帶上散發(fā)出來(lái)污染到芯片和框架的表面，進(jìn)而影響到后續(xù)的裝片、打線(xiàn)作業(yè)。5、在包封后去除膠帶時(shí)因?yàn)槟z帶的粘性而會(huì)有粘性物質(zhì)殘留在引線(xiàn)框 背面的引腳上，進(jìn)而影響到后續(xù)表面貼裝時(shí)的焊接性能。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種材料成本較低、可靠性能 更好的金屬平板式新型半導(dǎo)體封裝方法。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種金屬平板式新型半導(dǎo)體封裝方法， 其特征在于所述方法主要包括以下工藝步驟——取一片金屬板，——在所述金屬板的正、背兩面鍍上金屬層，——將所述鍍上金屬層的整片金屬板分離成一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀的功能 引腳和芯片承載底座，并依據(jù)所述塊的外形進(jìn)行分類(lèi)包裝保存，備用， ——取一片金屬平板，——將預(yù)先準(zhǔn)備好的塊狀的功能引腳和芯片承載底座用粘結(jié)物質(zhì)分別植入到所述金屬平板上相應(yīng)的凹槽處，——在所述鍍有金屬層的功能引腳上植入被動(dòng)元件，所述被動(dòng)元件為電阻、電容或電感，——在所述鍍有金屬層的芯片承載底座上植入芯片，——對(duì)已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行打金屬線(xiàn)作業(yè)，——將已打線(xiàn)完成的所述半成品正面進(jìn)行塑封體包封作業(yè)，并進(jìn)行塑封體包封后固化作業(yè)，——在包封固化后的所述半成品正面進(jìn)行打印識(shí)別作業(yè)， ——去除打印后的所述半成品背面的金屬平板，金屬平板可留作后續(xù) 循環(huán)使用，——清洗去除金屬平板后的所述半成品背面的功能引腳和芯片承載底 座的背面，——將清洗后的所述半成品進(jìn)行切割分離作業(yè)，形成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的半 導(dǎo)體封裝元器件。本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法與傳統(tǒng)的采用穿透式框架制成的半導(dǎo)體封裝元 器件相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)1、 金屬平板的使用更好地增強(qiáng)了整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，解決了原傳統(tǒng)工藝 中打線(xiàn)互聯(lián)不穩(wěn)定的隱患。2、 即使灌注壓力再大，由于金屬平板的使用，塑封料也無(wú)法鉆透金屬 板從而避免了溢料的發(fā)生，增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性能。3、 功能引腳和芯片承載底座采用預(yù)先形成并分類(lèi)保存的方式，極大地 提高了金屬材料的利用率，減少了整體框架成型時(shí)廢料的產(chǎn)生，進(jìn)而降低 了材料成本。4、 功能引腳和芯片承載底座采用后天植入的方式粘結(jié)到金屬板上，針對(duì)不同封裝結(jié)構(gòu)只需更改金屬板上的凹槽位置即可，從而增強(qiáng)了封裝體內(nèi) 部結(jié)構(gòu)的靈活性，同時(shí)也降低了新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成本。5、 金屬平板可循環(huán)使用，提高了材料的利用率，也符合環(huán)保的要求。

圖1~圖11為本發(fā)明的生產(chǎn)工藝流程圖。圖中金屬板l、金屬層2、功能引腳3、芯片承載底座4、金屬平板 5、粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線(xiàn)8、塑封體9、被動(dòng)元件IO。 具體實(shí)施方式
本發(fā)明涉及的金屬平板式新型半導(dǎo)體封裝方法，該方法主要包括以下 工藝步驟——取一片金屬板l，如圖1，——在所述金屬板1的正、背兩面鍍上金屬層2，如圖2，——用物理沖切或化學(xué)蝕刻的方式，將整片金屬板分離成一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀的功能引腳3和芯片承載底座4，并依據(jù)所述塊的外形進(jìn)行分類(lèi)包裝保存，備用，如圖3，——取一片金屬平板5，如圖4，——將預(yù)先準(zhǔn)備好的塊狀的功能引腳3和芯片承載底4座用粘結(jié)物質(zhì) 6 (專(zhuān)用膠水)分別植入到所述金屬平板5上相應(yīng)的凹槽處，如圖5，——在所述鍍有金屬層的功能引腳3上植入被動(dòng)元件10，所述被動(dòng)元 件10為電阻、電容或電感，如圖6，——在所述鍍有金屬層的芯片承載底座4上植入芯片7，如圖6， ——對(duì)已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行打金屬線(xiàn)8作業(yè)，如圖7， ——將已打線(xiàn)完成的所述半成品正面進(jìn)行塑封體9包封作業(yè)，并進(jìn)行 塑封體包封后固化作業(yè)，如圖8，——在包封固化后的所述半成品正面進(jìn)行打印識(shí)別作業(yè)，——去除打印后的所述半成品背面的金屬平板5，如圖9，——用化學(xué)藥水清洗，化學(xué)藥水有酒精、丙酮等，去除金屬平板后的所述半成品背面的功能引腳和芯片承載底座的背面，如圖10，——將清洗后的所述半成品進(jìn)行切割分離作業(yè)，形成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體封裝元器件，如圖11。
權(quán)利要求
1、一種金屬平板式新型半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于所述方法主要包括以下工藝步驟——取一片金屬板，——在所述金屬板的正、背兩面鍍上金屬層，——將所述鍍上金屬層的整片金屬板分離成一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀的功能引腳和芯片承載底座，并依據(jù)所述塊的外形進(jìn)行分類(lèi)包裝保存，備用，——取一片金屬平板，——將預(yù)先準(zhǔn)備好的塊狀的功能引腳和芯片承載底座用粘結(jié)物質(zhì)分別植入到所述金屬平板上相應(yīng)的凹槽處，——在所述鍍有金屬層的功能引腳上植入被動(dòng)元件，所述被動(dòng)元件為電阻、電容或電感，——在所述鍍有金屬層的芯片承載底座上植入芯片，——對(duì)已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行打金屬線(xiàn)作業(yè)，——將已打線(xiàn)完成的所述半成品正面進(jìn)行塑封體包封作業(yè)，并進(jìn)行塑封體包封后固化作業(yè)，——在包封固化后的所述半成品正面進(jìn)行打印識(shí)別作業(yè)，——去除打印后的所述半成品背面的金屬平板，——清洗去除金屬平板后的所述半成品背面的功能引腳和芯片承載底座的背面，——將清洗后的所述半成品進(jìn)行切割分離作業(yè)，形成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體封裝元器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種金屬平板式新型半導(dǎo)體封裝方法，主要用于半導(dǎo)體的四面無(wú)腳扁平貼片式封裝。包括以下工藝步驟取一片金屬板；在金屬板的正、背兩面鍍上金屬層，將整片金屬板分離成一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀的功能引腳和芯片承載底座；取一片金屬平板；將預(yù)先準(zhǔn)備好的塊狀的功能引腳和芯片承載底座用粘結(jié)物質(zhì)分別植入到金屬平板上相應(yīng)的凹槽處；在功能引腳和芯片承載底座上植入被動(dòng)元件和芯片；對(duì)已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行打金屬線(xiàn)作業(yè)；將已打線(xiàn)完成的所述半成品正面進(jìn)行塑封體包封作業(yè)，并進(jìn)行塑封體包封后固化作業(yè)；去除打印后的所述半成品背面的金屬平板，將半成品進(jìn)行切割分離作業(yè)，形成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體封裝元器件。本發(fā)明方法材料成本較低、無(wú)化學(xué)物質(zhì)污染、可靠性能更好。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101335218SQ20081002150
公開(kāi)日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月30日
發(fā)明者于燮康, 梁志忠, 王新潮, 羅宏偉 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司