技術(shù)編號(hào)：6885853
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及 一 種使由電磁波產(chǎn)生的等離子作用于半導(dǎo)體晶 圓等來對(duì)半導(dǎo)體晶圓等實(shí)施處理時(shí)所使用的等離子處理裝置。背景技術(shù)近年來，在半導(dǎo)體制品的制造工序中，為了進(jìn)行成膜、蝕刻、灰化(ashing)等處理而使用等離子處理裝置。特別趨向 于使用利用微波產(chǎn)生高密度等離子的等離子處理裝置，這是由 于這樣的裝置即使在0.1mTorr( 13.3mPa ) ~幾Torr(幾百Pa) 左右的壓力較低的高真空狀態(tài)下也可以穩(wěn)定地激發(fā)等離子。這樣的等離子裝置例如在日本特開平3-1...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。