專利名稱：：基板處理方法和基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有效去除由于相對基板例如進行等離子體處理而在該基板上生成的、含有氧化硅的無機物和氟類有機物的混合物或疊層體的技術(shù)。
背景技術(shù)：
：作為一種半導(dǎo)體器件的制造工序，存在使用等離子體進行基板的蝕刻的處理。進行該處理時，存在蝕刻氣體與被蝕刻層、基底層反應(yīng)，在基板上生成復(fù)合生成物，其殘留在基板表面上的情況。例如，用于使電極與MOS晶體管的源極或漏極區(qū)域連接的接觸孔，是通過使用CF類的蝕刻氣體和氧氣在硅基板上的氧化硅層中進行蝕刻而形成的。圖16是示意性地表示在接觸孔208的底面上生成有復(fù)合生成物208a的狀態(tài)的圖。復(fù)合生成物208a的成分也一并表示。當(dāng)使用CF類的蝕刻氣體和氧氣對形成在基板200的硅層201上的氧化硅膜202進行蝕刻時，在接觸孔208的下表面上，從上方開始依次生成由含有碳和氟的CF聚合物205與氧化硅層204構(gòu)成的復(fù)合生成物208a以及非晶硅層203?？梢哉J為這是通過以下工藝形成的。當(dāng)氧化硅膜202被蝕刻，硅層201露出表面時，如圖17B所示，硅層201的表面由于等離子體的能量而變質(zhì)，成為非晶硅層203。進而，該非晶硅層203的上層被氧氣的等離子體氧化，生成氧化硅層204(圖17C)。之后，在該氧化硅層204的上層，含有碳和氟的CF聚合物205被堆積，形成復(fù)合生成物208a(圖17D)。該復(fù)合生成物208a使接觸電阻增大，成為成品率降低的主要原因。因此，必須除去該復(fù)合生成物208a。使用CF類的蝕刻氣體進行蝕刻后，為了除去CF類的殘渣物，一直以來已知利用氧等離子體進行灰化處理的方法。但是，因為如果在上述基板200上使用氧等離子體，則會進一步進行硅層201的氧化，所以不能夠使用氧等離子體。另外，根據(jù)進行各種實驗所得的結(jié)果，可知復(fù)合生成物208a并不是圖17D中概要表示的單純的疊層體。即可知，氧化硅層204內(nèi)，如圖18A所示，是氧化硅207和CF類化合物206的混合物，或者，如圖18B所示，是硅、氧、碳和氟等化學(xué)鍵合后的化合物，是非常穩(wěn)定的狀態(tài)。因此，通過在蝕刻后一般進行的利用有機溶劑、酸溶液等的洗凈工藝，并不能夠充分地除去復(fù)合生成物208a。特別是，隨著半導(dǎo)體器件的設(shè)計規(guī)則的縮小、深寬比(aspectratio)的增大，洗凈液不能夠充分到達孔、槽內(nèi)，由于該點不能夠期待充分的洗凈。因為復(fù)合生成物208a是有機物和無機物的復(fù)合物，所以要除去無機物時則不能夠除去有機物，此外，要除去有機物時則不能夠除去無機物。也就是說，復(fù)合生成物208a可以說是非常難以處理的殘渣物。因此，開發(fā)從器件上除去這種殘渣物的方法是緊要任務(wù)。另外，討論在某種器件的制造工藝中，如圖19A所示，相對氧化硅膜210和多晶硅膜211在硅膜209上交替地例如各疊層有兩層的基板200，利用抗蝕膜215進行蝕刻，形成凹部220的情況。在這種情況下，為了對多晶硅膜211和氧化硅膜210進行蝕刻，分別使用鹵素類氣體的等離子體與含有碳和氟的氣體的等離子體。在多晶硅膜211的蝕刻中，含有鹵素、硅和氧的鹵化氧化硅213堆積在凹部220的側(cè)壁上。另一方面，在氧化硅膜210的蝕刻中，含有碳和氟的聚合物212堆積在凹部220的側(cè)壁上。結(jié)果，如圖19B所示，在凹部220的側(cè)壁上堆積有疊層鹵化氧化硅213和聚合物212而成的疊層生成物214。因為該疊層生成物214也是器件的成品率降低的主要原因，所以必須除去。但是，疊層生成物214是穩(wěn)定的物質(zhì)，因此難以確實地除去。日本特開平4-83340(特別是第2頁右欄第2344行、第7頁左欄第1015行)中，記載了由乙醇的蒸氣洗凈基板的表面之后，使用HF蒸氣蝕刻基板時生成的顆粒的除去方法，但是沒有提及如上所述的無機/有機復(fù)合生成物。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明著眼于上述問題，提出了能夠有效解決這些問題的方法。本發(fā)明的目的在于，提供一種基板處理方法和基板處理裝置，其能夠可靠地除去由于等離子體處理而在基板上生成的無機物和有機物的復(fù)合生成物。另外，本發(fā)明也能夠拓展地應(yīng)用于如上所述的生成有復(fù)合生成物的處理容器或處理容器內(nèi)的部件的洗凈方法。本發(fā)明是一種基板處理方法，其為對表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行的基板處理方法，其特征在于，包括對上述基板的表面照射紫外線，除去上述有機物的一部分的紫外線處理工序；在上述紫外線處理工序之后進行，向上述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去上述無機物的至少一部分的氟化氫處理工序；和在上述紫外線處理工序之后進行，通過對上述基板進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。根據(jù)本發(fā)明，通過組合紫外線處理工序、氟化氫處理工序和加熱處理工序，能夠極為有效地除去形成在基板的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。例如，上述氟化氫處理工序在上述加熱處理工序之前至少實施一次，并且在上述加熱處理工序之后也至少實施一次。另外，優(yōu)選在上述加熱處理工序中，上述基板被加熱到IO(TC以上?；蛘?，本發(fā)明是一種基板處理方法，其為對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行的基板處理方法，其特征在于，包括對上述基板的表面照射紫外線，除去上述有機物的一部分的紫外線處理工序；和在上述紫外線處理工序之后進行，向上述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去上述無機物的一部分的氟化氫處理工序，由上述紫外線處理工序和上述氟化氫處理工序組成的工序組反復(fù)進行多次。根據(jù)本發(fā)明，通過反復(fù)進行多次由紫外線處理工序和氟化氫處理工序組成的工序組，能夠極為有效地除去形成在基板的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。在該情況下，優(yōu)選還包括通過對上述基板進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。在該情況下，優(yōu)選在上述加熱處理工序中，上述基板被加熱到IO(TC以上?；蛘?，本發(fā)明是一種基板處理方法，其特征在于，包括對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理的復(fù)合生成物形成工序；在上述復(fù)合生成物形成工序之后進行，對上述基板的表面照射紫外線，除去上述有機物的一部分的紫外線處理工序；和在上述紫外線處理工序之后進行，向上述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去上述無機物的一部分的氟化氫處理工序，其中，上述復(fù)合生成物形成工序、上述紫外線處理工序和上述氟化氫處理工序均在真空氣氛下進行。根據(jù)本發(fā)明，通過在真空氣氛下進行紫外線處理工序和氟化氫處理工序，能夠極為有效地除去形成在基板的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。在該情況下，優(yōu)選在同一真空氣氛下連續(xù)進行上述復(fù)合生成物形成工序、上述紫外線處理工序和上述氟化氫處理工序。例如，上述復(fù)合生成物形成工序是，利用使包括含有碳和氟的氣體以及氧氣的處理氣體等離子體化而得到的等離子體，相對形成在基板上的硅層上的氧化硅膜，以規(guī)定的圖案蝕刻至上述硅層的表面部，從而形成凹部的工序。或者，例如上述復(fù)合生成物形成工序是，相對在基板上從下方開始依次疊層有氧化硅膜和多晶硅膜的疊層體，通過以規(guī)定的圖案進行蝕刻而形成凹部的工序，其包括利用使含有鹵素的處理氣體等離子體化而得到的等離子體，對上述多晶硅膜進行蝕刻的工序；和利用使含有碳和氟的處理氣體等離子體化而得到的等離子體，對上述氧化硅膜進行蝕刻的工序?；蛘?，本發(fā)明是一種洗凈方法，其為在處理容器內(nèi)對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理之后，對上述處理容器內(nèi)和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件進行洗凈的方法，其特征在于，包括對上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面照射紫外線，除去形成在上述處理容器內(nèi)和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的有機物的一部分的紫外線處理工序；在上述紫外線處理工序之后進行，向上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面供給氟化氫的蒸氣，除去形成在上述處理容器內(nèi)和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的無機物的至少一部分的氟化氫處理工序；和在上述紫外線處理工序之后進行，通過對上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。根據(jù)本發(fā)明，通過組合紫外線處理工序、氟化氫處理工序和加熱處理工序，能夠極為有效地除去并洗凈形成在處理容器的內(nèi)表面和/或處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。例如，上述氟化氫處理工序在上述加熱處理工序之前至少實施一次，并且在上述加熱處理工序之后也至少實施一次。另外，優(yōu)選在上述加熱處理工序中，上述基板被加熱到IO(TC以上。或者，本發(fā)明是一種洗凈方法，其為在處理容器內(nèi)對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理之后，對上述處理容器內(nèi)和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件進行洗凈的方法，其特征在于，包括對上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面照射紫外線，除去形成在上述處理容器內(nèi)和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的有機物的一部分的紫外線處理工序；和在上述紫外線處理工序之后進行，向上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面供給氟化氫蒸氣，除去形成在上述處理容器內(nèi)和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的無機物的至少一部分的氟化氫處理工序，由上述紫外線處理工序和上述氟化氫處理工序組成的工序組反復(fù)進行多次。根據(jù)本發(fā)明，通過反復(fù)進行多次由紫外線處理工序和氟化氫處理工序組成的工序組，能夠極為有效地除去并洗凈形成在處理容器的內(nèi)表面和/或處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。該情況下，優(yōu)選還包括通過對上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。在該情況下，優(yōu)選在上述加熱處理工序中，上述處理容器的內(nèi)表面和/或上述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面被加熱到IOO'C以上。另外，本發(fā)明是一種基板處理裝置，其為對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行處理的基板處理裝置，其特征在于，包括對上述基板的表面照射紫外線，除去上述有機物的一部分的紫外線處理模塊；向上述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去上述無機物的至少一部分的氟化氫處理模塊；通過對上述基板進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理模塊；以及與紫外線處理模塊、氟化氫處理模塊和加熱處理模塊連接，能夠?qū)λ鼈冞M行控制控制部，其中，控制部對各模塊進行控制，使得在執(zhí)行紫外線處理模塊的處理后，氟化氫處理模塊的處理和加熱處理模塊的處理相互以任意的順序執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明，通過組合紫外線處理模塊、氟化氫處理模塊和加熱處理模塊，能夠極為有效地除去形成在基板的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。例如，控制部對各模塊進行控制，使得氟化氫處理模塊的處理在加熱處理模塊的處理前至少實施一次，并且在該加熱處理模塊的處理后也至少實施一次。另外，優(yōu)選上述加熱處理模塊將上述基板加熱到IO(TC以上。另外，優(yōu)選上述加熱處理模塊通過在上述紫外線處理模塊上設(shè)置加熱機構(gòu)，與上述紫外線處理模塊重疊地形成。另外，本發(fā)明是一種基板處理裝置，其為對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行處理的基板處理裝置，其特征在于，包括對上述基板的表面照射紫外線，除去上述有機物的一部分的紫外線處理模塊；向上述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去上述無機物的至少一部分的氟化氫處理模塊；以及與紫外線處理模塊和氟化氫處理模塊連接，能夠?qū)λ鼈冞M行控制的控制部，其中，控制部對各模塊進行控制，使得反復(fù)進行多次由紫外線處理模塊的處理和氟化氫處理模塊的處理組成的處理組。根據(jù)本發(fā)明，通過反復(fù)進行多次由紫外線處理模塊的處理和氟化氫處理模塊的處理組成的處理組，能夠極為有效地除去形成在基板的表面上的無機物和有機物的復(fù)合生成物。在該情況下，優(yōu)選還包括通過對上述基板進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理模塊，控制部也與加熱處理模塊連接，也能夠?qū)υ摷訜崽幚砟K進行控制。在該情況下，優(yōu)選上述加熱處理模塊將上述基板加熱到IO(TC以上。另外，優(yōu)選上述加熱處理模塊通過在上述紫外線處理模塊上設(shè)置加熱機構(gòu)，與上述紫外線處理模塊重疊地形成。另外，優(yōu)選還包括對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理的處理模塊。另外，優(yōu)選還包括具有基板所搬入的腔室和設(shè)置在該腔室內(nèi)的基板搬送機構(gòu)的基板搬送模塊。在該情況下，例如基板搬送模塊的腔室內(nèi)是真空氣氛。在該情況下，優(yōu)選基板搬送模塊、紫外線處理模塊和氟化氫處理模塊相互氣密地連接。另外，本發(fā)明是一種存儲介質(zhì)，其為使用于進行基板的處理的基板處理裝置、并存儲有在計算機上動作的計算機程序的存儲介質(zhì)，其特征在于上述計算機程序編組有用于實施具有上述任一個特征的基板處理方法的步驟。另外，本發(fā)明是一種存儲介質(zhì)，其為使用于進行基板的處理的基板處理裝置、并存儲有在計算機上動作的計算機程序的存儲介質(zhì)，其特征在于上述計算機程序編組有用于實施具有上述任一個特征的洗凈方法的步驟。圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的工序流程的說明圖。圖2A是第一實施方式中蝕刻前的基板的截面圖。圖2B是第一實施方式中蝕刻后的基板的截面圖。圖3A圖3E是第一實施方式中進行各工序時的基板的接觸孔的底面的截面的概略圖。圖4A圖4C是第一實施方式中進行各工序時的基板的截面的概略圖。圖5是表示本發(fā)明的第二實施方式的工序流程的說明圖。圖6是第二實施方式中進行各工序時的基板的接觸孔的底面的截面的概略圖。圖7是表示本發(fā)明的第三實施方式的工序流程的說明圖。圖8A圖8F是第三實施方式中進行各工序時的基板的接觸孔的底面的截面的概略圖。圖9是表示本發(fā)明的基板處理裝置的一個實施方式的水平截面圖。圖IO是表示在本發(fā)明的等離子體處理中使用的等離子體處理裝置的一個例子的縱截面圖。圖11是表示在本發(fā)明的UV照射工序中使用的UV照射裝置的一個例子的縱截面圖。圖12是表示在本發(fā)明的HF蒸氣洗凈工序中使用的HF洗凈裝置的一個例子的縱截面圖。圖13是表示本發(fā)明的基板處理裝置的另一實施方式的水平截面圖。圖14是表示本發(fā)明的基板處理裝置的又一實施方式的水平截面圖。圖15A圖15C是表示本發(fā)明的實施例中基板的截面的TEM照片的概略圖。圖16是由于蝕刻而生成的復(fù)合生成物的說明圖。圖17A圖17D是說明生成圖16的復(fù)合生成物的狀況的說明圖。圖18A和圖18B是表示圖16的復(fù)合生成物內(nèi)的組成例的概念圖。圖19A和圖19B是由于蝕刻而生成的疊層生成物的說明圖。具體實施例方式(第一實施方式)作為本發(fā)明的基板處理方法的實施方式，對通過蝕刻形成接觸孔之后的復(fù)合生成物的除去工藝即第一實施方式進行說明。圖1表示該第一實施方式中，復(fù)合生成物從生成直到除去的流程。步驟Sll中，對表面具有圖2A的結(jié)構(gòu)的晶片W進行蝕刻。圖2A和圖2B中，100是硅基板，101是例如作為絕緣膜的氧化硅膜，102是抗蝕掩模。另外，103是柵電極，104是柵極氧化膜，105是雜質(zhì)擴散層，106是元件分離膜。(步驟S11:氧化硅膜101的蝕刻工序)例如在后述的等離子體處理裝置51中，例如由CF4氣體和02氣體構(gòu)成的處理氣體被等離子體化，利用該等離子體對氧化硅膜101進行蝕刻。由此，如圖2B所示，形成作為凹部的接觸孔107。通過該蝕刻，在接觸孔107的底面(硅基板100的表面部)上，如上所述，生成復(fù)合生成物111。此時，從接觸孔107的底面露出的硅基板100的表層，如上所述，由于等離子體的能量而變質(zhì)為非晶硅層108。進而，該非晶硅層108的表層被氧氣的等離子體氧化，生成氧化硅層109。此處，為了能夠直觀地把握各處理工序與復(fù)合生成物111的狀態(tài)之間的對應(yīng)關(guān)系，在圖3A圖3E中示意性地表示接觸孔107的底面的狀況。在氧化硅層109的表面上生成有含有碳和氟的聚合物110。該聚合物IIO，實際上如上述圖18所示，為粒子狀或分子狀的聚合物，進入氧化硅層109內(nèi)，與氧化硅112復(fù)雜地混合。該聚合物110和氧化硅層109組成復(fù)合生成物111。另外，宏觀地來看，氧化硅層109上疊層有聚合物110，但為了進行示意圖的說明，設(shè)氧化硅層109由氧化硅112和聚合物llOa構(gòu)成，分開使用符號。(步驟S12:UV照射工序)接下來，相對晶片W照射規(guī)定時間的例如波長為172nm的UV，并且通過未圖示的鹵素?zé)舻燃訜釞C構(gòu)對晶片W進行加熱，使得晶片W達到例如200°C。通過該UV照射，例如碳與氟的鍵、碳之間的鍵被切斷，如圖4A所示，聚合物110例如氣化而被除去。而且，相對由于聚合物110被去除而從表面露出的氧化硅層109也照射UV，除去氧化硅層109的表面的聚合物110a。另外，通過晶片W的加熱，能夠促進該工序中的聚合物IIO和聚合物110a的去除。結(jié)果，氧化硅層109內(nèi)的氧化硅112被露出，如圖3B所示，氧化硅層109的表面上的氧化硅112的比例增加。另外，氧化硅層109的上層的聚合物110，如上述圖3A所示，與氧化硅層109內(nèi)的聚合物110a相比較，為較厚的膜。但是，如上所述，聚合物110通過在照射UV的同時加熱晶片W，被迅速地除去。(步驟S13:HF蒸氣洗凈工序)接下來，對晶片W供給例如600秒的HF(氟化氫)蒸氣。當(dāng)晶片W暴露在該HF蒸氣中時，如圖4B所示，晶片W的表面的氧化硅112溶解在HF蒸氣中，與HF蒸氣一起從晶片W被除去。結(jié)果，氧化硅層109內(nèi)的聚合物110a露出，如圖3C所示，氧化硅層109的表面上的聚合物110a的比例增加。另外，HF蒸氣也會蝕刻氧化硅膜101的表面(接觸孔107的上表面和側(cè)壁)，但其量極其微小，所以在此省略說明。(步驟S14:加熱工序)接下來，晶片W被加熱至例如300°C。通過該加熱，如圖4C所示，分散在氧化硅層109內(nèi)的聚合物110a、或者氧化硅層109內(nèi)的與氧化硅112結(jié)合的聚合物110a，其鍵合力較弱的部分的鍵被切斷而游離，從而氣化。該氣體例如通過聚合物llOa和氧化硅112之間的間隙等向晶片W的表面擴散，從晶片W被除去。結(jié)果，聚合物110a僅以鍵合力強的部分為主殘留在氧化硅層109內(nèi)，如圖3D所示，體積收縮。通過該聚合物110a的收縮，聚合物110a和氧化硅112之間的間隙擴大，上述氣體變得容易向晶片W的表面逸出。因此，聚合物110a的收縮迅速地進行，該收縮進一步被加速。(步驟S15:HF蒸氣洗凈工序)接下來，再次對晶片W供給例如600秒的HF蒸氣。因為通過步驟S14的加熱工序，聚合物110a和氧化硅112之間的間隙被擴大，所以HF蒸氣能夠從該間隙擴散到氧化硅層109的內(nèi)部。由此，氧化硅層109內(nèi)的氧化硅112基本上都被除去。此時，即使氧化硅層109內(nèi)殘留有少量的聚合物110a，由于聚合物110a周圍的氧化硅112基本上消失，所以物理上保持聚合物110a的力變?nèi)?。因此，聚合?10a從氧化硅層109脫落或游離。隨之，少量地附著在聚合物110a上的氧化硅112也脫落或游離。結(jié)果，如圖3E所示，氧化硅膜109被除去。之后，經(jīng)過晶片W的洗凈等工序，電極被埋入接觸孔107。根據(jù)上述第一實施方式，相對由聚合物110和氧化硅層109構(gòu)成的復(fù)合生成物lll，首先照射UV，接著通過進行利用HF蒸氣的洗凈，一定程度地除去聚合物IIO和氧化硅層109，之后加熱晶片W使殘存的聚合物110a氣化收縮。然后，在該狀態(tài)下再次進行利用HF蒸氣的洗凈，因此HF蒸氣能夠容易地浸透到氧化硅層109的內(nèi)部，從而如上所述除去氧化硅112和聚合物110a，結(jié)果能夠容易地除去氧化硅層109。于是，在其后電極被埋入接觸孔107時，能夠抑制接觸電阻的增大，實現(xiàn)成品率的提高。通過進行上述一系列的工序，復(fù)合生成物111被充分除去，但是從下述實施例可知，也可以在這些工序后進一步進行加熱工序，接著進一步進行HF洗凈。進而，也可以反復(fù)進行多次UV照射工序(步驟S12)和HF蒸氣洗凈工序(步驟S13)。此外，也可以在UV照射工序之后不進行步驟13的HF蒸氣洗凈工序就進行加熱工序。該情況下，因為聚合物110a會由于加熱而收縮，所以具有能夠有效地進行后續(xù)的HF蒸氣洗凈工序(步驟S15)的優(yōu)點。另外，在多次進行UV照射工序的情況下，因為在第一次的UV照射工序中作為較厚的膜的聚合物110已經(jīng)被除去，所以在第二次以后的UV照射工序中，也可以不進行晶片W的加熱。(第二實施方式)接下來，對本發(fā)明的基板處理方法的第二實施方式進行說明。本實施方式中，對表面具有圖2A的結(jié)構(gòu)的晶片W進行以下工序。本實施方式中的工序的流程圖表示在圖5中，各工序中的晶片W的接觸孔107的底面的截面的示意圖表示在圖6中。(步驟S51:氧化硅膜101的蝕刻工序)與上述步驟Sll同樣地進行蝕刻。由此，在接觸孔107的底面上生成復(fù)合生成物111。(步驟S52:UV照射工序)與上述步驟S12同樣地對晶片W照射UV，并且加熱晶片W。結(jié)果，如果圖6B所示，聚合物110和從氧化硅層109的表層露出的聚合物110a被除去，氧化硅層109的表面上的氧化硅112的比例增加。(步驟S53:HF蒸氣洗凈工序)與上述步驟S13同樣，通過對晶片W供給HF蒸氣，從氧化硅層109的表面露出的氧化硅112被除去。結(jié)果，如圖6C所示，氧化硅層109的表面上的聚合物110a的比例增加。(步驟S54:反復(fù)工序)上述步驟S52和步驟S53反復(fù)進行預(yù)先設(shè)定的反復(fù)次數(shù)。在本實施方式中，雖然不進行相當(dāng)于上述步驟S14的加熱工序，但是如圖6D和圖6E所示，也能夠依次除去氧化硅112和聚合物110a，能夠容易地除去復(fù)合生成物lll，能夠抑制接觸電阻的增大。另外，在本實施方式中，在第二次以后的UV照射工序中，也可以不進行晶片W的加熱。(第三實施方式)接下來，對本發(fā)明的基板處理方法的第三實施方式進行說明。圖7是表示本實施方式的工序流程的圖。圖8A表示在硅基板120上，從下方開始依次疊層有氧化硅膜121、多晶硅膜122、氧化硅膜123和多晶硅膜124的晶片W。對該晶片W進行以下工序。在本實施方式中，以下的各步驟全部在真空氣氛下進行。另外，在各步驟之間(晶片W的搬送中)，晶片W也被置于真空氣氛，不暴露在大氣中。(步驟S71:多晶硅膜124的蝕刻工序)與上述步驟Sll大致相同地，含有鹵素類氣體的氣體例如HBr(溴化氫)氣體被等離子體化，如圖8B所示，多晶硅膜124被蝕刻，形成凹部125。通過該蝕刻，在凹部125的側(cè)壁上生成溴向氧化硅內(nèi)擴散后的無機類的生成物，即鹵化氧化硅126。(步驟S72:氧化硅膜123的蝕刻工序)接下來，與上述步驟S71大致同樣地，含有碳和氟的氣體例如CF4氣體被等離子體化，如圖8C所示，氧化硅膜123被蝕刻。通過該蝕刻，在凹部125的側(cè)壁上，在上述鹵化氧化硅126的外側(cè)，生成含有碳和氟的有機類的生成物，即聚合物127。(步驟S73:多晶硅膜122的蝕刻工序)與上述步驟S71同樣，如圖8D所示，多晶硅膜122被蝕刻。通過該蝕刻，在凹部125的側(cè)壁上，再次生成鹵化氧化硅126。(步驟S74:氧化硅膜121的蝕刻工序)與上述步驟S72同樣，如圖8E所示，氧化硅膜121被蝕刻。通過該蝕刻，在凹部125的側(cè)壁上，再次生成聚合物127。這樣，在凹部125的側(cè)壁上，生成鹵化氧化硅126和聚合物127的疊層體，即疊層生成物128。(步驟S75:UV照射工序)接下來，對晶片W進行與第二實施方式的步驟S52的UV照射工序相同的處理，除去凹部125的表面的聚合物127。另外，在該工序中，也可以不進行晶片W的加熱。(步驟S76:HF蒸氣洗凈工序)接下來，與第二實施方式中的步驟S53同樣，通過向晶片W供給HF蒸氣，除去凹部125的表面的鹵化氧化硅126。(步驟S77:反復(fù)工序)然后，與第二實施方式中的步驟S54同樣，步驟S75和步驟S76反復(fù)進行預(yù)先設(shè)定的反復(fù)次數(shù)。結(jié)果，如圖8F所示，在凹部125的側(cè)壁上生成的疊層生成物128被除去。其中，在本實施方式中，步驟S75和步驟S76的反復(fù)次數(shù)設(shè)為2次。之后，經(jīng)過晶片W的洗凈等工序，電極或金屬配線被埋入凹部125。根據(jù)上述第三實施方式，在進行作為鹵化氧化硅126和聚合物127交替多層化的復(fù)合生成物的疊層生成物128的除去處理時，以不使晶片W暴露在大氣氣氛中的方式，晶片W的搬送和各處理在真空氣氛中進行。因此，在鹵化氧化硅126進一步氧化、形成穩(wěn)定的物質(zhì)之前，就能夠進行其除去處理。另外，利用鹵素的吸濕，能夠防止埋入凹部125中的金屬膜的氧化等。進而，通過反復(fù)進行UV照射工序和HF蒸氣的洗凈工序，能夠簡便、可靠地除去疊層生成物128。在該情況下，UV照射工序和HF蒸氣的洗凈工序的反復(fù)次數(shù)，根據(jù)作為被蝕刻部分的氧化硅膜121(123)和多晶硅膜122(124)的疊層數(shù)決定即可。在上述疊層數(shù)為1層的情況下，也可以不重復(fù)各工序。根據(jù)上述各實施方式，能夠分別獲得上述的效果。作為共通的優(yōu)點能夠列舉出為了除去復(fù)合生成物111和疊層生成物128，通過不是使用有機溶劑、酸溶液等液體，而是使用UV和HF蒸氣，即使在接觸孔107(125)的開口徑較小的情況下，UV和HF蒸氣也能夠進入接觸孔107(125)內(nèi)，因此能夠迅速除去復(fù)合生成物111和疊層生成物128。另外，因為沒有使用氧氣的等離子體，所以能夠抑制硅基板100(120)的氧化，進而，即使在包括最近作為低介電常數(shù)膜被關(guān)注的含有硅、碳、氟和氫的SiOCH膜的情況下，也不會產(chǎn)生該SiOCH膜被氧灰化的缺陷。另外，作為疊層生成物128的除去工序，當(dāng)然也能夠使用第一實施方式的方法。(裝置結(jié)構(gòu))接下來，對于用于實施上述本發(fā)明的基板處理方法的基板處理裝置的一個例子，參照圖9進行簡單說明。圖9所示的基板處理裝置11，是用于進行上述基板處理的多腔室系統(tǒng)，包括載體(carrier)室12a12c、作為裝載模塊的第一搬送室13、負載鎖定室14、15、和作為基板搬送模塊的第二搬送室16。在第二搬送室16上氣密地連接有作為處理模塊的等離子體處理裝置5154、作為UV處理模塊和加熱模塊的UV照射裝置55、和作為氟化氫模塊的HF洗凈裝置56。另外，在第一搬送室13的側(cè)面設(shè)置有對準室19。負載鎖定室14、15上設(shè)置有未圖示的真空泵和泄漏閥，構(gòu)成為能夠切換大氣氣氛和真空氣氛。即，第一搬送室13和第二搬送室16的氣氛，能夠分別保持在大氣氣氛和真空氣氛。因此，負載鎖定室14、15在各個搬送室之間搬送晶片W時，能夠調(diào)整晶片W被暴露于的氣氛。在第一搬送室13和第二搬送室16上分別設(shè)置有第一搬送機構(gòu)17和第二搬送機構(gòu)18。第一搬送機構(gòu)17是用于在載體室12a12c與負載鎖定室14、15之間、以及第一搬送室13與對準室19之間進行晶片W的交接的搬送臂。第二搬送機構(gòu)18是用于在負載鎖定室14、15與等離子體處理裝置5154、UV照射裝置55和HF洗凈裝置56之間進行晶片W的交接的搬送臂。作為等離子體處理裝置51(5254)，例如能夠使用公知的平行平板型等離子體處理裝置。其結(jié)構(gòu)例表示在圖10中。該等離子體處理裝置51包括能夠?qū)?nèi)部保持在真空的處理容器21。在處理容器21內(nèi)，設(shè)置在該處理容器21內(nèi)的底面中央的作為下部電極的載置臺3與設(shè)置在該處理容器21的上面部的作為氣體噴淋頭的上部電極4相互相對。另外，處理氣體從處理氣體導(dǎo)入管41通過上部電極4導(dǎo)入處理容器21內(nèi)，通過從高頻電源31向載置臺3和上部電極4之間施加高頻電壓，使處理氣體等離子體化。進而，構(gòu)成為通過從偏壓電源32施加高頻電壓，將等離子體中的離子引向晶片W，對靜電吸附在載置臺3上的晶片W進行蝕刻。另外，在圖10中，24是排氣管，23是真空泵，25是晶片的搬送口，G是閘。這樣的等離子體處理裝置51中，當(dāng)晶片W從搬送口25通過第二搬送機構(gòu)18被搬入并載置在載置臺3上時，通過真空泵23，經(jīng)由排氣管24對處理容器21內(nèi)進行真空排氣。之后，利用處理氣體的等離子體進行上述等離子體處理(蝕刻)。另外，處理氣體中也可以混合Ar(氬)氣等作為稀釋氣體。接下來，參照圖11對UV照射裝置55進行說明。UV照射裝置55在能夠保持真空的處理容器62內(nèi)包括由透明材料例如石英構(gòu)成的能夠吸附晶片W的載置臺61;設(shè)置在載置臺61的下方的作為晶片W的加熱機構(gòu)的鹵素?zé)?3;和設(shè)置在載置臺61的上方的UV燈單元64。該UV照射裝置55因為包括加熱機構(gòu)，所以兼用作對晶片W進行加熱處理(例如圖1的步驟S14等)的加熱裝置。載置臺61被支撐臺61a支撐在處理容器62的底面上，構(gòu)成為能夠例如通過與支撐臺61a連接的電機60旋轉(zhuǎn)。鹵素?zé)?3由同心圓狀地例如設(shè)置有5圈的環(huán)狀的燈構(gòu)成，與未圖示的電源連接，固定在上方開口的大致圓筒形狀的反射器63a內(nèi)。另外，在處理容器62內(nèi)設(shè)置有用于測定載置臺61上的晶片W的溫度的未圖示的測定器。構(gòu)成為能夠基于該測定器的測定結(jié)果對鹵素?zé)?3的輸出進行控制。UV燈單元64與未圖示的電源相連接，其內(nèi)部容納有例如多個未圖示的UV照射管。在處理容器62的側(cè)面上設(shè)置有氣體供給口66，通過該氣體供給口66從氣體供給源67向處理容器62內(nèi)供給例如氮氣。在處理容器62的底面上形成有排氣口68，構(gòu)成為能夠通過真空泵69對處理容器62內(nèi)的氣氛進行排氣。另外，在處理容器62的側(cè)面上形成有晶片W的搬送口65，能夠通過閘G開閉。另外，在UV燈單元64內(nèi)也可以設(shè)置例如直徑不同的多個環(huán)狀的放射管。這樣的UV照射裝置55中，當(dāng)晶片W從搬送口65被搬入并載置在載置臺61上時，載置臺61通過電機60旋轉(zhuǎn)，在利用真空泵69對處理容器62內(nèi)進行真空排氣，并且從氣體供給源67供給例如氮氣的狀態(tài)下，進行上述UV照射工序或加熱工序。g卩，在UV照射工序中，從UV燈單元64對晶片W照射UV，在加熱工序中，通過卣素?zé)?3加熱晶片W。接下來，參照圖12對HF洗凈裝置56進行說明。HF洗凈裝置56包括處理容器72、和通過支撐臺71a固定在處理容器72的底面上的載置臺71。在處理容器72的上面以與載置臺71相對的方式形成有HF蒸氣的供給口76。該供給口76通過閥80a與用于供給HF蒸氣的HF供給源77連接。HF供給源77包括貯存例如HF溶液的貯存槽73。在該貯存槽73內(nèi)設(shè)置有用于使HF溶液蒸發(fā)的加熱器74。并且，在貯存槽73上連接有用于供給載氣的氣體供給口80，以向貯存槽73內(nèi)供給例如氮氣等載氣，能夠?qū)⑼ㄟ^上述加熱器74被蒸發(fā)的HF蒸氣供給到處理容器72內(nèi)的方式構(gòu)成。在處理容器72的底面上形成有排氣口78，構(gòu)成為能夠通過真空泵79對處理容器72內(nèi)的氣氛進行排氣。另外，在處理容器72的側(cè)面上形成有晶片W的搬送口75，能夠通過閘G開閉。在該HF洗凈裝置56中，當(dāng)晶片W從搬送口75被搬入并載置在載置臺71上時，通過真空泵79對處理容器72內(nèi)進行真空排氣。接著，貯存槽73內(nèi)的HF溶液通過加熱器74的加熱成為HF蒸氣，隨著作為載氣的氮氣的供給，從HF供給源77供給到處理容器72內(nèi)，并持續(xù)規(guī)定的時間。由此，進行上述HF蒸氣洗凈工序。如圖9所示，在以上的基板處理裝置11中設(shè)置有例如由計算機構(gòu)成的控制部2A。該控制部2A包括由程序、存儲器、CPU組成的數(shù)據(jù)處理部等，在上述程序中以從控制部2A向基板處理裝置11的各部發(fā)送控制信號，進行上述各步驟的方式編組有命令(各步驟)。另外，例如在存儲器中設(shè)有寫入處理壓力、處理溫度、處理時間、氣體流量或電力值等處理參數(shù)的值的區(qū)域，CPU在執(zhí)行程序的各命令時，讀出這些處理參數(shù)，將與該參數(shù)值對應(yīng)的控制信號發(fā)送至基板處理裝置11的各部位。例如，該程序(也包括與處理參數(shù)的輸入操作、顯示相關(guān)的程序)被存儲在作為計算機存儲介質(zhì)的例如軟盤、光盤、硬盤、MO(光磁盤)等存儲部2B中，并安裝在控制部2A上。(晶片W的流程)接下來，對該基板處理裝置ll中進行上述各處理(步驟)時的晶片W的流程(移動)進行說明。首先，作為晶片W的搬送容器的載體通過閘門GT從大氣側(cè)被搬入載體室12a12c中的任一個。接著，晶片W通過第一搬送機構(gòu)17從載體被搬入(裝載)到第一搬送室13內(nèi)。接著，晶片W被搬送到對準室19中，在進行晶片W的方向、偏心的調(diào)整之后，被搬送到負載鎖定室14(或15)中。在負載鎖定室14內(nèi)的壓力已被調(diào)整之后，晶片W通過第二搬送機構(gòu)18從負載鎖定室14經(jīng)由第二搬送室16搬送到等離子體處理裝置51中。在等離子體處理裝置51中進行上述等離子體處理。之后，晶片W通過第二搬送機構(gòu)18從等離子體處理裝置51中被取出，與上述各實施方式中的各步驟相對應(yīng)地搬送到UV照射裝置55、HF洗凈裝置56中，進行上述各工序。之后，晶片W通過與搬入的通路相反的通路，返回載體(卸載)。在等離子體處理之后，在真空氣氛中搬送晶片W，對處理容器62內(nèi)和處理容器72內(nèi)也進行真空排氣，并進行上述UV照射工序和HF蒸氣洗凈工序。但是，在上述第一實施方式和第二實施方式中，在等離子體處理后，晶片W也可以暴露在大氣氣氛中。關(guān)于這樣的裝置的結(jié)構(gòu)例，參照圖13進行說明。圖13表示作為能夠用于上述第一實施方式和第二實施方式的裝置的一個例子的基板處理裝置300。該基板處理裝置300中，上述HF洗凈裝置56與第一搬送室13連接，第二搬送室16例如與另一個等離子體處理裝置57連接。除此以外，與圖9所示的基板處理裝置11是相同的結(jié)構(gòu)。另外，在基板處理裝置300中，對與基板處理裝置ll相同的構(gòu)成部位附加相同的附圖編號進行表示。HF洗凈裝置56通過閘G與第一搬送室13連接。并且，在該HF洗凈裝置56上，設(shè)置有未圖示的泄漏閥。構(gòu)成為能夠通過該泄漏閥和上述真空泵79使處理容器72內(nèi)在大氣氣氛和真空氣氛之間切換。對該基板處理裝置300的作用進行簡單說明。除HF蒸氣洗凈工序以外，都與上述第一實施方式和第二實施方式中的各步驟相同，在HF蒸氣洗凈工序中，如下所示對晶片W進行處理。(HF蒸氣洗凈工序)晶片W經(jīng)由與上述搬送到基板處理裝置11內(nèi)時的通路相反的通路，從基板處理裝置300內(nèi)的第二搬送室16返回到為大氣氣氛的第一搬送室13。接著，晶片W通過第一搬送機構(gòu)17被載置在HF洗凈裝置56內(nèi)的載置臺71上。然后，調(diào)整真空泵79的輸出和氮氣的流量，使得處理容器72內(nèi)的壓力成為大氣氣氛，同時進行與上述HF蒸氣洗凈工序相同的處理。在供給規(guī)定的時間的HF蒸氣之后，關(guān)閉閥80a，停止HF蒸氣的供給，通過真空泵79對處理容器72內(nèi)的氣體進行排氣。然后，通過未圖示的泄漏閥使處理容器72內(nèi)恢復(fù)大氣氣氛之后，通過第一搬送單元17取出晶片W，繼續(xù)進行下一個工序。在上述基板處理裝置300中，HF蒸氣洗凈工序在大氣氣氛中進行，但也可以使UV照射裝置55與第一搬送室13連接，使UV照射工序在大氣氣氛中進行。進而，還可以使這兩個工序都在大氣氣氛下進行。在上述基板處理裝置11和基板處理裝置300中，在UV照射裝置55內(nèi)設(shè)置有作為加熱機構(gòu)的鹵素?zé)?3，在進行UV照射工序的UV照射裝置55內(nèi)進行加熱工序。因此，不需要另外設(shè)置進行各處理的裝置，能夠?qū)⒒逄幚硌b置11、300的設(shè)置面積抑制得較小。但是，也可以分別設(shè)置各個的裝置。另外，在上述結(jié)構(gòu)中各設(shè)置了1臺UV照射裝置55和HF洗凈裝置56，但是也可以各設(shè)置有2臺。進而，也可以采用雖然分別設(shè)置有UV照射裝置55和HF洗凈裝置56，但是在相同裝置內(nèi)進行兩個處理的結(jié)構(gòu)。此時，裝置內(nèi)的各部件優(yōu)選由不會由于UV和HF蒸氣引起劣化和腐蝕的材料構(gòu)成。另外，在等離子體處理裝置51的處理容器21內(nèi)的部件等上，與晶片W的表面同樣地，會由于蝕刻而附著氧化硅112(或者鹵化氧化硅126)和聚合物110(或聚合物127)。在該情況下，可以卸下這些部件，將其搬入上述UV照射裝置55和HF洗凈裝置56，并進行與上述各實施方式中的各步驟相同的工序，進行洗凈。在該情況下，在進行HF蒸氣洗凈時，優(yōu)選適當(dāng)變更處理時間、處理次數(shù)，使得僅除去各部件上附著的附著物，而不腐蝕各部件。本發(fā)明的基板處理裝置并不限定于組裝在上述多腔室系統(tǒng)中的方式。例如，也可以與等離子體處理裝置51分離，構(gòu)成為在真空氣氛下進行處理的獨立(stand-alone)型裝置。在圖14中表示作為其一個例子的基板處理裝置400。此處，91是載體臺，92是構(gòu)成裝置本體的箱體，該箱體92內(nèi)設(shè)置有兼用作加熱模塊的UV處理模塊93和HF處理模塊94，而且設(shè)置有搬送臂95。在本例中，被搬入載體臺91的FOUP(密閉型載體)96內(nèi)的晶片W，通過搬送臂95被取出，基于控制部97的控制信號，相對各模塊93、94依次被搬送并進行各處理，以執(zhí)行上述步驟。處理之后，晶片W返回FOUP96。另外，該基板處理裝置400內(nèi)的氣氛可以與上述第一實施方式和第二實施方式相對應(yīng)，為大氣(實驗例1)以下說明對本發(fā)明進行的實驗。在實驗中，使用實驗用的基板處理裝置，并且使用在硅基板100上形成有氧化硅膜101的實驗用的晶片W。對該晶片W進行與上述第一實施方式的步驟Sll相對應(yīng)的氧化硅膜101的蝕刻工序，形成接觸孔107。接著，對該晶片W進行下表所示的處理。此處，在最初的UV照射工序中，照射360秒的UV，并且將晶片W加熱至20(TC。另一方面，在其后的UV照射工序中，照射300秒的UV。另外，在HF蒸氣洗凈工序中，供給1小時的HF蒸氣，在加熱工序中，在空氣中進行1小時的30(TC的熱處理。進行各處理后，使用接觸角計測定氧化硅層109的表面的水的接觸角。因為氧化硅112呈親水性，而含有碳和氟的聚合物110a呈疏水性，所以認為通過測定水的接觸角，能夠評價氧化硅層109的表面上的兩者的比例。另外，因為氧化硅層109的下層的非晶硅層108呈疏水性，所以認為在氧化硅層109巳被除去時，水的接觸角顯示最大值。即，在混合有疏水性物質(zhì)(聚合物110a)和親水性物質(zhì)(氧化硅112)的氧化硅層109上，認為水的接觸角顯示兩者各自顯示的值的中間值，但是如果氧化硅層109被除去，則是呈疏水性的物質(zhì)(非晶硅層108)的單層，因此水的接觸角最大。表1中表示了該實驗中進行的各處理和此時的水的接觸角的計測結(jié)果。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>如表1所示，通過UV照射工序和HF蒸氣洗凈工序，氧化硅層109的表面的水的接觸角發(fā)生很大變化。認為這是表示了，如上所述，如果通過UV照射而除去晶片W的表面的聚合物llOa，則氧化硅112的比例增大，呈親水性(水的接觸角變小)，另一方面，如果通過HF蒸氣洗凈而除去氧化硅112，則聚合物110a的比例增大，呈疏水性(水的接觸角變大)。另外，每次進行HF蒸氣洗凈工序，水的接觸角都會變大，從而可知氧化硅層109被逐漸除去。而且，在實施例1-1中，第4次進行的HF蒸氣洗凈工序中，水的接觸角變大到70度。認為這是氧化硅層109基本被除去的狀態(tài)。在實施例l-2、實施例l-3和比較例中，如表1所示，水的接觸角表現(xiàn)小于實施例1-1的結(jié)果的值。認為這是因為通過之后進一步多次反復(fù)進行UV照射工序和HF蒸氣洗凈工序，能夠進一步除去氧化硅層109(水的接觸角變大到70度左右)。另外，將實施例l-l中已進行處理的晶片W放置在大氣中，則在2天后和13天后，水的接觸角減小至50度和46度。這認為是由于大氣中的水分的影響。(實驗例2)相對與實驗例1為相同結(jié)構(gòu)的晶片W，進行氧化硅膜101的蝕刻。此時的接觸孔107的底面的TEM照片(X100萬倍)的概要圖簡單地表示在圖15A中。可以確認氧化硅層109的上層的聚合物110作為聚合物110a進入氧化硅層109中，生成由聚合物IIO和氧化硅層109構(gòu)成的復(fù)合生成物111。接下來，對該晶片W進行表2所示的各處理。<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>在圖15B和圖15C中簡單表示進行以上處理之后的實施例2和比較例2的晶片W的接觸孔107的底面的TEM照片的概略圖。通過實施例2中的一系列處理，復(fù)合生成物lll基本被除去，在晶片W上僅能夠確認到極少量的氧化硅層109。因此，關(guān)于進行與實施例2大致相同程度的處理的實施例l-l，認為氧化硅層109基本被除去。另一方面，在比較例2中，確認氧化硅層109的厚度殘留有初始的一半左右。權(quán)利要求1.一種基板處理方法，其為對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行的基板處理方法，其特征在于，包括對所述基板的表面照射紫外線，除去所述有機物的一部分的紫外線處理工序；在所述紫外線處理工序之后進行，向所述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去所述無機物的至少一部分的氟化氫處理工序；和在所述紫外線處理工序之后進行，通過對所述基板進行加熱，使尚未被除去的所述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述氟化氫處理工序在所述加熱處理工序之前至少實施一次，并且在所述加熱處理工序之后也至少實施一次。3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于在所述加熱處理工序中，所述基板被加熱到].O(TC以上。4.一種對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行的基板處理方法，其特征在于，包括對所述基板的表面照射紫外線，除去所述有機物的一部分的紫外線處理工序；和在所述紫外線處理工序之后進行，向所述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去所述無機物的一部分的氟化氫處理工序，由所述紫外線處理工序和所述氟化氫處理工序組成的工序組反復(fù)進行多次。5.如權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于還包括通過對所述基板進行加熱，使尚未被除去的所述有機物的6.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于在所述加熱處理工序中，所述基板被加熱到IO(TC以上。7.—種基板處理方法，其特征在于，包括對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理的復(fù)合生成物形成工序；在所述復(fù)合生成物形成工序之后進行，對所述基板的表面照射紫外線，除去所述有機物的一部分的紫外線處理工序；和在所述紫外線處理工序之后進行，向所述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去所述無機物的一部分的氟化氫處理工序，其中所述復(fù)合生成物形成工序、所述紫外線處理工序和所述氟化氫處理工序均在真空氣氛下進行。8.如權(quán)利要求7所述的基板處理方法，其特征在于在同一真空氣氛下連續(xù)進行所述復(fù)合生成物形成工序、所述紫外線處理工序和所述氟化氫處理工序。9.如權(quán)利要求7或8所述的基板處理方法，其特征在于所述復(fù)合生成物形成工序是，利用使包括含有碳和氟的氣體以及氧氣的處理氣體等離子體化而得到的等離子體，相對形成在基板上的硅層上的氧化硅膜，以規(guī)定的圖案蝕刻至所述硅層的表面部，從而形成凹部的工序。10.如權(quán)利要求7或8所述的基板處理方法，其特征在于所述復(fù)合生成物形成工序是，相對在基板上從下方開始依次疊層有氧化硅膜和多晶硅膜的疊層體，通過以規(guī)定的圖案進行蝕刻而形成凹部的工序，其包括利用使含有鹵素的處理氣體等離子體化而得到的等離子體，對所述多晶硅膜進行蝕刻的工序；和利用使含有碳和氟的處理氣體等離子體化而得到的等離子體，對11.一種洗凈方法，其為在處理容器內(nèi)對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理之后，對所述處理容器內(nèi)和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件進行洗凈的方法，其特征在于，包括對所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面照射紫外線，除去形成在所述處理容器內(nèi)和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的有機物的一部分的紫外線處理工序；在所述紫外線處理工序之后進行，向所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面供給氟化氫的蒸氣，除去形成在所述處理容器內(nèi)和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的無機物的至少一部分的氟化氫處理工序；和在所述紫外線處理工序之后進行，通過對所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面進行加熱，使尚未被除去的所述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。12.如權(quán)利要求11所述的洗凈方法，其特征在于所述氟化氫處理工序在所述加熱處理工序之前至少實施一次，并且在所述加熱處理工序之后也至少實施一次。13.如權(quán)利要求11或12所述的洗凈方法，其特征在于在所述加熱處理工序中，所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面被加熱到IO(TC以上。14.一種洗凈方法，其為在處理容器內(nèi)對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理之后，對所述處理容器內(nèi)和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件進行洗凈的方法，其特征在于，包括對所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面照射紫外線，除去形成在所述處理容器內(nèi)和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的有機物的一部分的紫外線處理工序；和在所述紫外線處理工序之后進行，向所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面供給氟化氫的蒸氣，除去形成在所述處理容器內(nèi)和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件上的無機物的至少一部分的氟化氫處理工序，由所述紫外線處理工序和所述氟化氫處理工序組成的工序組反復(fù)進行多次。15.如權(quán)利要求14所述的洗凈方法，其特征在于還包括通過對所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面進行加熱，使尚未被除去的所述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。16.如權(quán)利要求15所述的洗凈方法，其特征在于在所述加熱處理工序中，所述處理容器的內(nèi)表面和/或所述處理容器內(nèi)的構(gòu)成部件的表面被加熱到IO(TC以上。17.—種基板處理裝置，其為對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行處理的基板處理裝置，其特征在于，包括對所述基板的表面照射紫外線，除去所述有機物的一部分的紫外線處理模塊；向所述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去所述無機物的至少一部分的氟化氫處理模塊；通過對所述基板進行加熱，使尚未被除去的所述有機物的一部分收縮的加熱處理模塊；以及與紫外線處理模塊、氟化氫處理模塊和加熱處理模塊連接，能夠?qū)λ鼈冞M行控制控制部，其中，控制部對各模塊進行控制，使得在執(zhí)行紫外線處理模塊的處理后，氟化氫處理模塊的處理和加熱處理模塊的處理相互以任意的順序執(zhí)行。18.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于控制部對各模塊進行控制，使得氟化氫處理模塊的處理在加熱處理模塊的處理前至少實施一次，并且在該加熱處理模塊的處理后也至少實施一次。19.如權(quán)利要求17或18所述的基板處理裝置，其特征在于所述加熱處理模塊將所述基板加熱到100°C以上。20.如權(quán)利要求1719中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述加熱處理模塊通過在所述紫外線處理模塊上設(shè)置加熱機構(gòu)，與所述紫外線處理模塊重疊地形成。21.—種基板處理裝置，其為對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行處理的基板處理裝置，其特征在于，包括對所述基板的表面照射紫外線，除去所述有機物的一部分的紫外線處理模塊；向所述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去所述無機物的至少一部分的氟化氫處理模塊；以及與紫外線處理模塊和氟化氫處理模塊連接，能夠?qū)λ鼈冞M行控制的控制部，其中，控制部對各模塊進行控制，使得反復(fù)進行多次由紫外線處理模塊的處理和氟化氫處理模塊的處理組成的處理組。22.如權(quán)利要求21所述的基板處理裝置，其特征在于還包括通過對所述基板進行加熱，使尚未被除去的所述有機物的一部分收縮的加熱處理模塊，控制部也與加熱處理模塊連接，也能夠?qū)υ摷訜崽幚砟K進行控制。23.如權(quán)利要求22所述的基板處理裝置，其特征在于所述加熱處理模塊將所述基板加熱到IO(TC以上。24.如權(quán)利要求22或23所述的基板處理裝置，其特征在于所述加熱處理模塊通過在所述紫外線處理模塊上設(shè)置加熱機構(gòu)，與所述紫外線處理模塊重疊地形成。25.如權(quán)利要求1724中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于還包括對基板進行在基板的表面上形成含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的處理的處理模塊。26.如權(quán)利要求1725中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于還包括具有基板所搬入的腔室和設(shè)置在該腔室內(nèi)的基板搬送機構(gòu)的基板搬送模塊。27.如權(quán)利要求26所述的基板處理裝置，其特征在于基板搬送模塊的腔室內(nèi)是真空氣氛。28.如權(quán)利要求26或27所述的基板處理裝置，其特征在于基板搬送模塊、紫外線處理模塊和氟化氫處理模塊相互氣密地連接。29.—種存儲介質(zhì)，其為使用于進行基板的處理的基板處理裝置、并存儲有在計算機上動作的計算機程序的存儲介質(zhì)，其特征在于所述計算機程序編組有用于實施權(quán)利要求110中任一項所述的基板處理方法的步驟。30.—種存儲介質(zhì)，其為使用于進行基板的處理的基板處理裝置、并存儲有在計算機上動作的計算機程序的存儲介質(zhì)，其特征在于所述計算機程序編組有用于實施權(quán)利要求1116中任一項所述的洗凈方法的步驟。全文摘要本發(fā)明提供基板處理方法和基板處理裝置。該基板處理方法是對在表面上形成有含有氧化硅的無機物與含有碳和氟的有機物的復(fù)合生成物的基板進行的基板處理方法，其特征在于，包括對上述基板的表面照射紫外線，除去上述有機物的一部分的紫外線處理工序；在上述紫外線處理工序之后進行，向上述基板的表面供給氟化氫的蒸氣，除去上述無機物的至少一部分的氟化氫處理工序；和在上述紫外線處理工序之后進行，通過對上述基板進行加熱，使尚未被除去的上述有機物的一部分收縮的加熱處理工序。文檔編號H01L21/304GK101421828SQ20078001293公開日2009年4月29日申請日期2007年10月1日優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日發(fā)明者川村茂,林輝幸申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社