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非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法、非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法以及...的制作方法

文檔序號:6889489閱讀:249來源:國知局

專利名稱::非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法、非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法以及...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法、非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法以及非水電解質(zhì)二次電池。更詳細(xì)而言,本發(fā)明主要涉及非水電解質(zhì)二次電池用集電體的改良。
背景技術(shù)
:鋰二次電池由于具有高電位和高容量,比較容易實(shí)現(xiàn)小型化和輕量化,所以最近主要作為便攜式電子設(shè)備的電源的利用顯著增加。代表性的鋰二次電池通過使用可嵌入和脫嵌鋰的碳材料等作為負(fù)極活性物質(zhì),并使用LiCo02等過渡金屬與鋰的復(fù)合氧化物作為正極活性物質(zhì),實(shí)現(xiàn)了高電位和高容量。但是,隨著便攜式電子設(shè)備的多功能化進(jìn)而消耗電力的不斷增大,對于作為電源使用的鋰二次電池也希望改善其伴隨充放電循環(huán)而產(chǎn)生的特性劣化。作為鋰二次電池的發(fā)電要素的電極含有集電體和活性物質(zhì)層?;钚晕镔|(zhì)層一般是在集電體的單面或兩面涂布合劑漿料,使其干燥后通過進(jìn)行加壓成形而形成的。合劑漿料是通過將正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)、粘結(jié)材以及根據(jù)需要添加的導(dǎo)電材混合分散于分散介質(zhì)中而調(diào)制的。其中,作為伴隨充放電循環(huán)而產(chǎn)生的特性劣化的要因之一,可以列舉出在集電體表面形成的活性物質(zhì)層與集電體的粘結(jié)力下降。在鋰二次電池中,伴隨著充放電循環(huán),電極產(chǎn)生膨脹和收縮,從而使集電體與活性物質(zhì)層的界面處的兩者的粘結(jié)力變?nèi)?,活性物質(zhì)層從集電體上脫落,特性發(fā)生劣化。為了提高集電體與活性物質(zhì)層的粘結(jié)力,在集電體與活性物質(zhì)層的界面增大兩者的接觸面積是有效的。因此,提出了使集電體表面粗糙化的方法、在集電體表面形成凹凸的方法等。作為集電體表面的粗糙化方法,可以列舉出例如通過電解來腐蝕集電體的表面的方法、通過電沉積使與集電體所含金屬相同的金屬在集電體表面析出的方法等。作為在集電體表面形成凹凸的方法,可以列舉出例如使微粒高速碰撞作為集電體的壓延銅箔的表面,從而在表面形成微小凹凸的方法(參照例如專利文獻(xiàn)l)。專利文獻(xiàn)1中,盡管能夠形成局部具有無規(guī)的凹凸的集電體,但由于從噴嘴噴射的微粒產(chǎn)生速度分布,所以難以在集電體的寬度方向、長度方向上均勻地形成凹凸。另外,提出了對金屬箔照射激光以形成表面粗糙度以10點(diǎn)平均粗糙度計(jì)為0.510um的凹凸的方法(參照例如專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)2中,是通過照射激光以局部加熱金屬箔,從而使金屬蒸發(fā)來形成凹部。而且,通過連續(xù)地進(jìn)行激光照射,能夠在金屬箔的整面上形成凹凸。但是,由于是線狀地掃描激光,金屬箔局部被加熱至金屬箔的熔點(diǎn)以上的高溫,所以難以防止金屬箔的波浪起伏、皺紋、翹曲等的發(fā)生。進(jìn)而,對鋰二次電池的集電體那樣的厚度為20um以下的金屬箔進(jìn)行激光加工時(shí),由于激光的功率偏差,有可能發(fā)生金屬箔穿孔的不利情況。另外,可以列舉出如下方法使表面形成有凹凸的輥與表面設(shè)置有硬質(zhì)橡膠層的輥按照各自的軸線平行的方式接觸,使集電體通過該接觸部分,從而在集電休上形成凹凸(參照例如專利文獻(xiàn)3)。專利文獻(xiàn)3中,是為了在不減小活性物質(zhì)層的厚度的情況下提高鋰二次電池的功率密度的目的,在集電體上形成了凹凸。專利文獻(xiàn)3中,由于使用表面設(shè)置有硬質(zhì)橡膠層的輥,所以即便使集電體通過輥與輥的接觸部分,也難以發(fā)生塑性變形。另外,為了提高集電體與活性物質(zhì)層的粘結(jié)力以及導(dǎo)電性,提出了具有特定的凹凸的集電體(參照例如專利文獻(xiàn)4)。圖20(a)(e)是示意表示專利文獻(xiàn)4的集電體的構(gòu)成的立體圖。在專利文獻(xiàn)4的集電體中,金屬箔的一個(gè)表面的局部部分凹陷,同時(shí)另一個(gè)表面的與上述局部部分對應(yīng)的部分規(guī)則地形成了從另一個(gè)表面向外側(cè)突出的凹凸。這樣的集電體不具有充分的機(jī)械強(qiáng)度。進(jìn)而,如果在這樣的集電體上形成活性物質(zhì)層,則活性物質(zhì)層的厚度容易變得不均勻,結(jié)果對電池性能產(chǎn)生不良影響。另外,對于專利文獻(xiàn)14來說,如果在金屬箔的一個(gè)表面形成凹部,則不可避免要使另一個(gè)表面的對應(yīng)于上述凹部的部分一定成為凸部,這是比較困難的,而且在形成凹凸時(shí),難以防止金屬箔的波浪起伏、鈹紋、翹曲等的發(fā)生。另外,還提出了如下電極其含有集電體、和填充于集電體的凹部的活性物質(zhì)層,所述集電體由通過壓花加工而形成有凹凸的開孔度為20%以下的穿孔金屬構(gòu)成,集電體的凸部露出或在凸部上附著有活性物質(zhì)(參照例如專利文獻(xiàn)5)。圖21是示意表示專利文獻(xiàn)5的電極101103的構(gòu)成的縱截面圖。圖21(a)所示的電極101包含形成有凹凸的集電體110、和填充于集電體110的凹部110b上的活性物質(zhì)層111,在集電體110的凸部30a表面也附著有活性物質(zhì)層111。在圖21(b)和(c)所示的電極102、103中,集電體120、130的凸部120a、130a分別露出。專利文獻(xiàn)5中,由于是通過對開孔度為20%以下的穿孔金屬實(shí)施壓花加工來形成凹凸,所以得到的集電體不具有充分的機(jī)械強(qiáng)度。因此,有可能發(fā)生電極斷裂的不利情況。此外,還提出了含有集電體和活性物質(zhì)層,并且(活性物質(zhì)層的表面粗糙度Ra)—(集電體的表面粗糙度Ra)的值為0.1um以上的電極(參照例如專利文獻(xiàn)6)。通常,如果通過真空蒸鍍法等在集電體表面形成活性物質(zhì)的薄膜,則能夠得到具有與集電體表面大致相同的表面粗糙度的薄膜。另一方面,專利文獻(xiàn)6中,是通過對用常規(guī)方法形成的薄膜實(shí)施噴砂、表面研磨等處理來將薄膜的表面粗糙度調(diào)整為上述特定的值。由此可以緩和活性物質(zhì)的膨脹應(yīng)力。專利文獻(xiàn)6的技術(shù)盡管在防止活性物質(zhì)的裂紋方面有某程度的效果,但由于在集電體表面的整面上形成活性物質(zhì)的薄膜,所以容易發(fā)生薄膜從集電體上的剝離、電極的變形等。其結(jié)果是,充放電循環(huán)特性劣化。專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-79466號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-258182號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開平8-195202號公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-270186號公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開2005-32642號公報(bào)專利文獻(xiàn)6:日本特開2002-279972號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法,所述集電體在未受到壓縮加工的情況下在其至少一個(gè)表面形成了多個(gè)能夠高效地?fù)?dān)載活性物質(zhì)層的凸部,并且機(jī)械強(qiáng)度高。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法,所述電極含有通過本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法而得到的集電體和活性物質(zhì)層。本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種非水電解質(zhì)二次電池,其含有通過本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法而制造的電極。本發(fā)明涉及一種非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法,其中使用如下的一對加工機(jī)構(gòu)該一對加工機(jī)構(gòu)被設(shè)置成表面相互壓接而形成可使片材狀物通過的壓接鉗部,并且在至少一個(gè)加工機(jī)構(gòu)的表面形成有多個(gè)凹部;在所述制造方法中,使集電體用金屬箔通過加工機(jī)構(gòu)的壓接鉗部以進(jìn)行壓縮加工,從而在集電體用金屬箔的至少一個(gè)表面形成多個(gè)凸部。優(yōu)選的是,凸部的前端表面的表面粗糙度與壓縮加工前的集電體用金屬箔的表面粗糙度大致相同。優(yōu)選的是,凹部的與加工機(jī)構(gòu)表面垂直的方向的截面具有如下形狀該截面的與加工機(jī)構(gòu)表面平行的方向的寬度從加工機(jī)構(gòu)表面朝著凹部底面逐漸變小的錐形狀。優(yōu)選的是,以使得凸部的體積小于等于凹部的內(nèi)部空間的體積的方式進(jìn)行壓縮加工。優(yōu)選的是,以使得凸部的體積為凹部的內(nèi)部空間的體積的85%以下的方式進(jìn)行壓縮加工。優(yōu)選的是,在表面形成有多個(gè)凹部的加工機(jī)構(gòu)中,凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界是曲面。優(yōu)選的是,凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界的曲面形狀是如下形成的利用激光加工形成凹部,并除去因激光加工而產(chǎn)生的凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界的隆起。優(yōu)選的是,通過用平均粒徑為30nm以上但低于53ym的金剛石粒子進(jìn)行研磨來除去隆起。優(yōu)選的是,在凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界處形成有多個(gè)寬度為1Pm以下、深度為lPm以下的凹槽。優(yōu)選的是,通過用平均粒徑為5um以下的金剛石粒子進(jìn)行研磨來形成凹槽。優(yōu)選的是,一對加工機(jī)構(gòu)是一對輥,在至少一個(gè)輥的表面形成有凹部。優(yōu)選的是,在形成有凹部的輥的表面以及凹部的面對內(nèi)部空間的表面形成有表面覆蓋層,所述表面覆蓋層含有超硬合金、合金工具鋼或氧化鉻。優(yōu)選的是,在表面覆蓋層的表面形成有保護(hù)層,所述保護(hù)層含有無定形碳材料o優(yōu)選的是,表面覆蓋層和保護(hù)層是通過選自下述氣相沉積法中的至少一種而形成的,所述氣相沉積法是利用濺射的物理氣相沉積法、利用離子注入的物理氣相沉積法、利用熱蒸鍍的化學(xué)氣相沉積法和利用等離子體蒸鍍的化學(xué)氣相沉積法。優(yōu)選的是,至少一個(gè)輥是表面設(shè)置有陶瓷層的輥,在陶瓷層的表面形成有凹部。優(yōu)選的是,在輥或集電體用金屬箔的表面涂布潤滑劑,并使其干燥。優(yōu)選的是,潤滑劑含有脂肪酸。此外,本發(fā)明涉及一種非水電解質(zhì)二次電池用集電體,其含有由集電體用金屬箔構(gòu)成的基材部、和從基材部的至少一個(gè)表面向基材部的外側(cè)延伸而形成的多個(gè)凸部,基材部表面與凸部的邊界是曲面。此外,本發(fā)明涉及一種非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法,其中,在通過上述任一種非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法而制造的非水電解質(zhì)二次電池用集電體或上述的非水電解質(zhì)二次電池用集電體的表面擔(dān)載正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)。優(yōu)選的是,在非水電解質(zhì)二次電池用集電體的凸部表面擔(dān)載正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)。此外,本發(fā)明涉及一種非水電解質(zhì)二次電池,其含有正極、負(fù)極、隔膜和非水電解質(zhì),正極和負(fù)極中的至少一個(gè)是通過上述的非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法而制造的電極。根據(jù)本發(fā)明的非水系二次電池用集電體的制造方法,由于凸部在未受到壓縮加工的情況下形成,所以可以得到機(jī)械強(qiáng)度提高、且富有耐久性的集電體。此外,凸部是在未受到壓縮加工的情況下通過塑性變形而形成的。另外,凸部的前端表面由于是在幾乎未受到壓縮加工和伴隨其產(chǎn)生的塑性變形的影響的情況下形成的,所以具有與壓縮加工前的集電體用金屬箔大致相同的表面粗糙度。具有這種凸部的集電體的機(jī)械強(qiáng)度迸而耐久性進(jìn)一步得到提高,并且在擔(dān)載活性物質(zhì)層的情況下,與活性物質(zhì)層的粘附力非常強(qiáng)。另外,在含有基材部、和從基材部的至少一個(gè)表面向基材部的外側(cè)延伸而形成的多個(gè)凸部的集電體中,通過將基材部表面與凸部的邊界部分設(shè)定成曲面,可以使集電體的機(jī)械強(qiáng)度和耐久性進(jìn)一步提高。進(jìn)而,能夠在壓縮加工時(shí)以較低的壓力形成凸部,同時(shí)能夠提高壓縮加工后的集電體從加工機(jī)構(gòu)上脫模的脫模性。圖1是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的集電體的制造方法的縱截面圖。圖2是示意說明伴隨壓縮加工而產(chǎn)生的集電體用金屬箔的塑性變形的縱截面圖。圖3是示意表示集電體制造裝置的構(gòu)成的側(cè)視圖。圖4是將圖3所示的集電體制造裝置的要部的構(gòu)成放大表示的立體圖。圖5是表示壓縮加工中使用的輥的構(gòu)成的圖。圖5(a)是表示輥的外觀的立體圖。圖5(b)是將圖5(a)所示的輥的表面區(qū)域放大表示的立體圖。圖6是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的另一形態(tài)的集電體的制造方法的縱截面圖。圖7是示意表示通過本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法而得到的集電體的構(gòu)成的縱截面圖。圖8是示意表示圖7所示的集電體的制造方法的縱截面圖。圖9是表示壓縮加工中使用的另一形態(tài)的輥的構(gòu)成的圖。圖8(a)是表示輥的外觀的立體圖。圖8(b)是將圖8(a)所示的輥的表面區(qū)域放大表示的立體圖。圖8(c)是將圖8(b)所示的輥的周面上形成的凹部放大表示的立體圖。圖10是示意表示通過本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法而得到的另一形態(tài)的集電體的構(gòu)成的縱截面圖。圖11是示意表示圖IO所示的集電體的制造方法的縱截面圖。圖12是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的巻繞型非水電解質(zhì)二次電池的構(gòu)成的局部分解立體圖。圖13是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的層疊型非水電解質(zhì)二次電池的構(gòu)成的縱截面圖。圖14是示意表示實(shí)施例5中得到的集電體的構(gòu)成的圖。圖14(a)是立體圖。圖14(b)是縱截面圖。圖15是示意表示實(shí)施例6中得到的集電體的構(gòu)成的圖。圖15(a)是立體圖。圖15(b)是縱截面圖。圖16是示意表示實(shí)施例24中得到的集電體的構(gòu)成的圖。圖16(a)是立體圖。圖16(b)是縱截面圖。圖17是示意表示實(shí)施例25中得到的集電體的構(gòu)成的圖。圖17(a)是立體圖。圖17(b)是縱截面圖。圖18是實(shí)施例1中得到的集電體的截面的電子顯微鏡照片。圖19是比較例1中得到的集電體的截面的電子顯微鏡照片。圖20是示意表示以往技術(shù)的集電體的構(gòu)成的立體圖。圖21是示意表示以往技術(shù)的電極的構(gòu)成的縱截面圖。根據(jù)本發(fā)明的非水系二次電池用集電體的制造方法,在集電體用金屬箔的表面形成凸部的工序、以及在將電極活性物質(zhì)擔(dān)載于集電體的凸部上的工序等中,可以防止集電體用金屬箔和集電體上發(fā)生局部的變形、彎曲、翹曲、斷裂等。同時(shí),在將電極活性物質(zhì)擔(dān)載于集電體的凸部上以制作電極的工序、以及將電極切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,也能夠抑制電極活性物質(zhì)從集電體上的脫落。因此,最終能夠得到可靠性高的非水電解質(zhì)二次電池。具體實(shí)施例方式圖7是示意表示本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的非水電解質(zhì)二次電池用集電體20的構(gòu)成的縱截面圖。圖8是示意表示圖7所示的非水電解質(zhì)二次電池用集電體20的制造方法的縱截面圖。圖8(a)是表示集電體用金屬箔10剛剛被供給至壓接鉗部8之后的狀態(tài)的縱截面圖。圖8(b)是表示在壓接鉗部8中,集電體用金屬箔10的表面進(jìn)行塑性變形的狀態(tài)的縱截面圖。圖8(c)是通過壓接鉗部8之后的集電體20的縱截面圖。圖9是示意表示圖8所示的制造方法中使用的輥28的構(gòu)成的圖。圖9(a)是表示輥28的外觀的立體圖。圖9(b)是將圖9(a)所示的輥28的表面區(qū)域28a放大表示的立體圖。圖9(c)是將輥28的周面上形成的凹部29的構(gòu)成放大表示的立體圖。集電體20含有基材部21和多個(gè)凸部22。集電體20與集電體1同樣,可以通過用一對加工機(jī)構(gòu)對集電體用金屬箔10進(jìn)行壓縮加工,使其發(fā)生局部的塑性變形來制造。對集電體用金屬箔10的單面實(shí)施壓縮加工。壓縮加工的詳細(xì)情況在后面進(jìn)行敘述。當(dāng)將集電體20用作負(fù)極集電體時(shí),集電體20由與將集電體1用作負(fù)極集電體時(shí)的集電體金屬箔10同樣的材料構(gòu)成。另外,當(dāng)將集電體20用作正極集電體時(shí),集電體20由與將集電體1用作正極集電體時(shí)的集電體金屬箔10同樣的材料構(gòu)成。基材部21被形成為片材狀,厚度方向的截面形狀是大致長方形?;牟?1的厚度為ts。對厚度t5沒有特別限制,優(yōu)選為5um100um,更優(yōu)選為835lim?;牟?1的厚度低于5Um時(shí),集電體20的機(jī)械強(qiáng)度有可能變得不充分,容易發(fā)生電極制造時(shí)的集電體20的處理性下降、以及電池充電時(shí)的電極斷裂等。另一方面,基材部21的厚度超過100lim時(shí),盡管能確保集電體20的機(jī)械強(qiáng)度,但集電體20在電極整體中所占的體積增大,有可能不能充分實(shí)現(xiàn)電池的高容量化?;牟?1的表面21a如后所述,由于受到了壓縮加工,所以具有與原先的集電體用金屬箔10不同的表面粗糙度。多個(gè)凸部22形成在基材部21的厚度方向的一個(gè)表面上。另外,凸部22是從基材部21的表面向基材部21的外側(cè)延伸而形成的。凸部22例如具有在其表面的至少一部分上擔(dān)載活性物質(zhì)層的功能。凸部22未受到壓縮加工,而是通過伴隨基材部21的壓縮加工而產(chǎn)生的塑性變形而形成。另外,凸部22的前端表面幾乎未受到壓縮加工和塑性變形的影響。因此,凸部22的前端表面具有與原先的集電體用金屬箔10的表面大致相同的表面粗糙度。凸部22的前端表面是指在凸部22延伸的方向或突出的方向上位于凸部22的距離基材部21最遠(yuǎn)部分的平面。另外,相鄰的兩個(gè)凸部22具有間隙而隔離地形成。因此,在圖7所示的集電體20的厚度方向的截面上,在相鄰的2個(gè)凸部22之間存在基材部21的表面21a作為凹部。另外,凸部22在集電體20的厚度方向的截面(以下僅記為"凸部22的截面")具有錐狀形狀。更詳細(xì)而言,凸部22的截面具有如下形狀從基材部21表面朝著凸部22的延伸方向,與基材部21表面平行的方向的寬度(以下僅記為"凸部22的截面寬度")逐漸或連續(xù)變小的錐狀形狀。本實(shí)施形態(tài)中,凸部22的截面是大致梯形。通過使凸部22具有錐狀形狀,壓縮加工結(jié)束后,集電體20從輥28上脫模的脫模性得以提高,可以防止凸部22的變形,將凸部22的形狀偏差控制為最小限度。另外,本實(shí)施形態(tài)中,凸部22的形狀是圓錐臺,但凸部22的截面只要具有錐狀形狀,則并不特別限制凸部22的形狀。另外,本實(shí)施形態(tài)中,在凸部22的延伸方向上,凸部22的前端表面是與基材部21表面大致平行的平面,但并不限于此。例如,也可以是與基材部21表面不平行的平面、具有凹凸的半球面狀、穹頂狀等。只要是這些形狀,則對于提高凸部22與活性物質(zhì)層的接合強(qiáng)度是有效的。在圖7中,從表示凸部22的前端表面的直線上的一點(diǎn)落至表示基材部21的未形成凸部22的表面的直線上的垂線的長度為t6。按照使t6大于原先的集電體用金屬箔10的厚度t。的方式來形成凸部22。另外,t6也可以定義為集電體20的最大厚度。另外,基材部21的表面21a上的基材部21與凸部22的邊界22a由曲面構(gòu)成。這里,邊界22a也包含邊界22a的附近部分。通過將邊界22a設(shè)定成曲面,則即使有力作用于凸部22,也能夠?qū)崿F(xiàn)應(yīng)力分散,使集電體20的機(jī)械強(qiáng)度增加。其結(jié)果是,在形成凸部22的工序、以及使活性物質(zhì)擔(dān)載于凸部22上以制作電極的工序等中,可以防止集電體20上發(fā)生局部的彎曲、變形等。另外,電極制作后在將電極切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,能夠抑制活性物質(zhì)層從集電體20上的剝離、局部的脫落等。如上所述,圖8是用于說明集電體20的制作方法的縱截面圖。在圖8(a)所示的工序中,例如使用如下的集電體制造裝置來進(jìn)行集電體用金屬箔10的壓縮加工,所述集電體制造裝置是在圖5所示的集電體制造裝置35中,除了使用圖9所示的輥28來代替輥4之外具有同樣的構(gòu)成。輥28如圖9(a)和圖9(b)所示,在其周面上形成有多個(gè)凹部29。凹凸29如圖9(c)所示,凹部29的在輥28周面上的開口邊緣29a由曲面構(gòu)成,該曲面上形成有多個(gè)凹槽29x。凹槽29x在從輥28的周面朝著凹部2921的底部的方向上形成為線狀。對凹槽29x的寬度沒有特別限制,優(yōu)選為llim以下。對凹槽29x的深度沒有特別限制,優(yōu)選為lixm以下。另外,凹槽29x的深度是指從開口邊緣29a的表面朝著輥28的軸線的方向的長度。通過使用形成有開口邊緣29a由曲面構(gòu)成的凹部29的輥28,在集電體用金屬箔10的壓縮加工時(shí),可以減小集電體用金屬箔10與輥28的表面產(chǎn)生的阻力、摩擦力等應(yīng)力,提高壓縮加工結(jié)束后集電體20從輥28上脫模的脫模性。另外,使集電體用金屬箔IO局部地塑性變形的應(yīng)力由于被溫和且可靠地施加,所以能夠可靠地形成凸部22,提高加工性。其結(jié)果是,可以防止集電體20上發(fā)生局部的彎曲、變形等,同時(shí)凸部22的形狀、高度等的偏差顯著減小,不會(huì)使凸部22變形,可以形成形狀和高度等尺寸一致的凸部22。另外,通過在開口邊緣29a上形成多個(gè)凹槽29x,壓縮加工時(shí),可以將凹部29的內(nèi)部空間中殘留的氣氛、輥29的周面和/或集電體用金屬箔10的表面涂布的潤滑劑等通過凹槽29x從凹部29的內(nèi)部空間排出至外部。由此,可以減小凹部29的內(nèi)部空間中的阻礙凸部22的塑性變形的內(nèi)部阻力。其結(jié)果是,凸部22的塑性變形可順暢地進(jìn)行,凸部22的形狀、尺寸等的偏差減小,得到的集電體20的機(jī)械強(qiáng)度的局部偏差減小。該效果在將凹槽29x的寬度設(shè)定為1ym以下、深度設(shè)定為1ym以下時(shí)特別顯著。凹槽29x的寬度或深度太大時(shí),盡管殘留氣氛、潤滑劑等的逸出變得良好,但凸部22的塑性變形有可能不能充分進(jìn)行。另外,輥28周面的凹部29的排列圖案在本實(shí)施形態(tài)中為如下圖案。如圖9(b)所示,將在輥28的長度方向上多個(gè)凹部29以間距Pc連成的列設(shè)定為一個(gè)行單元33。多個(gè)行單元33以間距Pd排列在輥28的圓周方向上。間距Pc和間距Pd可以任意設(shè)定。另外,在輥28的圓周方向上,一個(gè)行單元33和與之相鄰的行單元33按照使凹部29在輥28的長度方向上錯(cuò)開的方式排列。本實(shí)施形態(tài)中,凹部29在長度方向上的錯(cuò)開距離為0.5Pc,但并不限于此,可以任意設(shè)定。另外,本實(shí)施形態(tài)中,輥28周面的凹部29的開口部分的形狀為大致圓形,但并不限于此,例如還可以是大致橢圓形、大致長方形、大致菱形、大致正方形、大致正六邊形、大致正八邊形等。凹部28可以通過對用于制造輥4的凹部形成用輥進(jìn)行例如蝕刻、噴砂、放電加工、激光加工等加工來制作。在激光加工中可以利用與形成輥4時(shí)同樣的方法。通過激光加工在凹部形成用輥的周面上形成凹部時(shí),凹部形成用輥周面的開口邊緣29a上產(chǎn)生未圖示的隆起。通過除去該隆起,可以形成其開口邊緣29a由曲面構(gòu)成的凹部29,得到輥28。隆起的除去優(yōu)選使用金剛石粒子通過研磨來進(jìn)行。作為金剛石粒子,優(yōu)選使用比凹部29的最小尺寸大的金剛石粒子。更優(yōu)選的是,金剛石粒子的平均粒徑為30um以上但低于35um。這里,凹部29的尺寸是指輥28周面上的凹部29的開口徑。通過使用具有上述平均粒徑的金剛石粒子,可以使開口邊緣29a由曲率半徑較大的曲面構(gòu)成,更加顯著地防止凸部22從基材部21上的剝離等。另外,可以防止金剛石粒子埋沒在凹部29內(nèi)部。另外,使用金剛石粒子進(jìn)行的研磨除了使用金剛石作為磨?;蜓心チR酝?,可以與一般的研磨方法同樣地實(shí)施。通常將金剛石粒子放置于研磨面上,一邊供給水等介質(zhì)一邊用具有研磨墊的研磨機(jī)來實(shí)施。開口邊緣29a表面的凹槽29x的形成優(yōu)選通過用平均粒徑為5ym以下的金剛石粒子進(jìn)行研磨來進(jìn)行。由此,能夠容易形成寬度為lPm以下、深度為1iim以下的凹槽29x。凹槽29x的形成可以在研磨除去隆起后進(jìn)行,也可以與隆起的研磨除去同時(shí)進(jìn)行。另外,這里使用的金剛石粒子由于粒徑非常小,所以不易埋沒于凹部29的內(nèi)部,在形成凹槽29x后通過洗滌能夠容易地除去。在如上所述得到的輥28的周面和凹部29的面對內(nèi)部空間的表面,也可以與輥4同樣地形成含有超硬合金的覆蓋層、含有合金工具鋼的覆蓋層、含有氧化鉻的覆蓋層、含有無定形碳材料的保護(hù)層、由陶瓷構(gòu)成的覆蓋層等中的1種或2種以上。由此,可以得到與在輥4上形成這些覆蓋層和保護(hù)層同樣的效果。輥28被配置為其周面與輥5的周面壓接并且其軸線與輥5的軸線平行,形成壓接鉗部34。在圖8(a)所示的工序中,集電體用金屬箔10被供給壓接鉗部34,被施加集電體用金屬箔10的厚度方向上的加壓力30a、30b。在圖8(b)所示的工序中,集電體用金屬箔10的與輥28的周面相向的表面中,與輥28的周面接觸的接觸面被加壓力30a、30b施以壓縮加工,與輥28的周面不接觸并且面對凹部29的非接觸面未受到壓縮加工。接觸面存在于非接觸面的周圍。即,通過對接觸面施以壓縮加工,接觸面處的厚度變得比集電體用金屬箔10的厚度小,形成作為基材部21的原型的隆起部21x。另一方面,隨著對接觸面的加壓,非接觸面被施加應(yīng)力31a、31b,該應(yīng)力從非接觸面的周圍沿著凹部29的面對內(nèi)部空間的表面朝向凹部29的底部。由此,開始產(chǎn)生非接觸面的塑性變形,朝著凹部29的底部隆起,從而形成凸部22x。同時(shí),隆起部21x與凸部22x的邊界沿著凹部29的開口邊緣29a形成為曲面形狀。此時(shí),由于凸部22x的體積低于凹部29的內(nèi)部空間的體積的50%,所以加壓繼續(xù)。在圖8(c)所示的工序中,得到了集電體20。在集電體20中,基材部21與凸部22的邊界部分22a由曲面構(gòu)成。輥28和輥5的加壓優(yōu)選一直進(jìn)行到使得基材部21的厚度t5小于集電體用金屬箔10的厚度tc,并且集電體20的最大厚度t6大于集電體用金屬箔10的厚度to。上述加壓更優(yōu)選一直進(jìn)行到使得凸部22的體積達(dá)到凹部29的內(nèi)部空間的體積的50%以上,優(yōu)選達(dá)到5085%。低于50%時(shí),凸部29的高度變得不充分,有可能不能順利地實(shí)施活性物質(zhì)的擔(dān)載。進(jìn)而,活性物質(zhì)擔(dān)載后,活性物質(zhì)從集電體20上剝落的可能性有可能變大。另一方面,如果超過85%,則凹部29的內(nèi)部殘留的空氣、潤滑劑的蒸氣等被壓縮而使內(nèi)部壓力增加,阻礙凸部22的順利的塑性變形,凸部22有可能產(chǎn)生形狀偏差。在集電體20中,基材部21的未形成凸部22的面21a由于被施以了壓縮加工,所以具有與集電體用金屬箔10不同的表面粗糙度。凸部22的前端表面未被施以壓縮加工,塑性變形的影響也非常少,所以具有與集電體用金屬箔10大致相同的表面粗糙度。另外,凸部22的側(cè)面盡管未被施以壓縮加工,但由于受到了塑性變形的影響,所以具有近似于集電體用金屬箔10的表面粗糙度。因此,通過在凸部22的表面、優(yōu)選在前端表面擔(dān)載活性物質(zhì)層,可以進(jìn)一步防止充放電循環(huán)中活性物質(zhì)層從集電體20上的剝落等。圖10是示意表示另一形態(tài)的非水電解質(zhì)二次電池用集電體23的構(gòu)成的縱截面圖。圖11是示意表示圖10所示的集電體23的制造方法的縱截面圖。圖11(a)是表示集電體用金屬箔10剛剛被供給至壓接鉗部34a之后的狀態(tài)的縱截面圖。圖11(b)是表示在壓接鉗部34a中,集電體用金屬箔10的表24面進(jìn)行塑性變形的狀態(tài)的縱截面圖。圖11(c)是表示在壓接鉗部34a中,剛剛形成了集電體23之后的狀態(tài)的縱截面圖。集電體23除了在基材部24的厚度方向的兩個(gè)表面上形成有多個(gè)凸部25x、25y以外,具有與集電體20相同的構(gòu)成。即,基材部24的構(gòu)成與基材部21相同。凸部25x、25y的構(gòu)成與凸部22相同。凸部25x是從基材部24的厚度方向的一個(gè)表面向基材部24的外側(cè)延伸或突出而形成的。凸部25y是從基材部24的厚度方向的另一個(gè)表面向基材部24的外側(cè)延伸或突出而形成的。凸部25x的延伸方向與凸部25y的延伸方向是相反方向。另夕卜,在集電體23中,基材部24與凸部25x、25y的邊界部分25a由曲面構(gòu)成。由此,可以得到與集電體20中邊界部分22a由曲面構(gòu)成的情況同樣的效果。另外,在集電體23的厚度方向的截面上,表示凸部25x、25y的前端表面的線與表示基材部24的表面24a的線大致平行。凸部25x、25y的前端表面為大致平坦的面,未受到壓縮加工,所以具有與作為原料的集電體用金屬箔10大致相同的表面粗糙度。凸部25x、25y的側(cè)面盡管未被施以壓縮加工,但由于受到了塑性變形的影響,所以具有近似于集電體用金屬箔10的表面粗糙度。因此,通過在凸部22的表面、優(yōu)選在前端表面擔(dān)載活性物質(zhì)層,可以進(jìn)一步防止充放電循環(huán)中活性物質(zhì)層從集電體20上的剝落等。另外,在集電體23上,基材部24的厚度t7形成得比作為原料的集電體用金屬箔10的厚度to小。此外,從凸部25x的前端表面至凸部27y的前端表面的厚度t8形成得比集電體用金屬箔10的厚度to大。厚度ts也可以定義為集電體23的最大厚度。通過如上所述地構(gòu)成,集電體23的機(jī)械強(qiáng)度提高,耐用性增加。集電體23例如可以使用如下的集電體制造裝置來制作,所述集電體制造裝置是在圖5所示的集電體制造裝置35中,除了使用兩個(gè)輥28來代替輥4、5之外具有同樣的構(gòu)成。如上所述,圖11是用于說明集電體23的制作方法的縱截面圖。在圖11(a)所示的工序中,將集電體用金屬箔10供給至壓接鉗部34a,該壓接鉗部是將兩個(gè)輥28按照使相互的周面壓接并且相互的軸線平行的方式配置而形成的。加壓力30a、30b被施加于集電體用金屬箔10的厚度方向。在圖11(b)所示的工序中,集電體用金屬箔10的與輥28的周面相向的表面中,與輥28的周面接觸的接觸面被加壓力30a、30b施以壓縮加工。另一方面,與輥28的周面不接觸并且面對凹部29的非接觸面未被施以壓縮加工,但伴隨接觸面的壓縮加工而產(chǎn)生塑性變形。接觸面存在于非接觸面的周圍。即,通過對接觸面施以壓縮加工,接觸面處的厚度變得比集電體用金屬箔10的厚度小,形成作為基材部24的原型的隆起部24x。另一方面,隨著對接觸面的加壓,非接觸面被施加應(yīng)力31a、31b、31x、31y,該應(yīng)力從非接觸面的周圍沿著凹部29的面對內(nèi)部空間的表面朝向凹部29的底部。由此,進(jìn)行非接觸面內(nèi)部的塑性變形,朝著凹部29的底部隆起,從而形成凸部32x、32y。同時(shí),隆起部24x與凸部32x、32y的邊界沿著凹部29的開口邊緣29a形成為曲面形狀。此時(shí),由于凸部32x、32y的體積低于凹部29的內(nèi)部空間的體積的50%,所以加壓繼續(xù)。在圖11(c)所示的工序中,得到了集電體23。在集電體20中,基材部24與凸部25x、25y的邊界部分25a由曲面構(gòu)成。兩個(gè)輥28的加壓優(yōu)選一直進(jìn)行到使得基材部24的厚度t7小于集電體用金屬箔10的厚度to,并且集電體23的最大厚度ts大于集電體用金屬箔10的厚度to。上述加壓更優(yōu)選一直進(jìn)行到使得凸部25x、25y的體積達(dá)到凹部29的內(nèi)部空間的體積的50%以上,優(yōu)選達(dá)到5085%。低于50%時(shí),凸部29的高度變得不充分,有可能不能順利地實(shí)施活性物質(zhì)的擔(dān)載。進(jìn)而,活性物質(zhì)擔(dān)載后,活性物質(zhì)從集電體20上剝落的可能性有可能變大。另一方面,如果超過85%,則凹部29的內(nèi)部殘留的空氣、潤滑劑的蒸氣等被壓縮而使內(nèi)部壓力增加,凸部25x、25y有可能產(chǎn)生形狀偏差。另外,本實(shí)施形態(tài)中,在制造本發(fā)明的集電體l、15、20、23時(shí),使用了圖5所示的集電體制造裝置35或與其類似的集電體制造裝置,但并不限定于此。例如,也可以如下所述地對集電體用金屬箔10實(shí)施本發(fā)明的壓縮加工使用形成有形狀與凸部對應(yīng)的凹部的成套沖模等模具,使該模具從集電體用金屬箔IO的厚度方向的兩面進(jìn)行夾持并加壓。由此,也可以制造本發(fā)明的集電體1、15、20、23。另外,由本發(fā)明的制造方法得到的集電體可以適合用作非水電解質(zhì)二次電池用的集電體,但并不限定于此,例如,還可以用作非水電解質(zhì)二次電池26以外的二次電池、鋰一次電池等一次電池用的集電體。[非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法]本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法中,除了使用通過本發(fā)明的制造方法而制造的集電體作為集電體以外,可以與以往的集電體的制造方法同樣地實(shí)施。例如,在通過本發(fā)明的制造方法而制造的集電體的表面涂布電極合劑漿料,并使其干燥,從而可以在集電體表面擔(dān)載活性物質(zhì)層。此外,在集電體表面也可以形成薄膜狀的活性物質(zhì)層。用本發(fā)明的制造方法得到的集電體的凸部是在未受到壓縮加工的情況下形成的。另外,凸部表面由于不受壓縮加工的影響,特別是凸部的前端表面由于是在幾乎未受到塑性變形的影響的情況下形成的,所以不會(huì)留下加工形變等。因此,在用本發(fā)明的制造方法得到的集電體的表面形成活性物質(zhì)層的薄膜時(shí),能夠形成精度良好并且具有均勻的厚度的薄膜。此外,由于凸部表面、特別是凸部的前端表面保持著加工前的金屬箔的表面粗糙度,所以作為活性物質(zhì)層的薄膜與集電體表面的粘附力提高。另外,該效果在使活性物質(zhì)層形成于基材部與凸部的邊界部分是由曲面構(gòu)成的集電體上時(shí),變得特別顯著。電極合劑漿料有正極合劑槳料和負(fù)極合劑漿料。首先,對使用正極合劑漿料的正極的制造進(jìn)行說明。正極合劑漿料含有正極活性物質(zhì)和溶劑,進(jìn)而根據(jù)需要還含有正極用粘結(jié)材、導(dǎo)電材等。作為正極活性物質(zhì),可以使用非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的正極活性物質(zhì),可以列舉出例如鈷酸鋰及其改性體(在鈷酸鋰中使鋁或鎂固溶而得到的改性體等)、鎳酸鋰及其改性體(用鈷置換一部分鎳而得到的改性體等)、錳酸鋰及其改性體等復(fù)合氧化物。正極活性物質(zhì)可以單獨(dú)使用1種,也可以組合使用2種以上。作為正極用粘結(jié)材,可以使用非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的正極用粘結(jié)材,可以列舉出例如聚偏氟乙烯(PVdF)、聚偏氟乙烯的改性體、聚四氟乙烯(PTFE)、具有丙烯酸酯單元的橡膠粒子粘結(jié)材等。與上述的正極用粘結(jié)材一起,還可以使用導(dǎo)入了反應(yīng)性官能團(tuán)的丙烯酸酯單體或丙烯酸酯低聚物。正極用粘結(jié)材可以單獨(dú)使用l種,也可以組合使用2種以上。作為導(dǎo)電材,可以使用非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的導(dǎo)電材,可以列舉出例如乙炔黑、科琴黑、槽黑、爐黑、燈黑、熱裂解炭黑等炭黑、各種石墨等。導(dǎo)電材可以單獨(dú)使用l種,也可以組合使用2種以上。正極合劑漿料例如可以如下制作使正極活性物質(zhì)以及根據(jù)需要添加的正極用粘結(jié)材、導(dǎo)電材等分散于適當(dāng)?shù)姆稚⒔橘|(zhì)中,根據(jù)需要調(diào)整為適于在集電體上涂布的粘度。作為分散介質(zhì),可以使用水、2-甲基-N-吡咯烷酮等有機(jī)溶劑等。對于正極活性物質(zhì)等固體成分在溶劑中的分散,可以使用例如行星式攪拌機(jī)等一般的分散機(jī)。將該正極合劑漿料涂布于正極集電體的一個(gè)或兩個(gè)表面上,使其干燥,根據(jù)需要進(jìn)行加壓成形以調(diào)整為規(guī)定的厚度,從而得到正極板。對正極集電體的厚度沒有特別限制,但優(yōu)選為530um。正極合劑漿料在正極集電體上的涂布可以使用例如模涂器等一般的涂布裝置。另外,干燥溫度主要根據(jù)溶劑的種類來適當(dāng)選擇。下面,對使用負(fù)極合劑漿料的負(fù)極的制造進(jìn)行說明。負(fù)極合劑漿料含有負(fù)極活性物質(zhì)和分散介質(zhì),進(jìn)而根據(jù)需要還含有負(fù)極用粘結(jié)材、導(dǎo)電材等。作為負(fù)極活性物質(zhì),可以使用非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的負(fù)極活性物質(zhì),可以列舉出例如各種天然石墨、人造石墨等石墨材料、硅化物等硅系復(fù)合材料、各種合金材料等。負(fù)極活性物質(zhì)可以單獨(dú)使用1種,也可以組合使用2種以上。作為負(fù)極用粘結(jié)材,可以使用非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的負(fù)極用粘結(jié)材,可以列舉出例如PVDF及其改性體、苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠(SBR)粒子及其改性體、羧甲基纖維素(CMC)等纖維素系樹脂等。負(fù)極用粘結(jié)材可以單獨(dú)使用1種,也可以組合使用2種以上。特別是優(yōu)選SBR粒子與纖維素系樹脂的混合物、在SBR粒子中添加少量的纖維素系樹脂而得到的混合物等。使用上述混合物時(shí),例如鋰離子接受性等得以提高。作為導(dǎo)電材,可以使用與正極中所使用的導(dǎo)電材相同的導(dǎo)電材。負(fù)極合劑漿料的調(diào)制可以與正極合劑漿料的調(diào)制同樣地實(shí)施。另外,作為使負(fù)極活性物質(zhì)分散的分散介質(zhì),可以使用例如水、2-甲基-N-吡咯浣酮等有機(jī)溶劑等。將該負(fù)極合劑漿料涂布于負(fù)極集電體的一個(gè)或兩個(gè)表面上,使其干燥,根據(jù)需要進(jìn)行加壓成形以調(diào)整為規(guī)定的厚度,從而得到負(fù)極板。對負(fù)極集電28體的厚度沒有特別限制,但優(yōu)選為525um。負(fù)極合劑漿料在集電體上的涂布可以使用例如模涂器等一般的涂布裝置。另外,干燥溫度主要根據(jù)溶劑的種類來適當(dāng)選擇。另外,在集電體表面形成薄膜狀活性物質(zhì)層時(shí),可以適合利用真空工藝,其中,優(yōu)選蒸鍍法、濺射法、化學(xué)氣相沉積法(CVD)等。例如,活性物質(zhì)向集電體表面上的蒸鍍可以使用例如一般的蒸鍍裝置來進(jìn)行。根據(jù)真空蒸鍍工藝,能夠在集電體的規(guī)定部位選擇性地形成活性物質(zhì)層。作為蒸鍍裝置沒有特別限定,但優(yōu)選如下方式的真空蒸鍍裝置具備電子束加熱機(jī)構(gòu),通過電子束加熱機(jī)構(gòu)來加熱活性物質(zhì)而使其蒸氣化,并使該蒸氣附著于集電體表面。上述的真空蒸鍍裝置例如有株式會(huì)社ULVAC的市售裝置。進(jìn)行蒸鍍時(shí),主要僅蒸鍍活性物質(zhì)。迸行蒸鍍時(shí),作為活性物質(zhì)優(yōu)選為負(fù)極活性物質(zhì)。作為負(fù)極活性物質(zhì),可以使用例如Si、Sn、Ge、Al、含有它們中的一種以上的合金、SiOx、SnOx等氧化物、SiSx、SnS等硫化物等。負(fù)極活性物質(zhì)層最好以柱狀形成于負(fù)極集電體表面,優(yōu)選形成于負(fù)極集電體的凸部前端表面。負(fù)極活性物質(zhì)層優(yōu)選含有無定形或低結(jié)晶性的負(fù)極活性物質(zhì)。在集電體表面、優(yōu)選在凸部表面、更優(yōu)選在凸部前端表面形成的活性物質(zhì)層的厚度可以根據(jù)活性物質(zhì)的種類、活性物質(zhì)層的形成方法、最終得到的非水電解質(zhì)二次電池所要求的特性、該電池的用途等各種條件來適當(dāng)選擇,但優(yōu)選為530um,更優(yōu)選為1025Um。[非水電解質(zhì)二次電池]本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池含有本發(fā)明的電極、其對電極以及鋰離子傳導(dǎo)性的非水電解質(zhì)。即本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池是非水電解質(zhì)鋰二次電池。當(dāng)本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池含有本發(fā)明的電極作為負(fù)極時(shí),對正極的構(gòu)造沒有特別限制。另外,當(dāng)本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池含有本發(fā)明的電極作為正極時(shí),對負(fù)極的構(gòu)造沒有特別限制。另外,本發(fā)明的電極優(yōu)選作為負(fù)極使用。圖12是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的非水電解質(zhì)二次電池40的構(gòu)成的局部分解立體圖。非水電解質(zhì)二次電池40含有電極組41、正極引線42、未圖示的負(fù)極引線、絕緣板44、封口板45、墊圈46和電池盒47。電極組41含有正極50、負(fù)極51和隔膜52,是將正極50、隔膜52、負(fù)極51以及隔膜52按照該順序重疊并巻繞、形成了漩渦狀而得到的。電極組41含有未圖示的電解質(zhì)。當(dāng)正極50為本發(fā)明的電極、或負(fù)極51為本發(fā)明的電極時(shí),含有未圖示的正極集電體和正極活性物質(zhì)層。作為正極集電體,可以使用該領(lǐng)域常用的正極集電體,可以列舉出例如由鋁、鋁合金、不銹鋼、鈦等構(gòu)成的箔、無紡布等。對正極集電體的厚度沒有特別限制,但優(yōu)選為5nm30nm。正極活性物質(zhì)層形成于正極集電體的厚度方向的一個(gè)表面或兩個(gè)表面上,含有正極活性物質(zhì),根據(jù)需要還含有導(dǎo)電材和粘結(jié)材。作為正極活性物質(zhì),可以使用上述列舉的含鋰過渡金屬氧化物、Mn02等不含有鋰的金屬氧化物等。作為導(dǎo)電材,可以使用該領(lǐng)域中常用的導(dǎo)電材,可以列舉出例如天然石墨、人造石墨等石墨類;乙炔黑、科琴黑、槽黑、爐黑、燈黑、熱裂解炭黑等炭黑類;碳纖維、金屬纖維等導(dǎo)電性纖維類;氟化碳;鋁等金屬粉末類;氧化鋅、鈦酸鉀等導(dǎo)電性晶須類;氧化鈦等導(dǎo)電性金屬氧化物;亞苯基衍生物等有機(jī)導(dǎo)電性材料等。作為粘結(jié)材,可以列舉出例如聚偏氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、芳族聚酰胺樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚丙烯腈、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸己酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸己酯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基吡咯烷酮、聚醚、聚醚砜、聚六氟丙烯、丁苯橡膠、羧甲基纖維素、含有丙烯酸酯單元的橡膠粒子粘結(jié)材等。另外,由選自四氟乙烯、六氟乙烯、六氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、偏氟乙烯、氯三氟乙烯、乙烯、丙烯、五氟丙烯、氟甲基乙烯基醚、丙烯酸、己二烯、含有反應(yīng)性官能團(tuán)的丙烯酸酯單體、含有反應(yīng)性官能團(tuán)的丙烯酸酯低聚物等中的兩種以上單體化合物構(gòu)成的共聚物也可以作為粘結(jié)材使用。正極50例如可以如下制造。首先,使正極活性物質(zhì)以及根據(jù)需要添加的導(dǎo)電材、粘結(jié)材等混合并分散于分散介質(zhì)中以調(diào)制正極合劑漿料。作為分散介質(zhì),可以使用例如N-甲基-2-吡咯垸酮等該領(lǐng)域中常用的分散介質(zhì)。對于正極活性物質(zhì)等在分散介質(zhì)中的混合和分散,可以使用例如行星式攪拌機(jī)等一般的分散機(jī)。將這樣得到的正極合劑漿料涂布于正極集電體的單面或兩面上并干燥,將其壓延成規(guī)定厚度,由此形成正極活性物質(zhì)層,得到正極50。當(dāng)負(fù)極51為本發(fā)明的電極、或正極50為本發(fā)明的電極時(shí),含有未圖示的負(fù)極集電體和負(fù)極活性物質(zhì)層。作為負(fù)極集電體,可以使用該領(lǐng)域中常用的負(fù)極集電體,可以列舉出例如由銅、鎳、鐵、含有它們中的至少一種的合金等構(gòu)成的金屬箔、金屬薄膜等。其中,優(yōu)選由銅或銅合金構(gòu)成的金屬箔、金屬薄膜等。作為銅合金,可以使用本說明書中前面列舉的銅合金。以銅和銅合金的金屬箔為例,可以列舉出例如電解銅箔、電解銅合金箔、壓延銅箔、銅合金箔、壓延銅合金箔、對它們實(shí)施粗糙化處理而得到的箔等。作為實(shí)施粗糙化處理的箔,優(yōu)選電解銅箔、壓延銅箔、銅合金箔等。對負(fù)極集電體的厚度沒有特別限制,優(yōu)選為5um100um,更優(yōu)選為8um35um。負(fù)極集電體的厚度低于5um時(shí),負(fù)極集電體的機(jī)械強(qiáng)度有可能變得不充分,電極制造時(shí)的處理性下降。此外,電池充電時(shí)容易發(fā)生電極的斷裂等。另一方面,負(fù)極集電體的厚度超過lOOixm時(shí),盡管能確保機(jī)械強(qiáng)度,但負(fù)極集電體在電極整體中所占的體積增大,有可能不能充分實(shí)現(xiàn)電池的高容量化。負(fù)極活性物質(zhì)層形成于負(fù)極集電體的厚度方向的一個(gè)表面或兩個(gè)表面上,含有負(fù)極活性物質(zhì),根據(jù)需要還含有導(dǎo)電材、粘結(jié)材和增稠劑等。作為負(fù)極活性物質(zhì),可以使用例如各種天然石墨、人造石墨等石墨材料、硅化物等硅系復(fù)合材料、合金系負(fù)極活性物質(zhì)等。作為導(dǎo)電材,可以使用與在正極活性物質(zhì)層中添加的導(dǎo)電材同樣的導(dǎo)電材。作為粘結(jié)材,可以使用與在正極活性物質(zhì)層中添加的粘結(jié)材同樣的粘結(jié)材。進(jìn)而,從提高鋰離子接受性的觀點(diǎn)出發(fā),可以將苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠粒子(SBR)及其改性體等作為粘結(jié)材使用。作為增稠劑,可以使用該領(lǐng)域中常用的增稠劑。其中,優(yōu)選具有水溶性且在水溶液的形態(tài)下具有粘性的增粘劑,可以列舉出例如羧甲基纖維素(CMC)等纖維素系樹脂及其改性體、聚氧化乙烯(PEO)、聚乙烯醇(PVA)等。其中,從后述的負(fù)極合劑漿料的分散性、增稠性等的觀點(diǎn)出發(fā),特別優(yōu)31選為纖維素系樹脂及其改性體。負(fù)極51的制造中,除了將負(fù)極活性物質(zhì)以及根據(jù)需要添加的導(dǎo)電材、粘結(jié)材、增稠劑等混合并分散于分散介質(zhì)中以調(diào)制負(fù)極合劑漿料以外,可以與正極50同樣地制造。作為隔膜52,可以使用在非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的隔膜,例如一般將聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴的微多孔薄膜單獨(dú)或復(fù)合地使用,而且作為形態(tài)是優(yōu)選的。更具體地,作為隔膜52,可以列舉出由合成樹脂構(gòu)成的多孔質(zhì)膜。作為合成樹脂,可以列舉出例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、芳族聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚苯硫醚、聚酰亞胺等。多孔質(zhì)膜有例如微多孔膜、無紡布等。另外,隔膜52還可以在其內(nèi)部或表面含有氧化鋁、氧化鎂、氧化硅、氧化鈦等耐熱性填料。此外,在隔膜52的厚度方向的兩面或單面上還可以設(shè)置耐熱層。耐熱層含有例如上述耐熱性填料和粘結(jié)材。粘結(jié)材可以使用與正極活性物質(zhì)層中使用的粘結(jié)材相同的粘結(jié)材。另外,對隔膜17的厚度沒有特別限定,但優(yōu)選為優(yōu)選為lOum30um,更優(yōu)選為10um25um。作為非水電解質(zhì),可以使用在有機(jī)溶劑中溶解有溶質(zhì)的電解質(zhì)溶液;含有溶質(zhì)和有機(jī)溶劑、且用高分子化合物進(jìn)行了非流動(dòng)化的聚合物電解質(zhì)或固體電解質(zhì)等。當(dāng)使用電解質(zhì)溶液時(shí),優(yōu)選使電解質(zhì)溶液浸漬于隔膜17中。另外,非水電解質(zhì)中除了含有溶質(zhì)、有機(jī)溶劑和高分子化合物以外,還可以含有添加劑。溶質(zhì)根據(jù)活性物質(zhì)的氧化還原電位等來選擇。具體而言,作為溶質(zhì),可以使用鋰電池領(lǐng)域中常用的溶質(zhì),可以列舉出例如LiPF6、LiBF4、LiC104、LiAlCU、LiSbF6、LiSCN、LiCF3S03、LiN(CF3C02)、LiN(CF3S02)2、LiAsF6、LiB10Cl10、低級脂肪族羧酸鋰、LiF、LiCl、LiBr、Lil、氯硼烷鋰、雙(1,2-苯二酚根合(2-)-0,0')硼酸鋰、雙(2,3-萘二酚根合(2-)-0,O')硼酸鋰、雙(2,2'-聯(lián)苯二酚根合(2-)-O,O')硼酸鋰、雙(5-氟-2-酚根合-l-苯磺酸-O,O')硼酸鋰等硼酸鹽類、(CF3S02)2NLi、LiN(CF3S02)(C4F9S02)、(C2F5S02)2NLi、四苯基硼酸鋰等。溶質(zhì)可以單獨(dú)使用1種,也可以根據(jù)需要并用2種以上。作為有機(jī)溶劑,可以使用鋰電池領(lǐng)域中常用的有機(jī)溶劑,可以列舉出例如碳酸亞乙酯(EC)、碳酸亞丙酯、碳酸亞丁酯、碳酸亞乙烯酯、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸二乙酯、碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸二丙酯、甲酸甲酯、乙酸甲酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、二甲氧基甲烷、Y-丁內(nèi)酯、Y-戊內(nèi)酯、1,2-二乙氧基乙垸、1,2-二甲氧基乙垸、乙氧基甲氧基乙垸、三甲氧基甲垸、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等四氫呋喃衍生物、二甲基亞砜、1,3-二氧雜戊環(huán)、4-甲基-l,3-二氧雜戊環(huán)等二氧雜戊環(huán)衍生物、甲酰胺、乙酰胺、二甲基甲酰胺、乙腈、丙腈、硝基甲烷、單甘醇二乙醚(ethylmonoglyme)、磷酸三酯、乙酸酯、丙酸酯、環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、3-甲基-2-噁唑啉酮、碳酸亞丙酯衍生物、乙基醚、二乙基醚、1,3-丙磺酸內(nèi)酯、苯甲醚、氟代苯等。有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用l種,也可以根據(jù)需要并用2種以上。作為添加劑,還可以含有例如碳酸亞乙烯酯、環(huán)己基苯、聯(lián)苯、二苯基醚、碳酸乙烯基亞乙酯、碳酸二乙烯基亞乙酯、碳酸苯基亞乙酯、碳酸二烯丙酯、碳酸氟代亞乙酯、碳酸兒茶酚酯、乙酸乙烯酯、亞硫酸亞乙酯、丙磺酸內(nèi)酯、碳酸三氟亞丙酯、二苯并呋喃、2,4-二氟苯甲醚、鄰三聯(lián)苯、間三聯(lián)苯等添加劑。添加劑可以單獨(dú)使用1種,也可以根據(jù)需要并用2種以上。另外,有關(guān)非水電解質(zhì),還可以在1種或2種以上的如下的高分子材料的混合物等中混合上述溶質(zhì),從而作為固體電解質(zhì)來使用,所述高分子材料是聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、聚磷腈、聚氮丙啶、聚硫化乙烯、聚乙烯醇、聚偏氟乙烯、聚六氟丙烯等。另外,也可以與上述有機(jī)溶劑混合后以凝膠狀使用。進(jìn)而,也可以將鋰氮化物、鋰鹵化物、鋰含氧酸鹽、Li4Si04、Li4Si04-LiI-LiOH、Li3P04-Li4Si04、Li2SiS3、Li3P04-Li2S-SiS2、硫化磷化合物等無機(jī)材料作為固體電解質(zhì)使用。當(dāng)使用固體電解質(zhì)或凝膠狀電解質(zhì)時(shí),還可以代替上述的隔膜17而配置于正極50和負(fù)極51之間?;蛘?,也可以將凝膠狀電解質(zhì)鄰接于隔膜52而配置。有關(guān)正極引線42、負(fù)極引線、絕緣板44、封口板45、墊圈46和電池盒47,可以使用非水電解質(zhì)二次電池領(lǐng)域中常用的任何一種。另外,在封口板45的中央部設(shè)置正極端子53。本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池40例如如下地制造。將正極引線42和負(fù)極引線的各自的一端分別與正極50的正極集電體和負(fù)極51的負(fù)極集電體電連接。電極組41與絕緣板44一起被收納于有底圓筒形的電池盒47的內(nèi)部。將從電極組41的下部導(dǎo)出的負(fù)極引線的另一端與電池盒47的底部連接,然后將從電極組41的上部導(dǎo)出的正極引線42與封口板45連接,向電池盒47中注入規(guī)定量的未圖示的非水電解質(zhì)。接著,在電池盒47的開口部中插入周邊安裝有墊圈46的封口板45,將電池盒47的開口部朝著內(nèi)側(cè)彎折而進(jìn)行斂縫封口,從而得到非水電解質(zhì)二次電池40。圖13是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的層疊型電池55的構(gòu)成的截面圖。層疊型電池55含有正極56、負(fù)極57、隔膜58、電池盒59、正極引線60、負(fù)極引線61和密封樹脂62。正極56含有正極集電體56a和在正極集電體56a的厚度方向的一個(gè)表面形成的正極活性物質(zhì)層56b。負(fù)極57含有負(fù)極集電體57a和在負(fù)極集電體57a的厚度方向的一個(gè)表面形成的負(fù)極活性物質(zhì)層57b。正極56和負(fù)極57被隔著隔膜58相向地設(shè)置。即,層疊型電池55中,正極56、隔膜58和負(fù)極57按照該順序重疊,形成了平板狀的電極組。正極56、負(fù)極57和隔膜58分別具有與非水電解質(zhì)二次電池40中的正極50、負(fù)極51和隔膜52相同的構(gòu)成。電池盒59是具有2個(gè)開口的容器狀構(gòu)件,在其內(nèi)部空間收納有電極組。電池盒59的2個(gè)開口分別通過密封樹脂62而被封口。正極引線60的一端與正極集電休66a電連接,另一端從電池盒59的一個(gè)開口導(dǎo)出至電池55的外部。負(fù)極引線61的一端與負(fù)極集電體57a電連接,另一端從電池盒59的另—個(gè)開口導(dǎo)出至電池55的外部。另夕卜,層疊型電池55中也可以使用與非水電解質(zhì)二次電池40同樣的非水電解質(zhì)。這樣,本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池可以采取例如具有巻繞成漩渦狀的電極組的方型電池、具有巻繞成漩渦狀的電極組的圓筒型電池、具有層疊型電極組的層疊型電池等各種形態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的非水系二次電池用的集電體以及電極板的制造方法,可以在確保用于制作電解板的集電體的強(qiáng)度的同時(shí),將電極活性物質(zhì)高效地?fù)?dān)載于集電體上所形成的凸部上,得到可靠性高的非水系二次電池,所以隨著電子設(shè)備和通信設(shè)備的多功能化,作為希望實(shí)現(xiàn)高容量化的便攜式電子設(shè)備類的電源等是有用的。實(shí)施例以下列舉實(shí)施例和比較例來具體地說明本發(fā)明。(實(shí)施例1)(負(fù)極用集電體的制作)使用圖3所示的集電體制造裝置35,如下制作本發(fā)明的負(fù)極用集電體1。輥4是直徑為50mm的超硬合金制輥,在其周面上按照圖5(a)所示的排列圖案形成有凹部4a。凹部4a的開口徑為10ixm,深度為8um。通過激光加工形成凹部4a時(shí),在凹部4a的開口邊緣會(huì)形成隆起部分,通過研磨加工將其除去。輥5是周面平坦的直徑為50mm的鐵制輥。輥4與輥5的壓接鉗部6的壓接壓是線壓為10kN。將厚度t。為18um的集電體用銅箔巻繞在金屬箔供給輥36上,并安裝在圖3所示的集電體制造裝置35上。將該集電體用銅箔供給至加工機(jī)構(gòu)7的壓接鉗部6,對銅箔實(shí)施局部非壓縮的加工,從而制作由基材部2和凸部3構(gòu)成的圖1(c)所示的集電體1,巻取到巻取輥38上。t,為17um,12為21um。艮卩,t2"o〉h。另外,集電體1中與輥4周面的凹部4a相向的面隨著其它部分的壓縮加工而產(chǎn)生塑性變形,形成了凸部3。另一方面,與周面平坦的輥5相向的面未形成凸部,成為平坦的面。用掃描型電子顯微鏡觀察上述得到的集電體1的厚度方向的截面。圖18是集電體1的截面的電子顯微鏡照片。從圖18可知,集電體1上未產(chǎn)生波浪起伏、翹曲、鈹紋等不利情況。(負(fù)極的制作)在具備電子束加熱機(jī)構(gòu)的真空蒸鍍裝置的內(nèi)部安裝上述得到的集電體1。使用純度為99.9999%的硅作為靶,一邊導(dǎo)入純度為99.7%的氧一邊進(jìn)行蒸鍍,從而在集電體l的凸部3的表面形成了膜厚為20lim的SiOo.5層。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。(實(shí)施例2)對于在輥4的周面上形成凹部4a時(shí)產(chǎn)生的隆起部分,沒有通過研磨加工除去,而是直接使用,除此以外,與實(shí)施例1同樣地制作負(fù)極用集電體l。^為17um,t2為21um。即,t^t^t"與實(shí)施例1同樣地用顯微鏡觀察所結(jié)果看不到波浪起伏、翹曲、皺紋等不利情況。與實(shí)施例1同樣地在該負(fù)極用集電體l的凸部3的表面形成了膜厚為20um的SKVs層。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。實(shí)施例1和2得到的負(fù)極集電體1中,在銅箔的一個(gè)表面通過實(shí)施本發(fā)明的壓縮加工而形成了凸部3。這樣的負(fù)極用集電體1能夠在凸部3的表面高效地蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)。而且,對于施加于負(fù)極用集電體l的長度方向的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在負(fù)極用集電體1上蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)時(shí)、以及在負(fù)極活性物質(zhì)的蒸鍍后切開成規(guī)定寬度時(shí)等情況下,可以防止負(fù)極用集電體1上產(chǎn)生局部的變形、彎曲等。同時(shí),可以抑制負(fù)極活性物質(zhì)層的脫落。(實(shí)施例3)除了將集電體制造裝置35中的輥5變更為輥4以外,與實(shí)施例1同樣地制作了在基材部16的厚度方向的兩面形成有凸部17x、17y的圖6(c)所示的負(fù)極用集電體15。13為16um,t4為25um。艮P,t4>to>t3。與實(shí)施例1同樣地用顯微鏡觀察所得到的負(fù)極集電體15的截面,結(jié)果看不到波浪起伏、翹曲、皺紋等不利情況。與實(shí)施例1同樣地在該負(fù)極用集電體15的凸部17x、17y的表面形成了膜厚為20lim的SiO。.5層。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。(實(shí)施例4)除了將集電體制造裝置35中的輥5變更為輥4以外,與實(shí)施例2同樣地制作了在基材部16的厚度方向的兩面形成有凸部17x、17y的圖6(c)所示的負(fù)極用集電體15。13為16um,14為25um。即,t4>to>t3。與實(shí)施例1同樣地用顯微鏡觀察所得到的負(fù)極集電體15的截面,結(jié)果看不到波浪起伏、翹曲、皺紋等不利情況。與實(shí)施例1同樣地在該負(fù)極用集電體15的凸部17x、17y的表面形成了膜厚為2011111的&00.5層。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。實(shí)施例3和4所得到的負(fù)極集電體15中,在銅箔的兩面通過實(shí)施本發(fā)明的壓縮加工而產(chǎn)生局部的塑性變形,形成了凸部17x、17y。這樣的負(fù)極用集電體15能夠在凸部17x、17y的表面高效地蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)。而且,對于施加于負(fù)極用集電體l的長度方向的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在負(fù)極用集電體1上蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)時(shí)、以及在負(fù)極活性物質(zhì)的蒸鍍后切開成規(guī)定寬度時(shí)等情況下,可以防止負(fù)極用集電體1上產(chǎn)生局部的變形、彎曲等。同時(shí),可以抑制負(fù)極活性物質(zhì)層的脫落。(比較例1)對周面平坦的直徑為50mm的超硬合金制輥的周面實(shí)施圖20(a)所示的表面形狀的加工。除了使用該輥來代替集電體制造裝置35中的輥4以外,與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行集電體用銅箔(厚度為18iim)的加工。用掃描電子顯微鏡觀察加工后的銅箔的切斷截面。圖19是比較例1得到的集電體90的截面的電子顯微鏡照片。從圖19可知在比較例1的集電體上產(chǎn)生了波浪起伏。另外,在集電體制造裝置35中,進(jìn)一步將輥5替換為橡膠輥來使用,進(jìn)行了集電體用銅箔的加工,但不能消除波浪起伏。從以上的結(jié)果可知,通過本發(fā)明的制造方法而得到的集電體中,通過伴隨壓縮加工產(chǎn)生的局部塑性變形而在其表面形成了多個(gè)凸部,并且凸部可發(fā)揮充分的耐久性。因此,在金屬箔表面形成凸部的工序、以及在將電極活性物質(zhì)擔(dān)載于集電體的凸部上的工序等中,可以防止集電體的局部變形和彎曲。另外,在將電極活性物質(zhì)擔(dān)載于集電體的凸部上的工序、以及切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,也能夠抑制電極活性物質(zhì)的脫落。另外,通過本發(fā)明而得到的電極由于集電體的凸部前端表面幾乎未受到壓縮加工和塑性變形的影響,所以凸部前端表面不會(huì)留下加工形變,其表面精度良好。因此,可形成均勻的薄膜。此外,由于凸部前端表面不存在因?qū)嵤嚎s加工而引起的表面粗糙度的減小,維持著初期的表面粗糙度,所以認(rèn)為能夠提高與薄膜狀的活性物質(zhì)層的粘附力。從該觀點(diǎn)出發(fā),為了進(jìn)一步提高凸部平面與活性物質(zhì)的粘附力,預(yù)先使加工前的集電體的表面成為更粗糙的狀態(tài)是非常有效的。(實(shí)施例5)安裝形成有多個(gè)開口形狀是大致圓形、深度為10um、開口徑為10um的凹部4a的陶瓷輥?zhàn)鳛閳D3所示的集電體制造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為15ym的帶狀鋁箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體制造裝置35的壓接鉗部6以進(jìn)行局部非壓縮的加工,從而制成圖14所示的正極用集電體70。圖14是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的集電體70的構(gòu)成的圖。圖14(a)是集電體70的立體圖。圖14(b)是集電體70的縱截面圖,即厚度方向的截面圖。得到的集電體70含有由鋁構(gòu)成的基材部71、和在基材部71的厚度方向的兩面規(guī)則地形成的高度為4um的大致圓形的凸部72x、72y(以下記為"凸部72"),并且是其基材部71的厚度t3為12um、最大厚度t4為20um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上,凸部72形成了以間距P,排列成一列的行單元73。在橫向Y上,行單元73以間距P2平行排列。進(jìn)而,行單元73和與之相鄰的行單元73按照使各個(gè)凸部72在寬度方向X上錯(cuò)開0.5Pi的距離的方式配置。這樣的凸部72的排列圖案是最密填充排列。接著,使用長度為1000mm、厚度為15lim的鋁箔,并且調(diào)整壓接鉗部6的加壓力使得凸部72的體積比率按照表1所示那樣改變,除此以外,與上述同樣地形成相對于凹部4a的內(nèi)部空間體積的體積比率不同的凸部72,從而制成集電體70,評價(jià)其表面狀態(tài)。評價(jià)是對1000個(gè)集電體70通過目視調(diào)查皺紋、翹曲、斷裂的發(fā)生個(gè)數(shù),并求出發(fā)生率。結(jié)果示于表l中。另夕卜,表1中,凸部的體積比率是指凸部72的體積相對于凹部4a的內(nèi)部空間體積的百分率。以下同樣。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>制作集電體70時(shí),集電體70的長度方向X上被施加拉伸應(yīng)力。如果集電體70沒有對拉伸應(yīng)力的耐久性,則在集電體70上會(huì)發(fā)生皺紋、翹曲、斷裂等不利情況。然而,從表1可知,當(dāng)凸部72的體積比率為85%以下時(shí),加之大致圓形的凸部72以最密填充排列來形成,所以集電體70對施加于長度方向x上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性,可以抑制上述的不利情況的發(fā)生。此外,本實(shí)施例中,僅僅記載了凸部72的體積比率大于等于55%的實(shí)施例,但在體積比率為55%以下的情況下,由于加壓力進(jìn)一步減小,所以不會(huì)發(fā)生上述的不利情況,能夠制作集電體70。另一方面,當(dāng)凸部72的體積比率大于85°/。時(shí),基材部71的表面71a的強(qiáng)度不足,因而局部發(fā)生了皺紋、翹曲、斷裂等不良情況。另外,用表面粗糙度計(jì)測定了凸部72的體積比率為85%以下的正極用集電體70的表面粗糙度,結(jié)果基材部71的表面71a的表面粗糙度變得比加工前的鋁箔的表面粗糙度小?;牟?1的表面71a的表面粗糙度與陶瓷輥周面的表面粗糙度大致相同。另一方面,凸部72的前端表面的表面粗糙度與加工前的鋁箔的表面粗糙度大致相同。此外,用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部72的前端表面,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細(xì)的劃傷。進(jìn)而,對集電體70進(jìn)行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析,結(jié)果觀察到,基材部71的表面71a和凸部72的內(nèi)部與加工前的鋁箔相比,晶粒變細(xì)。另外,測定了集電體70的拉伸強(qiáng)度,結(jié)果是盡管基材部71的厚度變得比加工前的鋁箔的厚度薄,但并沒有看到拉伸強(qiáng)度的下降。推測這是因?yàn)榛牟?1受到了壓縮加工,所以壓縮加工的加工硬化使得拉伸強(qiáng)度提咼。從以上的分析結(jié)果可以認(rèn)為,通過對鋁箔實(shí)施上述的加工,使得壓縮加工不會(huì)施加于凸部72的部分,而施加于基材部71的表面71a,從而得到集電體70。(實(shí)施例6)安裝形成有多個(gè)開口形狀是大致菱形、深度為10um、開口徑為20um(菱形的較長的對角線的長度)的凹部4a的陶瓷輥?zhàn)鳛閳D3所示的集電體制造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為12um的帶狀銅箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體制造裝置35的壓接鉗部6以進(jìn)行局部非壓縮的加工,從而制成圖15所示的正極用集電體75。圖15是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的集電體75的構(gòu)成的圖。圖15(a)是集電體75的立體圖。圖15(b)是集電體75的縱截面圖。得到的集電體75含有由銅構(gòu)成的基材部76、和在基材部76的厚度方向的兩面規(guī)則地形成的高度為4nm的大致菱形的凸部77x、77y(以下記為"凸部77"),并且是其基材部71的厚度13為10um、最大厚度U為18um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上,凸部77形成了以間距P3排列成一列的行單元78。在橫向Y上,行單元78以間距P4平行排列。進(jìn)而,行單元78和與之相鄰的行單元78按照使各個(gè)凸部77在寬度方向X上錯(cuò)開0.5P3的距離的方式配置。這樣的凸部77的排列圖案是最密填充排列。接著,使用長度為1000mm、厚度為12um的銅箔,并且調(diào)整壓接鉗部6的加壓力使得凸部77的體積比率按照表2所示那樣改變,除此以外,與上述同樣地形成相對于凹部4a的內(nèi)部空間體積的體積比率不同的凸部77,從而制成集電體75,評價(jià)其表面狀態(tài)。評價(jià)是對1000個(gè)集電體75通過目視調(diào)査鈹紋、翹曲、斷裂的發(fā)生個(gè)數(shù),并求出各自的發(fā)生率。結(jié)果示于表2中。另外,表2中,凸部的體積比率是指凸部77的體積相對于凹部4a的內(nèi)部空間體積的百分率。以下同樣。表2凸部的體積比率皺紋不良翹曲不良斷裂不良(%)發(fā)生率(%)發(fā)生率(%)發(fā)生率(%)550006500075000810008300085000871.430.489591.7制作集電體75時(shí),集電體75的長度方向X上被施加拉伸應(yīng)力。如果集電體75沒有對拉伸應(yīng)力的耐久性,則在集電體75上會(huì)發(fā)生皺紋、翹曲、斷裂等不利情況。然而,從表1可知,當(dāng)凸部77的體積比率為85%以下時(shí),加之大致圓形的凸部77以最密填充排列來形成,所以集電體75對施加于長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性,可以抑制上述的不利情況的發(fā)生。此外,本實(shí)施例中,僅僅記載了凸部77的體積比率大于等于55%的實(shí)施例,但在體積比率為55%以下的情況下,由于加壓力進(jìn)一步減小,所以不會(huì)發(fā)生上述的不利情況,能夠制作集電體75。另一方面,當(dāng)凸部77的體積比率大于85%時(shí),基材部76的表面76a的強(qiáng)度不足,因而局部發(fā)生了皺紋、翹曲、斷裂等不良情況。另外,用表面粗糙度計(jì)測定了凸部77的體積比率為85%以下的正極用集電體75的表面粗糙度,結(jié)果基材部76的表面76a的表面粗糙度變得比加工前的鋁箔的表面粗糙度小?;牟?6的表面76a的表面粗糙度與陶瓷輥周面的表面粗糙度大致相同。另一方面,凸部77的前端表面的表面粗糙度與加工前的鋁箔的表面粗糙度大致相同。此外,用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部77的前端表面,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細(xì)的劃傷。進(jìn)而,對集電體75進(jìn)行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析,結(jié)果觀察到,基材部76的表面76a和凸部77的內(nèi)部與加工前的鋁箔相比,晶粒變細(xì)。另外,測定了集電體75的拉伸強(qiáng)度,結(jié)果是盡管基材部76的厚度變得比加工前的鋁箔的厚度薄,但并沒有看到拉伸強(qiáng)度的下降。推測這是因?yàn)榛牟?6受到了壓縮加工,所以壓縮加工的加工硬化使得拉伸強(qiáng)度提高。從以上的分析結(jié)果可以認(rèn)為,通過對鋁箔實(shí)施上述的加工,使得壓縮加工不會(huì)施加于凸部77的部分,而施加于基材部76的表面76a,從而得到集電體75。(實(shí)施例7)使用厚度為18lim的銅箔來代替厚度為12lim的銅箔,調(diào)整壓接鉗部6的加壓力使得凸部77的體積比率達(dá)到80%,除此以外,與實(shí)施例6同樣地制作帶狀集電體75。集電體75中,大致菱形的凸部77以最密填充形狀排列,所以對施加于長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,對集電體75實(shí)施加工時(shí),可以防止集電體75上發(fā)生局部的變形或彎曲,進(jìn)而能夠抑制活性物質(zhì)從集電體75上的剝落。集電體75的加工是指活性物質(zhì)在集電體75表面上的擔(dān)載、以及通過在集電體75表面擔(dān)載活性物質(zhì)而得到的電極的切開加工等。在具備電子束加熱機(jī)構(gòu)的真空蒸鍍裝置的內(nèi)部安裝上述得到的集電體75。使用純度為99.9999%的硅作為靶,一邊導(dǎo)入純度為99.7%的氧一邊進(jìn)行蒸鍍,從而在集電體75的凸部77的表面形成了膜厚為25um的柱狀SiO0.5層。將該集電體切開加工成圓筒型非水電解質(zhì)二次電池的規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。另外,集電體75中,由于大致菱形的凸部77以最密填充形狀排列,所以在朝著橫向Y蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)時(shí),能夠使其高效地附著于凸部77的表面。根據(jù)實(shí)施例57的本發(fā)明的制造方法,通過使用周面形成多個(gè)凹部的陶瓷輥,可以使集電體用金屬箔表面產(chǎn)生局部的塑性變形,從而形成凸部。另外,通過將凸部的體積設(shè)定為小于等于凹部的內(nèi)部空間體積,可以消除凸部的形狀、大小等的偏差。結(jié)果是可以提高所得到的集電體的機(jī)械強(qiáng)度甚至耐久性。進(jìn)而,通過選擇凸部的排列圖案,可以進(jìn)一步提高集電體的耐久性。因此,在集電體用金屬箔表面形成凸部以制作集電體的工序、以及使活性物質(zhì)擔(dān)載于集電體表面以制作電極的工序等中,可以顯著防止集電體上局部發(fā)生變形、彎曲等。另外,在使活性物質(zhì)擔(dān)載于集電體表面以制作電極的工序、以及將電極切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,也能夠防止活性物質(zhì)從集電體上剝離。另外,根據(jù)本發(fā)明的制造方法,集電體的凸部是通過伴隨壓縮加工的塑性變形而形成的,凸部的前端表面也幾乎未受到塑性變形的影響,所以凸部的前端表面幾乎未發(fā)生加工形變。因此,凸部的前端表面的表面精度良好,在該前端表面能夠形成均勻的薄膜狀的活性物質(zhì)層。此外,由于凸部的前端表面未受到壓縮加工,所以表面粗糙度不會(huì)變小,而是維持著集電體用金屬箔的表面粗糙度。因此認(rèn)為能夠進(jìn)一步提高與活性物質(zhì)層的粘附力。從該觀點(diǎn)出發(fā),為了進(jìn)一步提高凸部平面與活性物質(zhì)的粘附力,預(yù)先使加工前的集電體的表面成為粗糙狀態(tài)是非常有效的。(實(shí)施例8)如下制作圖9所示的輥28。利用YAG激光對直徑為50mm的超硬合金制凹部形成輥的周面進(jìn)行激光加工,從而形成開口形狀是直徑約為10um的大致圓形、深度約為8um的凹部。激光加工的激光頻率為lKHz。在上述形成的凹部的開口邊緣上形成了由毛刺或突起構(gòu)成的隆起,輥的表面粗糙度局部地變大。因此,使用平均粒徑為8um的金剛石粒子作為研磨粒,一邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機(jī)進(jìn)行研磨。研磨進(jìn)行到輥周面的平均表面粗糙度變?yōu)?.4a為止。由此除去隆起,形成其開口邊緣29a由曲面構(gòu)成的凹部29,制成輥28。輥28的表面粗糙度與作為原材料的金屬箔的表面粗糙度大致相同。因此,在壓縮加工后得到的集電體中,凸部的前端表面維持原先的金屬箔的表面粗糙度,而基材部的表面受到了輥28的壓縮加工,具有與輥28的表面粗糙度大致相同的表面粗糙度。即,集電體的整個(gè)表面具有大致相同的表面粗糙度。使用這樣的集電體,則能夠進(jìn)一步提高集電體與活性物質(zhì)層的粘附性。另外,使用未實(shí)施研磨加工的輥對金屬箔進(jìn)行壓縮加工時(shí),應(yīng)力集中于凹部的開口邊緣的隆起部分,有可能成為輥周面的龜裂的起點(diǎn),使輥壽命下降。(實(shí)施例9)除了使用平均粒徑為30tim的金剛石粒子代替平均粒徑為8ixm的金剛石粒子以外,與實(shí)施例8同樣地制作輥28。(實(shí)施例10)除了使用平均粒徑為53ym的金剛石粒子代替平均粒徑為8um的金剛石粒子以外,與實(shí)施例8同樣地制作輥28。(實(shí)施例11)除了使用平均粒徑為74um的金剛石粒子代替平均粒徑為8um的金剛石粒子以外,與實(shí)施例8同樣地制作輥28。另外,此時(shí),不能將輥28的平均表面粗糙度減小到小于0.8a。對于實(shí)施例811中得到的輥28,判定了金剛石研磨后的輥28周面的研磨粒子(金剛石粒子)的殘留狀態(tài)、輥28周面的平均表面粗糙度以及集電體制作后的輥28周面的破損狀態(tài)。另外,殘留狀態(tài)和破損狀態(tài)通過電子顯微鏡觀察來判定。結(jié)果示于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>從表3可知,當(dāng)使用平均粒徑為8ym的金剛石粒子進(jìn)行研磨時(shí),盡管凹部29的幵口邊緣29a的隆起被除去,開口邊緣29a被曲面化,但在凹部29中殘留有金剛石粒子。凹部29內(nèi)部殘留的金剛石粒子即使進(jìn)行超聲波洗滌也不能完全除去。另外,如果在凹部29中殘留著金剛石粒子的狀態(tài)下制作集電體,則凸部的形成有可能變得不充分。另外,當(dāng)使用平均粒徑為74nm的金剛石粒子時(shí),輥28周面的平均表面粗糙度最多達(dá)到0.8um,可以看到隆起未被除去的部分。進(jìn)而,當(dāng)使用平均粒徑為30Pm和53um的金剛石粒子時(shí),凹部29的開口邊緣29a被曲面化,同時(shí)沒有金剛石粒子的殘留,得到了周面的平均表面粗糙度為0.4a或其以下的輥28。進(jìn)而,對于實(shí)施例9和實(shí)施例10的輥28,使用平均粒徑為5iim的金剛石粒子作為研磨材,向凹部29的開口邊緣29a—邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機(jī)進(jìn)行研磨,形成了寬度約為lym、深度約為lum的凹槽29x。平均粒徑為5nm的金剛石粒子是粒度分布的偏差可控的市售品中的最小粒子。通過形成上述的凹槽29x,可以將凸部形成時(shí)殘留于凹部內(nèi)的空氣等順利地排出到凹部的外部。由此,可以防止殘留于凹部內(nèi)部的空氣被壓縮,并且因其壓力而阻礙凸部的順利的塑性變形,從而使凸部的形狀、高度等變得不均勻。另外,集電體中,凸部的距離基材部表面的高度除了要考慮最終想獲得的電極的特性之外,還要考慮輥28的壽命等來決定。為了提高輥28的耐用壽命,優(yōu)選減小壓接鉗部的加壓力。因此,優(yōu)選按照減小加壓力以形成必要高度的凸部的方式來進(jìn)行調(diào)整。使用形成有凹槽29y的輥28,將厚度為26um的銅箔的與搬送方向垂直的方向的長度設(shè)定為80mm、將壓接鉗部的加壓力設(shè)定為80kN進(jìn)行壓縮加工,使其產(chǎn)生局部的塑性變形,從而形成距離基材部表面的平均高度為5.1um的凸部。另一方面,除了使用未形成有凹槽29x的實(shí)施例9和10的輥28以夕卜,與上述同樣地進(jìn)行了銅箔的壓縮加工,結(jié)果形成了距離基材部表面的高度平均為3.4um的凸部。在考慮到脫模性、磨損、潤滑的因素而使用固體潤滑材或液體潤滑材時(shí),凸部的高度進(jìn)一步增大,形狀變得均勻。(實(shí)施例12)在直徑為25mm的陶瓷制凹部形成輥的周面上,與實(shí)施例9同樣地形成凹部29,從而制成輥28。安裝該輥28作為圖3所示的集電體制造裝置35中的輥4,形成了壓接鉗部34。將厚度為18um、與搬送方向垂直的方向的寬度為80mm、長度為100m的銅箔供給至壓接鉗部34,在80kN的加壓下實(shí)施壓縮加工,使其產(chǎn)生局部的塑性變形,從而制作圖8所示的集電體20。(實(shí)施例13)除了將凹部形成用輥的輥徑變?yōu)?0mm以外,與實(shí)施例12同樣地制作集電體20。(實(shí)施例14)除了將凹部形成用輥的輥徑變?yōu)?00mm以外,與實(shí)施例12同樣地制作集電體20。(實(shí)施例15)除了將凹部形成用輥的輥徑變?yōu)?50mm以外,與實(shí)施例12同樣地制作集電體20。對于實(shí)施例1215中得到的集電體20,通過電子顯微鏡觀察求出凸部22的平均高度和凸部22的最大值與最小值之差。凸部平均高度是100個(gè)凸部22的平均值。進(jìn)而,對于集電體20制作后的輥28,通過目視觀察凹部29的損傷狀態(tài)。另外,凸部20的高度在圖7所示的截面圖中,是與基材部21的表面21a垂直的方向的、從表面21a至凸部20的前端表面為止的長度。結(jié)果示于表4中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>從表2可知,輥徑為25mm時(shí),凸部22的平均高度為8Um。但是,輥28自身也產(chǎn)生了較大的彎曲,凸部22的高度的偏差較大。此外,輥28的旋轉(zhuǎn)有些不規(guī)則,推測將難以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的加工。輥徑為50mm時(shí),凸部22的平均高度為7.4um,但可看到輥28有少許的彎曲,凸部22的高度的偏差為土lixm左右。另外,在制作集電體20后觀察了輥28的凹部29,結(jié)果是產(chǎn)生了大量的龜裂。由此推測,輥徑會(huì)對輥28的壽命產(chǎn)生較大影響。輥徑為100mm時(shí),凸部22的平均高度為4.1ym,凸部22的高度的偏差為土lum以下。另外,在制作集電體20后觀察了輥28的凹部29,結(jié)果未看到龜裂。進(jìn)一步制作500m和1000m的集電體20,在凹部29上仍然未看到龜裂。輥徑為150mm時(shí),凸部22的平均高度為2.1um,凸部22的高度的偏差為土lum以下。另夕卜,在制作集電體20后觀察了輥28的凹部29,結(jié)果未看到龜裂。進(jìn)一步制作1000m的集電體20,在凹部29上仍然未看到龜裂。不過可以知道,為了得到具有充分的高度的凸部22,必須將加壓力設(shè)定得非常大,因此必須使設(shè)備尺寸大型化。根據(jù)表3和表4所示的結(jié)果可知,實(shí)施例14中制作的輥28可以很好地使用。在輥28的制作中,研磨工序中使用平均粒徑為30nm的金剛石粒子,在凹部29的開口邊緣29a上形成凹槽29x,將輥周面的平均表面粗糙度設(shè)定為0.4a,將輥徑設(shè)定為100mm。另外,在實(shí)施例1114制作的集電體20中,基材部21與凸部22的邊界部分22a由曲面構(gòu)成,并且圖7所示的凸部22的截面具有錐形狀。由此,壓縮加工時(shí)的加工性和集電體20從輥28上脫模的脫模性得以提高,可以防止凸部22與輥28的凹部29緊緊嵌合而從集電體20上剝離下來。如果使用在具有大量的易剝離的凸部22的集電體20上擔(dān)載有正極活性物質(zhì)的正極板來構(gòu)成電極組,則在反復(fù)充放電的過程中上述集電體20會(huì)成為正極板產(chǎn)生皺紋的起點(diǎn),使得正極活性物質(zhì)剝離。這可以認(rèn)為是由于集電體20的機(jī)械強(qiáng)度的偏差所引起的。如上所述,通過使用一對輥來進(jìn)行加工,可以實(shí)現(xiàn)非常少的接觸面積下的加壓,從而能夠增大加壓力。由此,可實(shí)現(xiàn)集電體制造裝置35的小型化。(實(shí)施例16)除了凹部29的開口形狀為大致菱形以外,如下制作具有與圖9所示的輥28相同的構(gòu)成的輥28A。利用YAG激光對直徑為50mm的超硬合金制凹部形成輥的周面進(jìn)行激光加工,從而形成開口形狀是大致菱形、菱形的較長的對角線的長度為20iim、深度約為10um的凹部。激光加工是將激光頻率設(shè)為lkHz來進(jìn)行。在上述形成的凹部的開口邊緣上形成了由毛刺或突起構(gòu)成的隆起,輥的表面粗糙度局部地變大。特別是當(dāng)凹部的開口形狀是菱形時(shí),毛刺或突起會(huì)產(chǎn)生方向性,表面形狀整體惡化。因此,使用平均粒徑為8um的金剛石粒子作為研磨粒,一邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機(jī)進(jìn)行研磨。研磨迸行到輥周面的平均表面粗糙度變?yōu)?.4a為止。由此除去隆起,形成其開口邊緣29a由曲面構(gòu)成的凹部29,制成輥28A。輥28A的表面粗糙度與作為原材料的金屬箔的表面粗糙度大致相同。因此,在壓縮加工后得到的集電體中,凸部的前端表面維持原先的金屬箔的表面粗糙度,而基材部的表面受到了輥28A的壓縮加工,具有與輥28A的表面粗糙度大致相同的表面粗糙度。即,集電體的整個(gè)表面具有大致相同的表面粗糙度。使用這樣的集電體,則能夠進(jìn)一步提高集電體與活性物質(zhì)層的粘附性。另外,使用未實(shí)施研磨加工的輥對金屬箔進(jìn)行本發(fā)明的壓縮加工時(shí),應(yīng)力集中于凹部的開口邊緣的隆起部分,有可能成為輥周面的龜裂的起點(diǎn),使輥壽命下降。特別是當(dāng)開口形狀是大致菱形時(shí),2個(gè)銳角部由于其形狀的緣故而容易受到應(yīng)力集中,成為輥28A周面的龜裂的起點(diǎn),還會(huì)成為相鄰的凹部29之間的龜裂的傳播路徑,所以使輥壽命大幅下降。(實(shí)施例17)除了使用平均粒徑為30nm的金剛石粒子來代替平均粒徑為8iim的金剛石粒子以外,與實(shí)施例16同樣地制作輥28A。(實(shí)施例18)除了使用平均粒徑為53Pm的金剛石粒子來代替平均粒徑為8iim的金剛石粒子以外,與實(shí)施例16同樣地制作輥28A。(實(shí)施例19)除了使用平均粒徑為74Um的金剛石粒子來代替平均粒徑為8lim的金剛石粒子以外,與實(shí)施例16同樣地制作輥28A。另外,此時(shí),不能將輥28A的平均表面粗糙度減小到小于0.8a。對于實(shí)施例1619中得到的輥28A,判定了金剛石研磨后的輥28A周面的研磨粒子(金剛石粒子)的殘留狀態(tài)、輥28A周面的平均表面粗糙度以及集電體制作后的輥28A周面的破損狀態(tài)。另外,殘留狀態(tài)和破損狀態(tài)通過電子顯微鏡觀察來判定。結(jié)果示于表5中。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>從表5可知,當(dāng)使用平均粒徑為8um的金剛石粒子進(jìn)行研磨時(shí),盡管凹部29的開口邊緣29a的隆起被除去、開口邊緣29a被曲面化,但在凹部29中殘留有金剛石粒子。凹部29內(nèi)部殘留的金剛石粒子即使進(jìn)行超聲波洗滌也不能完全除去。另外,如果在凹部29中殘留著金剛石粒子的狀態(tài)下制作集電體,則凸部的形成有可能變得不充分。另外,當(dāng)使用平均粒徑為74um的金剛石粒子時(shí),輥28A周面的平均表面粗糙度最多達(dá)到0.8ym,可以看到隆起未被除去的部分。進(jìn)而,當(dāng)使用平均粒徑為30um和53lim的金剛石粒子時(shí),凹部29的開口邊緣29a被曲面化,同時(shí)沒有金剛石粒子的殘留,得到了周面的平均表面粗糙度為0.4a或其以下的輥28A。進(jìn)而,對于實(shí)施例17和實(shí)施例18的輥28A,使用平均粒徑為5um的金剛石粒子作為研磨材,向凹部29的開口邊緣29a—邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機(jī)進(jìn)行研磨,形成了寬度約為1um、深度約為1um的凹槽29x。平均粒徑為5nm的金剛石粒子是粒度分布的偏差可控的市售品中的最小粒子。通過形成上述的凹槽29x,可以將凸部形成時(shí)殘留于凹部內(nèi)的空氣等順利地排出到凹部的外部。由此,可以防止殘留于凹部內(nèi)部的空氣被壓縮,并且因其壓力而阻礙凸部的順利的塑性變形,從而使凸部的形狀、高度等變得不均勻。另外,集電體中,凸部的距離基材部表面的高度除了要考慮最終想獲得的電極的特性之外,還要考慮輥28A的壽命等來決定。為了提高輥28A的耐用壽命,優(yōu)選減小壓接鉗部的加壓力。因此,優(yōu)選按照減小加壓力以形成必要高度的凸部的方式來進(jìn)行調(diào)整。特別是當(dāng)開口形狀是大致菱形時(shí),為了得到充分的高度,需要比開口形狀是大致圓形的情況更高的加壓力。另外知道,即使在與具有相同的平面投影面積的大致圓形的情況相同的條件下加壓,高度也會(huì)下降約15%23%。推測這是由于從菱形的長軸截面的厚度變化受到由截面形狀的狹窄而產(chǎn)生的阻力的影響。使用形成有凹槽29y的輥28A,將厚度為18lim的銅箔的與搬送方向垂直的方向的長度設(shè)定為80mm、將壓接鉗部的加壓力設(shè)定為80kN進(jìn)行壓縮加工,使其產(chǎn)生局部的塑性變形,從而形成距離基材部表面的高度平均為7.1um的凸部。另一方面,除了使用未形成有凹槽29x的輥28A以外,與上述同樣地進(jìn)行了壓縮加工,結(jié)果形成了距離基材部表面的高度平均為5.5um的凸部。在考慮到脫模性、磨損、潤滑的因素而使用固體潤滑材或液體潤滑材時(shí),凸部的高度進(jìn)一步增大,形狀變得均勻。(實(shí)施例20)在直徑為25mm的陶瓷制凹部形成用輥的周面上,與實(shí)施例17同樣地形成凹部29,從而制成輥28A。安裝該輥28A作為圖3所示的集電體制造裝置35中的輥4、5,形成了壓接鉗部34a。將厚度為26nm、與搬送方向垂直的方向的寬度為80mm、長度為100m的銅箔供給至壓接鉗部34a,在80kN的加壓下實(shí)施壓縮加工,使其產(chǎn)生局部的塑性變形,從而制作圖IO所示的集電體23。(實(shí)施例21)除了將凹部形成用輥的輥徑變?yōu)?0mm以外,與實(shí)施例20同樣地制作集電體23。(實(shí)施例22)除了將凹部形成用輥的輥徑變?yōu)?00mm以外,與實(shí)施例20同樣地制作集電體23。(實(shí)施例23)除了將凹部形成用輥的輥徑變?yōu)?50mm以外,與實(shí)施例20同樣地制作集電體23。對于實(shí)施例2023中得到的集電體23,通過電子顯微鏡觀察求出凸部25x、25y(以下記為"凸部25")的平均高度和凸部25的最大值與最小值之差。凸部平均高度是100個(gè)凸部25的平均值。進(jìn)而,對于集電體23制作后的輥28A,通過目視觀察凹部29的損傷狀態(tài)。另外,凸部25的高度在圖8所示的截面圖中,是與基材部24的表面24a垂直的方向的、從表面24a至凸部25的前端表面為止的長度。結(jié)果示于表6中。<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>從表6可知,輥徑為25mm時(shí),凸部25的平均高度為10um。但是,輥28A自身也產(chǎn)生了較大的彎曲,凸部25的高度的偏差較大。此外,輥28A的旋轉(zhuǎn)有些不規(guī)則,推測將難以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的加工。輥徑為50mm時(shí),凸部25的平均高度為8.2ym,但可看到輥28有少許的彎曲,凸部25的高度的偏差為士lPm左右。另外,在制作集電體23后觀察了輥28A的凹部29,結(jié)果發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生了大量的龜裂。由此推測,輥徑會(huì)對輥28的壽命產(chǎn)生較大影響。輥徑為100mm時(shí),凸部25的平均高度為7.1um,凸部25的高度的偏差為土lym以下。另外,在制作集電體23后觀察了輥28A的凹部29,結(jié)果未看到龜裂。進(jìn)一步制作500m和1000m的集電體23,在凹部29上仍然未看到龜裂。輥徑為150mm時(shí),凸部25的平均高度為4.3um,凸部25的高度的偏差為土lum以下。另外,在制作集電體23后觀察了輥28A的凹部29,結(jié)果未看到龜裂。進(jìn)一步制作1000m的集電體23,在凹部29上仍然未看到龜裂。不過可以知道,為了得到具有充分的高度的凸部25,必須將加壓力設(shè)定得非常大,因此必須使設(shè)備尺寸大型化。根據(jù)表5和表6所示的結(jié)果可知,實(shí)施例22中制作的輥28A可以很好地使用。在輥28A的制作中,研磨工序中使用平均粒徑為30lim的金剛石粒子,在凹部29的開口邊緣29a上形成凹槽29x,將輥周面的平均表面粗糙度設(shè)定為0.4a,將輥徑設(shè)定為100mm。另夕卜,在實(shí)施例2023制作的集電體23中,基材部24與凸部25的邊界部分25a由曲面構(gòu)成,并且圖10所示的凸部25的截面具有錐形狀。由此,壓縮加工時(shí)的加工性和集電體23從輥28A上脫模的脫模性得以提高,可以防止凸部25與輥28A的凹部29緊緊嵌合而從集電體23上剝離下來。如果使用在具有大量的易剝離的凸部25的集電體23上擔(dān)載有負(fù)極活性物質(zhì)的負(fù)極板來構(gòu)成電極組,則在反復(fù)充放電的過程中上述集電體23會(huì)成為負(fù)極板產(chǎn)生皺紋的起點(diǎn),使得負(fù)極活性物質(zhì)剝離。這可以認(rèn)為是由于集電體23的機(jī)械強(qiáng)度的偏差所引起的。如上所述,通過使用一對輥來進(jìn)行加工,可以實(shí)現(xiàn)非常少的接觸面積下的加壓,從而能夠增大加壓力。由此,可實(shí)現(xiàn)集電體制造裝置35的小型化。(實(shí)施例24)安裝形成有多個(gè)開口形狀是大致圓形、深度為8Pm、開口徑為10um的凹部29的圖9所示的陶瓷輥28作為圖3所示的集電體制造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為15ym的帶狀鋁箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體制造裝置35的壓接鉗部34a(圖11)以進(jìn)行局部非壓縮的加工,從而制成圖16所示的正極用集電體80。圖16是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的集電體80的構(gòu)成的圖。圖16(a)是集電體80的立體圖。圖16(b)是集電體80的縱截面圖。得到的集電體80含有由鋁構(gòu)成的基材部81、和在基材部81的厚度方向的兩面規(guī)則地形成的高度為5um的大致圓形的凸部82x、82y(以下記為"凸部82"),并且是其基材部81的厚度17為12nm、最大厚度t8為20um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上,凸部82形成了以間距Ps排列成一列的行單元83。在橫向Y上,行單元83以間距P6平行排列。進(jìn)而,行單元83和與之相鄰的行單元83按照使各個(gè)凸部82在寬度方向X上錯(cuò)開0.5P5的距離的方式配置。這樣的凸部82的排列圖案是最密填充排列。集電體80中,基材部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構(gòu)成。由此,壓縮加工時(shí)的加工性和集電體80從輥28上脫模的脫模性得以提高。同時(shí),由于大致圓形的凸部82以最密填充形狀排列,所以集電體80對施加于長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在集電體80的制造時(shí)、集電體80的加工時(shí)等情況下,可以防止集電體80上局部發(fā)生變形或彎曲。另外,用表面粗糙度計(jì)測定了集電體80的表面粗糙度,結(jié)果是基材部81的表面81a的表面粗糙度變得比加工前的鋁箔的表面粗糙度小?;牟?1的表面81a的表面粗糙度與陶瓷輥28的表面粗糙度大致相同。另一方面,凸部82的前端表面的表面粗糙度與加工前的鋁箔大致相同。此外,用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部82的前端表面,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細(xì)的劃傷。進(jìn)而,對集電體80進(jìn)行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析,結(jié)果判定,基材部81的表面81a和凸部82的內(nèi)部與加工前的鋁箔相比,晶粒變細(xì)。另外,測定了集電體80的拉伸強(qiáng)度,結(jié)果是盡管基材部81的厚度變得比加工前的鋁箔的厚度薄,但并沒有看到拉伸強(qiáng)度的下降,推測這是因?yàn)閴嚎s加工的加工硬化使得拉伸強(qiáng)度得以提高。從以上的分析結(jié)果可以認(rèn)為,通過對鋁箔實(shí)施上述的加工,則壓縮加工不會(huì)施加于凸部82的部分,而施加于基材部81的表面81a,從而得到集電體80。在上述得到的集電體80的兩面涂布正極合劑漿料,并使其干燥,進(jìn)行加壓使得總厚度變?yōu)?26Hm,從而制成單面的正極活性物質(zhì)層的厚度為58lim的正極。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度,從而制成正極板。正極合劑漿料是通過在雙臂式捏合機(jī)中攪拌并混煉如下成分而調(diào)制的一部分鈷被鎳和錳置換了的鈷酸鋰100重量份、乙炔黑(導(dǎo)電材)2重量份、聚偏氟乙烯(粘結(jié)材)2重量份以及適量的N-甲基-2-吡咯烷酮。集電體80如圖16所示,由于大致圓形的凸部82以最密填充形狀排列,并且基板部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構(gòu)成,對施加于長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在集電體80上涂布正極合劑漿料并使其干燥和加壓以制作正極的工序、以及將正極切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,可以防止集電體80上產(chǎn)生局部的變形或彎曲,同時(shí)可以抑制正極活性物質(zhì)層的脫落。(實(shí)施例25)安裝形成有多個(gè)開口形狀是大致菱形、深度為10um、菱形的較長的對角線為20um的凹部29的圖9所示的陶瓷輥28A作為圖3所示的集電體制造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔IO的厚度為12um的帶狀銅箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體制造裝置35的壓接鉗部34a(圖11)以進(jìn)行壓縮加工,使其發(fā)生局部的塑性變形,從而制成圖17所示的負(fù)極用集電體85。圖17是示意表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)之一的集電體85的構(gòu)成的圖。圖17(a)是集電體85的立體圖。圖17(b)是集電體85的縱截面圖。得到的集電體85含有由銅構(gòu)成的基材部86、和在基材部86的厚度方向的兩面規(guī)則地形成的高度為6um的大致菱形的凸部87x、87y(以下記為"凸部87"),并且是其基材部86的厚度t9為6um、最大厚度11()為18um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上,凸部86形成了以間距P7排列成一列的行單元88。在橫向Y上,行單元88以間距Ps平行排列。進(jìn)而,行單元88和與之相鄰的行單元88按照使各個(gè)凸部87在寬度方向X上錯(cuò)開0.5P7的距離的方式配置。這樣的凸部87的排列圖案是最密填充排列。集電體85中,基材部86與凸部87的邊界部分86a由曲面構(gòu)成。由此,壓縮加工時(shí)的加工性和集電體85從輥28上脫模的脫模性得以提高。同時(shí),由于大致菱形的凸部87以最密填充形狀排列,所以集電體85對施加于長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在集電體85的制造時(shí)、集電體85的加工時(shí)等情況下,可以防止集電體85上局部發(fā)生變形或彎曲。另外,用表面粗糙度計(jì)測定了集電體85的表面粗糙度,結(jié)果基材部86的表面86a的表面粗糙度變得比加工前的銅箔的表面粗糙度小?;牟?6的表面86a的表面粗糙度與陶瓷輥28的表面粗糙度大致相同。另一方面,凸部87的前端表面的表面粗糙度與加工前的銅箔大致相同。此外,用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部87的前端表面,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了與加工前在銅箔表面觀察到的同樣的細(xì)的劃傷。進(jìn)而,對集電體85進(jìn)行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析,結(jié)果判定,基材部86的表面86a和凸部87的內(nèi)部與加工前的銅箔相比,晶粒變細(xì)。另外,測定了集電體85的拉伸強(qiáng)度,結(jié)果盡管基材部86的厚度變得比加工前的銅箔的厚度薄,但并沒有看到拉伸強(qiáng)度的下降,推測這是因?yàn)閴嚎s加工的加工硬化使得拉伸強(qiáng)度提高。從以上的分析結(jié)果可以認(rèn)為,通過對銅箔實(shí)施上述的加工,則凸部87的部分發(fā)生伴隨壓縮加工的塑性變形,在基材部86的表面86a上施加壓縮加工,從而得到集電體85。在具備電子束加熱機(jī)構(gòu)的真空蒸鍍裝置的內(nèi)部安裝上述得到的集電體85。使用純度為99.9999%的硅作為靶,一邊導(dǎo)入純度為99.7%的氧一邊進(jìn)行蒸鍍,從而在集電體85的兩面的凸部87的表面形成了柱狀的膜厚為20ixm的SiOo.s層。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。集電體85如圖17(a)所示,大致菱形的凸部87以最密填充排列形成于其兩面,并且基材部86與凸部87的邊界部分87a由曲面構(gòu)成。因此,在朝著集電體85的長度方向X蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)時(shí),可以使其高效地附著于凸部87的表面。另外,對施加于集電體85的長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在制作帶狀的集電體85的工序、在集電體85的表面蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)以制作負(fù)極板的工序、以及將負(fù)極板切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,可以防止集電體85上產(chǎn)生局部的變形或彎曲。同時(shí),可以抑制負(fù)極活性物質(zhì)層的脫落。(實(shí)施例26)安裝形成有多個(gè)開口形狀是大致圓形、深度為10um、開口徑為10um的凹部29的圖9所示的陶瓷輥28作為圖3所示的集電體制造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為18um的帶狀銅箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體制造裝置35的壓接鉗部34a(圖ll)以進(jìn)行壓縮加工,使其發(fā)生局部的塑性變形,從而制成圖16所示的負(fù)極用集電體80。得到的集電體80含有由銅構(gòu)成的基材部81、和在基材部81的厚度方向的兩面規(guī)則地形成的高度為8um的大致圓形的凸部82x、82y(以下記為"凸部82"),并且是其基材部81的厚度t7為lOum、最大厚度t8為26Pm的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上,凸部82形成了以間距Ps排列成一列的行單元83。在橫向Y上,行單元83以間距P6平行排列。進(jìn)而,行單元83和與之相鄰的行單元83按照使各個(gè)凸部82在寬度方向X上錯(cuò)開0.5P5的距離的方式配置。這樣的凸部82的排列圖案是最密填充排列。集電體80中,基材部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構(gòu)成。由此,壓縮加工時(shí)的加工性和集電體80從輥28上脫模的脫模性得以提高。同時(shí),由于大致圓形的凸部82以最密填充形狀排列,所以集電體80對施加于長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在集電體80的制造時(shí)、集電體80的加工時(shí)等情況下,可以防止集電體80上局部發(fā)生變形或彎曲。另外,用表面粗糙度計(jì)測定了集電體80的表面粗糙度,結(jié)果基材部81的表面81a的表面粗糙度變得比加工前的銅箔的表面粗糙度小?;牟?1的表面81a的表面粗糙度與陶瓷輥28的表面粗糙度大致相同。另一方面,凸部82的前端表面的表面粗糙度與加工前的銅箔大致相同。此外,用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部82的前端表面,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細(xì)的劃傷。進(jìn)而,對集電體80進(jìn)行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析,結(jié)果判定,基材部81的表面81a和凸部82的內(nèi)部與加工前的銅箔相比,晶粒變細(xì)。另外,測定了集電體80的拉伸強(qiáng)度,結(jié)果盡管基材部81的厚度變得比加工前的銅箔的厚度薄,但并沒有看到拉伸強(qiáng)度的下降,推測這是因?yàn)閴嚎s加工的加工硬化使得拉伸強(qiáng)度提高。從以上的分析結(jié)果可以認(rèn)為,通過對銅箔實(shí)施上述的加工,則凸部82的部分發(fā)生伴隨壓縮加工的塑性變形,在基材部81的表面81a上施加壓縮加工,從而得到集電體80。在具備電子束加熱機(jī)構(gòu)的真空蒸鍍裝置的內(nèi)部安裝上述得到的集電體85。使用純度為99.9999%的硅作為靶,一邊導(dǎo)入純度為99.7%的氧一邊進(jìn)行蒸鍍,從而在集電體85的兩面的凸部87的表面形成了柱狀的膜厚為25ym的SiO。,s層。將該集電體切開加工成規(guī)定寬度以制成負(fù)極板。集電體80如圖16(a)所示,大致圓形的凸部82以最密填充排列形成于其兩面,并且基材部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構(gòu)成。因此,在朝著集電體80的長度方向X蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)時(shí),可以使其高效地附著于凸部82的表面。另外,對施加于集電體80的長度方向X上的拉伸應(yīng)力具有充分的耐久性。因此,在制作帶狀的集電體80的工序、在集電體80的表面蒸鍍負(fù)極活性物質(zhì)以制作負(fù)極板的工序、以及將負(fù)極板切開加工成規(guī)定寬度的工序等中,可以防止集電體85上產(chǎn)生局部的變形或彎曲。同時(shí),可以抑制負(fù)極活性物質(zhì)層的脫落。'使用實(shí)施例24中的得到的正極板和上述得到的負(fù)極板制作圖12所示的圓筒型非水電解質(zhì)二次電池40。首先,將正極板50、隔膜52、負(fù)極板51和隔膜52按照該順序重疊并巻繞成漩渦狀,從而制成電極組41。進(jìn)而如圖9所示那樣,將正極板15和負(fù)極板17隔著隔膜19巻繞成漩渦狀,從而制成電極組14。將該電極組41與絕緣板44一起收納于有底圓筒形的電池盒47的內(nèi)部。將從電極組41的下部導(dǎo)出的未圖示的負(fù)極引線與電池盒47的底部連接,然后將從電極組41的上部導(dǎo)出的正極引線42與封口板45連接,向電池盒47中注入規(guī)定量的包含非水溶劑的電解液(未圖示)。然后,在電池盒47的開口部中插入周邊安裝有墊圈46的封口板45,將電池盒47的開口部朝著內(nèi)側(cè)彎折而進(jìn)行斂縫封口,從而制作了本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池40。上述非水系二次電池40中,制作了巻繞成漩渦狀的電極組41之后,將該電極組41分解后進(jìn)行了觀察,結(jié)果在正極板50、負(fù)極板51上均未看到電極板斷裂或活性物質(zhì)層的脫落等不利情況。進(jìn)而,使該非水系二次電池40進(jìn)行300個(gè)循環(huán)充放電,但并沒有循環(huán)劣化,300個(gè)循環(huán)后將非水系二次電池40和電極組41分解,結(jié)果未看到鋰析出、活性物質(zhì)層的脫落等不利情況。其原因可以認(rèn)為是,由于在未實(shí)施壓縮加工的凸部表面形成柱狀的活性物質(zhì)層的薄膜,所以由鋰嵌入時(shí)的活性物質(zhì)層薄膜的膨脹和鋰脫嵌時(shí)的活性物質(zhì)層薄膜的收縮所引起的體積變化被緩和,利用該效果,可以維持良好的電池特性。如以上的實(shí)施例中所說明的那樣,本發(fā)明的非水系二次電池用電極板中,由于集電體的基材部與凸部之間的邊界部分由曲面構(gòu)成,所以壓縮加工時(shí)的加工性和集電體的脫模性良好。另外,集電體的凸部的前端表面由于未實(shí)施壓縮加工,所以不會(huì)殘留因?qū)嵤┘庸ざ鴮?dǎo)致的加工形變,凸部前端表面的表面精度良好,因此能夠形成均勻的薄膜狀活性物質(zhì)層。另外,由于凸部是通過伴隨壓縮加工產(chǎn)生的塑性變形而形成的,所以凸部前端表面的表面粗糙度不會(huì)變小,而是維持著初期的表面粗糙度。因此,與薄膜狀的活性物質(zhì)層的粘附力高。從該觀點(diǎn)出發(fā),為了進(jìn)一步提高凸部平面與電極活性物質(zhì)合劑層的粘附力,預(yù)先使加工前的集電體的表面成為更粗糙的狀態(tài)是非常有效的。另外,本發(fā)明的非水系二次電池中的活性物質(zhì)層優(yōu)選以柱狀形成于凸部前端表面。由此,可以緩和伴隨非水系二次電池的充放電產(chǎn)生的鋰嵌入時(shí)的活性物質(zhì)層的膨脹和鋰脫嵌時(shí)的活性物質(zhì)層的收縮所引起的體積變化。其結(jié)果是,由充放電導(dǎo)致的電極板斷裂或活性物質(zhì)層的脫落等不利情況更加不易發(fā)生,能夠得到高容量且可靠性高的非水系二次電池。根據(jù)本發(fā)明的非水系二次電池用的集電體以及電極板的制造方法,可以在確保用于制作電解板的集電體的強(qiáng)度的同時(shí),將電極活性物質(zhì)高效地?fù)?dān)載于集電體上所形成的凸部上,得到可靠性高的非水系二次電池,所以隨著電子設(shè)備和通信設(shè)備的多功能化,作為希望實(shí)現(xiàn)高容量化的便攜式電子設(shè)備類的電源等是有用的。權(quán)利要求1、一種非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法,其中使用如下的一對加工機(jī)構(gòu)該一對加工機(jī)構(gòu)被設(shè)置成表面相互壓接而形成可使片材狀物通過的壓接鉗部,并且在至少一個(gè)加工機(jī)構(gòu)的表面形成有多個(gè)凹部;在所述制造方法中,使集電體用金屬箔通過加工機(jī)構(gòu)的壓接鉗部以進(jìn)行壓縮加工,從而在集電體用金屬箔的至少一個(gè)表面形成多個(gè)凸部。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其中,凸部的前端表面的表面粗糙度與壓縮加工前的集電體用金屬箔的表面粗糙度大致相同。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,凹部的與加工機(jī)構(gòu)表面垂直的方向的截面具有如下形狀該截面的與加工機(jī)構(gòu)表面平行的方向的寬度從加工機(jī)構(gòu)表面朝著凹部底面逐漸變小的錐形狀。4、根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,以使得凸部的體積小于等于凹部的內(nèi)部空間的體積的方式進(jìn)行壓縮加工。5、根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,以使得凸部的體積為凹部的內(nèi)部空間的體積的85%以下的方式進(jìn)行壓縮加工。6、根據(jù)權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,在表面形成有多個(gè)凹部的加工機(jī)構(gòu)中,凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界是曲面。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法,其中,凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界的曲面形狀是如下形成的利用激光加工形成凹部,并除去因激光加工而產(chǎn)生的凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界的隆起。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其中,通過用平均粒徑為30um以上但低于53Um的金剛石粒子進(jìn)行研磨來除去隆起。9、根據(jù)權(quán)利要求68中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,在凹部與加工機(jī)構(gòu)表面的邊界處形成有多個(gè)寬度為1nm以下、深度為1Pm以下的凹槽。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法,其中,通過用平均粒徑為5um以下的金剛石粒子進(jìn)行研磨來形成凹槽。11、根據(jù)權(quán)利要求110中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,一對加工機(jī)構(gòu)是一對輥,在至少一個(gè)輥的表面形成有凹部。12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法,其中,在形成有凹部的輥的表面以及凹部的面對內(nèi)部空間的表面形成有表面覆蓋層,所述表面覆蓋層含有超硬合金、合金工具鋼或氧化鉻。13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法,其中,在表面覆蓋層的表面形成有保護(hù)層,所述保護(hù)層含有無定形碳材料。14、根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的制造方法,其中,表面覆蓋層和保護(hù)層是通過選自下述氣相沉積法中的至少一種而形成的,所述氣相沉積法是利用濺射的物理氣相沉積法、利用離子注入的物理氣相沉積法、利用熱蒸鍍的化學(xué)氣相沉積法和利用等離子體蒸鍍的化學(xué)氣相沉積法。15、根據(jù)權(quán)利要求110中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,至少一個(gè)輥是表面設(shè)置有陶瓷層的輥,在陶瓷層的表面形成有凹部。16、根據(jù)權(quán)利要求110中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,在輥或集電體用金屬箔的表面涂布潤滑劑,并使其干燥。17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法,其中,潤滑劑含有脂肪酸。18、一種非水電解質(zhì)二次電池用集電體,其含有由集電體用金屬箔構(gòu)成的基材部、和從基材部的至少一個(gè)表面向基材部的外側(cè)延伸而形成的多個(gè)凸部,基材部表面與凸部的邊界是曲面。19、一種非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法,其中,在通過權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的非水電解質(zhì)二次電池用集電體的制造方法而制造的非水電解質(zhì)二次電池用集電體或權(quán)利要求18的非水電解質(zhì)二次電池用集電體的表面擔(dān)載正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)。20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法,其中,在非水電解質(zhì)二次電池用集電體的凸部表面擔(dān)載正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)。21、一種非水電解質(zhì)二次電池,其含有正極、負(fù)極、隔膜和非水電解質(zhì),正極和負(fù)極中的至少一個(gè)是通過權(quán)利要求19或權(quán)利要求20的非水電解質(zhì)二次電池用電極的制造方法而制造的電極。全文摘要本發(fā)明的目的是提高非水電解質(zhì)二次電池用集電體的機(jī)械強(qiáng)度和耐久性,使活性物質(zhì)層高效地且以高的粘附力擔(dān)載于集電體表面。為了實(shí)現(xiàn)該目的,使用如下的一對加工機(jī)構(gòu)該一對加工機(jī)構(gòu)被設(shè)置成表面相互壓接而形成可使片材狀物通過的壓接鉗部,并且在至少一個(gè)加工機(jī)構(gòu)的表面形成有多個(gè)凹部;使集電體用金屬箔通過加工機(jī)構(gòu)的壓接鉗部以進(jìn)行壓縮加工,從而通過伴隨壓縮加工而發(fā)生的局部塑性變形在集電體用金屬箔的至少一個(gè)表面形成多個(gè)凸部。文檔編號H01M4/70GK101536223SQ20078004194公開日2009年9月16日申請日期2007年11月15日優(yōu)先權(quán)日2006年11月15日發(fā)明者住原正則,加藤誠一,片山仁,西村卓寬,野野下孝申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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