專利名稱：鍵合兩個襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電子學(xué)、光學(xué)或光電子學(xué)的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制造。 更具體地說，本發(fā)明涉及一種將兩個襯底鍵合在一起的方法。 本發(fā)明還涉及一種形成包括半導(dǎo)體材料層的結(jié)構(gòu)的方法，所述半導(dǎo)
體材料層取自供體襯底(donor substrate),該供體襯底自身已經(jīng)通過將兩 個襯底鍵合在一起而形成了。
背景技術(shù)：
為了將兩個襯底鍵合在一起，通常使得第一襯底與第二襯底接觸， 以便通過這些襯底彼此的分子附著來形成鍵合。
這種鍵合的一個應(yīng)用是，在制造"絕緣體上半導(dǎo)體"型(SeOI)結(jié) 構(gòu)、并且特別是在制造"絕緣體上硅"型(SOI)結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域中進(jìn)行這種 鍵合。
在本申請的范圍內(nèi)，要鍵合的至少一個襯底具有表面氧化層；例如， 通常為了形成SOI結(jié)構(gòu)而執(zhí)行Si/Si02鍵合或Si(VSi02鍵合。
通過分子附著而實(shí)現(xiàn)的鍵合是一種在并不應(yīng)用粘結(jié)劑(諸如粘合劑、 膠等)的情況下使得表面極為平坦("鏡面拋光后")的兩個襯底彼此附 著的技術(shù)。
上述表面通常是由絕緣材料(例如，石英、玻璃)或半導(dǎo)體材料(例 如，Si、 GaAs、 SiC、 Ge)制成的襯底的表面。
通常通過在局部將輕微壓力施加到彼此接觸的兩個襯底上或者這兩 個襯底之一上來幵始進(jìn)行鍵合。
然后，在數(shù)秒時間內(nèi)鍵合波(ondede collage)傳播經(jīng)過這些襯底的 整個范圍，從而在原子量級"chelle atomique)上將兩個襯底結(jié)合在--起。
與在通過共價方式、離子方式或金屬方式彼此連接的兩個固體之間
6觀察到的鍵合能量相比，在室溫得到的鍵合能量通常相當(dāng)?shù)汀?br> 為了令人滿意將兩個襯底彼此鍵合，通常在鍵合之前對要鍵合的兩
個表面或者其中一個表面進(jìn)行準(zhǔn)備。這樣做的目的在于增大機(jī)械強(qiáng)度和/
或改善鍵合界面的質(zhì)量。
這種準(zhǔn)備通常包括對要鍵合的襯底的表面進(jìn)行化學(xué)處理，稱之為"清潔"。
清潔特別是旨在給要鍵合的表面賦予以下特性中的一個或更多個
-不存在微粒；
-不存在碳?xì)浠衔铮?br> -不存在金屬雜質(zhì)；
-低表面粗糙度，通常小于5ARMS;
-強(qiáng)疏水性，也就是說，用高密度的硅烷醇鍵(Si-OH鍵)終止要鍵 合的表面。
以下這些可以作為在鍵合之前采用的清潔的示例
-RCA型清潔，即，SC1液(bainSCl，英文為"standard clean 1")
與SC2液(英文為"standard clean 2")的組合，SC1液包括氫氧化銨 (NH4OH)、過氧化氫(H202)及水(H20)，其適于移除微粒及碳?xì)浠?br> 合物，而SC2液包括鹽酸(HCL)、過氧化氫(H202)及水(H20)，其
適于移除金屬雜質(zhì)；
-使用含臭氧的溶液(03)來進(jìn)行清潔，其適于移除有機(jī)雜質(zhì)； -使用包含硫酸及含氧水的混合物("硫過氧化物混合物"(SPM))
的溶液來進(jìn)行清潔。
控制各種清潔參數(shù)(特別是這些液體的溫度)，這使得能夠防止在鍵
合結(jié)構(gòu)的鍵合界面上出現(xiàn)某些缺陷。
所導(dǎo)致的缺陷例如是在這兩個襯底之間的鍵合界面上的氣泡。 此外，在將供體襯底的薄層轉(zhuǎn)移到待處理襯底的情況下可以觀察到
另一類型缺陷，Smart CutTM類型的方法是這種轉(zhuǎn)移的有利示例(關(guān)于
Smart CuFM類型方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員例如可以參考"Silicon Wafer
bonding technology for VLSI and MEMS applications", S.S. Iyer及A丄Auberton-Herv6,正E，2002)。在這種情況下，實(shí)際上在轉(zhuǎn)移后的薄層中可 能觀察到位于待處理襯底的外緣區(qū)域中的穴。被稱為"邊緣空隙"的是: 直徑在50 |im到2 mm之間的、位于距離該結(jié)構(gòu)邊緣0.5 mm到5 mm之 間的位置處的那些未被轉(zhuǎn)移的區(qū)域。
圖1示意性示出具有邊緣空隙的SOI的剖視圖。轉(zhuǎn)移到待處理襯底 上的層具有直徑通常在50 )im到2 mm之間的穴，該穴處于距離該結(jié)構(gòu) 邊緣1-5 mm的位置處。
因此，該邊緣空隙是位于邊緣處與這些襯底的不良鍵合相關(guān)的肉眼 可見的缺陷。它們是嚴(yán)重的并且通常是嚴(yán)重的缺陷。這是因?yàn)?，在邊?空隙的位置處缺乏充當(dāng)用于形成電子組件的有源層的薄層，所以在這個 位置不能制造組件。從邊緣空隙的尺寸來看，包括至少一個邊緣空隙的 電子組件必然會是帶有缺陷的。
"氣泡"型的缺陷對應(yīng)于在所轉(zhuǎn)移的薄層與待處理襯底之間的局部 去鍵合(disbonding)。例如，在通過Smart CutTM方法得到的SOI的情況 下，將硅待處理襯底鍵合到經(jīng)過氧化及注入的供體襯底上，可能會導(dǎo)致 在轉(zhuǎn)移后所得到的結(jié)構(gòu)上觀察到氣泡。如圖2所示，這些氣泡是由于待 處理襯底與所轉(zhuǎn)移的薄層的氧化物之間的局部去鍵合而產(chǎn)生的。
這種局部去鍵合是由彼此接觸的兩個襯底或其中一個襯底的表面上 的任意微粒、碳?xì)浠衔锖圹E或表面不規(guī)則性(局部較高的微粗糙度) 而促成的。
在針對Smart CutTM型(簡明起見，下文中將其稱為"SOI格式(SOI formation)")的轉(zhuǎn)移而執(zhí)行鍵合的情況下，在供體襯底與待處理襯底之 間的鍵合界面上所生成的氣泡在這種轉(zhuǎn)移所涉及的分離退火期間會膨 脹，這會損壞在轉(zhuǎn)移后所得到的最終結(jié)構(gòu)的工作層。
如圖2所示，在SOI格式的范圍內(nèi)，氣泡可以位于該結(jié)構(gòu)的中心及 外緣。
因此，在薄層轉(zhuǎn)移之后，氣泡是直徑通常在O.l mm到3mm之間的 肉眼可見的圓形缺陷。
在這種情況下，氣泡對于SOI而言是嚴(yán)重的缺陷。已知的是，氣泡型缺陷和邊緣空隙型缺陷與鍵合及表面準(zhǔn)備相關(guān)。 更具體地說，己經(jīng)觀察到的是，在鍵合之前的某些清潔條件能夠得 到以下的鍵合，其中-
-通過使用特別是低濃度且尤其為低溫(通常最大為65。C的程度)
的SC1液，防止了在鍵合界面上出現(xiàn)氣泡型缺陷，
-通過使用特別是處于高溫(通常最小為70。C的程度)的SC1液， 防止了在轉(zhuǎn)移之后在鍵合界面上出現(xiàn)邊緣空隙型缺陷。
因此，如上所述的避免氣泡型缺陷的條件及避免邊緣空隙型缺陷的 條件是彼此沖突的。
因此在實(shí)踐中，通過清潔進(jìn)行的準(zhǔn)備步驟需要尋求一種折衷(特別 是關(guān)于在鍵合之前執(zhí)行清潔的溫度)，以獲得在其上會觀察到差不多的氣 泡及邊緣空隙的鍵合界面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在克服上述問題，并且特別是消除對限定清潔條件(特別 是溫度)的折衷的需要，以防止在兩個襯底之間的鍵合界面上出現(xiàn)邊緣 空隙型缺陷及氣泡型缺陷。
為此目的，本發(fā)明的第一方面提供了一種將兩個襯底鍵合在一起的 方法，在鍵合期間這兩個襯底的表面彼此接觸，該方法包括至少一個清 潔步驟，該清潔步驟在使得要鍵合的兩個襯底的表面彼此接觸之前清潔 所述兩個襯底或者其中一個襯底的表面，所述方法的特征在于，
-以使得所清潔的各個表面未被顯著地粗糙化的方式執(zhí)行所述清潔 步驟，并且其中，
-在所述鍵合之前還對要鍵合的至少一個襯底進(jìn)行加熱，所述加熱 是在這些襯底的表面彼此接觸之前開始的，并且所述加熱至少持續(xù)到這 些表面已經(jīng)彼此接觸為止。
本方法的優(yōu)選但非限制性方面如下所述
-所述加熱最晚在鍵合波在這兩個襯底之間的傳播結(jié)束時結(jié)束；
-清潔要鍵合的所述兩個襯底或者其中一個襯底的表面的所述清潔步驟包括蝕刻，所述蝕刻使得蝕刻后的表面的粗糙度增大0 %到20 %;
-清潔要鍵合的所述兩個襯底或者其中一個襯底的表面的所述清潔 步驟包括蝕刻，所述蝕刻使得蝕刻去除了小于15埃的厚度；
-所述清潔步驟是利用低于65。 C的溫度的清潔液進(jìn)行的；
-所述清潔步驟是這樣進(jìn)行的，即，利用基于NH40H、 H202、 H20 的清潔液進(jìn)行的；或者，首先利用基于NH40H、 H202、 H20的清潔液， 隨后利用基于HCL、 H202、 H20的清潔液；或者，首先利用含臭氧的清 潔液，隨后利用基于NH4OH、 H202、 H20的清潔液，接下來利用基于 HCL、 H202、 H20的清潔液；或者，首先利用硫酸和含氧水的清潔液， 隨后利用基于NH4OH、 H202、 H20的清潔液，接下來利用基于HCL、 H202、 H20的清潔液；
-所述清潔步驟是這樣進(jìn)行的，即，首先使用干燥臭氧，隨后利用 基于NH40H、 H202、 H20的清潔液，接下來利用基于HCL、 H202、 H20 的清潔液；
-該方法還可以包括等離子體活化步驟，所述等離子體活化步驟是 在所述清潔步驟之后并且在所述要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的 鍵合步驟之前執(zhí)行的；
-所述等離子體基于02和/或N2;
-所述等離子體使得所述要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的粗 糙度下降；
-所述基于NH40H、 H202、 H20的清潔液的溫度低于65。C;
-所述基于NH40H、 H202、 &0的清潔液具有的順40謹(jǐn)202的質(zhì) 量百分比劑量通常為1/2到6/6之間，優(yōu)選為1/2到3/4之間；所述基于 NH4OH、 H202、 H20的清潔液處于5°C到60°C之間的溫度，優(yōu)選處于 40。C到55。C之間的溫度；所述基于NH40H、 H202、 H20的清潔液被應(yīng) 用幾分鐘，優(yōu)選被應(yīng)用三分鐘；
-所述基于HCL、 H202、 H20的清潔液具有的HCL的質(zhì)量百分比劑 量為0.3%到2°/。之間；所述基于HCL、 H202、 H20的清潔液具有的H202 的質(zhì)量百分比劑量為0.3%到2%之間；所述基于HCL、 H202、 H20的清
10潔液處于30°C的溫度；所述基于HCL、 H202、 H20的清潔液被應(yīng)用幾 分鐘，優(yōu)選被應(yīng)用三分鐘；
-在所述鍵合步驟之前，在所述要鍵合的兩個襯底中的至少--個襯
底的外緣區(qū)域中在局部進(jìn)行加熱；或者，在所述要鍵合的兩個襯底中的
至少一個襯底的整個范圍均勻地進(jìn)行加熱；并且，所述加熱在35°C到 90。C之間的溫度執(zhí)行，通常是在45。C到70。C之間的溫度執(zhí)行；此外， 所述加熱是通過熱傳導(dǎo)或通過輻射實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明還涉及一種形成包括半導(dǎo)體材料薄層的結(jié)構(gòu)的方法，該半導(dǎo)
體材料薄層是從供體襯底被轉(zhuǎn)移到第二襯底的，該方法包括以下步驟
-將兩種原子物質(zhì)共同注入到所述供體襯底中，以生成限定了要轉(zhuǎn) 移的薄層的削弱區(qū)域，這兩種原子物質(zhì)在所謂的"峰值"深度均具有最
大濃度，
-在使得要鍵合的這兩個襯底的表面彼此緊密接觸之前，清潔這兩 個襯底或者其中一個襯底的表面，
-使得所述第二襯底與所述供體襯底接觸，以將這兩個襯底鍵合在 -.-起，
-將所述供體襯底的一部分轉(zhuǎn)移到所述第二襯底，以在所述第二襯 底上形成所述薄層，
所述方法的特征在于，以使得所述兩種原子物質(zhì)的峰值在所述供體
襯底的厚度中具有小于200 A的偏移的方式，注入所述兩種原子物質(zhì)； 并且其中，根據(jù)前述鍵合方法，執(zhí)行所述鍵合。
有利的是，所述兩種原子物質(zhì)分別是氫和氦，優(yōu)選的是，所述兩種 原子物質(zhì)的所述峰值設(shè)置在所述供體襯底的相同深度。
根據(jù)一具體實(shí)施方式
，在覆蓋有1450A氧化層的硅供體襯底中，氫 的注入能量被選擇為32 keV，使得所述氫注入峰值在所述供體襯底中位 于2450A的深度，并且，氦的注入能量在47keV到50keV之間，優(yōu)選 的是49 keV。


通過結(jié)合附圖閱讀以下的純粹示例性及非限制性的描述，可以理解 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，除了已經(jīng)討論過的圖1及圖2之外，其它附 圖是
圖3例示了作為SC1液溫度的函數(shù)的氣泡出現(xiàn)率(實(shí)線)及邊緣空 隙出現(xiàn)率(虛線)；
圖4a和圖4b例示了從該結(jié)構(gòu)的中心開始鍵合(圖4a)和從該結(jié)構(gòu) 的邊緣開始鍵合(圖4b)兩種情況下的鍵合波的傳播，其中，通過點(diǎn)來 表示其中預(yù)計可能會出現(xiàn)邊緣空隙的外緣區(qū)域；
圖5例示了在對硅襯底的上部進(jìn)行15秒局部加熱之后在直徑為 300mm的硅襯底上的溫度圖，在這種情況下，由于鍵合是在該硅襯底的 下部開始的，因此預(yù)計在該襯底的上部應(yīng)該出現(xiàn)邊緣空隙；
圖6例示了相對于氫峰值偏移的氦峰值，以及與氫峰值對準(zhǔn)的氦峰
值；
圖7根據(jù)對3個可選方法的比較示出了 "密集區(qū)域"型缺陷的分布
以及
圖8A到圖8C例示了通過對在各種注入和清潔條件下疊置的通常為 25片的晶片上所觀察到的缺陷圖進(jìn)行迭加而產(chǎn)生的密集區(qū)域。
具體實(shí)施例方式
如上所述，本發(fā)明涉及將兩個襯底鍵合在一起的方法。 如上所述，本發(fā)明特別是旨在消除與氣泡及邊緣空隙的出現(xiàn)相關(guān)的 折衷。
申請人認(rèn)識到，通過更改用于清潔要鍵合的表面的液體的參數(shù)，可 以減少出現(xiàn)氣泡型缺陷。
但是，如上所述，有利于減少氣泡的清潔條件在轉(zhuǎn)移的情況下有助 于增加出現(xiàn)邊緣空隙。
因此，當(dāng)前已知的實(shí)施方式通常包括，在將清潔條件定義為(特別 是)溫度和允許的氣泡及邊緣空隙數(shù)量的函數(shù)時做出折衷。
圖3示意性例示了這種折衷的原理，其中氣泡出現(xiàn)率(實(shí)線)及邊緣空隙出現(xiàn)率(虛線)被表示為SC1液溫度的函數(shù)。 因此
-借助于處于高溫的SC1液進(jìn)行的清潔使得正被清潔的這些襯底表 面被刻蝕或者粗糙化，從而能夠避免產(chǎn)生邊緣空隙，但是促成了氣泡的 產(chǎn)生，
-借助于處于低溫(通常低于65。C)的SC1液進(jìn)行的清潔使得正被 清潔的這些襯底表面被極小幅度地粗糙化并被極低程度地蝕刻(小于15 埃、通常為5-10埃的移除)，從而能夠避免產(chǎn)生氣泡，但是促成了邊緣空
隙的產(chǎn)生。
應(yīng)當(dāng)注意的是，限定不存在邊緣空隙的規(guī)范變得越來越嚴(yán)格。 申請人:建議，選擇一些條件，用以在清潔這些襯底表面期間防止出 現(xiàn)氣泡，與此同時不必對在清潔期間可能會出現(xiàn)的邊緣空隙感到擔(dān)心。
因此，這些清潔條件應(yīng)當(dāng)?shù)玫饺缦碌那鍧嵑蟊砻婕?，其粗糙度?br> 厚度由于蝕刻程度低而"基本上"未被清潔步驟所改變。
可以回想到，通常借助于在低溫情況下(通常低于65。C)的SC1液 來實(shí)現(xiàn)要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的小幅度劣化。
而且，通?？梢圆捎萌我忸愋偷那鍧崳灰@種清潔允許按照以下 這種方式來執(zhí)行清潔步驟在清潔之后，清潔后的各個表面的粗糙度未
被該清潔所改變，或在最糟糕的情況下清潔后的各個表面的粗糙度相對
于在該清潔步驟之前的粗糙度值增大了20%。為此目的，使用AFM(原 子力顯微鏡)在10x10 ^112的表面上測量粗糙度。然后，通過將清潔之后 的粗糙度與清潔之前的粗糙度進(jìn)行比較來評估粗糙化。
此外，通過清潔進(jìn)行的粗糙化與由其導(dǎo)致的蝕刻是相關(guān)的。因此合 適的是，采用能夠?qū)е滦∮?5埃(通常為5-10埃)的蝕刻的任意類型的 清潔。
使要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的表面不劣化的效果在于限 制出現(xiàn)氣泡。
然后，通過加熱要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的方式，通過 對這些襯底的鍵合進(jìn)行控制(對鍵合波的傳播速度進(jìn)行控制)，來防止出
13現(xiàn)邊緣空隙。
申請人己經(jīng)開發(fā)出了一種用于減少出現(xiàn)邊緣空隙的方法，其通過加 熱要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底，基于對鍵合波的傳播速度進(jìn)行 控制來實(shí)現(xiàn)。
具體地說，鍵合波的傳播速度一方面受親水性的影響，而另一方面 受要鍵合的襯底表面的低粗糙度的影響。
因此，可以獨(dú)立地控制氣泡的出現(xiàn)及邊緣空隙的出現(xiàn)。
因此，本發(fā)明一方面建議清潔要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底， 使得在清潔之后，清潔后的要鍵合的襯底表面未被顯著地粗糙化(這是 有益于防止出現(xiàn)氣泡的條件)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，用語"未被顯著地粗糙化"表示有限地增大粗糙度。 更具體地說，這通常相當(dāng)于清潔后的表面粗糙度被增大了 0%到20%。
為了得到未被顯著地粗糙化的表面，清潔步驟可能包括厚度小于15 埃的蝕刻。
所進(jìn)行的清潔還可以包括多個步驟。在所設(shè)想的全部情況中，被清 潔的各個表面在清潔之后"未被顯著地粗糙化"。
此外，本發(fā)明建議在鍵合之前對要鍵合的至少一個襯底進(jìn)行加熱， 在這些襯底表面彼此接觸之前開始加熱，并且該加熱至少一直持續(xù)到所 述襯底實(shí)際上彼此接觸為止。
應(yīng)當(dāng)注意的是，該加熱最晚在鍵合波在兩個襯底之間的傳播結(jié)束時 結(jié)束。
應(yīng)當(dāng)指出的是，不必對兩個襯底或者其中一個襯底的整個表面進(jìn)行 加熱，而是可以將加熱限制在它們的特定區(qū)域中。因此，有利的是，將 加熱限制到這些襯底的有限表面，特別是將加熱限制到可能出現(xiàn)邊緣空 隙型缺陷的外緣區(qū)域。
可以通過組合多種液體，對要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底進(jìn) 行清潔。
在清潔步驟期間，所使用的液體使得要鍵合的兩個襯底或者其中一
個襯底的表面粗糙度增大0°/。到20°/。之間，并且導(dǎo)致厚度小于15埃的蝕刻。
能夠得到這種結(jié)果的清潔是在低于65°C的溫度所執(zhí)行的清潔。
優(yōu)選的是，所采用的清潔包括SC1液(基于NH4OH、 H202、 H20
的混合物)。
特別是可以以相當(dāng)?shù)偷臐舛仍?°C至U 60°C之間的溫度(通常 40°C-55°C)使用SC1液數(shù)分鐘(通常為三分鐘)。
在SC1液中，NH4OH/H202的濃度(表示為質(zhì)量百分比)通常為1/2 到6/6之間。該質(zhì)量百分比劑量優(yōu)選等于1/2或3/4。
使用SCI液的這種清潔通常使得從對于形成這種SOI而言必要的離 子注入所削弱的熱氧化物中蝕刻掉大約5-15埃。
有利的是，在使用SC1液之前，特別是為了移除有機(jī)雜質(zhì)而預(yù)先采 用臭氧液、SPM (基于H2SCVH202的混合物)或基于干燥臭氧(UV/03 氣氛)的清潔。
此外有利的是，在經(jīng)過SC1液處理之后，使用低溫(通常為30。C) 且低濃度(通常為0.3 - 2%的HCL及0.3 - 2%的H202 (其余為水)，以質(zhì) 量百分比來表示)的SC2液進(jìn)行大約三分鐘的處理。
使用這種SC2使得可以移除相當(dāng)大部分的金屬雜質(zhì)，而不會劣化要 鍵合的襯底的親水性，這種親水性在開始鍵合時有利于鍵合波的傳播。
此外，還可以對已經(jīng)通過這種方式清潔后的要鍵合的兩個襯底或者 其中一個襯底進(jìn)行等離子體活化處理，優(yōu)選的是使用02和/或N2等離子 體。
應(yīng)當(dāng)注意的是，等離子體活化步驟還可以被稱為具有平滑效果的干 法清潔步驟，因此其相當(dāng)于附加的清潔步驟。它的使用提高了要鍵合的 兩個襯底或者其中一個襯底的表面條件。
因?yàn)榈入x子體活化被看作為清潔步驟，因此可以認(rèn)為"該清潔"是 一系列連續(xù)步驟。根據(jù)本發(fā)明，這些清潔步驟作為整體必須滿足要鍵合 的表面的粗糙度限制。
應(yīng)當(dāng)注意的是，雖然還可以在SC1液之前執(zhí)行等離子體活化處理以 移除有機(jī)雜質(zhì)，但是優(yōu)選在清潔與鍵合本身之間執(zhí)行這種等離子體活化處理。
當(dāng)加熱要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底時，使得邊緣空隙被消
除的溫度范圍為從35。C到90。C，通常為從45。C到70。C。
應(yīng)當(dāng)注意的是，該溫度范圍的設(shè)置原則是，不應(yīng)過度增大溫度而導(dǎo) 致發(fā)生鍵合能量減小的風(fēng)險。
具體地說，如果在過高的溫度下鍵合這些襯底，該鍵合可能是效果 不良的。在某些情況下，甚至不可能進(jìn)行鍵合。
這是因?yàn)?，在?shí)踐中是在不應(yīng)用粘合劑或其它膠的情況下實(shí)現(xiàn)鍵合 的。被吸收到各個接觸表面上的水(數(shù)個單分子層的水)充當(dāng)粘合劑， 并且通過范德華力(force de Van derWaals)使得這兩個接觸的表面附著。
因此，如果這些襯底被加熱到過高的溫度，則所吸收的水中的絕大 部分(或甚至全部的水)會蒸發(fā)，這使得不能進(jìn)行鍵合，這是因?yàn)殒I合 波不能正確地在要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的表面上傳播。
因此，對于加熱來說合適的是，使用能夠消除邊緣空隙的最低溫度， 以使得不減小鍵合能量，減小鍵合能量可能導(dǎo)致出現(xiàn)其它缺陷(例如， 在薄層轉(zhuǎn)移之后的氣泡)。
有利的是，并不必要對要鍵合的兩個襯底或者其中--個襯底的整個 表面進(jìn)行加熱?？梢詢H加熱其中一個襯底。
此外，還可以僅加熱其中可能出現(xiàn)邊緣空隙的區(qū)域。
例如，如果從邊緣開始兩個襯底(呈圓形)的鍵合，可以僅加熱在 直徑方向與這點(diǎn)相對的邊緣。因此，可以在不影響其余鍵合的情況下， 加熱會出現(xiàn)邊緣空隙的關(guān)鍵區(qū)域，從而有利于鍵合波在要鍵合的襯底的 剩余表面上傳播。
圖4a和圖4b分別例示了在從中心開始(參見圖5a)和從邊緣開始 (參見圖5b)對兩個襯底的鍵合時鍵合波的傳播。
局部加熱或?qū)σ粋€或兩個襯底的全部的加熱，例如可以通過熱傳導(dǎo) (例如，通過與發(fā)熱的支撐件接觸)或通過輻射(例如，由鹵素?zé)粽丈?要加熱的襯底的全部或部分)來實(shí)現(xiàn)。
特別是，應(yīng)當(dāng)將其中會出現(xiàn)邊緣空隙的區(qū)域保持在所期望的溫度，
16直到這些表面在該區(qū)域中被鍵合了為止。
加熱時間很大程度上取決于增大以及控制加熱區(qū)域的溫度所使用的 設(shè)備。
例如，當(dāng)使用輸出500瓦功率的卣素?zé)魰r，通常的加熱時間處于15 秒到90秒之間(該時間范圍很大程度上取決于這些襯底與燈之間的距 離)。
在加熱15秒之后，例如，在從襯底邊緣開始鍵合的情況下，相對邊 緣優(yōu)選最熱為大約50°C的溫度。
例如，在相同條件下在加熱50秒之后，在兩個襯底或者其中--個襯 底上測量到的最大溫度達(dá)到接近70°C。
圖5例示了在進(jìn)行15秒局部加熱之后在直徑為300 mm的硅襯底上 的溫度圖，在這種情況下，由于鍵合是在該硅襯底的下部開始的，因此 預(yù)計在該襯底的上部應(yīng)該出現(xiàn)邊緣空隙。
本發(fā)明的方法使得可以在形成SOI的情況下得到更好質(zhì)量的鍵合。
因此，在Smart CutTM技術(shù)的情況下，本方法使得能夠同時避免邊緣 空隙和氣泡(通常是嚴(yán)重的肉眼可見的缺陷)，從而增大了產(chǎn)量并且改善 了所獲得的結(jié)構(gòu)的質(zhì)量。
氣泡和邊緣空隙的這種基本消除特別是涉及促使氣泡出現(xiàn)的條件， 也就是說，例如，當(dāng)注入高劑量的氫(單獨(dú)注入氫)時，或在共同注入 氦及氫的情況下。
具體地說，根據(jù)Smart CutTM方法，通過將原子物質(zhì)或離子物質(zhì)注入 到供體襯底層厚中，在鍵合之前就已經(jīng)形成了削弱的區(qū)域，并且在鍵合 之后在削弱的區(qū)域中分離供體襯底，以將薄層轉(zhuǎn)移到第二襯底。
通常氦及氫是共同注入的，同時這兩個物質(zhì)的注入峰值是彼此偏移 的。這是因?yàn)橐呀?jīng)表明就氣泡而言更好的結(jié)果是如此獲得的，即，通過 注入氫使得它的峰值基本上位于分離平面的深度，而注入氦使得它的峰 值位于供體襯底厚度中更深一些的位置處。在本申請中，將峰值定義為 這樣的深度，在該深度處注入物質(zhì)的濃度最大。
術(shù)語"偏移"旨在表示在供體襯底中深度的不同。參照圖6， z軸垂直于供體襯底的表面指向深度增大的方向，原點(diǎn)位于注入側(cè)的襯底表面上。由雙箭頭D來表示各個峰值之間的偏移。
實(shí)際上，按照將峰值設(shè)置在同一深度的方式共同注入氦及氫原子時，能夠觀察到在鍵合界面明顯形成氣泡。相反，當(dāng)氫注入峰值在供體襯底深度上相對于氦注入峰值偏移時，可以發(fā)現(xiàn)避免了形成氣泡。在US專利
申請2006/0060943中解釋了這個問題。
在本申請中，術(shù)語"最終粗糙度"旨在表示在削弱區(qū)域分離之后在SOI晶片上存在"密集區(qū)域"。密集區(qū)域包括淺缺陷，淺缺陷并不幵放但是擴(kuò)展的。淺缺陷并不出現(xiàn)在晶片整個表面上，而是局部地位于分離開始區(qū)域，如圖8A到圖8C所示，其中，以箭頭來指示密集區(qū)域ZD。
密集區(qū)域引起了所顯露出的"低頻率"粗糙度(特別是通過AFM (原子力顯微鏡)在30x3(Htm2、或40x4(^m2的區(qū)域中觀察到的)。還可以通過Surfscan型儀器執(zhí)行的"霧影(haze)"測量，來測量這種缺陷密度。用于評估該密集區(qū)域的Surfscan SP2設(shè)備的檢測閾值的典型值是90 nm。
密集區(qū)域的粗糙度一方面限制了晶片的檢測閾值，而另一方面，表明了表面質(zhì)量的劣化。因此，期望限制這種類型缺陷的形成。
對此，在將根據(jù)本發(fā)明的方法應(yīng)用到其中供體襯底經(jīng)過了氦和氫共同注入(其中，在供體襯底的厚度中氫峰值相對于氦峰值是偏移的)的結(jié)構(gòu)之后，申請人對密集區(qū)域執(zhí)行了測量。已經(jīng)觀察到，采用低溫SC1液進(jìn)行清潔對于氣泡的形成具有有利效果，但是對于密集區(qū)域的尺寸具有不利效果。
相反，申請人觀察到，根據(jù)本發(fā)明通過在供體襯底的厚度中在基本上相同的深度上對準(zhǔn)氫注入峰值和氦注入峰值并且在低溫進(jìn)行清潔，減少了氣泡的形成，而且也由此減小了密集區(qū)域。對于邊緣空隙，通過在鍵合期間進(jìn)行加熱來限制邊緣空隙的形成。術(shù)語"基本上相同的深度"旨在表示氫峰值和氦峰值的相同深度，或表示在氫峰值與氦峰值之間的小于200A的深度偏差。
因此，將氫峰值和氦峰值的對準(zhǔn)與低溫清潔相結(jié)合，不僅可以防止形成氣泡而且還可以減小在最終SOI上的密集區(qū)域的缺陷密度。特別有利的是，可以將氫注入能量選擇作為期望注入深度的函數(shù)，并因此作為要轉(zhuǎn)移的薄層的厚度的函數(shù)。確定這種能量(其還取決于要注入的襯底)屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力。
然后，定義氦注入能量，以使得氦峰值與氫峰值對準(zhǔn)，或使得氦峰值以小于200 A的幅度相對于氫峰值偏移。
應(yīng)當(dāng)指出的是，參照圖6，氫峰值和氦峰值具有不同的形狀，氫峰
值(H)比較窄而氦峰值(He)更寬。
例如，參照圖6，將氫和氦共同注入到覆蓋有1450A氧化層的硅供體襯底中，將氫能量選擇為32keV，使得注入峰值位于2450A的深度。為了如現(xiàn)有技術(shù)一樣地偏移峰值，選擇52keV量級的氦注入能量，這使得在這兩個峰值之間產(chǎn)生了 500 A的偏移。密集區(qū)域的缺陷密度在直徑為300 mm的片上通常大于200個缺陷(圖7中的情況B)，這些缺陷是按照90 nm的閾值來測量的。為了彼此對準(zhǔn)這些峰值，將氦注入能量值減小為47 keV到50 keV之間，優(yōu)選的是49 keV。然后，密集區(qū)域的缺陷密度在直徑為300 mm的片上處于80個缺陷的量級(圖7中的情況A)，仍然是按照90 nm的閾值來測量的。作為對比，在使用現(xiàn)有技術(shù)的方法的情況下，即，在65。C進(jìn)行清潔并且這些峰值之間的偏移與情況B的相同，密集區(qū)域的缺陷密度處于80個缺陷的量級(圖7中的情況C)。
在圖8A到圖8C中可以觀察到這些結(jié)果。
圖8A示出了在經(jīng)過了按照峰值對準(zhǔn)方式共同注入氫和氦(氦注入能量為49 keV)并且在鍵合之前在55°C的SC1液中進(jìn)行了清潔的SOI晶片上存在的密集區(qū)域ZD。
圖8B例示了在經(jīng)過了按照峰值偏移方式共同注入氫和氦(氦注入能量為52 keV)并且在鍵合之前在55°C的SC1液中進(jìn)行了清潔的晶片上的密集區(qū)域ZD。與前一種情況相比，該密集區(qū)域擴(kuò)展了很多。
圖8C例示了在經(jīng)過了按照峰值偏移方式共同注入氫和氦(氦注入能量為52 keV)并且在鍵合之前在65°C的SC1液中進(jìn)行了清潔的密集區(qū)域。
這些附圖示出了對準(zhǔn)氫和氦的注入峰值使得能夠顯著減小密集區(qū)域
19的缺陷密度，這對減小在鍵合之前的清潔中的SC1液的溫度時所觀察到 的劣化進(jìn)行了補(bǔ)償。
現(xiàn)在返回到根據(jù)本發(fā)明的鍵合方法，可以看到，還可以在本方法的 上游避免對這些襯底進(jìn)行分揀。具體地說，如上所述，傳統(tǒng)上基于要鍵 合的襯底的邊緣特性在會出現(xiàn)邊緣空隙的位置執(zhí)行分揀。這種分揀會導(dǎo)
致襯底的高排斥性(rejection)。
此外，RCA清潔液使用低溫具有經(jīng)濟(jì)上的益處，因?yàn)樵谶@些條件下 構(gòu)成該清潔液的化學(xué)產(chǎn)品的蒸發(fā)較小，所以該清潔液的壽命更長。這給 出了下列優(yōu)點(diǎn)，即，限制了被添加用于長時間穩(wěn)定溶液濃度的化學(xué)產(chǎn)品 的數(shù)量。
重要的是，這些清潔條件與Smart CutTM方法中所包括的其它清潔(氧 化之后的清潔、熱處理之后的清潔等)非常類似或相同。
因此，在工業(yè)上使用一種清潔液并且可以為該方法的全部步驟僅采 用一個設(shè)備，這就足夠了。
因此，可以想到的是，通過修改溫度和鍵合時間的參數(shù)來優(yōu)化清潔 并且對鍵合步驟作出必要的調(diào)整。
此外，本發(fā)明的方法得到在鍵合之前具有低粗糙度的襯底，這能夠 實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的鍵合并且之后更容易穩(wěn)定的鍵合界面。
根據(jù)本發(fā)明方法還可以消除通過當(dāng)清潔要鍵合的兩個襯底或者其中 一個襯底時改變SC1液的溫度而造成的邊緣空隙/氣泡折衷效應(yīng)。
因此，可以看到，因?yàn)榭梢愿鶕?jù)消除邊緣空隙的鍵合條件和使得氣 泡出現(xiàn)被最小化的清潔條件來獨(dú)立地執(zhí)行調(diào)整，所以簡化了調(diào)整本方法 參數(shù)的可能性。
以下，給出了使用本發(fā)明的方法所得到的結(jié)果。
在通過Smart CutTM進(jìn)行Si/注入的Si02鍵合以得到SOI的情況下， Si待處理襯底對清潔較不敏感(較不容易被蝕刻和/或粗糙化)。通過原子 力顯微鏡在10xl0pm2表面上測量得到的這種待處理襯底的典型粗糙度小 于或等于1埃RMS。供體襯底(其包括在表面上被氧化的硅并且隨后共 同注入了氦和氫)例如在局部因?yàn)樽⑷攵幌魅?，所以更容易通過清潔來被粗糙化和蝕刻。它的粗糙度在清潔之前接近1.2-1.4埃RMS，在使用
75°C的溫度的SC1進(jìn)行RCA清潔之后，它的粗糙度達(dá)到大約2埃RMS， 這使得被蝕刻了 30埃。相反，如果同一供體襯底在40°C經(jīng)過了同一清 潔，則它的粗糙度沒有改變地保持在1.2-1.4埃RMS范圍內(nèi)，而與此對 應(yīng)的蝕刻接近5埃。然后，與在75。C的同一清潔相比，在40。C的清潔 之后氣泡的出現(xiàn)少大約四倍。
以下，給出了制造沒有氣泡或邊緣空隙的結(jié)構(gòu)的示例。 在第一示例中，根據(jù)Smart CutTM方法使用短時局部加熱來得到SOI: -熱氧化，并且按照分別為lx1016 at/cm2禾卩l(xiāng)x1016 at/cm2量級的濃度 來共同注入氦和氫， -清潔
-利用臭氧液清潔兩個襯底，然后清洗，
-利用40°C的SC1液(質(zhì)量百分比劑量為3%的NH4OH和4% 的仏_02，其余為水)進(jìn)行三分鐘的清潔，然后清洗，
-利用30。C的SC2液(質(zhì)量百分比劑量為0.7。/c)的HCL及0.5。/。 的H202)進(jìn)行三分鐘的清潔，然后清洗，
-干燥
-使用短時局部加熱來進(jìn)行鍵合.-
-在鍵合之前擦洗并清洗這兩個襯底， -通過離心法進(jìn)行干燥，
-將要鍵合的襯底彼此相對地放置在鍵合臺上， -使得這些襯底彼此接觸，然后，通過功率為500瓦的鹵素?zé)粽?射36秒來進(jìn)行局部加熱，
-在開始加熱20秒后在局部加熱期間開始鍵合，并且 -根據(jù)Smart CutTM方法來分離及完成SOI。
在第二示例中，根據(jù)Smart CutTM方法使用中等時長局部加熱來得到
SOI:
-熱氧化，并且按照7xl016 at/cm2量級的高劑量來注入氫， -清潔-利用50°C的SC1液進(jìn)行三分鐘的清潔，然后清洗，
-利用30°C的SC2液進(jìn)行三分鐘的清潔，然后清洗， .-干燥， -使用純02等離子體來激活供體襯底，
-使用中等時長局部加熱來進(jìn)行鍵合
-在鍵合之前擦洗然后清洗要鍵合的襯底，
-通過離心法進(jìn)行干燥，
-將要鍵合的襯底彼此相對地放置在鍵合臺上，
-使得這些襯底彼此接觸，然后，通過功率為500瓦的鹵素?zé)粽?射50秒來進(jìn)行局部加熱，
-在開始加熱35秒后在局部加熱期間開始鍵合，并且 -根據(jù)Smart Cut 方法來分離及完成SOI。
權(quán)利要求
1、一種將兩個襯底鍵合在一起的方法，在所述鍵合期間這兩個襯底的表面彼此接觸，該方法包括至少一個清潔步驟，該清潔步驟在使得要鍵合的兩個襯底的表面彼此接觸之前清潔所述兩個襯底或者其中一個襯底的所述表面，所述方法的特征在于，-以使得所清潔的各個表面未被顯著地粗糙化的方式執(zhí)行所述清潔步驟，并且其中，-在所述鍵合之前還對要鍵合的至少一個襯底進(jìn)行加熱，所述加熱是在這些襯底的表面彼此接觸之前開始的，并且所述加熱至少持續(xù)到這些表面已經(jīng)彼此接觸為止。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱最晚在鍵合 波在這兩個襯底之間的傳播結(jié)束時結(jié)束。
3、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，清潔要 鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的表面的所述清潔步驟包括蝕刻，所 述蝕刻使得蝕刻后的表面的粗糙度增大0 %到20 %。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1和2中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，清潔 要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的表面的所述清潔步驟包括蝕刻， 所述蝕刻使得蝕刻去除了小于15埃的厚度。
5、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述清 潔步驟是利用低于65。 C的溫度的清潔液進(jìn)行的。
6、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述清 潔步驟是利用基于NH40H、 H202、 H20的清潔液進(jìn)行的。
7、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述清 潔步驟是這樣進(jìn)行的，即，首先利用基于NH40H、 H202、 H20的清潔液， 隨后利用基于HCL、 H202、 H20的清潔液。
8、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述清 潔步驟是這樣進(jìn)行的，即，首先利用含臭氧的清潔液，隨后利用基于NH4OH、 H202、 H20的清潔液，接下來利用基于HCL、 H202、 H20的清潔液。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1到5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述 清潔步驟是這樣進(jìn)行的，即，首先利用硫酸和含氧水的清潔液，隨后利 用基于NH4OH、 H202、 H20的清潔液，接下來利用基于HCL、 H202、 H20的清潔液。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1到5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所 述清潔步驟是這樣進(jìn)行的，即，首先使用干燥臭氧，隨后利用基于NH40H、 H202、 H20的清潔液，接下來利用基于HCL、 H202、 H20的清潔液。
11、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述 方法還包括等離子體活化步驟。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，在所述清潔步驟之 后并且在鍵合要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的鍵合步驟之前執(zhí)行 所述等離子體活化步驟。
13、 根據(jù)權(quán)利要求U和12中任意--項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述等離子體基于02和/或N2。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11到13中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述等離子體使得所述要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的粗糙度下 降。
15、 根據(jù)權(quán)利要求6到10中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所 述基于NH40H、 H202、 H20的清潔液的溫度低于65°C。
16、 根據(jù)權(quán)利要求6到10中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所 述基于NH40H、 H202、 H20的清潔液具有的NH40H/H202的質(zhì)量百分比 劑量通常為1/2到6/6之間，優(yōu)選為1/2到3/4之間；所述基于NH4OH、 H202、H20的清潔液處于5°C到60°C之間的溫度，優(yōu)選處于40°C到55°C 之間的溫度；所述基于NH40H、 H202、 H20的清潔液被應(yīng)用幾分鐘，優(yōu) 選被應(yīng)用三分鐘。
17、 根據(jù)權(quán)利要求7到10中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所 述基于HCL、H202、H20的清潔液具有的HCL的質(zhì)量百分比劑量為0.3%到2%之間；所述基于HCL、 H202、 H20的清潔液具有的H202的質(zhì)量百 分比劑量為0.3%到2%之間；所述基于HCL、 H202、 H20的清潔液處于 30。C的溫度；所述基于HCL、 H202、 H20的清潔液被應(yīng)用幾分鐘，優(yōu)選被應(yīng)用三分鐘。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述要鍵合的兩 個襯底中的至少一個襯底的外緣區(qū)域中在局部進(jìn)行所述加熱。
19、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述要鍵合的兩 個襯底中的至少一個襯底的整個范圍均勻地進(jìn)行所述加熱。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18到19中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述加熱是在35°C到90°C之間的溫度執(zhí)行的，通常是在45°C到70°C 之間的溫度執(zhí)行的。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18到20中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述加熱是通過熱傳導(dǎo)實(shí)現(xiàn)的。
22、 根據(jù)權(quán)利要求18到21中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述加熱是通過輻射實(shí)現(xiàn)的。
23、 一種形成包括半導(dǎo)體材料薄層的結(jié)構(gòu)的方法，該半導(dǎo)體材料薄 層是從供體襯底被轉(zhuǎn)移到第二襯底的，該方法包括以下步驟--將兩種原子物質(zhì)共同注入到所述供體襯底中，以生成限定了要轉(zhuǎn) 移的薄層的削弱區(qū)域，這兩種原子物質(zhì)在所謂的"峰值"深度均具有最 大濃度，-在使得要鍵合的這些襯底的表面彼此緊密接觸之前，清潔這兩個 襯底或者其中一個襯底的表面，-使得所述第二襯底與所述供體襯底接觸，以將這些襯底鍵合在一起，-將所述供體襯底的一部分轉(zhuǎn)移到所述第二襯底，以在所述第二襯 底上形成所述薄層，所述方法的特征在于，以使得所述兩種原子物質(zhì)的峰值在所述供體 襯底的厚度中具有小于200 A的偏移的方式，注入所述兩種原子物質(zhì)；并且其中，根據(jù)權(quán)利要求1到10或15到22中任意一項(xiàng)所述的方法，執(zhí)行所述鍵合。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述兩種原子物質(zhì)的所述峰值是在所述供體襯底的相同深度彼此對準(zhǔn)的。
25、 根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的方法，其特征在于，所述兩種原 子物質(zhì)分別是氫和氦。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，在覆蓋有1450 A 氧化層的硅供體襯底中，氫的注入能量被選擇為32 keV，使得所述氫注 入峰值在所述供體襯底中位于2450A的深度，并且其特征在于，氦的注 入能量在47 keV到50 keV之間。
27、 根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述氦的注入能量 為49keV。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種將兩個襯底鍵合在一起的方法，在鍵合期間所述襯底的表面彼此接觸，該方法包括至少一個清潔步驟，該清潔步驟在使得要鍵合的兩個襯底或者其中一個襯底的表面彼此接觸之前清潔所述表面，其特征在于，以使得所清潔的各個表面未被顯著地粗糙化的方式執(zhí)行所述清潔步驟，并且其中，在所述鍵合之前還對所述要鍵合的至少一個襯底進(jìn)行加熱，所述加熱是在這些襯底的表面彼此接觸之前開始的，并且所述加熱至少持續(xù)到這些表面已經(jīng)彼此接觸為止。本發(fā)明還涉及一種形成包括半導(dǎo)體材料薄層的結(jié)構(gòu)的方法，該半導(dǎo)體材料薄層是從供體襯底被轉(zhuǎn)移到第二襯底的，該方法包括以下步驟將兩種原子物質(zhì)共同注入到所述供體襯底中，以生成限定了要轉(zhuǎn)移的薄層的削弱區(qū)域；將這些襯底鍵合在一起，該方法的特征在于，以使得所述兩種原子物質(zhì)的峰值在所述供體襯底的厚度中具有小于200的偏移的方式，注入所述兩種原子物質(zhì)；并且其中，根據(jù)前述方法執(zhí)行所述鍵合。
文檔編號H01L21/20GK101601123SQ200780051154
公開日2009年12月9日 申請日期2007年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日
發(fā)明者塞巴斯蒂安·凱爾迪勒, 沃爾特·施瓦岑貝格, 納迪婭·本默罕默德, 維利·米歇爾, 達(dá)尼埃爾·德爾普拉 申請人:硅絕緣體技術(shù)有限公司