專利名稱：：具有涂有聚合物的銅線的半導(dǎo)體封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝及其制造方法，尤其是涉及一種具有涂有聚合物的銅線的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。
背景技術(shù)：
：通常，為了從/向外部輸入/輸出半導(dǎo)體芯片的集成電路所必需的信號，在半導(dǎo)體芯片上提供多個用于輸入/輸出信號的焊盤，并且通過使用接合線(bondingwire)而將焊盤和引線框架(leadframe)電連接起來。因為半導(dǎo)體芯片是由類似在外部碰撞中很脆弱的玻璃的晶體來構(gòu)造的并且焊盤的尺寸非常小，所以半導(dǎo)體芯片不可能直接連接到外部電路以傳送信號。因此，使用引線框架作為輸入/輸出信號的端子。對于接合線，使用例如金的小電阻材料作為布線材料來在半導(dǎo)體芯片的焊盤和引線框架之間傳送信號。此外，用樹脂或陶瓷來封裝半導(dǎo)體芯片、引線框架和接合線，以使其免受外部碰撞和外界物質(zhì)影響。根據(jù)一般的趨勢，將半導(dǎo)體封裝形成為在尺寸上越來越小且越來越薄。從而，進一步將半導(dǎo)體芯片小型化，并且縮短半導(dǎo)體芯片和引線框架之間的距離。然而，將焊盤和引線框架電連接起來的接合線必須以最短距離保持回路，同時即使環(huán)境溫度改變也防止所述接合線短路或斷路。在一般的半導(dǎo)體封裝中，半導(dǎo)體芯片的接合到引線框架的芯片襯墊(diepad)的芯片焊盤，和類似引線框架的內(nèi)部引線的外部端子通過導(dǎo)線相互電連接起來。主要將金用于所述導(dǎo)線。金在本領(lǐng)域中是公知的，然而，金線非常貴并且具有在高溫中可靠性顯著降低的特征。此外，因為金線較軟，所以其具有容易被外力變形的缺點。為了克服這種缺點，提供了其中基于重量百分比以ppm為單位將諸如Be、Ca等金屬材料添加或摻雜到高純度金中的常規(guī)接合線。然而，常規(guī)接合線沒有顯示出完全改變金的特性的改進效能。因此，根據(jù)要求半導(dǎo)體封裝能夠以低功耗高速操作并且以低成本制造的新趨勢，開展對相比于金線具有更佳特性的銅線的研究。因為銅線具有比金線更低的電阻，所以可以增強比如半導(dǎo)體封裝操作速度的電特性，并且銅線在價格上是適中的。此外，因為銅線相比于金線具有更高的熱導(dǎo)率，所以其具有易于散熱的優(yōu)點。然而，當(dāng)銅線暴露于外部環(huán)境時，例如在線接合過程中，存在銅線的表面會被氧化的缺點，因此劣化了銅線的可靠性和電特性。即，在銅線的表面被氧化的情況下，電阻值增大，因此電特性劣化了。此外，接合強度降低并且可靠性也劣化了。特別是，如果在線接合過程中，氧化了毛細(xì)管的端部的球形成部分，則在毛細(xì)管的該端部不會發(fā)生放電，從而球不會形成為圓形。此外，盡管球通常形成為圓形，但在線接合過程之后其附著力會顯著降低。為了克服上述缺點，在日本專利特開2000-195892號公報中提出了用聚合物涂覆銅線表面的方法。然而，在該方法中，因為將聚合低聚物涂覆在銅線表面上并且接著通過必要的光輻射過程對其進行硬化，所以需要有機溶劑，還需要用于硬化過程的必要設(shè)備。因此，存在如下問題:上述方法不經(jīng)濟也不安全，并且難以將聚合物膜涂覆得均勻且薄。
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題本發(fā)明的一個目的是提供涂有聚合物的銅線，該銅線可以保持良好特性且抑制其氧化，由此防止可靠性和電特性劣化。本發(fā)明的另一目的是提供具有所述涂有聚合物的銅線的半導(dǎo)體封裝。技術(shù)方案本發(fā)明的又一目的是提供制造所述半導(dǎo)體封裝的方法?？梢酝ㄟ^提供包括涂有聚合物的銅線的半導(dǎo)體封裝來實現(xiàn)本發(fā)明的前述和/或其它方面。優(yōu)選的是，用聚合物乳液形成聚合物涂覆膜，優(yōu)選地從聚苯乙烯類(polystyrenics)和聚丙烯酸類(polyacrylics)的組中選擇所述聚合物乳液，并且涂覆有所述聚合物乳液的層的厚度是10500nm。代替銅線，可以使用銅合金線，該銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝包括涂覆有從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液的銅線或銅合金線，該銅線或銅合金線與半導(dǎo)體芯片焊盤和端子相連接。優(yōu)選的是，所述聚合物涂覆膜由優(yōu)選從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液形成，并且涂覆有所述聚合物乳液的層的厚度是10500nm。代替銅線，可以使用銅合金線，該銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝還包括具有所述半導(dǎo)體芯片焊盤的半導(dǎo)體芯片、其上附接有所述半導(dǎo)體芯片的引線框架焊盤和用于完全包覆所述半導(dǎo)體芯片、所述引線框架焊盤的一部分和引線的一部分的模制材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的其它方面，提供了制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括以下步驟提供半導(dǎo)體芯片焊盤和端子；以及通過銅線或銅合金線將所述半導(dǎo)體芯片焊盤和所述端子連接起來，所述銅線或銅合金線涂覆有從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液，并且所述銅線或銅合金線的一端接合到所述半導(dǎo)體芯片焊盤，而其另一端接合到所述端子。優(yōu)選的是，聚合物涂覆膜具有10500nm的厚度，還包括從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液。優(yōu)選的是，所述銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。在涂覆有聚合物膜的銅線或銅合金線中，聚合物涂覆膜由優(yōu)選從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液形成。所述聚合物乳液具有十萬到百萬的分子量并且還具有10200nm的粒徑。通過使用水作為溶劑，相比于常規(guī)涂覆過程進一步改進了成本和可靠性。還可以通過使用沒有比如紫外線的單獨光輻射方式的一般烘干過程，來容易地形成聚合物膜。此外，因為可以在水性乳液聚合期間控制乳液顆粒的大小，所以可以精確地控制涂覆膜的厚度。根據(jù)本發(fā)明的制造聚合物乳液的方法包括以下步驟a)對從苯乙烯類(styrenics)、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種進行聚合；b)制備水分散性溶液，在步驟a)制造的聚合物水分散在該水分散性溶液中；c)在所述水分散性溶液中添加從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種，并對其進行乳液聚合。圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有涂有聚合物的銅線的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；圖2是示出圖1的半導(dǎo)體封裝的銅線的切開部分的立體圖；圖3和圖4是分別示出接合到半導(dǎo)體芯片的金屬電極焊盤的金線和銅線的橫截面圖；以及圖5是說明在制造圖1的半導(dǎo)體封裝的方法中的線接合過程的圖。主要元件的詳細(xì)說明110:引線框架焊盤120、310:半導(dǎo)體芯片130:環(huán)氧樹脂122、320、340:鋁電極焊盤124:鈍化膜140:引線框架的內(nèi)部導(dǎo)線150:涂有聚合物的銅線152、350:銅線154:聚合物涂覆膜155:銅球330:金線410:繞線軸420:儲線容器的蓋431、432:輥440:支架450:毛細(xì)管460:噴氣嘴具體實施方式現(xiàn)在，將參考附圖描述本發(fā)明。圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有涂有聚合物的銅線的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖，圖2是示出圖1的半導(dǎo)體封裝的銅線的切開部分的立體圖。參考圖1，半導(dǎo)體芯片120通過比如環(huán)氧樹脂130的接合手段附接在引線框架焊盤110上。在半導(dǎo)體芯片120的表面上設(shè)置鋁電極焊盤122，并且在半導(dǎo)體芯片120的不設(shè)置鋁電極焊盤122的其它表面上設(shè)置鈍化膜124。經(jīng)由涂有聚合物的銅線150將鋁電極焊盤122和引線框架的內(nèi)部導(dǎo)線140電連接起來。盡管在圖中未示出，但引線框架焊盤110的上部、半導(dǎo)體芯片120、引線框架的內(nèi)部引線140和涂有聚合物的銅線150覆蓋有EMC(環(huán)氧樹脂模塑料)。參考圖2，涂有聚合物的銅線150由設(shè)置于其中的銅線152和環(huán)繞銅線152進行包覆的聚合物涂覆膜154組成。代替銅線152，可使用其中將銅與其它物質(zhì)熔合的銅合金線。例如，可以使用其中將銅與銀或金熔合或者必要時與銀和金熔合的銅合金線。因此，下面將描述的銅線的說明同樣適用于銅合金線。聚合物涂覆膜154由從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液組成。優(yōu)選的是，聚合物涂覆膜154具有1050nm的厚度(d。。如果聚合物涂覆膜154具有小于10nm的厚度，則外部環(huán)境可以氧化銅線。然而，如果聚合物涂覆膜154具有大于500nm的厚度，因為防止氧化的性能不再增強，這是不經(jīng)濟的。此外，如果聚合物涂覆膜154具有過大的厚度，則不易于在毛細(xì)管的端部通過放電形成球。因此，聚合物涂覆膜154具有的厚度優(yōu)選為10500nm，更優(yōu)選為80300nm。另夕卜，相比于具有8.8x1(^^/r^的楊氏模量的金線(其是接合狀態(tài)相對于外力的硬度準(zhǔn)則)，銅線具有13.6x10^N/m2的更大的楊氏模量。并且在價格方面，銅線152大約是金線的40%50%，且涂有聚合物的銅線150大約是金線的50%60%。圖3和4是分別示出接合到半導(dǎo)體芯片的金屬電極焊盤的金線和銅線的橫截面圖。參考圖3，如果金線330接合到在半導(dǎo)體芯片310上形成的鋁電極焊盤320，則發(fā)生鋁和金之間的稱為金屬間生長的現(xiàn)象，從而鋁電極焊盤320中的鋁生長到金線330中。因而，鋁電極焊盤330的一部分(圖中的"A")壓入到金線330中，從而在鋁電極焊盤320和金線330之間的接觸面增大了。如果接觸面增大，則鋁電極焊盤320和金線330之間的接觸電阻增大，由此劣化了電特性。特別是，溫度越高，鋁電極焊盤320的壓入厚度d2增加得越多，并且當(dāng)溫度超過期望水平時，其增加速率還會增大。參考圖4，如果把銅線350接合到在半導(dǎo)體芯片310上形成的鋁電極焊盤340，則幾乎不發(fā)生鋁和銅之間的金屬間生長，因而鋁電極焊盤340的上部幾乎不壓入到銅線350中。因此，在鋁電極焊盤340和銅線330之間的接觸面不會異常地增大。下面兩個因素造成了使用銅線情況下的電阻值小于使用金線情況下的電阻值的現(xiàn)象。首先，在使用銅線的情況下，在銅和鋁之間或在銅和包含銅和硅樹脂的鋁之間較少發(fā)生金屬間生長。其次，銅在2(TC的溫度下具有大約1.67^cm的比電阻，而金在20。C的溫度下具有大約2.4Ml2cm的比電阻。圖5是說明在制造圖1的半導(dǎo)體封裝的方法中的線接合過程的圖。參考圖5，涂有聚合物(圖2中的154)的銅線150纏繞在置于由儲線容器的蓋420限定的內(nèi)部空間中的繞線軸410上?？尚D(zhuǎn)地設(shè)置繞線軸410。在常規(guī)儲線容器中，將氮氣注射口設(shè)置為通過蓋420，從而在儲存有銅線150的內(nèi)部空間中提供抑制氧化的氮氣。然而，在本發(fā)明中，因為銅線本身包覆有聚合物涂覆膜，所以氮氣注射口不是必需的。此外，蓋420的一部分被開口，以便可將涂有聚合物的銅線150提供到外部。通過第一輥431、第二輥432和支架440將涂有聚合物的銅線150從儲線容器提供到毛細(xì)管450。提供到毛細(xì)管450的涂有聚合物的銅線150具有通過在毛細(xì)管450外部的強放電形成的球155。通過典型的方式，將具有球155的涂有聚合物的銅線150接合到在半導(dǎo)體芯片120上形成的鋁電極焊盤122的表面上。同時，當(dāng)由在毛細(xì)管450的端部產(chǎn)生的放電熔化銅和聚合物涂覆膜時，銅的一部分可能被氧化。為了防止這種氧化，需要單獨的噴氣嘴460。以下，將描述根據(jù)本發(fā)明的一些制造實施例和實施方式。然而，本發(fā)明不限于所述制造實施例和實施方式。第一制造實施例在具有攪拌器的100ml的高壓化學(xué)反應(yīng)器中混合苯乙烯(10.0g)、丙烯酸(10.0g)和a-甲基苯乙烯(10.0g)的混合物以及叔丁基過氧化苯甲酸酯(1.2g)、二丙二醇甲基醚(3.0g)、丙烯酸-2-羥基乙酯(10.0g)和甲基丙烯酸-2-羥基乙酯(10.0g)的混合物，接著將它們加熱到200°C的溫度。在該溫度下攪拌反應(yīng)物20分鐘，接著在室溫下冷卻，然后在真空烘箱中干燥以獲得最終的反應(yīng)物。在80g的水和氨水的混合物中溶解15g最終反應(yīng)物。此時，如果需要則將溶解的反應(yīng)物加熱到大約90'C的溫度，并且通過控制氨水的量將溶液的pH值控制在9.0。在將過硫酸鉀(1.5g)添加到溶液后，將溶液的溫度調(diào)節(jié)到8(TC。接著在攪拌溶液的同時，用兩小時向所述溶液緩慢添加苯乙烯(20g)和丙烯酸-2-乙基己酯(20g)的混合溶液。在完成了添加單體混合物之后，在同樣的溫度下再攪拌溶液一小時，由此獲得其中分散有大約70nm的顆粒的聚合樹脂乳液。第二制造實施例將過硫酸銨(1.0g)添加到甲基丙烯酸(5.0g)、丙烯酸(5.0g)、丙烯酸乙酯(20.0g)和丙烯腈(3.0g)的混合物中。并且將混合物放在具有攪拌器的100ml的高壓化學(xué)反應(yīng)器中，還添加0.3g的十二烷基苯磺酸鈉。接著，將混合物加熱到8(TC的溫度。在該溫度下攪拌反應(yīng)物兩小時，接著在室溫下冷卻，以獲得最終反應(yīng)物。通過控制氨水的量將最終反應(yīng)物的pH值控制在9.0。在將過硫酸銨(1.0g)添加到溶液后，將溶液的溫度調(diào)節(jié)到8(TC。接著，在攪拌溶液的同時，用一小時向所述溶液緩慢添加苯乙烯(50g)和甲基丙烯酸(20g)且其中還添加了6g的壬基苯基醚的混合溶液。在完成了添加單體混合物之后，在同樣的溫度下再攪拌溶液一小時，由此獲得其中散布有大約50nm的顆粒的聚合物樹脂乳液。第一實施方式將在第一制造實施例中獲得的樹脂乳液的水溶液涂覆到具有50pm直徑的銅線上，由此獲得涂有聚合物的銅線。該涂覆過程如下。用水稀釋用于涂覆聚合物膜的樹脂乳液，以便獲得具有20%固態(tài)粉末的新樹脂乳液。將該新樹脂乳液放在維持在6(TC溫度的容器中。接著，將具有50pm直徑的銅線以大約100m/s的速度穿過容器。并且，在室溫下以大約100m/s的速度用水沖洗涂有聚合物的銅線一次且還用水和乙醇的混合溶液沖洗該銅線一次，以便去除沒有附著到銅線表面的樹脂顆粒。接著，在4(TC的溫度下以纏繞的狀態(tài)烘干涂有聚合物的銅線。在銅線上涂覆的聚合物涂覆膜的測量厚度是149nm。在相同條件下重復(fù)的其它實驗結(jié)果中，聚合物涂覆膜的厚度是119nm。第二實施方式如表1中所示，除了樹脂量不同之外，制造過程和第一實施方式中基本相同。聚合物涂覆膜的平均厚度是88nm，并且在相同條件下重復(fù)的其它實驗結(jié)果中，聚合物涂覆膜的厚度是84nm。第三實施方式如表1中所示，除了樹脂量和涂覆樹脂的種類不同之外，制造過程和第一實施方式中基本相同。聚合物涂覆膜的平均厚度是228nm。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>實驗示例針對五種在上述實施方式中獲得的涂有聚合物膜的銅線和九種未涂覆所述聚合物膜的具有50)im直徑的銅線，對于絕緣電阻、歐姆電阻和變色測試進行了實驗。1)絕緣電阻測試在使用微型壓縮測試機以1mN的壓力按壓第一到第三實施方式以及第一和第九比較例的銅線之后，測量每一個電阻并且在表2中表示。等級評估標(biāo)準(zhǔn)0:在和銅線接觸100次之后測量電阻值大于108Q在和銅線接觸100次之后測量電阻值大于104Q且小于108QX:在和銅線接觸100次之后測量電阻值小于104Q表2銅線的絕緣電阻評估<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>2)歐姆電阻測試將第一到第三實施方式以及第一和第九比較例的銅線在具有85%的濕度和85匸的溫度的容器中放置一個月之后，接著將其烘干以獲得評估樣本。接著，使用微型壓縮測試機以足以去掉聚合物膜的15mN的壓力按壓第一到第三實施方式和第一和第九比較例的銅線，測量每一個電阻并且在表3中表示。等級評估標(biāo)準(zhǔn)o:在和銅線接觸100次之后測量電阻值小于5Q在和銅線接觸100次之后測量電阻值大于且小于10QX:在和銅線接觸100次之后測量電阻值大于10Q表3銅線的歐姆電阻評估<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>3)變色測試在將第一到第三實施方式以及第一和第九比較例的銅線在具有85%的濕度和85X:的溫度的容器中放置一個月之后，接著將其烘干以獲得評估樣本。接著，觀察銅線因氧化的變色并且將結(jié)果表示在表4中。等級評估標(biāo)準(zhǔn)o:未觀察到變色Δ幾乎未觀察到變色X:觀察到變色表4銅線的變色評估實驗編號絕緣電阻比較示例絕緣電阻<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表1到4中所示，在第一到第三實施方式中的涂有聚合物的銅線相比于未涂有聚合物涂覆膜的其它銅線具有更優(yōu)良的絕緣性能，即使在保存了長時段后涂有聚合物的銅線還具有更優(yōu)良的防氧化性能，因而未觀察到歐姆電阻和變色的增加。此外，根據(jù)三個實施方式和第一和第九比較例的結(jié)果，可以確定當(dāng)聚合物涂覆膜具有大于10nm，優(yōu)選大于80nm的厚度時，涂有聚合物的銅線具有良好的絕緣特性。工業(yè)適用性根據(jù)如上描述的本發(fā)明，所述半導(dǎo)體封裝及其制造方法具有如下優(yōu)點首先，相比于金線，其可以提供電阻更低、結(jié)構(gòu)較硬、成本更低、高環(huán)境溫度下的耐久性增強、熱導(dǎo)率更高和發(fā)熱更低的改進效能。其次，相比于僅使用銅線的情況，在維持銅線優(yōu)點的同時，其通過抑制氧化可提供改進的電特性，并可提供增強的接合力和改進的可靠性。第三，使用聚合物乳液在銅線上涂覆聚合物膜的方法是經(jīng)濟且穩(wěn)定的，并且還具有通過在制造聚合物乳液時控制乳液的顆粒來精確控制聚合物涂覆膜厚度的優(yōu)點。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在前述說明書中公開的概念和具體實施方式可以容易地用作修改或設(shè)計用于實現(xiàn)本發(fā)明的相同目的的其它實施方式的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將理解，這種等效實施方式不會偏離如在權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍。權(quán)利要求1、一種半導(dǎo)體封裝，其包括與半導(dǎo)體芯片焊盤和端子相連接，并且涂覆有從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液的銅線或銅合金線。2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，涂覆有所述聚合物乳液的層的厚度是10500nm。3、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其還包括具有所述半導(dǎo)體芯片焊盤的半導(dǎo)體芯片；附接有所述半導(dǎo)體芯片的引線框架焊盤；和用于完全包覆所述半導(dǎo)體芯片、所述引線框架焊盤的一部分和引線的一部分的模制材料。4、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。5、如權(quán)利要求1到4中的任何一項所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述聚合物乳液是通過包括以下步驟的方法來制造的a)對從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種進行聚合；b)制備水分散性溶液，在步驟a)制造的聚合物水分散在該水分散性溶液；c)在所述水分散性溶液中添加從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種，并對其進行乳液聚合。6、一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包括以下步驟提供半導(dǎo)體芯片焊盤和端子；和通過銅線或銅合金線連接所述半導(dǎo)體芯片焊盤和所述端子，所述銅線或銅合金線涂覆有從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液，并且所述銅線或銅合金線的一端接合到所述半導(dǎo)體芯片焊盤，而其另一端接合到所述端子。7、如權(quán)利要求6所述的方法，其中，涂覆有所述聚合物乳液的層的厚度是10500nm。8、如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。9、如權(quán)利要求6到8中的任何一項所述的方法，其中，所述聚合物乳液是通過包括以下步驟的方法來制造的a)對從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種進行聚合；b)制備水分散性溶液，在步驟a)制造的聚合物水分散在該水分散性溶液中；c)在所述水分散性溶液中添加從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種，并對其進行乳液聚合。全文摘要本發(fā)明涉及具有銅線或銅合金線的半導(dǎo)體封裝，所述銅線或銅合金線保持優(yōu)良的可靠性和防止電特性劣化的特性。半導(dǎo)體封裝包括半導(dǎo)體芯片焊盤、端子和用于連接半導(dǎo)體芯片焊盤和端子的涂有聚合物的線。根據(jù)本發(fā)明，相比于金線，涂有聚合物的銅線或銅合金線可以提供電阻更低、結(jié)構(gòu)硬、成本更低、高環(huán)境溫度下的耐久性增加、熱導(dǎo)率更高和發(fā)熱更低的改進效能。文檔編號H01L21/60GK101331600SQ200780000715公開日2008年12月24日申請日期2007年5月3日優(yōu)先權(quán)日2006年5月4日發(fā)明者吳周錫,樸琦錫,辛承桓,金義德申請人:韓華石油化學(xué)株式會社