專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，作為半導(dǎo)體發(fā)光元件，公知半導(dǎo)體激光器和發(fā)光二 極管等(例如，參照下述專利文獻(xiàn)1)。 一般而言，半導(dǎo)體發(fā)光元件具 有省電力且高亮度的特征，例如用作液晶顯示裝置的光源。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-243773號(hào)公報(bào)。
圖IO表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一個(gè)例子。在圖示的半導(dǎo)體發(fā) 光元件X中，在基板101上，層疊有n-GaN層102、活性層103、和 p-GaN層104。 n-GaN層102和p-GaN層104被絕緣層107覆蓋。絕 緣層107例如由SiO2構(gòu)成，形成有2個(gè)開口 107a。該開口 107a使n-GaN 層102和p-GaN層104部分露出。n-GaN層102和p-GaN層104上， 經(jīng)開口 107a分別連接有配線108。配線108由與n-GaN層102或p-GaN 層104相接的Ni層108a和在Ni層108上形成的Au層108b構(gòu)成。
上述半導(dǎo)體發(fā)光元件X中，存在以下所述的問題。即，在半導(dǎo)體 發(fā)光元件X的制造工序中，開口 107a的形成是通過對(duì)于覆蓋n-GaN 層102和p-GaN層104的絕緣層實(shí)施蝕刻而進(jìn)行的。此時(shí)，n-GaN層 102和p-GaN層104會(huì)受到蝕刻導(dǎo)致的損傷。因此，該各層與配線108 的界面上的電阻會(huì)增大，半導(dǎo)體發(fā)光元件X的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)異常升高。
作為用于解決上述問題的方法之一，可以考慮例如在各開口 107a 內(nèi)形成Au構(gòu)成的中繼電極(圖示省略)，之后形成配線108。該情況 下，期望通過該中繼電極使n-GaN層102或p-GaN層104與配線108 之間的導(dǎo)通狀態(tài)良好。
但是，另一方面，也會(huì)產(chǎn)生別的問題。即，在較高氣氛溫度下進(jìn) 行配線108的形成的情況下，Au有可能從上述中繼電極向絕緣層107 擴(kuò)散。結(jié)果，絕緣層107的至少一部分具有導(dǎo)電性，存在漏電電流增大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于上述情況而得出的。因此，本發(fā)明的課題在于，提
供一種能夠防止驅(qū)動(dòng)電壓增大且抑制漏電電流的半導(dǎo)體發(fā)光元件。
本發(fā)明的第一方面提供的半導(dǎo)體發(fā)光元件，具備n型半導(dǎo)體層和 p型半導(dǎo)體層；由上述n型半導(dǎo)體層和上述p型半導(dǎo)體層包夾的活性層；
與上述n型半導(dǎo)體層相接的n側(cè)電極；與上述p型半導(dǎo)體層相接的p 側(cè)電極；覆蓋上述n型半導(dǎo)體層和上述p型半導(dǎo)體層、且使上述n側(cè) 電極和上述p側(cè)電極的各一部分露出的絕緣層。上述n側(cè)電極由以下 部分構(gòu)成由Al構(gòu)成且與上述n型半導(dǎo)體層相接的第一層；和在該第 一層上形成、且由Ni、 W、 Zr和Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層。上述 p側(cè)電極由以下部分構(gòu)成由Au構(gòu)成且與上述p型半導(dǎo)體層相接的第 一層；和在該第一層上形成、且由Ni、 W、 Zr和Pt中的任意一種構(gòu)成 的第二層。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠享受到以下技術(shù)效果。即，在形成上述n 側(cè)電極和上述p側(cè)電極后，對(duì)于上述絕緣層實(shí)施蝕刻的情況下，各電 極中僅有上述第二層被蝕刻。另一方面，由于該第二層由Ni、 W、 Zr 或Pt構(gòu)成，所以不會(huì)因蝕刻而使其表面被過分地破壞。因此，能夠減 小各電極和與其導(dǎo)通的部件的界面上的電阻，能夠以較低的電壓驅(qū)動(dòng) 半導(dǎo)體發(fā)光元件。另外，在各電極上，能夠用第二層覆蓋第一層的整 個(gè)上表面。該情況下，在各電極上，能夠使與上述絕緣層相接的部分 幾乎為第二層(例如，只要使第一層的厚度適當(dāng)變薄即可)。形成上述 第二層的Ni、 W、 Zr或Pt，與Au不同，難以相對(duì)于上述絕緣層擴(kuò)散。 從而，能夠防止上述絕緣層異常地導(dǎo)體化，能夠抑制上述半導(dǎo)體發(fā)光 元件的漏電電流。
優(yōu)選本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件還具備與上述n側(cè)電極(或p側(cè)電 極)相接的配線。該配線包括第一層和在該第一層上形成的第二層， 配線的該第一層與上述n側(cè)電極(或p側(cè)電極)的上述第二層相接， 并且由與上述n側(cè)電極(或p側(cè)電極)相同的材質(zhì)構(gòu)成。另外，上述 配線的第二層由Au構(gòu)成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，上述n側(cè)電極或p側(cè)電極與上述配線在由相互相同的材質(zhì)構(gòu)成的部分上接合。由此，與不同種 類金屬之間接合的情況相比，能夠使上述各電極與上述配線之間的界 面上的電阻進(jìn)一步減小。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種具備n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體 層、由該n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層包夾的活性層的半導(dǎo)體發(fā)光元 件的制造方法。該制造方法包括以下各工序形成與上述n型半導(dǎo)體 層相接的n側(cè)電極；形成與上述p型半導(dǎo)體層相接的p側(cè)電極；形成 覆蓋上述n型半導(dǎo)體層、上述p型半導(dǎo)體層、上述n側(cè)電極和上述p 側(cè)電極的絕緣層；通過對(duì)上述絕緣層實(shí)施蝕刻，使上述n側(cè)電極和上 述p側(cè)電極的一部分露出。上述n側(cè)電極的形成，通過在上述n型半 導(dǎo)體層上形成由Al構(gòu)成的第一層，進(jìn)而在該第一層上形成由Ni、 W、 Zr或Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層而進(jìn)行。上述p側(cè)電極的形成，通 過在上述p型半導(dǎo)體層上形成由Au構(gòu)成的第一層，進(jìn)而在該第一層上 形成由Ni、 W、 Zr或Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層而進(jìn)行。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在上述蝕刻中，上述n側(cè)電極和上述p側(cè)電極 中僅有上述第二層被蝕刻。由于上述第二層由Ni、 W、 Zr或Pt構(gòu)成， 所以不會(huì)因蝕刻而使其表面被過分地破壞。從而，能夠減小上述n側(cè) 電極和上述p側(cè)電極和與其導(dǎo)通的部件的界面上的電阻，能夠以較低 的電壓驅(qū)動(dòng)該半導(dǎo)體發(fā)光元件。
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明得以理解。


圖l是表示基于本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一個(gè)例子的主要部分 截面圖。
圖2是表示上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的一個(gè)工序的截面圖， 表示在基板上層疊有半導(dǎo)體層的狀態(tài)。
圖3是表示上述制造方法的另一個(gè)工序的截面圖，表示形成有n 側(cè)電極和p側(cè)電極的狀態(tài)。
圖4是表示上述制造方法的另一個(gè)工序的截面圖，表示形成有絕 緣層的狀態(tài)。圖5是表示上述制造方法的另一個(gè)工序的截面圖，表示對(duì)絕緣層實(shí)施蝕刻的情況。
圖6是表示圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件和比較例1、 2的順方向電壓-電流特性的圖。
圖7是表示圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的順方向電壓-電流特性的圖。
圖8是表示比較例2的順方向電壓-電流特性的圖。圖9是表示使用了圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光裝置的一個(gè)例子的主要部分平面圖。
圖10是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一個(gè)例子的主要部分截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，參照附圖具體說(shuō)明。
圖1表示基于本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一個(gè)例子。圖示的半導(dǎo)體發(fā)光元件A在基板1上形成，具備n-GaN層2、活性層3、 p-GaN層4、 n側(cè)電極5、 p側(cè)電極6、絕緣層7和配線8。半導(dǎo)體發(fā)光元件A是透過絕緣層7射出光的結(jié)構(gòu)。
基板1例如為藍(lán)寶石制造，支撐n-GaN層2、活性層3和p-GaN層4等?；?的厚度例如為350 ix m左右。
n-GaN層2是在GaN中摻雜有Si的層。n-GaN層2的厚度，例如為3.5um左右。在基板1與n-GaN層2之間，層疊有緩沖層21和非摻雜GaN層22。該緩沖層21和非摻雜GaN層22是用于緩和基板1與n-GaN層2之間的晶格歪扭。緩沖層21和非摻雜GaN層22的厚度，分另U為0.05um、 2.0um左右。
活性層3具有多重量子井(MQW)結(jié)構(gòu)?；钚詫?中，電子與空穴再結(jié)合，使光發(fā)出，并且進(jìn)行該光的放大。此時(shí)的電子從n側(cè)電極5供給，空穴從p側(cè)電極6供給?；钚詫?是多個(gè)InGaN層和多個(gè)GaN層交互層疊。各InGaN層中In的組成比例如為15%左右。因此，InGaN層比n-GaN層2帶隙更小，起到活性層3中的井層的功能。另外，上述各GaN層，是活性層3中的阻擋層。構(gòu)成活性層3的InGaN層的數(shù)量和GaN層的數(shù)量，例如在3 7的范圍內(nèi)。另外，活性層3的厚度，例如為0.1ixm左右。
p-GaN層4，是在GaN中摻雜有Mg的層。p-GaN層4的厚度，例如為0.1um左右。
n側(cè)電極5形成在n-GaN層2上。n側(cè)電極5是用于向活性層3供給電子的電極，是由Al層(第一層)51和Ni層(第二層)52構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。Al層51與n-GaN層2相接，其厚度為4000A左右。Ni層52形成在A1層51上，其厚度為500A左右。其中，也可以不用Ni層52，而改為由W、 Zr或Pt構(gòu)成第二層的結(jié)構(gòu)。
p側(cè)電極6形成在p-GaN層4上。p側(cè)電極6是用于向活性層3供給空穴的電極，是由Au層(第一層)61和Ni層(第二層)62構(gòu)成的。Au層61與p-GaN層4相接，其厚度為4000A左右。Ni層62形成在Au層61上，其厚度為500A左右。優(yōu)選Ni層62構(gòu)成為覆蓋Au層61的整個(gè)上表面的結(jié)構(gòu)。其中，也可以不用Ni層62，而改為由W、 Zr或Pt構(gòu)成第二層的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，優(yōu)選n側(cè)電極5的第二層和p側(cè)電極6的第二層為同一材質(zhì)。
絕緣層7例如由Si02構(gòu)成，覆蓋n-GaN層2和p-GaN層4。絕緣層7上，形成有2個(gè)開口7a。在各開口7a內(nèi)，設(shè)置有上述n側(cè)電極5或p側(cè)電極6，各電極的上表面部分地從絕緣層7露出。
配線8是用于使半導(dǎo)體發(fā)光元件A和與其相鄰的其他半導(dǎo)體發(fā)光元件導(dǎo)通，或是使圖外的端子和半導(dǎo)體發(fā)光元件A導(dǎo)通的配線。配線8由Ni層(第一層)81禾口Au層(第二層)82構(gòu)成。Ni層81與n側(cè)電極5的Ni層52或p側(cè)電極6的Ni層62相接，與Ni層52、 62為相同的材質(zhì)。Au層82形成在Ni層81上。Ni層81和Au層82的厚度分別為500A左右和8000A左右。配線8的第一層的材質(zhì)，優(yōu)選為與和該配線連接的p側(cè)電極5或n側(cè)電極6的第二層的材質(zhì)相同。
接著，對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法的一個(gè)例子，參照?qǐng)D2 圖5在以下進(jìn)行說(shuō)明。
首先，如圖2所示，在基板1上層疊有緩沖層21、非摻雜GaN層22、 n-GaN層2、活性層3和p-GaN層4。這些層的形成，例如通過有機(jī)金屬氣相沉積法(MOCVD)進(jìn)行。接著，如圖3所示，形成n側(cè)電極5和p側(cè)電極6。具體而言，例如使用蒸鍍法和提離的方法，形成A1層51、 Au層61和Ni層52、 53。此時(shí)，使A1層51、 Au層61的厚度為4000A，使Ni層52、 53的厚度為500A。
接著，如圖4所示，形成絕緣層7A，使其覆蓋n-GaN層2、 p-GaN層4、 n側(cè)電極5和p側(cè)電極6。絕緣層7A的形成例如通過使用Si02的蒸鍍法進(jìn)行。
接著，對(duì)于絕緣層7A通過例如用光刻的方法形成的掩模(圖示省略)實(shí)施蝕刻，由此形成圖5所示的2個(gè)開口 7a。該蝕刻例如是離子蝕刻，以40sccm (規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下每1分鐘的體積流量(cc-cm3))流量供給CF4作為蝕刻氣體，在壓強(qiáng)置為3.0Pa左右的狀態(tài)，在高頻電力置為100W左右的條件下進(jìn)行。2個(gè)開口 7a使n側(cè)電極5的Ni層52和p側(cè)電極6的Ni層62露出。由此得到絕緣層7。
之后，例如用蒸鍍法和提離的方法形成將厚度為500A左右的Ni層81和厚度為8000A左右的Au層82層疊的配線8，由此得到半導(dǎo)體發(fā)光元件A。
接著，說(shuō)明半導(dǎo)體發(fā)光元件A的作用。
圖6表示對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光元件A和比較例1、 2測(cè)定順方向電壓Vf和順方向電流If的結(jié)果。該圖中，圖GA是半導(dǎo)體發(fā)光元件A的測(cè)定結(jié)果，圖Gx、 Gy分別是比較例i、 2的測(cè)定結(jié)果。比較例1是與圖10所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件X同樣的結(jié)構(gòu)。比較例2基本上是與比較例1 (半導(dǎo)體發(fā)光元件X)同樣的結(jié)構(gòu)，但是在各開口 107a內(nèi)設(shè)置中繼電極這一點(diǎn)上不同。各中繼電極是2層結(jié)構(gòu)，由Ni制的下層和Au制的上層構(gòu)成。是下層與半導(dǎo)體發(fā)光元件X的層102或?qū)?04相接、上層與配線108相接的結(jié)構(gòu)。
首先，比較圖GA (半導(dǎo)體發(fā)光元件A)與圖Gx (比較例1)。例如為了得到在工業(yè)上的使用中能夠適當(dāng)發(fā)光而作為基準(zhǔn)的1.0X10—5A左右的順方向電流If，在比較例1中需要使順方向電壓Vf為12V左右。與此相對(duì)，根據(jù)本發(fā)明只需使順方向電壓Vf為7V左右即可。gp，根據(jù)本發(fā)明，能夠使驅(qū)動(dòng)電壓與比較例1相比降低。其理由可以認(rèn)為是如下所述。比較例1中，如圖10所示，配線108相對(duì)于n-GaN層102
9和p-GaN層104直接接合。為了形成包圍該接合部分的開口 107a, —般對(duì)于絕緣層107實(shí)施蝕刻。此時(shí)，n-GaN層102和p-GaN層104的表面因蝕刻而被破壞。在該被破壞的面上形成配線108時(shí)，n-GaN層102和p-GaN層104與配線108的界面上的電阻增大，所以需要較大的驅(qū)動(dòng)電壓。另一方面，根據(jù)本發(fā)明，如圖5所示，不會(huì)使n-GaN層2和p-GaN層4暴露在蝕刻中。另外，被暴露在蝕刻的Ni層52、 62，蝕刻速度比較慢，不易被蝕刻破壞。從而，半導(dǎo)體發(fā)光元件A的驅(qū)動(dòng)電壓降低。
接著，比狡圏Ga (半導(dǎo)體發(fā)光元件A)與Gy (比較例2)。在比較例2中，即使在順方向電壓Vf為1.0以下的比較低的電壓的狀態(tài)下，順方向電流If也有1.0X10^A左右流過。該電流是所謂漏電電流，經(jīng)過發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)其幾乎不對(duì)活性層103 (參照?qǐng)D10)中的發(fā)光作貢獻(xiàn)。發(fā)生該漏電電流的理由，可以認(rèn)為是如下所述。如上所述，比較例2中，在各開口 107a內(nèi)設(shè)置中繼電極，其上層為Au制。但是Au在60(TC左右的溫度下會(huì)相對(duì)于絕緣層107擴(kuò)散。結(jié)果，絕緣層107的一部分導(dǎo)體化，產(chǎn)生漏電電流。與此相對(duì)，在半導(dǎo)體發(fā)光元件A中，如圖1所示n側(cè)電極5和p側(cè)電極6中與絕緣層7相接的部分幾乎為Ni層52、 62。 Ni難以相對(duì)于由Si02等構(gòu)成的絕緣層7擴(kuò)散。從而，能夠避免絕緣層7異常地導(dǎo)體化，能夠抑制漏電電流。
圖7表示在半導(dǎo)體發(fā)光元件A中多次進(jìn)行與順方向電壓Vf相對(duì)的順方向電流If的測(cè)定(Vf-If特性測(cè)定)的結(jié)果。具體而言，在固定對(duì)n側(cè)電極5和p側(cè)電極6的計(jì)測(cè)探頭的位置的狀態(tài)下，使順方向電壓Vf變化的同時(shí)測(cè)定順方向電流If (第一次測(cè)定)。接著，改變計(jì)測(cè)探頭的位置進(jìn)行同樣的測(cè)定(第二次測(cè)定)，之后進(jìn)一步改變計(jì)測(cè)探頭的位置進(jìn)行同樣的測(cè)定(第三次測(cè)定)。如該圖所示，3個(gè)Vf-If特性測(cè)定結(jié)果中幾乎沒有誤差。另一方面，圖8是在比較例2中進(jìn)行同樣的測(cè)定的結(jié)果。在比較例2中變更計(jì)測(cè)探頭的位置時(shí)，Vf-If特性也有較大改變。可以認(rèn)為，該差別是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體發(fā)光元件A中，Ni層52、 62幾乎沒有被蝕刻破壞，所以p側(cè)電極5和n側(cè)電極6的表面整體是平滑所導(dǎo)致的。
n側(cè)電極5和p側(cè)電極6與配線8之間的接合，通過Ni層52、 62與Ni層81之間的接合實(shí)現(xiàn)。這樣相同材質(zhì)的部件之間的接合，與不同種類金屬之間的接合相比更適于降低接合部的電阻，并且有利于使半導(dǎo)體發(fā)光元件A的驅(qū)動(dòng)電壓降低。
n側(cè)電極5的Al層51，易于與n-GaN層2形成歐姆接觸。另夕卜，p側(cè)電極6的Au層61 ，易于與p-GaN層4形成歐姆接觸。這有利于使半導(dǎo)體發(fā)光元件A的驅(qū)動(dòng)電壓降低。
圖9表示使用了半導(dǎo)體發(fā)光元件A的發(fā)光裝置的一個(gè)例子。本裝置中，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件A以矩陣狀配置。其中，該圖中，省略了圖1所示的基板1和絕緣層7。以矩陣狀配置的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件A中相鄰的元件通過配線8連接。本裝置中，某個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件A的n側(cè)電極5與相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的p側(cè)電極6連接。由此，這些半導(dǎo)體發(fā)光元件A相互串聯(lián)連接。利用這樣的發(fā)光裝置，能夠面發(fā)光，并且能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的降低和漏電電流的抑制。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具備n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層；由所述n型半導(dǎo)體層和所述p型半導(dǎo)體層包夾的活性層；與所述n型半導(dǎo)體層相接的n側(cè)電極；與所述p型半導(dǎo)體層相接的p側(cè)電極；覆蓋所述n型半導(dǎo)體層和所述p型半導(dǎo)體層、且使所述n側(cè)電極和所述p側(cè)電極的各一部分露出的絕緣層，所述n側(cè)電極由以下部分構(gòu)成由Al構(gòu)成且與所述n型半導(dǎo)體層相接的第一層；和在該第一層上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層，所述p側(cè)電極由以下部分構(gòu)成由Au構(gòu)成且與所述p型半導(dǎo)體層相接的第一層；和在該第一層上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于 在進(jìn)一步具備與所述n側(cè)電極相接的配線的結(jié)構(gòu)中，該配線包括第一層和在該第一層上形成的第二層，所述配線的所述第一層與所述n 側(cè)電極的所述第二層相接，并且由與所述n側(cè)電極的所述第二層同樣 的材質(zhì)構(gòu)成；所述配線的所述第二層由Au構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于 在進(jìn)一步具備與所述p側(cè)電極相接的配線的結(jié)構(gòu)中，該配線包括第一層和在該第一層上形成的第二層；所述配線的所述第一層與所述P 側(cè)電極的所述第二層相接，并且由與所述p側(cè)電極的所述第二層同樣 的材質(zhì)構(gòu)成；所述配線的所述第二層由Au構(gòu)成。
4. 一種具備n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層、和由該n型半導(dǎo)體層 和p型半導(dǎo)體層包夾的活性層的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征 在于，包括以下各工序形成與所述n型半導(dǎo)體層相接的n側(cè)電極；形成與所述p型半導(dǎo)體層相接的p側(cè)電極；形成覆蓋所述n型半導(dǎo)體層、所述p型半導(dǎo)體層、所述n側(cè)電極 和所述p側(cè)電極的絕緣層;'和通過對(duì)所述絕緣層實(shí)施蝕刻，使所述n側(cè)電極和所述p側(cè)電極的 各一部分露出，所述n側(cè)電極的形成，通過在所述n型半導(dǎo)體層上形成由Al構(gòu)成 的第一層，進(jìn)而在該第一層上形成由Ni、 W、 Zr或Pt中的任意一種構(gòu) 成的第二層而進(jìn)行；所述p側(cè)電極的形成，通過在所述p型半導(dǎo)體層 上形成由Au構(gòu)成的第一層，進(jìn)而在該第--層上形成由Ni、 W、 Zr或 Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層而進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。半導(dǎo)體發(fā)光元件(A)包括n型半導(dǎo)體層(2)、p型半導(dǎo)體層(4)和該半導(dǎo)體層(2，4)包夾的活性層(3)。并且，半導(dǎo)體發(fā)光元件(A)包括與n型半導(dǎo)體層(2)相接的n側(cè)電極(5)和與p型半導(dǎo)體層(4)相接的p側(cè)電極(6)。n型半導(dǎo)體層(2)和p型半導(dǎo)體層(4)被絕緣層(7)覆蓋。另外，絕緣層(7)部分覆蓋n側(cè)電極(5)和p側(cè)電極(6)，使各電極(5，6)的一部分露出。n側(cè)電極(5)由以下部分構(gòu)成由Al構(gòu)成并且與上述n型半導(dǎo)體層(2)相接的第一層(51)；和在該第一層(51)上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層(52)。p側(cè)電極(6)由以下部分構(gòu)成由Au構(gòu)成且與上述p型半導(dǎo)體層(4)相接的第一層(61)；和在該第一層(61)上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一種構(gòu)成的第二層(62)。
文檔編號(hào)H01L33/12GK101479861SQ200780024519
公開日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月4日
發(fā)明者尺田幸男 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司