專利名稱：薄型發(fā)光二極管裝置及其封裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管裝置及其封裝方法，特別是涉及一種薄型發(fā)光 二極管裝置及其封裝方法。
背景技術：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)—般是作為指示燈、顯示板。但 隨著技術發(fā)展，已經(jīng)能作為光源使用，它不但能夠高效率地直接將電能轉(zhuǎn)化為 光能，而且擁有最長達數(shù)萬小時至十萬小時的使用壽命，并能省電，同時擁有 無汞、體積小、可應用在低溫環(huán)境、光源具方向性、造成光害少與色域豐富等 優(yōu)點。
發(fā)光二極管現(xiàn)階段最大的應用是手機按鍵的背光源，各種電子展品的指示 燈，而最近應用在廣告看板的大型屏幕，還有應用在液晶屏幕的背光源也越來 越受到矚目，發(fā)光二極管的應用面日趨廣泛。隨著時代進歩，產(chǎn)品呈現(xiàn)越來越 薄型化的設計，故降低發(fā)光二極管裝置的厚度成為發(fā)展重點。
目前發(fā)光二極管裝置的尺寸受到芯片尺寸影響，目前芯片的一般厚度為約 卯微米至約100微米，但是采用氮化物(Nitride)基板的芯片中，真正的發(fā)光層 只有約IO微米至約15微米，其余皆為基板厚度，基板的厚度限制了發(fā)光二極 管裝置的厚度。
因此，基于上述原因，需要一種新的薄型發(fā)光二極管裝置及其封裝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種薄型發(fā)光二極管裝置及其封裝 方法，用于降低發(fā)光二極管裝置的厚度。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄型發(fā)光二極管裝置的封裝方法，
其特征在于，包含 提供一支架；提供一發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片具有一基板；
使用覆晶方式將該發(fā)光二極管芯片與該支架接合；
移除該基板；以及
形成一膠體包覆該發(fā)光二極管芯片。
所述的方法，其中，該發(fā)光二極管芯片包含一合金。
所述的方法，其中，該合金包含金錫。
所述的方法，其中，該合金包含金。
所述的方法，其中，該合金于約攝氏200度至約攝氏300度時呈現(xiàn)融溶態(tài)。 所述的方法，其中，使用覆晶方式將一發(fā)光二極管芯片與該支架接合的步 驟包含
接合該合金與該支架。
所述的方法，其中，移除該基板的步驟包含 使用雷射剝離該基板。
所述的方法，其中，形成一膠體的步驟包含
使用高溫熱壓方式或點膠方式形成該膠體包覆該發(fā)光二極管芯片。 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種薄型發(fā)光二極管裝置，其特征在 于，包含 --支架；
一發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片不具有一基板，且該發(fā)光二極 管晶接合于該支架上；以及
一膠體，包覆該發(fā)光二極管芯片。
所述的裝置，其中，該發(fā)光二極管芯片包含一合金，接合于該支架上。 本發(fā)明有效降低了發(fā)光二極管裝置的厚度。
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1是依照本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光二極管芯片的剖面圖； 圖2是依照本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管芯片接合在支架上的結(jié)構(gòu)的剖 面圖；圖3是依照本發(fā)明一實施例的基板被移除的結(jié)構(gòu)的剖面圖4A是依照本發(fā)明-一實施例的一種薄型發(fā)光二極管裝置的俯視圖4B是沿圖4A的A-A線的剖面圖5是依照本發(fā)明另一實施例的一種薄型發(fā)光二極管裝置的俯視圖。
其中，附圖標記 100:發(fā)光二極管芯片 120: N型磊晶層 140: P型磊晶層 160:負電極 200:支架 400:膠體 110:基板 130:有源層 150:正電極 170:合金 300:雷射
500:發(fā)光二極管裝置
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明的技術方案作進一步更詳細的描述。
參照圖1，是依照本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光二極管芯片的剖面圖。圖1
中，發(fā)光二極管芯片100包含基板110、N型磊晶層(N-layer)120、有源層(active layer)130、 P型磊晶層(P-layer)140、正電極150、負電極160、合金170。其中， N型磊晶層120位于基板110上，有源層130及負電極160分別位于N型磊 晶層120上，且有源層130與負電極160之間有間隔，亦即有源層130與負電 極160實質(zhì)上并未連接，P型磊晶層140位于有源層130上，正電極150位于 P型磊晶層140上，且合金170位于正電極150及負電極160上。另夕卜，有源 層130可為多重量子井((Multiple Quantum Well, MQW)結(jié)構(gòu)?；?10可為氮 化物(Nitride)基板；或是，基板110可為藍寶石(Sapphire)基板、硅(Si)基板、氮化鎵(GaN)基板、碳化硅(SiC)基板或其它相似的基板。值得注意的是，合金 170可包含金；或者，合金170可包含金錫；或者，合金170可為于約攝氏200 度至約攝氏300度時呈現(xiàn)融溶態(tài)的金屬材料，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍 內(nèi)，任何熟悉此技術的人員，可視實際應用，彈性選擇合金170的材料。
接著，參照圖2，是依照本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管芯片IOO接合在支 架200上的結(jié)構(gòu)的剖面圖。于一實施例，提供支架200，再以覆晶方式將發(fā)光 二極管芯片100接合在支架200上；具體而言，使用高溫方式、高壓方式、或 超音波方式使發(fā)光二極管芯片100的合金170呈現(xiàn)融溶態(tài)，并將發(fā)光二極管芯 片100直接接合在支架200上。
接著，參照圖3，是依照本發(fā)明一實施例的基板110被移除的結(jié)構(gòu)的剖面 圖。于一實施例，移除基板110;具體而言，使用雷射300將基板110從N型 磊晶層120上剝離。其中，上述的雷射300可為高能脈沖雷射。
然后，參照圖4A，是依照本發(fā)明一實施例的一種薄型發(fā)光二極管裝置的 俯視圖。同時，參照圖4B，是沿圖4A的A-A線的剖面圖。于一實施例，圖 4B中，基板110被移除之后，使用膠體400包覆發(fā)光二極管芯片100;具體 而言，將膠體400以高溫熱壓的方式或點膠方式將發(fā)光二極管芯片100封膠在 支架200上加以保護。藉此，形成發(fā)光二極管裝置500，其包含支架200、發(fā) 光二極管芯片100、膠體400。其中，發(fā)光二極管芯片IOO不具有基板110， 且發(fā)光二極管芯片100接合于支架200上，而膠體400包覆發(fā)光二極管芯片 100。
另外，參照圖5，是依照本發(fā)明另一實施例的一種薄型發(fā)光二極管裝置的 俯視圖。于此實施例，使用覆晶方式將多個發(fā)光二極管芯片100與一模塊600 接合；具體而言，使用高溫方式、高壓方式、或超音波方式使發(fā)光二極管芯片 100的合金170呈現(xiàn)融溶態(tài)，并將發(fā)光二極管芯片100直接接合在模塊600上。 接著，移除基板110;具體而言，使用雷射300將多個發(fā)光二極管芯片IOO的 基板110剝離。再來，使用膠體400包覆多個發(fā)光二極管芯片100;具體而言， 將膠體400以高溫熱壓的方式或點膠方式將多個發(fā)光二極管芯片IOO封膠在模 塊600上加以保護。藉此，形成一發(fā)光二極管裝置，其包含一模塊600、多個 發(fā)光二極管芯片100、膠體400。其中，每一發(fā)光二極管芯片100不具有基板 110，且多個發(fā)光二極管芯片100接合于模塊600上，而膠體400包覆多個發(fā)光二極管芯片100。
當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但 這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種薄型發(fā)光二極管裝置的封裝方法，其特征在于，包含提供一支架；提供一發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片具有一基板；使用覆晶方式將該發(fā)光二極管芯片與該支架接合；移除該基板；以及形成一膠體包覆該發(fā)光二極管芯片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片包含一A全 n血o
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該合金包含金錫。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該合金包含金。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該合金于約攝氏200度至 約攝氏300度時呈現(xiàn)融溶態(tài)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，使用覆晶方式將一發(fā)光二 極管芯片與該支架接合的步驟包含接合該合金與該支架。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，移除該基板的步驟包含 使用雷射剝離該基板。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成一膠體的步驟包含使用高溫熱壓方式或點膠方式形成該膠體包覆該發(fā)光二極管芯片。
9、 一種薄型發(fā)光二極管裝置，其特征在于，包含 一支架；一發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片不具有一基板，且該發(fā)光二極管晶接合于該支架上；以及一膠體，包覆該發(fā)光二極管芯片。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片包含一 合金，接合于該支架上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄型發(fā)光二極管裝置的封裝方法，包含下列步驟。首先，提供一支架。接著，提供一發(fā)光二極管芯片，其中此發(fā)光二極管芯片包含一基板；接著，使用覆晶方式將此發(fā)光二極管芯片與此支架接合；接著，移除此基板；再來，形成一膠體包覆此發(fā)光二極管芯片。另外，一種薄型發(fā)光二極管裝置亦在此公開。
文檔編號H01L33/00GK101533877SQ20081000736
公開日2009年9月16日 申請日期2008年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日
發(fā)明者唐慈淯 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司