專利名稱：等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種使由電磁波產(chǎn)生的等離子作用于半導(dǎo)體晶 圓等來對半導(dǎo)體晶圓等實(shí)施處理時所使用的等離子處理裝置。
背景技術(shù)：
近年來，在半導(dǎo)體制品的制造工序中，為了進(jìn)行成膜、蝕
刻、灰化(ashing)等處理而使用等離子處理裝置。特別趨向 于使用利用微波產(chǎn)生高密度等離子的等離子處理裝置，這是由 于這樣的裝置即使在0.1mTorr( 13.3mPa ) ~幾Torr(幾百Pa) 左右的壓力較低的高真空狀態(tài)下也可以穩(wěn)定地激發(fā)等離子。
這樣的等離子裝置例如在日本特開平3-191073號公報、日 本特開平5-343334號乂>凈艮、曰本特開平9_181052號7>凈艮、日 本特開平2003—332326號/>才艮、曰本凈爭開平2004—039972號 報中公開。
參照圖18概略地說明使用了微波的普通的等離子處理裝置。
圖18所示的等離子處理裝置2在真空處理容器4內(nèi)設(shè)有用 于載置半導(dǎo)體晶圓W的載置臺6。在與該載置臺6相對的處理容 器4上部，氣密地設(shè)有可使微波透過的圓板狀頂板8。在處理容 器4的側(cè)壁設(shè)有用于向容器內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴9。
在頂板8的上表面設(shè)置平面天線構(gòu)件10和滯波件12 。在天 線構(gòu)件10上形成有多個微波放射孔14。在天線構(gòu)件10的中心部 連接有同軸波導(dǎo)管16的中心導(dǎo)體18,借助模式轉(zhuǎn)換器導(dǎo)入由微 波產(chǎn)生器20產(chǎn)生的微波。
并且，使微波呈放射狀向天線構(gòu)件10的半徑方向傳播且從
平面天線構(gòu)件10的放射孔14放射。放射出的孩么波透過頂板8而
被導(dǎo)入到處理容器4內(nèi)。使用由該微波在處理容器4內(nèi)的處理空 間S中產(chǎn)生的等離子，對半導(dǎo)體晶圓W實(shí)施蝕刻、成膜等等離 子處理。
在該情況下，從設(shè)于處理容器4的側(cè)壁上的氣體噴嘴9供給 需要的處理氣體。因此，在晶圓W的中心部和離噴嘴9較近的晶 圓W外側(cè)，氣體離解度根據(jù)擴(kuò)散的處理氣體暴露于等離子中的 時間而不同。因此，有時晶圓面內(nèi)的等離子處理結(jié)果會產(chǎn)生例 如蝕刻程度不均勻、形成的膜厚不均勻。
為此，也可采:f又例如日本特開平5-345982號/>寺艮所/>開的 那樣的對策。即，使穿過同軸波導(dǎo)管16中心的棒狀中心導(dǎo)體18 為空洞狀態(tài)，在其內(nèi)部設(shè)置氣體流路。另外，貫通頂板8那樣 地設(shè)置氣體流路，并使該氣體流路與中心導(dǎo)體18的氣體流^各相 連通。由此，在處理空間S的中心部直接導(dǎo)入處理氣體。
但是，在該情況下，形成于頂板8的中央部的氣體通路內(nèi) 部的電場強(qiáng)度高達(dá)某種程度，且處理空間內(nèi)的等離子容易從氣 體通路的前端開口進(jìn)入到氣體通路內(nèi)，因此，有時會在氣體通 路內(nèi)產(chǎn)生等離子異常放電。因此，存在由該等離子異常放電而 導(dǎo)致頂^反8的中央部被過度加熱，從而導(dǎo)致頂板8石皮損這樣的問 題。
因此，也可以考慮在頂板8自身上形成沿半徑方向延伸到 中心部的氣體通路。但是，在該情況下，也會由于氣體通路內(nèi) 的電場強(qiáng)度較高，且處理空間內(nèi)的等離子容易從氣體通路的前 端開口進(jìn)入到氣體通路內(nèi)，而產(chǎn)生等離子異常放電，因此，不 可采用該結(jié)構(gòu)。
另外，也提出有如下結(jié)構(gòu)將具有多個氣體噴射孔的玻璃 管組成為格子狀來制作噴頭，將該噴頭設(shè)于處理容器上部。但
是，在該情況下也會在玻璃管內(nèi)產(chǎn)生等離子異常放電，也不是 優(yōu)選的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是著眼于以上那樣的問題，為了有效地解決上述問 題而發(fā)明的。本發(fā)明的目的在于，在通過處理容器的頂板或噴 頭將用于產(chǎn)生等離子的電磁波和氣體導(dǎo)入到處理容器內(nèi)的等離 子處理裝置中，防止產(chǎn)生等離子異常放電。
為了達(dá)成該目的，本發(fā)明提供一種等離子處理裝置，其特 征在于，該等離子處理裝置具有真空處理容器、載置臺、電磁 波供給系統(tǒng)和氣體供給系統(tǒng)，
上述真空處理容器具有形成有上部開口的筒狀的容器主體 以及氣密地安裝于該主體的上述上部開口 、由可^f吏電磁波透過
的電介體制的頂板；
上述載置臺設(shè)于上述處理容器內(nèi)，載置被處理體； 上述電磁波供給系統(tǒng)通過上述頂板向上述處理容器內(nèi)供給
用于產(chǎn)生等離子的電磁波；
上述氣體供給系統(tǒng)向上述處理容器內(nèi)供給含有處理氣體的
氣體；
在上述頂板上形成有氣體噴射孔，該氣體噴射孔將由上述 氣體供給系統(tǒng)供給的氣體噴出到上述處理容器內(nèi)，在該噴射孔 內(nèi)配置有由具有透氣性的電介體制的放電防止構(gòu)件
這樣，通過在設(shè)于頂板上的氣體噴射孔中設(shè)置由具有透氣 性的電介體制的放電防止構(gòu)件，既可以確保將通過了氣體噴射 孔的氣體導(dǎo)入到處理容器內(nèi)，又可以防止在氣體噴射孔內(nèi)產(chǎn)生 等離子異常放電。
優(yōu)選在上述頂板上相互隔開距離地設(shè)有多個氣體噴射孔，
在各噴射孔內(nèi)分別配置有上述放電防止構(gòu)件。
當(dāng)在上述頂板上形成有將由上述氣體供給系統(tǒng)供給的氣體 導(dǎo)入到上述氣體噴射孔的氣體流路時，優(yōu)選在該氣體流路內(nèi)也 配置上述放電防止構(gòu)件。由此，既可以確保氣體在氣體流路中 流通，又可以防止氣體流路內(nèi)產(chǎn)生等離子異常放電。
構(gòu)成上述放電防止構(gòu)件的主要材料，特別是從熱膨脹率方 面考慮，優(yōu)選與上述頂板的材料相同。
上述放電防止構(gòu)件可以由多孔質(zhì)材料形成。在該情況下，
上述多孔質(zhì)材^F的細(xì)孔直徑優(yōu)選為0.1mm以下。
優(yōu)選使上述氣體噴射孔的直徑為在上述頂板中傳播的上述 電》茲波的波長的1 / 2以下。
例如，上述電磁波供給系統(tǒng)具有平面天線構(gòu)件、微波產(chǎn)生 器和波導(dǎo)管，
上述平面天線構(gòu)件設(shè)于上述頂板上；
上述微波產(chǎn)生器用于產(chǎn)生微波；
上述波導(dǎo)管用于向上述平面天線構(gòu)件傳播由上述微波產(chǎn)生 器產(chǎn)生的上述微波。
或者，上述電磁波供給系統(tǒng)具有高頻產(chǎn)生器和感應(yīng)線圈， 上述高頻產(chǎn)生器用于產(chǎn)生高頻電力；
上述感應(yīng)線圈配置于上述頂板上，與上述高頻產(chǎn)生器相連接。
優(yōu)選是，上述放電防止構(gòu)件具有放電防止構(gòu)件主體和致密 構(gòu)件，
上述放電防止構(gòu)件主體由具有透氣性的電介體制成； 上述致密構(gòu)件覆蓋上迷主體的至少側(cè)面，由無透氣性的電 介體制成。
例如，上述致密構(gòu)件預(yù)先形成為筒狀?；蛘撸鲜鲋旅軜?gòu)
件由粘接劑層構(gòu)成，該粘接劑層通過使涂敷于上述主體表面上 的粘接劑固化而形成。
優(yōu)選是，在上述頂板上形成有氣體流^各，該氣體流J珞向上 述氣體噴射孔引導(dǎo)由上述氣體供給系統(tǒng)供給的氣體。
在上述氣體流路與上述氣體噴射孔之間設(shè)有氣體緩沖空 間，該氣體緩沖空間具有大于上述氣體流路的截面積的截面積。
優(yōu)選是，上述放電防止構(gòu)件主體具有氣體噴射面、氣體導(dǎo) 入面和氣體導(dǎo)入凹部，
上述氣體噴射面與上述氣體噴射孔的開口相對應(yīng)； 上述氣體導(dǎo)入面位于上述噴射面的相反側(cè)； 上述氣體導(dǎo)入凹部形成于上述導(dǎo)入面。
本發(fā)明還提供一種等離子處理裝置，其特征在于，該等離 子處理裝置具有真空處理容器、載置臺、噴頭和高頻供給系統(tǒng)， 上述載置臺設(shè)于上述處理容器內(nèi)，載置被處理體； 上述噴頭設(shè)于上述處理容器的上部，具有氣體噴射面，該
的多個氣體噴射口 ；
上述高頻供給系統(tǒng)以上述載置臺為下部電極，以上述噴頭 為上部電才及，供給施加在兩電極之間的高頻電力；
在上述噴頭的氣體噴射面安裝有由具有透氣性的電介體制 的放電防止構(gòu)件。
在該裝置中，上述放電防止構(gòu)件也可以由多孔質(zhì)材料形成， 但多孔質(zhì)材料的細(xì)孔直徑優(yōu)選為0.1mm以下。
本發(fā)明的另 一 技術(shù)方案提供 一 種頂板，該頂板氣密地安裝 于筒狀的容器主體的上部開口來形成等離子處理裝置的處理容 器，其特征在于，
該頂板具有頂板主體和放電防止構(gòu)件， 上述頂板主體形成有將氣體噴出到上述處理容器內(nèi)的氣體 噴射孔，由可使電磁波透過的電介體制成；
上述放電防止構(gòu)件配置于上述主體的氣體噴射孔內(nèi)，由具 有透氣性的電介體制成。
也可以在上述頂板主體上形成向上述氣體噴射孔引導(dǎo)氣體 的氣體流^各。
本發(fā)明的另 一 技術(shù)方案提供 一 種頂板的制造方法，該頂板 氣密地安裝于筒狀的容器主體的上部開口來形成等離子處理裝 置的處理容器，其特征在于，
該頂^1的制造方法包括
準(zhǔn)備頂板主體的工序，該頂板主體形成有將氣體噴出到上 述處理容器內(nèi)的氣體噴射孔，由可使電磁波透過的電介體制成；
形成放電防止構(gòu)件的工序，該放電防止構(gòu)件具有放電防止 構(gòu)件主體和致密構(gòu)件，該放電防止構(gòu)件主體由具有透氣性的電 介體制成，該致密構(gòu)件覆蓋該主體的至少側(cè)面，由無透氣性的 電介體制成；
將上述放電防止構(gòu)件安裝于上述頂板主體的上述氣體噴射
孑L內(nèi)的工序。
例如，形成上述》文電防止構(gòu)件的工序包^r:
準(zhǔn)備預(yù)先形成為筒狀的上述致密構(gòu)件的副工序；
在上述筒狀的致密構(gòu)件內(nèi)填充上述放電防止構(gòu)件主體的材
料并進(jìn)行燒制的副工序。
或者，形成上述放電防止構(gòu)件的工序包括
在上述放電防止構(gòu)件主體的整個表面上涂敷熔化狀態(tài)的作
為上述致密構(gòu)件材料的粘接劑并使其固化來形成粘接劑層的副
工序；
從與上述氣體噴射孔的開口相對應(yīng)的上述放電防止構(gòu)件主
體的氣體噴射面上除去上述粘接劑層的副工序；
在上述放電防止構(gòu)件主體的與上述噴射面相反側(cè)的氣體導(dǎo) 入面上形成氣體導(dǎo)入凹部的副工序。
例如，在安裝上述i文電防止構(gòu)件的工序中，在上述》文電防
止構(gòu)件與上述氣體噴射孔之間使用粘接劑。
或者，在安裝上述放電防止構(gòu)件的工序中，在將上述放電 防止構(gòu)件插入到上述氣體噴射孔中的狀態(tài)下，將上述放電防止 構(gòu)件與上述頂板燒制成 一體。


圖l是表示本發(fā)明等離子處理裝置的第l實(shí)施方式的縱剖視圖。
圖2是表示圖l所示的裝置的頂板的仰視圖。
圖3是構(gòu)成圖2所示的頂板的下側(cè)頂板構(gòu)件的俯視圖。
圖4A是以設(shè)置放電防止構(gòu)件之前的狀態(tài)表示圖3所示的下
側(cè)頂板構(gòu)件的圖。
圖4B是沿圖4A的A— A線剖切的剖視圖。
圖5是表示基于圖4B所示的下側(cè)頂板構(gòu)件制造頂板的過程的圖。
圖6是表示頂板的變形例的縱剖視圖。
圖7是表示頂板的另 一 變形例的縱剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第2實(shí)施方式的縱
剖視圖。
圖9是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第3實(shí)施方式的縱
剖視圖。
圖IO是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第4實(shí)施方式的頂 板的縱剖視圖。
圖ll是放大表示圖IO所示的頂板的主要部分的圖。 圖12是表示圖ll所示的頂板的組裝圖。
圖13是放大表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第5實(shí)施方式
的頂板的主要部分的縱剖視圖。
圖14是表示圖13所示的放電防止構(gòu)件的制造工序的圖。 圖15A是表示圖11所示的第4實(shí)施方式的頂板的變形例的圖。
圖15B是表示圖13所示的第5實(shí)施方式的頂板的變形例的圖。
圖16是表示圖11所示的第4實(shí)施方式的頂板的另 一變形例 的圖。
圖17是表示矩形狀的頂板的仰視圖。
圖18是表示以往的通常的微波等離子處理裝置的縱剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的等離子處理裝置的 一 實(shí)施方式。
第l實(shí)施方式
圖l所示的等離子處理裝置32為使用等離子進(jìn)行蝕刻處理 的裝置。該裝置32具有真空處理容器34,該真空處理容器34 的內(nèi)部劃分出密閉的處理空間S。該處理容器34具有圓筒狀的 容器主體34A和圓板狀的頂板50，該容器主體34A形成有上部 開口；該頂板50安裝于該主體34A的上部開口 。借助O形密封 圏等密封構(gòu)件51將頂板50氣密地安裝于主體34A的上部開口 。 容器主體34A例如由鋁等導(dǎo)體形成，并且接地。
在該處理容器34內(nèi)設(shè)有載置臺36,該載置臺36用于在上表
面載置作為被處理體的半導(dǎo)體晶圓W。該載置臺36由例如氧化 鋁等陶資形成為大致圓板狀，并由支柱38支承于容器底部上。
在容器主體34A的側(cè)壁設(shè)有在將晶圓搬入、搬出處理空間S 時開閉的閘閥40。另外，在容器主體34A的底部設(shè)有排氣口 42。 在該排氣口 42與排氣通路48相連接，該排氣通路48上依次連接 有壓力控制閥44及真空泵46，可以根據(jù)需要將處理容器34內(nèi)真 空抽吸到規(guī)定的壓力。
在載置臺36的下方設(shè)有多個、例如3個升降銷82 (在圖1 中僅記載了 2個)，在搬出搬入晶圓W時使該升降銷82進(jìn)行升 降。升降銷82借助可伸縮的波紋管84并利用貫通容器主體34A 底部地設(shè)置的升降桿86進(jìn)行升降。在載置臺36上形成有用于供 升降銷82穿過的銷穿過孔88。整個載置臺36由耐熱材料、例如 氧化鋁等陶瓷構(gòu)成。在載置臺36上以埋設(shè)狀態(tài)設(shè)有作為加熱構(gòu) 件的例如薄板狀的電阻加熱器92。該加熱器92借助從支柱38 內(nèi)通過的配線94與加熱器電源96相連接。
在載置臺36的上表面?zhèn)仍O(shè)有具有導(dǎo)線98的靜電卡盤100。 可用該靜電卡盤100靜電吸附晶圓W。該靜電卡盤100的導(dǎo)線98 借助配線10 2與直流電源10 4相連接。在該配線10 2上連接有用 于施加例如13.56MHz的偏壓用高頻電力的高頻電源106 。
頂板50的主體由可使微波透過的電介體、例如石英、A1203 等陶瓷形成?？紤]到耐壓性，該頂板50的厚度設(shè)定為例如20mm 左右。如后述所示，在該頂板50的主體上形成有多個氣體噴射 孔108和氣體流路112。
該裝置32具有電磁波供給系統(tǒng)54,該電磁波供給系統(tǒng)54 將作為用于產(chǎn)生等離子的電磁波的微波通過頂板50導(dǎo)入處理 容器34內(nèi)。該電磁波供給系統(tǒng)54具有設(shè)于頂板50上表面的圓板 狀的平面天線構(gòu)件56以及用于產(chǎn)生例如2.45GHz、 8.35GHz的
微波的微波產(chǎn)生器70。在天線構(gòu)件56上設(shè)有滯波件58。該滯波 件58為了縮短微波波長，而用具有高介電常數(shù)特性的材料、例 如氮化鋁制成。平面天線構(gòu)件56被構(gòu)成為由覆蓋滯波件58的導(dǎo) 電性圓筒狀容器形成的波導(dǎo)箱60的底板。在波導(dǎo)箱60的上部設(shè) 有用于冷卻波導(dǎo)箱60的冷卻套62。
波導(dǎo)箱60在平面天線構(gòu)件56的外周部與處理容器34導(dǎo)通。 在波導(dǎo)箱60上部的中心連接有同軸波導(dǎo)管64的外管64A。同軸 波導(dǎo)管64的內(nèi)部導(dǎo)體64B通過滯波件58的中心貫通孔與平面天 線構(gòu)件56的中心部相連接。同軸波導(dǎo)管64借助模式轉(zhuǎn)換器66 與矩形波導(dǎo)管68相連接。該波導(dǎo)管68借助謀求阻抗匹配的匹配 電路(matching circuit) 72與微波產(chǎn)生器70相連接。
平面天線構(gòu)件5 6由導(dǎo)電性材料、例如表面鍍銀的銅板或鋁 板構(gòu)成。例如在與300mm尺寸的晶圓相對應(yīng)時，天線構(gòu)件56 的尺寸為直徑400 500mm、厚度l 幾mm。在天線構(gòu)件56 上形成有多個例如長孔(slot)狀的微波力文射孔74。該-微波放 射孔7 4的配置形式?jīng)]有特別限定，可以配置成例如同心圓狀、 渦旋狀或放射狀，也可以使其在天線構(gòu)件整面上均勻地分布。 該平面天線構(gòu)件56為所謂RLSA (Radial Line Slot Antenna 徑向線隙縫天線)方式的天線結(jié)構(gòu)，由此，得到高密度等離子 及低電子能量的特征。
該裝置32具有氣體供給系統(tǒng)IIO,該氣體供給系統(tǒng)110—邊 對包含處理氣體的氣體進(jìn)行流量控制一邊將其供給到處理容器 34內(nèi)。如上所述，在頂板50上形成有多個氣體噴射孔108和氣 體流路112。氣體噴射孔108在頂板50的下表面開口 ，以向下方 的處理空間S噴出氣體。氣體流路112連通各噴射孔108的上端 部，在頂板50內(nèi)部沿水平方向延伸，將由氣體供給系統(tǒng)110供 給的氣體導(dǎo)入到各噴射孔108。在各噴射孔108及氣體流路112
如圖2所示，氣體噴射孔108在大致整個頂板50的下表面上 相互分離地分散形成。噴射孔108分為位于同心圓的內(nèi)側(cè)圓周 上的氣體噴射孔108A和位于外側(cè)圓周上的氣體噴射孔108B。 另外，也可以在l個圓周上或3個以上的同心圓周上分別排列噴 射孔108。
氣體流路112分為內(nèi)側(cè)氣體流路112A和外側(cè)氣體流路 112B。內(nèi)側(cè)氣體流路112A連通內(nèi)側(cè)的各噴射孔108A。內(nèi)側(cè)氣 體流路112A包括沿半徑方向延伸到頂板50外周的氣體流路 112AA。另外,外側(cè)氣體流路112B連通外側(cè)的各噴射孔108B。 該外側(cè)氣體流路112B包括沿半徑方向延伸到頂板50外周的氣 體流路112BB。
圖3所示的氣體噴射孔108的直徑D1具有在頂板50中傳播 的電磁波(微波)的波長Xo的1 / 2以下、例如1~ 35mm左右的 尺寸。若直徑Dl大于波長Xo的1/2，則在噴射孔108部分的介 電常數(shù)相對于其它部分有較大變化。其結(jié)果，噴射孔108部分 的電場密度與其他部分不同，在等離子密度上產(chǎn)生較大偏差， 因此不優(yōu)選。
各氣體流路112A、 112B的直徑(寬度)D2優(yōu)選是，在不 阻礙氣體流動的范圍內(nèi)盡可能小，至少小于氣體噴射孔108的 直徑D1。由此，可避免對微波或電場的分布帶來不良影響。
用于形成放電防止構(gòu)件120、 122的具有透氣性的電介體材 料優(yōu)選是細(xì)孔直徑為O.lmm以下的多孔質(zhì)材料。在細(xì)孔直徑大 于0.1 m m的情況下，由微波導(dǎo)致產(chǎn)生等離子異常放電的概率變 大。形成放電防止構(gòu)件120、 122的多孔質(zhì)材料在內(nèi)部有無數(shù)細(xì) 孔相互連通，從而具有透氣性。
返回到圖1,以上那樣結(jié)構(gòu)的等離子處理裝置32的整體動作由控制部件1 30進(jìn)行控制，該控制部件1 30例如由微型計(jì)算機(jī)
構(gòu)成。該計(jì)算機(jī)的程序被存儲到軟盤、CD ( Compact Disc光 盤)、閃存器等存儲介質(zhì)132中。具體地講，根據(jù)來自該控制部 件130的指令來進(jìn)行氣體供給及流量控制、微波或高頻波供給 及電力控制、處理溫度或處理壓力的控制等。
在此，簡單地說明頂板50的制造方法的一個例子。在此， 接合下側(cè)頂板構(gòu)件50A和上側(cè)頂板構(gòu)件50B而形成頂板50。首 先，如圖4A及圖4B所示，準(zhǔn)備作為下側(cè)頂板構(gòu)件50A的母材的 圓板狀玻璃基板。在該玻璃基板上形成與各氣體噴射孔108相 對應(yīng)的貫通孔124以及與各氣體流路112相對應(yīng)的槽126。
接著，如圖5所示，使作為放電防止構(gòu)件128 ( 120、 122) 的材料的熔化狀態(tài)的包含氣泡的多孔質(zhì)石英流入到各貫通孔 124及槽126內(nèi)并使其固化。然后，研磨基板的整個表面來進(jìn)行 平坦化，從而完成下側(cè)頂板構(gòu)件50A。接著，在下側(cè)頂^1構(gòu)件 50A上載置由另外進(jìn)行平坦化了的圓板狀玻璃基板構(gòu)成的上側(cè) 頂板構(gòu)件50B。然后，在石英的應(yīng)變點(diǎn)(Strain Point)以下 的溫度對兩頂板構(gòu)件50A、 50B進(jìn)行燒制及熱處理，將它們相 互接合。這樣，填充了多孔質(zhì)石英制的放電防止構(gòu)件120、 122 的狀態(tài)的頂板50完成。
接著，對使用以上那樣結(jié)構(gòu)的處理裝置32進(jìn)行等離子處 理、例如蝕刻處理進(jìn)4亍i兌明。
首先，將半導(dǎo)體晶圓W通過閘閥40搬入到處理容器34內(nèi)， 將其載置于載置臺36上，通過靜電卡盤100進(jìn)行吸附。用電阻 加熱器92將該晶圓W維持為規(guī)定的處理溫度。由氣體供給系統(tǒng) llO將例如Ch氣體、02氣體及N2氣體等氣體分別以規(guī)定流量供 給到處理容器34內(nèi)。這些氣體通過頂板50的氣體流路112A、 112B由各氣體噴射孔108A、 108B噴出到處理容器34內(nèi)。另一
方面，控制壓力控制閥44將處理容器34內(nèi)維持為規(guī)定的處理壓 力。
與此同時，在電磁波供給系統(tǒng)54中，將用微波產(chǎn)生器70產(chǎn) 生的微波供給到平面天線構(gòu)件56，將通過滯波件58縮短了波長 的微波導(dǎo)入到處理容器34內(nèi)。由此，在處理空間S內(nèi)產(chǎn)生等離 子，從而進(jìn)行蝕刻處理。
具體地講，通過等離子化Cl2、02、 N2各氣體而產(chǎn)生的活
性種蝕刻除去晶圓W表面的被蝕刻層。另外，在蝕刻處理時， 通過偏壓用高頻電源106向靜電卡盤100中的導(dǎo)線98施加偏壓 用的高頻電力。由此，直進(jìn)性良好地向晶圓表面引入活性種等， 盡量避免破壞蝕刻形狀。
在該裝置32中，通過氣體流路112A、 112B供給的氣體從 分散配置于頂板50的大致整個下表面上的氣體噴射孔108A、 108B以噴射狀態(tài)向下方擴(kuò)散供給。因此，可以將氣體均勻地供 給到整個處理空間S。
并且，由于在各氣體噴射孔108及氣體流路112中填充有具 有透氣性的放電防止構(gòu)件120、 122,因此，可以確保氣體的流 通，而不產(chǎn)生由于微波引起的異常放電。另外，通過設(shè)于氣體
有方向擴(kuò)散且放出，因此，可以使氣體更均勻地分散到整個處 理空間S。特別是各放電防止構(gòu)件120、 122的多孔質(zhì)材料，由 于其細(xì)孔直徑，沒定為0.1mm以下，因此，可以大致可靠地阻止 產(chǎn)生異常放電。
另外，將氣體噴射孔108的直徑D1設(shè)定為在頂板50的電介 體中傳播的微波的波長^o的1/2以下，因此，可以減小噴射孔 108部分的介電常數(shù)的變化。因此，可以抑制氣體噴射孔108 部分的電場分布的變化，因此，不管是否設(shè)置了氣體噴射孔
108,都可以較高地維持等離子密度的均勻性。作為一個例子，
由介電常數(shù)為3.78的石英玻璃構(gòu)成頂板50,將介電常數(shù)為2.7 的多孔質(zhì)石英埋入到直徑D1為32mm的氣體噴射孔108內(nèi)，模 擬(simulation )電場強(qiáng)度(頂板內(nèi)波長約64mm)。其結(jié)果 可以確認(rèn)，氣體噴射孔108正下方的電場強(qiáng)度減少到只剩一半 左右，在使用時能充分承受。
另外，氣體噴射孔108分為2組內(nèi)側(cè)及外側(cè)的氣體噴射孔 108A、 108B;因此，也可以對各組獨(dú)立控制氣體流量。在該 情況下，可以將氣體以更均勻的分布或以期望的分布狀態(tài)供給 到處理空間S。另外，也可以根據(jù)需要設(shè)置3組以上的氣體噴射體。
從熱膨脹率來考慮，構(gòu)成放電防止構(gòu)件120、 122的主要材 料優(yōu)選為與頂板50主體的材料相同。例如，優(yōu)選是，頂板50主 體使用石英玻璃時，；改電防止構(gòu)件120、 122^f吏用多孔質(zhì)石英， 頂板50主體使用陶瓷材料時，放電防止構(gòu)件120、 122使用多孔質(zhì)陶瓷。
在此作為陶瓷材料、可以使用氧化鋁、硅石、磷酸釣、SiC、 氧化鋯等。另外，多孔質(zhì)陶瓷可以使用例如在日本特開 2002—343788號7>凈艮、曰本特開2003—95764號/>才艮、曰本特開 2004-59344號公報等所公開的多孔質(zhì)陶資。
氣體噴射孔108的數(shù)量不限定于圖示例。例如，也可以如 圖6所示的變形例，在頂板50的中心部設(shè)置單一的氣體噴射孔 108。
另外，也可以如圖7所示的另 一變形例，不在頂板50中設(shè) 置氣體流路，而在頂板50的上方配置用于向氣體噴射孔108供 給氣體的金屬制氣體管136。在該情況下，使氣體噴射孔108
沿上下方向貫通頂板50地設(shè)置氣體噴射孔108。并且，借助O
體管136的凸緣部138。由于氣體管136不會給平面天線構(gòu)件56 的微波的傳播帶來不良影響，因此，優(yōu)選是盡可能用細(xì)且導(dǎo)電 性良好的金屬材料、例如銅等形成氣體管136。 第2實(shí)施方式
用于產(chǎn)生等離子的電磁波不限定于微波，也可以使用例如 比微波頻率低的高頻波。
在圖8所示的本發(fā)明的第2實(shí)施方式中，使用高頻波作為電 磁波且在電磁波供給系統(tǒng)使用感應(yīng)線圏142。在圖8中，對與圖 l所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，并省略 其說明。
如圖8所示，頂板50的氣體噴射孔108、氣體流路112和填 充于它們中的》文電防止構(gòu)件120、 122與圖l所示的第l實(shí)施方式 結(jié)構(gòu)相同。另一方面，本實(shí)施方式的電》茲波供^^系統(tǒng)54具有感 應(yīng)線圏142和高頻產(chǎn)生器144,該感應(yīng)線圈142^妄近于頂^反50上 方地設(shè)置，該高頻產(chǎn)生器144與該感應(yīng)線圏142相連接，產(chǎn)生高 頻電力?？梢允褂美?3.56MHz作為高頻電力的頻率。在高 頻產(chǎn)生器144與感應(yīng)線圏142之間夾設(shè)有用于阻抗匹配的匹配 電路146。
在本實(shí)施方式中，向感應(yīng)線圈142供給高頻電力時，通過 頂板50在處理空間S中產(chǎn)生電場。在本實(shí)施方式中，與第l實(shí)施 方式的情況相同，也可以使氣體均勻地分散到處理空間S內(nèi)， 而不在氣體噴射孔108、氣體流路112內(nèi)產(chǎn)生異常放電。
第3實(shí)施方式
在圖9所示的本發(fā)明的第3實(shí)施方式中，使用高頻波作為電 磁波，且使用平行平板型電極作為電磁波供給系統(tǒng)54的一部 分。在圖9中，對與圖l及圖8所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分 標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，并省略其說明。
在圖9所示的本發(fā)明第3實(shí)施方式中，在處理容器34上部具 有隔著絕緣材料152安裝的金屬制圓筒形噴頭150。該噴頭150 具有氣體噴射面(下表面)155,該氣體噴射面155形成有向處 理容器34內(nèi)噴出氣體的多個氣體噴射口 154。本實(shí)施方式的電 磁波供給系統(tǒng)54形成為高頻供給系統(tǒng)，該高頻供給系統(tǒng)以載置 臺36為下部電才及，以噴頭150為上部電才及，供給施加在兩電極 36、 150之間的高頻電力。具體地講，在處理容器34的上部設(shè) 置噴頭150來代替頂板，高頻產(chǎn)生器144借助匹配電路146連接 于該噴頭150。
在噴頭150的氣體噴射面155上安裝有具有透氣性的電介 體制的圓板形的放電防止構(gòu)件15 6 ，使放電防止構(gòu)件15 6覆蓋氣 體噴射口154。通過該放電防止構(gòu)件156，可以使/人各噴射氣體 口 154放出的氣體均勻地分散到處理空間S內(nèi)，而不在各噴射氣 體口 154內(nèi)產(chǎn)生異常i支電。
第4實(shí)施方式
接著，說明本發(fā)明的等離子處理裝置的第4實(shí)施方式。本
實(shí)施方式除頂板以外的結(jié)構(gòu)與第1或第2實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同， 因此省略其說明。
在上述第l或第2實(shí)施方式中，將放電防止構(gòu)件120直接安 裝于頂板50主體的氣體噴射孔108內(nèi)，因此，存在如下這樣的 問題。即，由多孔質(zhì)材料等具有透氣性的材料構(gòu)成的放電防止 構(gòu)件120表面不平滑、尺寸精度也容易變低。因此，容易在放 電防止構(gòu)件120外周面與構(gòu)成氣體噴射孔108內(nèi)周面的致密材 料(石英或陶瓷材料)之間產(chǎn)生一點(diǎn)點(diǎn)間隙。處理空間內(nèi)的等 離子可能通過該間隙進(jìn)入到氣體流路內(nèi)，產(chǎn)生異常放電。
因此，在該第4實(shí)施方式中，可以使處理放電防止構(gòu)件容 易化，并提高其尺寸精度，并且安裝時不會產(chǎn)生等離子漏泄。
具體地講，如圖10 圖12所示，本實(shí)施方式的放電防止構(gòu) 件162由》文電防止構(gòu)件主體161和致密構(gòu)件160構(gòu)成，該;故電防 止構(gòu)件主體161與上述ii電防止構(gòu)件120相對應(yīng)，該致密構(gòu)件 160覆蓋該主體161的至少側(cè)面，由無透氣性的電介體制成。更 具體地講，由致密構(gòu)件160覆蓋圓柱狀的放電防止構(gòu)件主體161 的側(cè)面來形成i文電防止構(gòu)件162。
另外，在本實(shí)施方式的頂板50上形成有在水平方向上延伸 的主氣體流路112和/人主氣體流路112分支并向下方延伸的分 支氣體流路112a。該分支氣體流路112a的前端部與氣體噴射孔 108的中央部相連通。
本實(shí)施方式的頂板50的制造按如下方式進(jìn)行(圖12 )。首 先，準(zhǔn)備形成有多個氣體噴射孔108的頂板50主體以及與該氣 體噴射孔108相對應(yīng)的數(shù)量的放電防止構(gòu)件主體161。接著，用 致密構(gòu)件160覆蓋各放電防止構(gòu)件主體161的側(cè)面，分別形成放 電防止構(gòu)件162。然后，將這些放電防止構(gòu)件162安裝到頂板50 主體的各氣體噴射孔108中。
粘接劑。在該情況下，使粘接劑164附著于氣體噴射孔108的內(nèi) 壁面和放電防止構(gòu)件162(致密構(gòu)件160 )的表面中的至少一方。 圖12表示僅使粘接劑16 4附著于致密構(gòu)件16 0表面的狀態(tài)。
形成放電防止構(gòu)件162的工序可以由如下副工序來進(jìn)行 準(zhǔn)備預(yù)先形成為筒狀的致密構(gòu)件160的副工序；在筒狀的致密 構(gòu)件160內(nèi)填充放電防止構(gòu)件主體161的材料并進(jìn)行燒制的副 工序。這樣的致密構(gòu)件160可以使用例如由石英、八1203等陶資 材料的致密材料構(gòu)成的筒狀(在此為圓筒狀)的管材166。
另外，上述粘接劑164可以使用例如石英一氧化鋁系列粘
接劑。向頂板50主體安裝放電防止構(gòu)件162在上述粘接劑164 熔化的高溫狀態(tài)、例如50(TC ~ IOOO'C左右進(jìn)行。
放電防止構(gòu)件162的高度及直徑分別為10mm左右，管材 166的壁厚為2~ 4mm左右，但不特別限定為這些數(shù)值。另夕卜， 為了避免給電場分布帶來影響，分支氣體流路112a的內(nèi)徑盡可 能細(xì)為好，典型的內(nèi)徑為上述波長Xo的1/ IO以下，優(yōu)選為1~ 2mm左右。
在該第4實(shí)施方式的情況下，也可以通過放電防止構(gòu)件16 2 確保氣體的流通，而不在氣體噴射孔108內(nèi)產(chǎn)生等離子異常放電。
另外，形成放電防止構(gòu)件162夕卜周面的致密構(gòu)件160 (特別 是管材166 )與放電防止構(gòu)件主體161相比可以提高外徑尺寸的 精度。因此，可以避免在氣體噴射孔108內(nèi)產(chǎn)生間隙地、高精 度接合安裝放電防止構(gòu)件162。特別是，作為形成有氣體噴射 孔108的頂板50主體材料的石英、陶瓷材料和形成致密構(gòu)件160 的石英、陶瓷材料為彼此相同的致密材料，因此，可在它們的 交界部分一點(diǎn)間隙也不產(chǎn)生地高精度地進(jìn)行安裝。因此，可以 大致可靠地防止處理空間S內(nèi)的等離子進(jìn)入到氣體噴射孔108 內(nèi)或氣體流路112a、 112內(nèi)而產(chǎn)生異常放電。
另外，放電防止構(gòu)件162在安裝到氣體噴射孔108內(nèi)之前， 通過個別地進(jìn)行特性檢查可以在安裝前預(yù)先除去不合格品。因 此，可以大幅度地抑制完成頂板5 0后的不合才各品率。
另外，在不使用致密構(gòu)件160而將放電防止構(gòu)件主體161 單獨(dú)安裝到氣體噴射孔108內(nèi)的情況下，粘接劑164偏置或在接 合交界部分產(chǎn)生間隙，不合格品率在20%左右。與此相對，在 本實(shí)施方式的情況下，可以將不合格品率抑制到10 %左右。
第5實(shí)施方式
接著，說明本發(fā)明的等離子處理裝置的第5實(shí)施方式。本
實(shí)施方式的除頂以外的結(jié)構(gòu)與第l或第2實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相
同，因此省略其說明。另外，對于頂板的結(jié)構(gòu)，省略與上述第
4實(shí)施方式相同的部分的說明。
圖13所示的本實(shí)施方式的放電防止構(gòu)件172使用粘接劑層 168代替上述第4實(shí)施方式的管材166等預(yù)先形成為筒狀的致密 構(gòu)件作為覆蓋》丈電防止構(gòu)件主體161側(cè)面的致密構(gòu)件16 0 。另 外，本實(shí)施方式的力文電防止構(gòu)件172，在》文電防止構(gòu)件161的、 與氣體噴射孔108的開口相對應(yīng)的氣體噴射面174相反側(cè)的氣 體導(dǎo)入面176 (圖14 ( D))上形成有氣體導(dǎo)入凹部170。該放 電防止構(gòu)件172也與上述放電防止構(gòu)件162相同，使用粘接劑 164粘接并安裝于氣體噴射孔108內(nèi)。構(gòu)成致密構(gòu)件160的粘接 劑層168的材質(zhì)，可以使用例如與粘接放電防止構(gòu)件162的粘接 劑164相同的材質(zhì)。
在此，說明圖14所示的放電防止構(gòu)件172的制造工序。首 先，如圖14(A)所示，準(zhǔn)備用具有透氣性的電介體材料(例 如多孔性材料)形成為圓筒形的放電防止構(gòu)件主體161。接著， 如圖14 (B)所示，在該放電防止構(gòu)件主體161的整個表面上， 在高溫下涂敷熔化狀態(tài)的作為致密材料的粘接劑(通過浸漬法 等)并使其冷卻固化來形成粘接劑層168。由此，用粘接劑層 168封閉放電防止構(gòu)件主體161的整個表面。
接著，如圖14(C)所示，從與氣體噴射孔108的開口相對 應(yīng)的放電防止構(gòu)件主體161的氣體噴射面174上除去粘接劑層 168,使噴射面174露出，進(jìn)行表面找正。然后，如圖14(D) 所示，在與噴射面174相反側(cè)的氣體導(dǎo)入面176 (貫通粘接劑層 168)上形成氣體導(dǎo)入凹部170。另外，也可以在形成了氣體導(dǎo)
入凹部170之后，再從氣體噴射面174除去粘接劑層168。
在該第5實(shí)施方式的情況下，也可以發(fā)揮與第4實(shí)施方式相 同的作用效果。另外，在該第5實(shí)施方式的情況下，可以通過 氣體導(dǎo)入凹部170將氣體導(dǎo)入到放電防止構(gòu)件主體161的最深 處后，使該氣體在主體161內(nèi)擴(kuò)散。因此，即使例如一部分粘 接劑164在向分支氣體流路112a側(cè)濺出的狀態(tài)下固化，也可以 不受此影響地均勻地分散供給來自放電防止構(gòu)件主體161的噴 射面174的氣體。并且，也不會對放電防止構(gòu)件172所具有電導(dǎo) 產(chǎn)生不良影響。
108內(nèi)之前個別地進(jìn)行特性檢查，來在安裝前預(yù)先除去不合格 品。因此，可以大幅度地抑制完成頂^反50后的不合才各品率。在 本實(shí)施方式的情況下，甚至可以將安裝放電防止構(gòu)件172后的 頂板的不合格品率抑制到1 ~ 2 % 。
另外，還可以將氣體導(dǎo)入凹部170應(yīng)用于圖ll所示的第4實(shí) 施方式。
第4及第5實(shí)施方式的變形例 接著，說明第4及第5實(shí)施方式的變形例。圖15A表示第4 實(shí)施方式的變形例，圖15 B表示第5實(shí)施方式的變形例。
在圖15A及圖15B所示的變形例中，在分支氣體流路112a 和氣體噴射孔108之間形成氣體緩沖空間180，該氣體緩沖空間 180具有大于該流路112a的截面積的截面積。可以通過該氣體
特別是在圖15A所示的情況下，為了抑制由于過剩的粘接 劑164溢出導(dǎo)致的不良影響，優(yōu)選將氣體緩沖空間180形成為具 有大于放電防止構(gòu)件主體161直徑且小于致密構(gòu)件160外徑的直徑。
這樣，在放電防止構(gòu)件162、 172的氣體導(dǎo)入側(cè)設(shè)有氣體緩
沖空間180的情況下，即使過剩的粘接劑164溢出，該粘接劑164 也不會覆蓋到放電防止構(gòu)件主體161的氣體導(dǎo)入面176。因此， 可以防止在安裝》文電防止構(gòu)件162、 172后對電導(dǎo)產(chǎn)生不良影響。
另外，還可以將第4實(shí)施方式應(yīng)用于圖7所示結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成 圖16所示的第4實(shí)施方式的另 一個變形例。
即，在圖16所示的變形例中，從配置于頂板50上方的金屬 制氣體管136，通過垂直貫通頂板50的氣體流路112a,將氣體 導(dǎo)入到安裝有放電防止構(gòu)件162的氣體噴射孔108內(nèi)。
設(shè)置了這樣的氣體管136的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于圖15A所示 的第4實(shí)施方式的變形例、第5實(shí)施方式以及圖15B所示的第5 實(shí)施方式的變形例。
在以上的圖10 圖16所示的實(shí)施方式中，在將放電防止構(gòu) 件162、 172安裝到氣體噴射孔108內(nèi)的工序中，以使用粘接劑 164的情況為例進(jìn)行了說明，但不限定于此。例如，也可以這 樣做不使用粘接劑164,在將放電防止構(gòu)件162、 172插入到 氣體噴射孔108內(nèi)的狀態(tài)下，維持高溫狀態(tài)例如700 900。C左 右，對構(gòu)件162、 172與頂板50主體進(jìn)行一體燒制(相互熔接)。
在以上的各實(shí)施方式中，以將圓板狀的半導(dǎo)體晶圓W作為 被處理體進(jìn)行處理的情況為例進(jìn)行了說明，-f旦也可以是例如 LCD (液晶顯示器Liquid Crystal Display)基板等那樣的矩 形板狀的被處理體。
圖17表示用于處理這樣的矩形被處理體的等離子處理裝 置的頂板的變形例。在這樣的處理裝置中，處理容器的水平截 面形成為矩形，與此對應(yīng)，如圖17所示，頂板50的平面形狀也 構(gòu)成為矩形。并且，氣體噴射孔108在沿頂板50的長度方向相
互平行的多條(在圖中2條)直線上，分別相互隔開間隔地配置。
另外，不言而喻，在各實(shí)施方式中所說明的各尺寸僅僅表 示一個例子，不限定于此。另外，被處理體也不限定于半導(dǎo)體
晶圓或LCD基板，也可以為其他玻璃基板、陶資基板等。
權(quán)利要求
1.一種等離子處理裝置，其特征在于，該等離子處理裝置具有真空處理容器、載置臺、電磁波供給系統(tǒng)與氣體供給系統(tǒng)，上述真空處理容器具有形成有上部開口的筒狀的容器主體以及氣密地安裝于該主體的上述上部開口、由可使電磁波透過的電介體制的頂板；上述載置臺設(shè)于上述處理容器內(nèi)，載置被處理體；上述電磁波供給系統(tǒng)通過上述頂板向上述處理容器內(nèi)供給用于產(chǎn)生等離子的電磁波；上述氣體供給系統(tǒng)向上述處理容器內(nèi)供給含有處理氣體的氣體；在上述頂板上形成有氣體噴射孔，該氣體噴射孔將由上述氣體供給系統(tǒng)供給的氣體噴出到上述處理容器內(nèi)，在該噴射孔內(nèi)配置有由具有透氣性的電介體制的放電防止構(gòu)件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于，在上述頂板上相互隔開地設(shè)有多個氣體噴射孔，在各噴射 孔內(nèi)分別配置有上述放電防止構(gòu)件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 在上述頂板上形成有氣體流路，該氣體流路向上述氣體噴射孔引導(dǎo)由上述氣體供給系統(tǒng)供給的氣體，在該氣體流路內(nèi)也 配置有上述放電防止構(gòu)件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 構(gòu)成上述放電防止構(gòu)件的主要材料與上述頂板的材料相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 上述放電防止構(gòu)件由多孔質(zhì)材料形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子處理裝置，其特征在于， 上述多孔質(zhì)材^牛的細(xì)孔直徑為0.1mm以下。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 設(shè)上述氣體噴射孔的直徑為在上述頂板中傳播的上述電磁波的波長的l/2以下。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 上述電磁波供給系統(tǒng)具有平面天線構(gòu)件、微波產(chǎn)生器和波導(dǎo)管，上述平面天線構(gòu)件設(shè)于上述頂板上； 上述微波產(chǎn)生器用于產(chǎn)生微波；上述波導(dǎo)管用于向上述平面天線構(gòu)件傳播由上述微波產(chǎn)生 器產(chǎn)生的上述微波。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 上述電磁波供給系統(tǒng)具有高頻產(chǎn)生器和感應(yīng)線圈， 上述高頻產(chǎn)生器用于產(chǎn)生高頻電力；上述感應(yīng)線圏配置于上述頂板上，與上述高頻產(chǎn)生器相連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理裝置，其特征在于， 上述it電防止構(gòu)件具有ii電防止構(gòu)件主體和致密構(gòu)件，上述放電防止構(gòu)件主體由具有透氣性的電介體制成； 上述致密構(gòu)件覆蓋上述主體的至少側(cè)面，由無透氣性的電 介體制成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子處理裝置，其特征在于，上述致密構(gòu)件預(yù)先形成為筒狀。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子處理裝置，其特征在于，上述致密構(gòu)件由粘接劑層構(gòu)成，該粘接劑層通過使涂敷于上述主體表面上的粘接劑固化而形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子處理裝置，其特征在于，在上述頂板上形成有氣體流路，該氣體流路向上述氣體噴射孔引導(dǎo)由上述氣體供給系統(tǒng)供給的氣體；在上述氣體流路與上述氣體噴射孔之間設(shè)有氣體緩沖空 間，該氣體緩沖空間具有大于上述氣體流路的截面積的截面積。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子處理裝置，其特征在于，上述放電防止構(gòu)件主體具有氣體噴射面、氣體導(dǎo)入面和氣 體導(dǎo)入凹部，上述氣體噴射面與上述氣體噴射孔的開口相對應(yīng)； 上述氣體導(dǎo)入面位于上述噴射面的相反側(cè)； 上述氣體導(dǎo)入凹部形成于上述導(dǎo)入面。
15. —種等離子處理裝置，其特征在于， 該等離子處理裝置具有真空處理容器、載置臺、噴頭和高頻供給系統(tǒng)，上述載置臺設(shè)于上述處理容器內(nèi)，載置被處理體； 上述噴頭設(shè)于上述處理容器的上部，具有氣體噴射面，該的多個氣體噴射口 ；上述高頻供給系統(tǒng)以上述載置臺為下部電極，以上述噴頭 為上部電極，供給施加在兩電極之間的高頻電力；在上述噴頭的氣體噴射面安裝有具有透氣性的電介體制的 i文電防止構(gòu)件。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子處理裝置，其特征在于， 上述放電防止構(gòu)件由多孔質(zhì)材料形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子處理裝置，其特征在于上述多孔質(zhì)材料的細(xì)孔直徑為0.1mm以下。
18. —種頂板，該頂板氣密地安裝于筒狀的容器主體的上 部開口來形成等離子處理裝置的處理容器，其特征在于，該頂板具有頂板主體和i文電防止構(gòu)件，上述頂板主體形成有將氣體噴出到上述處理容器內(nèi)的氣體 噴射孔，由可^f吏電f茲波透過的電介體制成；上述放電防止構(gòu)件配置于上述主體的氣體噴射孔內(nèi)，由具 有透氣性的電介體制成。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的天板，其特征在于，體流路。
20. —種頂板的制造方法，該頂板氣密地安裝于筒狀的容 器主體的上部開口來形成等離子處理裝置的處理容器，其特征 在于，該頂板的制造方法包括準(zhǔn)備頂板主體的工序，該頂板主體形成有將氣體噴出到上 述處理容器內(nèi)的氣體噴射孔，由可使電磁波透過的電介體制成；形成》文電防止構(gòu)件的工序，該;故電防止構(gòu)件具有》文電防止 構(gòu)件主體和致密構(gòu)件，該放電防止構(gòu)件主體由具有透氣性的電 介體制成，該致密構(gòu)件覆蓋該主體的至少側(cè)面，由無透氣性的 電介體制成；將上述放電防止構(gòu)件安裝于上述頂板主體的上述氣體噴射 孔內(nèi)的工序。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的頂部的制造方法，其特征在 于，形成上述放電防止構(gòu)件的工序包括準(zhǔn)備預(yù)先形成為筒狀的上述致密構(gòu)件的副工序；在上述筒狀的致密構(gòu)件內(nèi)填充上述放電防止構(gòu)件主體的材 料再進(jìn)行燒制的副工序。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的頂部的制造方法，其特征在于，形成上述放電防止構(gòu)件的工序包括在上述放電防止構(gòu)件主體的整個表面上通過使熔化狀態(tài)的 作為上述致密構(gòu)件材料的粘接固化來形成粘接劑層的副工序；從與上述氣體噴射孔的開口相對應(yīng)的上述放電防止構(gòu)件主 體的氣體噴射面上除去上述粘接劑層的副工序；在上述放電防止構(gòu)件主體的與上述噴射面相反側(cè)的氣體導(dǎo) 入面上形成氣體導(dǎo)入凹部的副工序。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的頂板的制造方法，其特征在于，在安裝上述放電防止構(gòu)件的工序中，在上述放電防止構(gòu)件 與上述氣體噴射孔之間使用粘接劑。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的頂板的制造方法，其特征在于，在安裝上述放電防止構(gòu)件的工序中，在將上述放電防止構(gòu) 件插入到上述氣體噴射孔中的狀態(tài)下， 一 體燒制上述放電防止 構(gòu)件與上述頂板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子處理裝置，該等離子處理裝置具有真空處理容器(34)、設(shè)于該容器內(nèi)的、載置被處理體(W)的載置臺(36)。處理容器(34)具有形成有上部開口的筒狀容器主體(34A)、氣密地安裝于該主體的上部開口、由透過電磁波的電介體制的頂板(50)。該等離子處理裝置還具有通過頂板向容器內(nèi)供給用于產(chǎn)生等離子的電磁波的電磁波供給系統(tǒng)(54)、用于將包含處理氣體的氣體供給到容器內(nèi)的氣體供給系統(tǒng)(110)。在頂板(50)上形成有用于將由氣體供給系統(tǒng)供給的氣體向容器內(nèi)噴出的氣體噴射孔(108)。在各噴射孔(108)內(nèi)配置由具有透氣性的電介體制的放電防止構(gòu)件(120)。
文檔編號H01L21/205GK101371341SQ20078000276
公開日2009年2月18日 申請日期2007年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月20日
發(fā)明者田才忠, 石橋清隆, 野澤俊久 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社