專利名稱：生產(chǎn)固相片的方法和使用固相片的太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
方法，及使用所述固相片的光電池。
背景技術(shù)：
一種生產(chǎn)固相片典型方法包括形成由半導體材料制成的晶錠和將所述 晶錠切為薄片的步驟，所述固相片例如用于光電池的多晶硅晶片。然而， 切片要求高度先進的技術(shù)，使得所述半導體材料不會損失超過與在切片中 使用的切絲或圓鋸片的厚度對應的量。
作為替代，可以使用在專利文件l (日本特開^iSJ艮No.2002-237465 ) 中描述的生產(chǎn)固相片的方法。在專利文件l中描述的生產(chǎn)固相片的所述方 法通過下述步驟完成。首先，每個具有被周緣槽分隔成周邊部和被所述周 緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部的表面的基體，在惰性氣氛中以規(guī)律的間隔連續(xù)地浸入 到坩堝中，在所述坩堝中存儲有加熱并熔化的半導體材料。所述半導體材 料為摻雜有如磷或硼等摻雜劑的高純度硅材料。由所述半導體材料制成的 固相片形成于基體的內(nèi)側(cè)部的表面上。然后形成的所述固相片從所述基體 分開，并通過激光、切片機等依照應用切割成期望的尺寸來提供產(chǎn)品，如 光電池使用的晶片。
上述使用基體生產(chǎn)固相片的方法，允許直接從半導體材料的熔液高效 產(chǎn)生高尺寸精度的平固相片，并且減少材料損耗。然而，此方法引起一種 稱為"殘留熔液"的狀態(tài)，在該狀態(tài)，當所述基體移動并從基體已經(jīng)浸入 的半導體材料的熔液中取出的時候，半導體材料的熔液沿著其移動方向尾 端在形成于內(nèi)側(cè)部中的固相片上由表面張力而凝結(jié)。所述殘留熔液基本沿 所述尾端線性形成。
與圍繞所述殘留熔液的所述固相片的區(qū)域相比，所述殘留熔液有更大 的熱容量和不同的凝固速率。因此，半導體材料的熔液在固化到固態(tài)半導 體時經(jīng)歷固化膨脹，由此其體積在固體狀態(tài)大于在在熔化狀態(tài)。當所述殘留熔液開始固化，圍繞所述殘留熔液的固相片的區(qū)域已經(jīng)固化。所述殘留熔液延遲的固化膨脹將導致其周圍固相片區(qū)域的裂紋。已經(jīng)指出，此不利導致作為產(chǎn)品形成于被周邊部包圍的內(nèi)側(cè)部中的固相片的缺陷，導致了產(chǎn)率的降低并且增加的產(chǎn)品成本。
專利文件1:日本特開公報No.2002-23746
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
根據(jù)前述的問題，本發(fā)明提供了 一種生產(chǎn)均勻并且無缺陷固相片的方法，其防止在所述固相片部分中可能由于上述殘留熔液而導致的裂紋。本發(fā)明也提供一種改善產(chǎn)率的固相片生產(chǎn)方法。本發(fā)明進一步提供一種使用所述改善產(chǎn)率的固相片的便宜的光電池。
解決問題的手段
本發(fā)明涉及一種通過將基體接觸半導體材料的熔液，在基體表面上生產(chǎn)半導體材料固相片的方法。所述基體的表面被周緣槽分隔成周邊部和被
所述周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部，或者所述基體具有彼此部分連接的周邊部和內(nèi)側(cè)部。在所述內(nèi)側(cè)部的表面設置狹縫。
依照本發(fā)明，所述狹縫優(yōu)選設置在所述基體的表面與所述半導體材料的熔液接觸的移動方向上的尾側(cè)。而且，優(yōu)選多個狹縫從所述周緣槽延伸到所述內(nèi)側(cè)部中狹縫，在基體的表面與所述半導體材料的熔液接觸的移動方向上。
此外，依照本發(fā)明，所述狹縫優(yōu)選具有不小于1 mm并且不大于5 mm的寬度。所述狹縫優(yōu)選具有不小于5mm并且不大于20mm的長度。所述狹縫優(yōu)選具有不小于1 mm并且不大于所述基體的厚度的深度。
此外，依照本發(fā)明，被所述狹縫分開的部分優(yōu)選具有不小于5 mm并且不大于50mm的寬度。所述狹縫優(yōu)選具有帶曲率的端部，所述端部與交叉
所述周緣槽側(cè)相對。
一種根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)方法，涉及一種采用作為產(chǎn)品的固相片的固相片
生產(chǎn)方法，從其切除設置有狹縫的區(qū)域。
一種根據(jù)本發(fā)明的光電池，涉及采用通過所述生產(chǎn)固相片的方法形成的、作為產(chǎn)品的固相片的光電池。本發(fā)明的效果
本發(fā)明能夠提供一種可以從半導體材料熔液中直接生產(chǎn)平整并且均勻的固相片的方法，其改善產(chǎn)率并且減少所述半導體材料損耗。


圖l為依照本發(fā)明，在被周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部設置狹縫的基體實施例的透^L圖。
圖2為為了形成固相片，將依照本發(fā)明在被周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部設置有狹縫的基體實施例浸入到半導體材料的熔液中的示意透視圖。
圖3為依照本發(fā)明，在被周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部設置有狹縫的基體的實
施例的放大剖視圖。
圖4為依照本發(fā)明，在被周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部設置有狹縫的基體的實施例的平面圖。
圖5為依照本發(fā)明的一種生產(chǎn)固相片方法的示例的示意剖視圖。圖6為依照本發(fā)明，在被周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部設置有狹縫的基體的實施例的透視圖。
參考符號描述
101、 201、 301、 401、 505和601基體；102、 403和602周緣槽；103、207、 302、 402和603狹縫；104和206殘留熔液；202浸漬機構(gòu)臂部分；203熔液；204和501坩堝；105、 205、 303和507固相片；404和604狹縫端部；502室；503硅熔化加熱器；504浸漬機構(gòu)；506珪熔液；508運輸傳送裝置；509裝置副室；510間式閥；Sll表面；S21箭頭方向；S61內(nèi)側(cè)部。
具體實施例
<基體的基本結(jié)構(gòu)>
一種依照本發(fā)明生產(chǎn)固相片的方法使用改進的基體，在生產(chǎn)固相片方法中通過將所述基體接觸半導體材料熔液使所述半導體材料均勻沉積在所述基體的表面上。使所述基體接觸半導體材料熔液的手段，可以將所述基體移動以與坩堝內(nèi)的半導體材料熔液接觸，或者將所述基體固定而移動裝有半導體材料熔液的坩堝。使用的所述基體為如上所述的表面被周緣槽分隔成周邊部和被所述周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部的基體，或者為表面的所述周邊部與所述內(nèi)側(cè)部彼此部分連接的基體。如圖2所述的實施例生產(chǎn)固相片的情況下，所述固相片形成于所述基體的背面。在此情況下，優(yōu)選使用所述周邊部與所述內(nèi)側(cè)部彼此部分連接的基體，從而防止所述固相片脫落。使用的基體在所述內(nèi)側(cè)部提供狹縫。特別優(yōu)選提供大量的在垂直于所述周緣
槽方向線性延伸的這樣的狹縫。然而，任何與所述周緣槽成45到90度角
的狹縫都可以被使用而沒有任何問題。所述狹縫可以成波浪狀，例如替代成線性。優(yōu)選狹縫形成于對應所述基體接觸半導體材料熔液的移動方向尾
端對應的一邊。所述基體接觸半導體材料熔液的速度優(yōu)選300到1000cm/min。盡管所述基體本身的材料沒有特別限制，考慮到半導體材料熔液的溫度為1420到1500°C,優(yōu)選具有高熱阻的材料。同樣優(yōu)選具有優(yōu)良熱導性的材料。為了便于處理，更優(yōu)選高純度石墨。為了防止半導體材料對所述基體表面并在基體表面上的附著和凝集來減少所述殘留熔液，優(yōu)選石墨作為所述基體的材料。另外，所述基體也可以使用例如碳化硅、石英、氮化硼、氧化鋁和氧化鋯。
在下文中將基于圖1所示的在被周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部中提供狹縫的基體的實施例進行詳細描述。從其生產(chǎn)固相片105的基體101的特征為，狹縫103形成于基體101的表面Sll被周緣槽102分隔的所述內(nèi)側(cè)部上。當使得基體IOI接觸半導體材料熔液，發(fā)生一種殘留熔液104的狀態(tài)，其中半導體材料熔液由于表面張力而凝聚在形成于內(nèi)側(cè)部的固相片的移動方向
尾端。通過在基體101的內(nèi)側(cè)部提供狹縫103,形成于基體101內(nèi)側(cè)部的固相片105 (陰影部分)被在基體101移動方向的尾端區(qū)域的狹縫103分開，因此所述殘留熔液被分開。
于此，與傳統(tǒng)生產(chǎn)方式形成的殘留熔液相比，殘留熔液104的體積減小。殘留熔液104與其周圍區(qū)域相比有更大的熱阻，與沒有殘留熔液104的區(qū)域相比有更低的冷卻速度。 一個需要考慮的是因為冷卻速度的不同，在生產(chǎn)的固相片105中更易發(fā)生裂紋。然而，部分分開固相片105的狹縫103不僅起到分開殘留熔液104的作用，而且起到釋放因為殘留熔液的固化膨脹而產(chǎn)生的固相片應力的作用。這樣可以防止裂紋延伸到內(nèi)側(cè)部，并且得到200到400jum厚度的作為產(chǎn)品的無缺陷固相片。半導體材料熔液通常有高粘性，并且與水或類似材料相比有更高的表面張力。因此優(yōu)選為了分隔所述殘留熔液，而設定每個狹縫的寬度、長度和深度和被狹縫分開區(qū)域的寬度的條件。所述條件設置將在下文中詳細描述。
<狹縫的寬度〉
上文提到的在所述固相片上分隔殘留熔液的狹縫有適當?shù)膶挾?。如果所述狹縫在寬度上過分狹窄，由于半導體材料熔液的表面張力，所述固相片將在狹縫上沉積為橋狀形式，其阻止了分隔所述殘留熔液的基本目標的實現(xiàn)。如果所述狹縫在寬度上過大，所述半導體材料熔液將進入狹縫，從而在狹縫中固化時填充各狹縫。這干擾所述固相片的熱收縮，從而又導致裂紋形成于所述基體內(nèi)側(cè)部的固相片部分中。
在下文中基于圖2描述，圖形化顯示采用半導體材料熔液形成固相片的實施例。在浸漬機械臂部分202的前端上設置基體201 。通過將基體201以箭頭S21的方向浸漬到儲存有半導體材料熔液203的坩堝204中，在基體201的表面形成固相片205 (陰影部分)。于此，半導體材料熔液203具有粘性。因此，當狹縫207的寬度小于lmm時，固相片205可能開始沉積以覆蓋過狹縫207,其阻止了分開固相片205尾端目標的實現(xiàn)。當狹縫207的寬度大于5 mm時，半導體材料熔液203可能開始進入狹縫207并填充狹縫207，其阻止了分開固相片205尾端目標的實現(xiàn)。因而，試驗結(jié)果表明，在上述內(nèi)側(cè)部設置的狹縫207優(yōu)選寬度不小于lmm并且不大于5mm。為了通過狹縫207穩(wěn)定的分開固相片205的尾端，其特別優(yōu)選設定所述狹縫的寬度為3 mm的附近，其是半導體材料熔液203開始覆蓋狹縫207寬度的1 mm和半導體材料熔液開始進入狹縫207寬度的5 mm的中間值。
<狹縫的長度>
在圖2中，當基體201被從半導體材料熔液203拖出時，留在基體201
形成于分開的固相片205的尾端部分。在被所述周緣槽分隔的基體201內(nèi)側(cè)部上設置的狹縫207,需要有大于位于基體201內(nèi)側(cè)部的固相片上的殘留熔液206的平均直徑的長度。于此，關(guān)于確定殘留熔液206的大小，眾所周知依賴半導體材料熔液的表面張力，圓形殘留熔液具有至少5mm并且至多約為20mm的直徑，多數(shù)在大約7到8mm的范圍。這顯示基體201中設置的狹縫207的長度需要至少5mm或更長。依照試驗的結(jié)果，殘留熔液206的最大直徑不超過20mm。于此將在下文中進行的描述，將移除設置有狹縫的固相片區(qū)域以生產(chǎn)產(chǎn)品。因此，狹縫207長度比需要超過得越多，能夠使用的固相片205的區(qū)域越小。由此，考慮到上述，設置于基體201的內(nèi)側(cè)部中的狹縫207優(yōu)選具有不小于5 mm和不大于20 nm的長度?？紤]到固相片205作為產(chǎn)品的有效區(qū)域和殘留熔液206的尺寸，特別優(yōu)選為約10 mm的長度。
<狹縫的深度>
現(xiàn)將基于圖3進行詳細描述，圖3顯示在基體內(nèi)側(cè)部中設置的狹縫的放大剖視圖。如果在基體301的內(nèi)側(cè)部中設置的狹縫302的深度小于1 mm，狹縫302中的半導體材料熔液將接觸狹縫302的底部，該處沉積固相片303。在狹縫302內(nèi)沉積的固相片303阻止了通過狹縫302分開基體301內(nèi)側(cè)部上的固相片303的目標的實現(xiàn)。因而，在基體301內(nèi)側(cè)部中的狹縫302之間成的殘留熔液引起的應力無法釋放，使得固相片303更容易被損害，導致了產(chǎn)率降低。因此，在基體被所述周緣槽分隔的內(nèi)側(cè)部中提供的狹縫302深度優(yōu)選不小于1 mm，使得半導體材料熔液不會沉積在狹縫302內(nèi)。此外，切穿基體301的狹縫302在固相片的生產(chǎn)中不存在特別問題。因此優(yōu)選設置狹縫302的深度為不小于lmm并且不大于基體301的厚度。盡管狹縫302擁有不小于1 mm的深度能夠分隔半導體材料熔液，特別優(yōu)選狹縫302的深度不小于3 mm ，因為不小于3 mm的深度可以提供可靠的分隔。
<被狹縫分開部分的寬度>
在下文中將基于圖1進行描述。位于基體101內(nèi)側(cè)部的每個被狹縫103分開的部分的寬度，也與保留于此的殘留熔液104的尺寸相關(guān)。因為形成的殘留熔液104尺寸如前文所述，至少5 mm并且至多約20 mm, ^皮狹縫103分隔的每一部分需要至少5mm或更大的寬度。試驗結(jié)果表面，當被狹縫103分隔的每個區(qū)域的寬度超過50 mm時，因為所述殘留熔液的熱收縮，所述固相片被殘留熔液包圍的區(qū)域更容易出現(xiàn)裂縫。即，當被狹縫103分隔的每個部分的寬度超過50 mm時，狹縫103分隔的效果被減少，從而由于殘留熔液104的不同固化速率而產(chǎn)生的應力影響遍布于固相片105，造成例如破裂的缺陷并且降低產(chǎn)品產(chǎn)率。因此，被狹縫103分開的部分優(yōu)選具有不小于5 mm并且不大于50 mm的寬度。考慮到前文所述的殘留熔液104的尺寸范圍大多從約7mm到8mm，并且應該最小化應力的影響，特別優(yōu)選被基體101內(nèi)側(cè)部中設置的狹縫103分開部分的寬度為約10mm。<狹縫端部的形狀〉
在下文中將基于顯示基體的俯視圖的圖4進行描述。殘留熔液將形成于被基體401設置的狹縫402分開的部分。所述殘留熔液固化時的不同的固化速率導致應力集中在每個狹縫端部404，端部404與交叉基體401的周緣槽403側(cè)相對，從端部404裂縫容易延伸到所述固相片中。在這個階段,如果狹縫端部404有角，應力進一步集中在那個部分，使得所述固相片更容易被破壞。因此，提供具有曲率的狹縫端部404能夠避免應力集中在一點，導致產(chǎn)品產(chǎn)率的改善。在該情形，所述曲率越小，從線性段到曲線段的過渡就越平滑。因為當曲率為半圓時應力最小，優(yōu)選狹縫402的一半寬度的曲率。就加工而言，同樣優(yōu)選該曲率。
<產(chǎn)品(固相片)和光電池>
通過上述本發(fā)明的方法生產(chǎn)的固相片，因為其均勻并且沒有例如裂紋的缺陷，能夠作為光電池的晶片。在該情形，生產(chǎn)光電池的方法包括通過眾所周知的生產(chǎn)光電池的方法來形成摻雜層、抗反射涂層、光接收電極、背面電極等，以及將固相片切割為用作光電池的晶片的期望尺寸。與使用由傳統(tǒng)基體生產(chǎn)的固相片的光電池相比，本發(fā)明的所述光電池能夠提供增加的產(chǎn)品產(chǎn)率。
于此，從具有設置有狹縫的區(qū)域(后文中也描述為狹縫區(qū)域)的固相片在該固相片上生產(chǎn)產(chǎn)品，特別是光電池的情況下，優(yōu)選切斷并且移除所述狹縫區(qū)域。將在下文中基于使用所述固相片作為光電池晶片的情形來描述原因。
移動基體到與摻雜有例如磷或硼的高純度硅材料熔液接觸，在狹縫區(qū)域中形成殘留熔液，在所述狹縫區(qū)域中光電池的晶片由設置于所述基體的內(nèi)側(cè)部中的狹縫分開。因為所述殘留熔液處于在半導體材料熔液通過表面張力凝結(jié)以從其周圍平面區(qū)域突出的狀態(tài)，存在殘留應力和形狀缺陷。這將導致問題，例如在生產(chǎn)光電池過程中損傷。因此，為了使用包括狹縫區(qū)域的固相片作為產(chǎn)品，需要對殘留熔液進行特殊處理，導致成本增加。此外考慮作為使用所述狹縫區(qū)域作為光接收面的光電池的晶片的組件的模塊的轉(zhuǎn)化效率，假設轉(zhuǎn)化效率減小，則為了獲得額定輸出所需的光電池的晶片數(shù)量增加。在此情況下，光電池增加了不必要的重量和尺寸，導致了整體成本的增加。因此，切除所述狹縫區(qū)域來生產(chǎn)產(chǎn)品可以避免上述的問題。此外，不能用于產(chǎn)品中的所述固相片的狹縫區(qū)域能夠通過在被切斷和移除后重新熔化來重新使用，因此其改善了產(chǎn)率。
在下文中，將描述本發(fā)明更多細節(jié)示例，然而，本發(fā)明不局限于這些示例。
示例
將參考圖5描述本發(fā)明實施例中使用的一種生產(chǎn)固相片的方法。調(diào)整硼濃度使得得到的固相片有.cm的電阻率的一種硅原料，供給到由高純度石墨制成的坩堝501中，該坩堝501被放置到室502中。隨后將室502抽真空。隨后在保持800 hPa的情況下以100L/min速率從室502上面持續(xù)引入氬氣。
位于坩堝501附近的控制硅熔化加熱器503的熱電偶設置在150(TC的設置溫度，使硅處于完全熔化狀態(tài)以得到硅熔液506。因為最初供給的硅由于熔化而體積變小，所以另外供給硅，使得硅熔液506的表面保持在預設的水平。隨后將控制溫度設置成143(TC并且持續(xù)30分鐘來穩(wěn)定硅熔液506的溫度。由高純度石墨制成的基體505設置在浸漬機構(gòu)504的前端，在基體505上將形成固相片。
基體505以500cm/min的速度浸漬到硅熔液506中，使得固相片507在基體505的表面上沉積?；w505和形成于其上的固相片507隨后通過運輸傳送裝置508轉(zhuǎn)移到裝置副室509，并且關(guān)閉分隔裝置副室509和室502的閘式閥510。隨后，通過旋轉(zhuǎn)式泵給裝置副室509抽真空。在引入大氣之后，基體505和其上形成的固相片507被從裝置副室509中取出。形成于基體505上的固相片507能夠容易的分開。從#^周緣槽包圍的內(nèi)側(cè)部取得的固相片507隨后被激光切割裝置切割成126 mm x 126 mm的尺寸。
于此，在本示例中使用類似于如圖6所示的使用的基體。所述基體為每邊長為150mm的方形，并且基體601的厚度為20 mm。狹縫603設置于被周緣槽602包圍的內(nèi)側(cè)部S61分隔的區(qū)域中被最后從硅熔液506中取出的一側(cè)。此時，狹縫603具有3mm的寬度，10 mm的長度并且3 mm的深度。被狹縫603分開的部分具有10mm的寬度。狹縫603的與交叉周緣槽602側(cè)相對的狹縫端部604有半徑為1.5 mm的半圓的曲率。
10在如上所述的情況下，生產(chǎn)了 1000個固相片。對于所述激光切割的固
相片通過彎曲測試儀施加50N/mn^的負載來測試產(chǎn)率。獲得了 85.1%的滿 意結(jié)果。
隨后，使用通過激光切割得到的126 mmx 126 mm尺寸的固相片作為 光電池的晶片來生產(chǎn)光電池。本示例光電池的晶片將在下文中描述為p型 基板。首先，使用硝酸和氫氟酸的混合物蝕刻獲取的所述p型基板，隨后 經(jīng)歷采用氫氧化鈉的堿性蝕刻。其后，通過P0Cl3擴散在p型基板上形成一 個n層。在采用氫氟酸移除了形成于將會是光學接收面的p型基板的表面 上的PSG (磷硅酸鹽玻璃)膜之后，通過等離子體CVD (化學氣相沉積) 在光電池的光學接收面?zhèn)鹊膎層上形成氮化硅膜。隨后通過使用硝酸和氳 氟酸的混合物蝕刻來去除在光電池背面的表面上形成的n層，來暴露p型 基板，在其上通過絲網(wǎng)印刷術(shù)印刷鋁漿料并燒制，使得同時形成背電極和 p+層。隨后施加焊料涂層來完成所述光電池。
在AM1.5 (100mW/cm2)下，測量通過上述方法生產(chǎn)的IOO個光電池 的電池性能，獲得了的良好結(jié)果580mV的平均開路電壓、30.8mA/cm2的 短路電流、0.736的平均填充系數(shù)和13.1%的平均轉(zhuǎn)換效率。
需要解釋的是，這里公開的實施例和示例的目標為說明各個方面，而 不是作為限制。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求定義，而不是由上述描述定義， 并且包含權(quán)利要求含義和范圍內(nèi)的所有等同修改。
工業(yè)適用性
提供一種不會導致裂縫的生產(chǎn)均勻并且無缺陷固相片的方法，能夠提 供改善的產(chǎn)率，有效利用資源。進一步，使用所述固相片作為光電池的晶 片能夠提供一種高性能光電池。
權(quán)利要求
1. 一種在基體(101)的表面(S11)上生產(chǎn)半導體材料固相片(105)的方法，通過使得所述基體(101)與所述半導體材料的熔液接觸，所述基體(10)的表面(S11)被周緣槽(102)分隔成周邊部和被所述周緣槽(102)包圍的內(nèi)側(cè)部，或者所述基體(10)具有彼此部分連接的所述周邊部和所述內(nèi)側(cè)部，其中在所述內(nèi)側(cè)部的表面上設置狹縫(103)。
2. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中所述狹縫(103) 設置于所述基體(101)的所述表面(S11)接觸所述半導體材料熔液的移 動方向的尾端。
3. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中所述狹縫(103) 包括多個沿所述基體(101 )的表面(S11 )接觸所述半導體材料熔液的移 動方向，從所述周緣槽(102)延伸到所述內(nèi)側(cè)部中的狹縫。
4. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中所述狹縫(103) 具有不小于lmm并且不大于5mm的寬度。
5. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中所述狹縫(103) 具有不小于5 mm并且不大于20 mm的長度。
6. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中所述狹縫(103) 具有不小于1 mm并且不大于所述基體(101 )的厚度的深度。
7. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中被所述狹縫(103) 分開部分具有不小于5 mm并且不大于50 mm的寬度。
8. 權(quán)利要求1中所述生產(chǎn)固相片(105)的方法，其中所述狹縫(103) 具有帶曲率的端部，所述端部與交叉所述周緣槽(102)側(cè)相對。
9. 一種生產(chǎn)固相片(105)的方法，形成于所述內(nèi)側(cè)部的表面的權(quán)利要 求l中描述的所述固相片(105)，其作為產(chǎn)品，從其切除由所述狹縫(103) 所分割的區(qū)域。
10. —種使用所述固相片(105)的光電池，其中所述固相片(105)使 用通過權(quán)利要求1描述的生產(chǎn)固相片(105)的方法獲得。
全文摘要
在基體(101)的表面上生產(chǎn)半導體材料的固相片(105)的過程中，通過將基體(101)接觸半導體材料熔液，基體(101)具有表面(111)，其被周緣槽(102)分隔成周邊部和被所述周緣槽(102)包圍的內(nèi)側(cè)部，或者基體(101)中周邊部和所述內(nèi)側(cè)部的一部分彼此連接，從而解決固相片(105)被在其表面上出現(xiàn)存液導致裂縫，從而導致產(chǎn)率降低的問題。在基體(101)的表面中制備狹縫(103)。優(yōu)選地，狹縫(103)制備在基體(101)的表面(S11)接觸半導體材料熔液時的移動方向的尾端。更優(yōu)選地，制備多個狹縫(103)，沿基體(101)的表面(S11)接觸半導體材料熔液的移動方向，從周緣槽(102)到內(nèi)側(cè)部。
文檔編號H01L21/208GK101467234SQ20078002212
公開日2009年6月24日 申請日期2007年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月16日
發(fā)明者吉田浩司 申請人:夏普株式會社