專利名稱：無(wú)定形碳膜的成膜方法和使用其的半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體裝置時(shí)適合作為掩模等的無(wú)定 形碳膜的成膜方法和使用其的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，為了形成電路圖案，將使用
光刻技術(shù)形成圖案的抗蝕劑用作掩模，進(jìn)行等離子刻蝕。在CD 為45nm的年代，應(yīng)對(duì)細(xì)孩t化而將ArF抗蝕劑用于掩才莫，不過(guò) 問(wèn)題是等離子耐性差。作為克服該問(wèn)題的技術(shù)，采用了干式顯 影方法，該方法使用在ArF抗蝕劑下面將Si02膜和具有等離子 耐性的抗蝕劑疊層的掩模(多層抗蝕劑)。
在此，在45nm以后的微細(xì)化年代，ArF抗蝕劑的膜厚變 薄到200nm,該厚度成為干式顯影的基準(zhǔn)。如果考察可以以該 抗蝕劑膜厚進(jìn)行等離子蝕刻的Si02膜厚、以及可以以該膜厚的 Si02等離子蝕刻的下層抗蝕劑的膜厚，則后者的膜厚界限為 300nm。在該膜厚的下層抗蝕劑中，對(duì)于被蝕刻膜的膜厚，不 能確保充分的等離子耐性，不能完成高精度的蝕刻。為此，代 替這樣的下層抗蝕劑膜，需要耐蝕刻性更高的膜。
不過(guò)在日本特開(kāi)2002 - 12972號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了下述技術(shù) 代替被用于多層抗蝕劑的Si02膜、或者作為防反射層，適合使 用用烴氣體和惰性氣體通過(guò)CVD堆積的無(wú)定形碳膜的技術(shù)。 因此，研究了將這樣的無(wú)定形碳膜適用于上述用途中。
在日本特開(kāi)2002-12972號(hào)公報(bào)中，記載了作為無(wú)定形碳膜 的成膜溫度為100~ 500°C。不過(guò)，以那樣的溫度成膜的無(wú)定形 碳膜適用于上述用途時(shí)，明確知道了蝕刻耐性不充分。而且根
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據(jù)曰本特開(kāi)2002-12972號(hào)公報(bào)的技術(shù)可知，要想獲得在上述用 途上具有充分耐蝕刻性的無(wú)定形碳膜，則需要接近600。C的高 溫。不過(guò)，這樣的高溫不適用于具有銅配線的末端處理器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是著眼于以上的問(wèn)題點(diǎn)，盡力有效解決該問(wèn)題的發(fā) 明。本發(fā)明的目的在于提供一種耐等離子性高、且可低溫成膜 的無(wú)定形碳膜的成膜方法，以及適合使用那樣的無(wú)定形碳膜的 成膜方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
本發(fā)明提供一種無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包 括在處理容器內(nèi)配置基板的工序；向所述處理容器內(nèi)供給含 有碳、氫和氧的處理氣體的工序；通過(guò)加熱所述處理容器內(nèi)的 基板來(lái)分解所述處理氣體，并在該基板上堆積無(wú)定形碳膜的工 序。
根據(jù)本發(fā)明，使用除了碳和氫以外也含有氧的處理氣體， 所以成膜時(shí)反應(yīng)性高，即使是比較低的溫度，也可以形成牢固 的碳網(wǎng)，可以使耐蝕刻性高的無(wú)定形碳膜成膜。另外，通過(guò)將 根據(jù)此方法成膜的無(wú)定形碳膜用于蝕刻掩模而對(duì)蝕刻對(duì)象膜進(jìn) 行蝕刻，可以相對(duì)于基底，以高選擇比獲得良好的蝕刻形狀。 特別是代替目前的多層抗蝕劑的下層抗蝕劑膜，使用以本發(fā)明 的方法形成的無(wú)定形碳膜，可以更好地對(duì)蝕刻對(duì)象膜進(jìn)行蝕刻， 可以為半導(dǎo)體裝置的制造提供更大的優(yōu)點(diǎn)。
處理氣體中的C與O的原子數(shù)比C:O優(yōu)選為3:1 ~ 5:1。另 外，處理氣體中的C與H的原子數(shù)比C:H優(yōu)選為1:1 ~ 1:2。
另外，包含碳、氫和氧的前述處理氣體優(yōu)選包含烴氣體和 含氧氣體的混合氣體。此時(shí)，例如，前述烴氣體為C2H2、 C4H6 以及C6H6中的至少一種。
或者，含有碳、氫和氧的前述處理氣體優(yōu)選分子內(nèi)含有碳、 氫和氧的氣體。此時(shí)，例如分子內(nèi)具有碳、氫和氧的前述氣體
為C4H40以及C4H80中的至少 一種。
另外，在基板上堆積無(wú)定形碳膜的工序中，基板的溫度優(yōu) 選400。C以下。
另外，在基板上堆積無(wú)定形碳膜的工序中，優(yōu)選前述處理 氣體被等離子化。
另外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在 于，包括在基板上形成蝕刻對(duì)象膜的工序；在前述蝕刻對(duì)象 膜上，按照具備前述任 一 特征的方法使無(wú)定形碳膜成膜的工序； 在前述無(wú)定形碳膜上形成蝕刻圖案的工序；將前述無(wú)定形碳膜 用作蝕刻掩模，對(duì)前述蝕刻對(duì)象膜進(jìn)行蝕刻而形成規(guī)定的結(jié)構(gòu) 的工序。
另外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在 于，包括在基板上形成蝕刻對(duì)象膜的工序；在前述蝕刻對(duì)象 膜上，按照具備前述任一特征的方法使無(wú)定形碳膜成膜的工序； 在前述無(wú)定形碳膜上形成Si系薄膜的工序；在前述Si系薄膜 上形成光致抗蝕劑膜的工序；使前述光致抗蝕劑膜形成圖案的 工序；將前述光致抗蝕劑膜用作蝕刻掩模，蝕刻前述Si系薄膜 的工序；將前述Si系薄膜用作掩模，蝕刻前述無(wú)定形碳膜而轉(zhuǎn) 印前述光致抗蝕劑膜的圖案的工序；將前述無(wú)定形碳膜用作掩 模，蝕刻前述蝕刻對(duì)象膜的工序。
另外，本發(fā)明提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于， 在所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有使計(jì)算機(jī)執(zhí)行控制程序的 軟件，前述控制程序在執(zhí)行時(shí)，控制成膜裝置進(jìn)行具有前述任 一特;f正的方法。


圖1是表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的無(wú)定形碳膜的成膜 方法中可適用的成膜裝置的一個(gè)例子的示意剖視圖。
圖2是表示用于制造使用通過(guò)本發(fā)明的一實(shí)施方式的無(wú)定 形碳膜的制造方法所得到的無(wú)定形碳膜的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)體 的剖視圖。
圖3是表示在圖2的結(jié)構(gòu)體中，將形成圖案的ArF抗蝕劑 用作掩模而對(duì)其下面的Si02膜進(jìn)行蝕刻的狀態(tài)的剖視圖。
圖4是表示在圖3的結(jié)構(gòu)體中，將形成圖案的Si02膜用作
掩模而對(duì)其下面的無(wú)定形碳膜進(jìn)行蝕刻的狀態(tài)的剖視圖。
圖5是表示在圖4的結(jié)構(gòu)體中，將形成圖案的無(wú)定形碳膜
用作掩模而對(duì)基底的蝕刻對(duì)象膜進(jìn)行蝕刻的狀態(tài)的剖視圖。 圖6是表示實(shí)施例得到的無(wú)定形碳膜的電子衍射圖像的圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示在本發(fā)明的一實(shí)施方式的無(wú)定形碳膜的成膜方 法中可適用的成膜裝置的一例的示意剖視圖。該成膜裝置100 具有大致圓筒狀的腔室1。
在腔室1的內(nèi)部配置有用于水平支承作為被處理體的晶圓 W的承載盤(susceptor) 2。承載盤2通過(guò)設(shè)在其中央下部的圓 筒形的支持構(gòu)件3來(lái)支承。在承載盤2的外緣部設(shè)有用于引導(dǎo) 晶圓W的引導(dǎo)環(huán)4。另外，在承載盤2上埋設(shè)有加熱器5。該 加熱器5通過(guò)加熱器電源6供電，將作為被處理基板的晶圓W 加熱到規(guī)定的溫度。在承載盤2上還埋設(shè)有熱電偶7,根據(jù)熱 電偶7的檢測(cè)信號(hào)來(lái)控制加熱器5的輸出功率。承載盤2的表
面附近埋設(shè)有電極8，該電極8接地。此外，在承載盤2上設(shè) 有支承晶圓W使其升降的3根晶圓支承銷(圖中未示出)，該 晶圓支承銷可相對(duì)于承載盤2的表面突出或沒(méi)入。
在腔室1的頂壁la上隔著絕緣材料9設(shè)有噴頭(shower head) 10。該噴頭IO為圓筒形，內(nèi)部具有氣體擴(kuò)散空間20,
該噴頭10的下表面具有多個(gè)氣體排出口 12。在噴頭10的氣體 導(dǎo)入口 11上通過(guò)氣體配管13與氣體供給機(jī)構(gòu)14相連接，所述 的氣體供給機(jī)構(gòu)14供給用于形成無(wú)定形碳膜的處理氣體。
噴頭IO通過(guò)匹配器15與高頻電源16相連接。由此，自高 頻電源16向噴頭10供給高頻電力，通過(guò)自高頻電源16供給高 頻電力，可將通過(guò)噴頭IO供給到腔室1內(nèi)的氣體等離子化。
在腔室1的底壁lb上連接有排氣管17。該排氣管17與含 有真空泵的排氣裝置18相連接。而且，通過(guò)使排氣裝置18動(dòng) 作，可使腔室1內(nèi)減壓到規(guī)定的真空度。在腔室1的側(cè)壁設(shè)有 進(jìn)行搬入擁《出晶圓W的l般入寺般出口 21和開(kāi)關(guān)該寺般入寺般出口 21 的閘閥22。
成膜裝置100的組成部，例如加熱器電源6、氣體供給機(jī) 構(gòu)14、高頻電源16、排氣裝置18等，與含有CPU及其周邊電 路的程序控制器30相連接。而且，成膜裝置100的組成部被程 序控制器30所控制。
另外，在程序控制器30上，為了工程管理者管理成膜裝置 100而接入了用戶界面31，所述的用戶界面31是由進(jìn)行命令輸 入操作等的鍵盤和將成膜裝置100運(yùn)行狀況可視化地顯示的顯 示器等構(gòu)成。此外，程序控制器30與存儲(chǔ)部32相連接，所述 的存儲(chǔ)部32存儲(chǔ)著通過(guò)程序控制器30的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)用成膜裝 置100所執(zhí)行的各種處理的控制程序、根據(jù)處理?xiàng)l件對(duì)成膜裝
置100上的各組成部進(jìn)行處理的程序，即方法(recipe)。
方法(recipe)可以被存儲(chǔ)在硬盤或半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，也可 以以存儲(chǔ)在CDROM 、 DVD等可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)設(shè)置 于存儲(chǔ)部32的規(guī)定位置。此外，也可以從其他的裝置，例如通 過(guò)專用線路適當(dāng)?shù)貍鬏敺椒?。而且，根?jù)需要，按照來(lái)自用戶 界面31的指示等從存儲(chǔ)部32中調(diào)出任意的方法，并由程序控 制器30執(zhí)行該任意的方法，從而在程序控制器30的控制下進(jìn) 行成膜裝置100中的期望的處理。
接著，對(duì)使用以上那樣構(gòu)成的成膜裝置100實(shí)施無(wú)定形碳 膜成膜方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
首先，將晶圓W搬入到腔室1內(nèi)，放置在承載盤2上。然 后，一邊通過(guò)氣體配管13和噴頭10自氣體供給機(jī)構(gòu)14供給例 如氬氣作為等離子生成氣體， 一邊通過(guò)排氣裝置18對(duì)腔室1 內(nèi)進(jìn)行排氣，將腔室1內(nèi)維持在規(guī)定的減壓狀態(tài)。另外，通過(guò) 加熱器5將承載盤2加熱到400。C以下的規(guī)定溫度。然后，自 高頻電源16向噴頭10施加高頻電力，在噴頭10和電才及8之間 生成高頻電場(chǎng)，將等離子生成氣體等離子化。
在該狀態(tài)下，通過(guò)氣體配管13和噴頭10自氣體供給機(jī)構(gòu) 14將用于成膜無(wú)定形碳膜的含有碳、氫和氧的處理氣體導(dǎo)入到 腔室1內(nèi)。
由此，該處理氣體被形成于腔室1內(nèi)的等離子激發(fā)，并通 過(guò)在晶圓W上加熱而分解。于是，在晶圓W的表面堆積出牢 固的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的無(wú)定形碳膜。
在上述專利文獻(xiàn)(日本特開(kāi)2002-12972號(hào)公報(bào))所記載的 技術(shù)中，作為形成無(wú)定形碳膜用的處理氣體，使用烴氣體和惰 性氣體。不過(guò)，據(jù)本發(fā)明人所知道的情況，在那樣的條件下， 碳的網(wǎng)狀化進(jìn)度慢，在400。C以下的低溫下，會(huì)殘留很多結(jié)構(gòu)
脆弱的部分，結(jié)果是形成抗蝕性低的膜。在此，如果使成膜溫 度上升，可以在某種程度上強(qiáng)化結(jié)構(gòu)，可以提高抗蝕性，不過(guò)， 這樣的話難以適用于后處理。
對(duì)此，在本實(shí)施方式中，除了構(gòu)成烴氣體的碳和氫以外還
導(dǎo)入了氧。由此，反應(yīng)性顯著提高，即使在400。C以下的低溫， 膜的脆弱結(jié)構(gòu)部分也不殘留，可以得到具有牢固的碳網(wǎng)的無(wú)定 形碳膜。
作為含有碳、氫和氧的處理氣體，處理氣體中的C與0的 原子數(shù)比C:O優(yōu)選3:1 ~ 5:1。若在該范圍，可適當(dāng)控制反應(yīng)性， 可以得到更優(yōu)選的膜。
進(jìn)而，處理氣體中的C與H的原子數(shù)比C:H優(yōu)選1:1 ~ 1:2。 C比其更少的氣體，作為實(shí)用的化合物不存在。另一方面，如 果H比該范圍多的話，則難以得到牢固的碳網(wǎng)。
作為含有碳、氫和氧的處理氣體，典型地可以列舉出烴氣 體和含氧的氣體的混合氣體。在該種情況下，作為烴氣體，可 以適當(dāng)列舉出C2H2 (乙炔)、C4H6 ( 丁烯(包括1 - 丁烯、2 -丁烯兩者))、C6H6(苯)，可以單獨(dú)使用它們或混合使用 它們。另外，作為含氧的氣體，可以適合使用氧氣。作為其他 含氧的氣體，可以使用CH3-0-CH3 (二曱醚)等醚化合物。
作為含有碳、氫和氧的處理氣體的其他的例子，可以列舉
出包含分子內(nèi)具有碳、氫和氧的氣體的氣體，作為這樣的氣體， 可以適合列舉出C4HUO(呋喃)、C4HsO(四氫呋喃)，可以 單獨(dú)使用它們，或混合使用它們。
作為處理氣體，除了含有碳、氫和氧的氣體以外，也可以 含有氬氣等惰性氣體。使用300mm晶片時(shí)，氬氣的流量相對(duì)于 含有碳、氫和氧的氣體，優(yōu)選20~100%左右。另外，含有碳、 氫和氧的氣體和惰性氣體的流量根據(jù)氣體的種類而定，優(yōu)選250 ~ 350mL/mim ( sccm)左右。進(jìn)而，成月莫時(shí)腔室內(nèi)的壓力4尤 選6.65Pa ( 50mTorr )以下。
成膜無(wú)定形碳膜時(shí)的晶片溫度(成膜溫度)優(yōu)選400。C以 下，更優(yōu)選100~ 300°C,最優(yōu)選200。C附近。如上所述，400°C 以下，則適合使用含有銅配線的末端處理器。根據(jù)本實(shí)施方式， 即使是這樣比較低的溫度，也可以得到多層抗蝕劑的最下層具 有所要求的高蝕刻耐性的無(wú)定形碳膜。
施加在噴頭10上的高頻電力的頻率數(shù)和功率可以根據(jù)需 要的反應(yīng)性來(lái)適當(dāng)設(shè)定。通過(guò)施加這樣的高頻電力，在腔室1 內(nèi)形成高頻電場(chǎng)，可以使處理氣體等離子化，利用等離子CVD 可以實(shí)現(xiàn)無(wú)定形碳膜的成膜。等離子化的氣體由于反應(yīng)性高， 可使成膜溫度進(jìn)一步降低。另外，作為等離子體源，不限于利
用這樣的高頻電力得到的電容耦合型物質(zhì)，也可以是電感耦合 型等離子體源，也可以是將微波等通過(guò)波導(dǎo)管和天線導(dǎo)入到腔
室1內(nèi)形成等離子體的物質(zhì)。另外，等離子體生成并不是必須 的。在反應(yīng)性充分的情況下，也可以利用熱CVD成膜。
如上所述地成膜的無(wú)定形碳膜，具有如上所述的牢固的碳 網(wǎng)，耐蝕刻性高。因此，適合作為多層抗蝕劑的最下層。進(jìn)而， 以上所述地成膜的無(wú)定形碳膜，因?yàn)樵?50nm左右以下的波長(zhǎng) 下具有0.1 ~ l.O左右的光吸收系數(shù)，所以也適合用作防反射膜。
接著，對(duì)使用以上所制造的無(wú)定形碳膜的半導(dǎo)體裝置的制 造方法進(jìn)行說(shuō)明。
如圖2所示，半導(dǎo)體晶片(Si基板)W上，作為蝕刻對(duì)象 膜，形成由SiC膜lOl、 SiOC膜(low-k膜)102、 SiC膜103、 Si02膜104、 SiN膜105構(gòu)成的疊層膜，在其上，用上述方法 使無(wú)定形碳(a-C)膜106成膜。而且，在其上，依次形成Si02 膜107、 BARC (防反射膜)108、 ArF抗蝕劑膜109，進(jìn)而在其
上，通過(guò)光刻形成圖案狀的ArF抗蝕劑膜109。由此形成多層 的蝕刻掩模。
此時(shí)，ArF抗蝕劑膜109的厚度為200nm以下，例如為 180nm; BARC108的厚度為30~100nm,例如為70nm; Si02 膜107的厚度為10~100nm，例如為50nm;無(wú)定形碳膜106 的厚度為100~ 800nm，例如為280nm。另夕卜，作為蝕刻對(duì)象膜 的膜厚，例如例示出SiC膜101: 30nm、 SiOC膜(Low - k膜) 102: 150nm、 SiC膜103: 30nm、 SiO2膜104: 150nm、 SiN膜 105: 70nm。另外，代替Si02膜107,可以使用SiOC、 SiOH、 SiCN、 SiCNH等其他的Si系薄膜。
在該狀態(tài)下，首先如圖3所示，使用ArF抗蝕劑膜109作 為掩模，等離子蝕刻BARC108和Si02膜107,在Si02膜107 上轉(zhuǎn)印ArF抗蝕劑膜109的圖案。此時(shí)，ArF抗蝕劑膜109的 耐蝕刻性低，所以通過(guò)蝕刻而消失，BARC108的一部分也被蝕 刻。
接著，如圖4所示，將Si02膜107用作蝕刻掩模，蝕刻無(wú) 定形碳膜106，由此，ArF抗蝕劑膜109的圖案被轉(zhuǎn)印到無(wú)定 形碳膜106上。在此，根據(jù)上述方法成膜的無(wú)定形碳膜106， 其耐蝕刻性高，因此，無(wú)定形碳膜106具有良好的形狀性而被 蝕刻，即，在無(wú)定形^碳膜106可以正確地轉(zhuǎn)印ArF抗蝕劑膜109 的圖案。
然后，如圖5所示，將無(wú)定形碳膜106用作蝕刻掩模，SiN 膜105、 Si02膜104、 SiC膜103、 SiOC膜102以及SiC膜101 通過(guò)等離子蝕刻依次被蝕刻。此時(shí)，用上述方法成膜的無(wú)定形 碳膜106的耐蝕刻性高，因此可以以高選擇比對(duì)作為基底的蝕 刻對(duì)象膜進(jìn)行蝕刻。即，蝕刻對(duì)象膜被蝕刻期間，無(wú)定形碳膜 106作為蝕刻掩才莫而分地殘留。由此，在蝕刻對(duì)象膜中，可
以得到?jīng)]有圖案變形的良好的蝕刻形狀。
在蝕刻結(jié)束時(shí)，Si02膜107已經(jīng)消失。另外，殘留的無(wú)定 形碳膜106也通過(guò)利用H2氣體/N2氣體的拋光可以較容易地除 去。
接著，對(duì)按照本發(fā)明的方法成膜的無(wú)定形碳膜，實(shí)際評(píng)價(jià) 其物性和蝕刻耐性。
在此，作為含有碳、氬和氧的氣體，可以使用C4H40 (呋 喃)、基板溫度為200°C，利用等離子CVD,在晶片上堆積膜。 所得膜的中央部的電子衍射圖像如圖6所示。在圖6中，由于 看不到顯示結(jié)晶性的衍射斑點(diǎn)，因此可以確認(rèn)所得的膜是無(wú)定 形碳。
然后，將這樣得到的無(wú)定形碳膜的耐蝕刻性與熱氧化膜 (Si02)的蝕刻耐性以及被用作下層抗蝕劑的g射線用光致抗 蝕劑膜的蝕刻耐性進(jìn)行比較。蝕刻處理利用平行平板型等離子 蝕刻裝置，作為蝕刻氣體，使用CsF8氣體、氬氣、氧氣來(lái)進(jìn)行。 其結(jié)果，各膜的蝕刻速率為 Si02月莫336.9nm/min 光致抗蝕劑膜53.3nm 無(wú)定形石灰膜46.4nm/min。 即，可以說(shuō)Si02膜相對(duì)于光致抗蝕劑膜和無(wú)定形石友膜的選擇比 分別為6.3和7.3。由該結(jié)果可確認(rèn)，用本發(fā)明的方法得到的光 致抗蝕劑膜相對(duì)于以往的光致抗蝕劑膜是優(yōu)先的。
并且，本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，可以有各種變形。 例如，在上述的實(shí)施方式中，作為無(wú)定形碳膜的處理氣體，可 以列舉出烴氣體和含氧的氣體的混合氣體、或者在分子中含有 碳、氫和氧的氣體，不過(guò)不限于這些。另外，在上述的實(shí)施方 式中，對(duì)將根據(jù)本發(fā)明成膜的無(wú)定形碳膜適用于在干式顯影技
術(shù)中的多層抗蝕劑的下層的情況進(jìn)行說(shuō)明，不過(guò)不限于此。無(wú) 定形碳膜也可以作為在通常的光致抗蝕劑膜的正下方形成而具 有防反射膜功能的抗蝕劑掩模使用。進(jìn)而，無(wú)定形碳膜可以用 于其他的各種用途。
進(jìn)而，在上述的實(shí)施方式中，作為被處理基板示例有半導(dǎo)
體晶片，不過(guò)不限于此。也可以適用于以液晶顯示裝置(LCD) 為代表的平面器(FPD)用的玻璃基板等其他的基板。
權(quán)利要求
1. 一種無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括在處理容器內(nèi)配置基板的工序；向所述處理容器內(nèi)供給含有碳、氫和氧的處理氣體的工序；通過(guò)加熱所述處理容器內(nèi)的基板來(lái)分解所述處理氣體，并在該基板上堆積無(wú)定形碳膜的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征 在于，處理氣體中的C與O的原子數(shù)比C:O為3:1 ~ 5:1。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無(wú)定形碳膜的成膜方法，其 特征在于，處理氣體中的C與H的原子數(shù)比C:H為1:1 ~ 1:2。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 3中任一項(xiàng)所述的無(wú)定形碳膜的成膜 方法，其特征在于，含有碳、氫和氧的所述處理氣體包含烴氣 體和含氧氣體的混合氣體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征 在于，所述烴氣體是C2H2、 C4H6以及C6H6中的至少一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征 在于，含有碳、氫和氧的所述處理氣體包含在分子內(nèi)具有碳、氫和氧的氣體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征 在于，在分子內(nèi)具有碳、氫和氧的所述氣體是C4H40和C4H80 中的至少一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 7中任一項(xiàng)所述的無(wú)定形碳膜的成膜 方法，其特征在于，在基板上堆積無(wú)定形碳膜的工序中，基板 的溫度為40(TC以下。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 8中任一項(xiàng)所述的無(wú)定形碳膜的成膜 方法，其特征在于，在基板上堆積無(wú)定形碳膜的工序中，所述 處理氣體被等離子化。
10. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成蝕刻對(duì)象膜的工序；在所述蝕刻對(duì)象膜上，按照權(quán)利要求1 ~ 9中任一項(xiàng)所述的方法使無(wú)定形碳成膜的工序；在所述無(wú)定形碳膜上形成蝕刻圖案的工序；將所述無(wú)定形碳膜用作蝕刻掩模，蝕刻所述蝕刻對(duì)象膜而形成規(guī)定的結(jié)構(gòu)的工序。
11. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成蝕刻對(duì)象膜的工序；在所述蝕刻對(duì)象膜上，按照權(quán)利要求1 ~ 9中任一項(xiàng)所述的 方法使無(wú)定形碳膜成膜的工序；在所述無(wú)定形碳膜上形成Si系薄膜的工序；在所述Si系薄膜上形成光致抗蝕劑膜的工序；使所述光致抗蝕劑膜形成圖案的工序；將所述光致抗蝕劑膜用作蝕刻掩模，蝕刻所述Si系薄膜的 工序；將所述Si系薄膜用作掩模，蝕刻所述無(wú)定形碳膜而轉(zhuǎn)印所 述光致抗蝕劑膜的圖案的工序；將所述無(wú)定形碳膜用作掩模，蝕刻所述蝕刻對(duì)象膜的工序。
12. —種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，在所述計(jì)算 機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有使計(jì)算機(jī)執(zhí)行控制程序的軟件，所述控制程序在執(zhí)行時(shí)，控制成膜裝置進(jìn)行權(quán)利要求1~9 中任一項(xiàng)所述的方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種無(wú)定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括在處理容器內(nèi)配置基板的工序；向所述處理容器內(nèi)供給含有碳、氫和氧的處理氣體的工序；通過(guò)加熱所述處理容器內(nèi)的基板來(lái)分解所述處理氣體，并在該基板上堆積無(wú)定形碳膜的工序。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101390199SQ20078000627
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2007年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月24日
發(fā)明者石川拓, 野澤俊久 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社