專利名稱：低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電感結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
如圖1所示，是一般現(xiàn)有的電感結(jié)構(gòu)l，其包含 一磁體U; —導(dǎo)線12，所 述的導(dǎo)線12繞設(shè)在磁體11上；
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2所示，是另一電感結(jié)構(gòu)2，其包含 一磁體21，所述的磁體21 開設(shè)有間隙24; —導(dǎo)線22，所述的導(dǎo)線22繞設(shè)在磁體21上；
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3是電感B-H曲線的示意圖，其中，曲線13是代表圖1的電感 結(jié)構(gòu)1其B-H曲線，而曲線23是代表圖2的電感結(jié)構(gòu)2其B-H曲線，而BMAX 則表示所述的磁體ll、 21的最大磁通密度，再由圖3中可知開設(shè)有間隙24的電 感結(jié)構(gòu)2其B-H曲線較電感結(jié)構(gòu)1的B-H曲線平緩，再由電感的磁場(chǎng)強(qiáng)度(H)的 公式為
H-平
H:電廠強(qiáng)度 N:匝數(shù) 1:磁體長(zhǎng)度 I:電流
可知所述的電感結(jié)構(gòu)2要到達(dá)磁飽和時(shí)其電流(I)較電感結(jié)構(gòu)1大(因N、 1都
為定值)，又由電感的儲(chǔ)能公式
W-丄LI2 2
即可得知，當(dāng)電感結(jié)構(gòu)2與電感結(jié)構(gòu)1都在BMAX時(shí)，電感結(jié)構(gòu)2的電流(1) 較電感結(jié)構(gòu)l大，故電感結(jié)構(gòu)2其飽和儲(chǔ)能效果較電感結(jié)構(gòu)1佳，因此，在所述 的低感大儲(chǔ)能電感在實(shí)際應(yīng)用上通常都設(shè)有間隙24，且由上述可知若間隙24越 大，電感的B-H曲線將越平緩，故電流(I)越大，則電感的飽和儲(chǔ)能(W)效果越佳；
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D4所示，是目前市面上常用的"SMD低感大儲(chǔ)能電感"，其包含 一磁體3，所述的磁體3設(shè)有槽孔31與間隙32，且所述的槽孔31寬與端子片相 對(duì)應(yīng)或略大P;-端子片33，所述的端子片33是一扁平狀的導(dǎo)體，且所述的端
子片33設(shè)置在槽孔31內(nèi)；
但是，上述現(xiàn)有的"SMD低感大儲(chǔ)能電感"雖可憑借磁體3設(shè)有間隙32，
而增加所述的電感的儲(chǔ)能效果；但是，所述的"SMD低感大儲(chǔ)能電感"為了可做
SMD(表面粘著技術(shù))，而采用端子片33，因而使磁體3其槽孔31需開設(shè)一較大面
積的洞孔以配合端子片33的大小，進(jìn)而導(dǎo)致所述的電感在產(chǎn)生磁路路徑34時(shí)，
所述的磁路路徑34較長(zhǎng)，同時(shí)也使得端子片33左右兩側(cè)方向的磁體3其截面積
較??；
再由電感(L)公式為 T NO
L:電感量 N:匝數(shù) 磁力線數(shù) 1:磁路長(zhǎng)度
與磁力線數(shù)(①)為
0=B' A
B:磁通密度 O:磁力線數(shù) A:磁力線數(shù)垂直通過(guò)的截面積
即可得知，所述的SMD低感大儲(chǔ)能電感其磁路路徑34較長(zhǎng)與截面積(A)較小， 進(jìn)而導(dǎo)致所述的SMD低感大儲(chǔ)能電感其本身的電感量較低，因本身的電感量較 低，就必需縮小加工間隙32，否則電感的電感量將不符市場(chǎng)需求，進(jìn)而導(dǎo)致加工 上的不便，而間隙32較小由前述可知其電感的飽和儲(chǔ)能(W)效果也較差；
再者，若在磁力線數(shù)(巾)不變的情形下，若磁體3其截面積(A)較小，則其所 產(chǎn)生的磁通密度(B)越高，因此，所述的SMD低感大儲(chǔ)能電感其磁飽和效果也較 差；因此，如何將上述等缺失加以摒除，并提供一種可開設(shè)較大間隙以方便加工， 同時(shí)縮短磁路、增大截面積，以達(dá)到良好的飽和儲(chǔ)能效果與磁飽和效果，即為本 案實(shí)用新型所欲解決的技術(shù)困難點(diǎn)的所在。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的即在提供一種低感大儲(chǔ)能單圏式線圈結(jié)構(gòu)，使其截面 積較大、磁飽和效果也較佳。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案包括
一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有 -磁體，所述的磁 體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的下磁體設(shè)有槽溝，且所述的槽溝寬與磁 體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下； 一導(dǎo)體，
所述的導(dǎo)體是穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)；--間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體間。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案還包括
一種低感大儲(chǔ)能單圏式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有 一磁體，所述的磁 體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的上磁體設(shè)有槽溝，且所述的槽溝寬與磁 體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下； 一導(dǎo)體， 所述的導(dǎo)體是穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)； 一間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案還包括-
--種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有 一磁體，所述的磁 體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的上磁體設(shè)有上槽溝，所述的下磁體設(shè)有 下槽溝，所述的上槽溝與下槽溝相組成槽溝，且所述的槽溝寬與磁體整體寬的比 例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下； 一導(dǎo)體，所述的導(dǎo)體是 穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)； 一間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，采用上述技術(shù)方案的本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)在于 現(xiàn)有技術(shù)1、加工不便；2、飽和儲(chǔ)能效果較差；3、僅可做SMD件；4、 磁飽和效果差。
本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)1、加工方便；2、飽和儲(chǔ)能效果佳；3、可作端子件或SMD 件；4、磁飽和效果佳。


圖1是一般現(xiàn)有電感結(jié)構(gòu)的示意圖2是一般現(xiàn)有電感結(jié)構(gòu)開設(shè)有間隙的示意圖3是電感B-H曲線示意圖4是--般市面上常用的SMD低感大儲(chǔ)能電感的示意圖5是本實(shí)用新型的分解圖6是本實(shí)用新型的組合圖7是本實(shí)用新型的磁路路徑示意圖8是本實(shí)用新型下磁體進(jìn)-步設(shè)有導(dǎo)槽的示意圖9是本實(shí)用新型下磁體進(jìn)一步設(shè)有輔助導(dǎo)槽與底部導(dǎo)槽的底視圖IO是本實(shí)用新型成為SMD件的外觀示意圖11是本實(shí)用新型槽溝設(shè)在上磁體的實(shí)施情形；
圖12是本實(shí)用新型槽溝由上、下磁體設(shè)有上、下槽溝的實(shí)施情形。 附圖標(biāo)記說(shuō)明l-電感結(jié)構(gòu)；ll-磁體；12-導(dǎo)線；13-曲線；2-電感結(jié)構(gòu)；21-磁體；22-導(dǎo)線；23-曲線；24-間隙；3-磁體；31-槽孔；32-間隙；33-端子片；34-磁路路徑；4-磁體；41-上磁體；42-下磁體；421-導(dǎo)槽；4211-輔助導(dǎo)槽；422-底部 導(dǎo)槽；43-槽溝；431-上槽溝；432-下槽溝；44-間隙；5-導(dǎo)體；51-端子；6-磁路路徑。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖5、圖6所示，本實(shí)用新型是提供一種低感大儲(chǔ)能單圏式線圈結(jié)構(gòu)， 其包含
一磁體4，所述的磁體4是由一上磁體41與一下磁體42組成，所述的下磁 體42可設(shè)有槽溝43，且所述的槽溝43寬(高)與磁體4整體寬(高)的比例為1/3以 下；
一導(dǎo)體5，所述的導(dǎo)體5是可穿伸設(shè)置在槽溝43內(nèi)，且所述的導(dǎo)體5兩側(cè)向 下彎折為端子51;
一間隙44，所述的間隙44設(shè)在上磁體41與下磁體42間；
請(qǐng)?jiān)倥浜蠀㈤唸D7所示，憑借所述的槽溝43寬(高)與磁體4整體寬(高)的比 例在l/3以下，而縮短所述的電感所產(chǎn)生的磁路路徑6，同時(shí)可增加槽溝43左右 兩側(cè)磁體4所能提供磁力線數(shù)流過(guò)的截面積，而增加所述的電感的電感量，因此， 在要求同一感值的電感下，因本實(shí)用新型的電感其本身電感量較高，故本實(shí)用新 型的間隙44距離可較現(xiàn)有的間隙32距離(如圖4所示)設(shè)置的更大，而導(dǎo)致本實(shí) 用新型在制程加工上較為方便，且因本實(shí)用新型之間是距離較大，故本實(shí)用新型 的飽和儲(chǔ)能效果較佳，又本實(shí)用新型同時(shí)增加磁體4截面積，故本實(shí)用新型的磁 飽和效果也較佳，另本實(shí)用新型的導(dǎo)體5兩側(cè)直接向下彎折為端子51，而成為端 子件，進(jìn)而達(dá)到一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)的目的者；
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D8所示，本實(shí)用新型可進(jìn)一步在下磁體42兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽421，而 方便導(dǎo)體5彎折固定位置；
又，請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D9所示，本實(shí)用新型可再更進(jìn)一步在下磁體42兩側(cè)的導(dǎo)槽 421其兩側(cè)再設(shè)有輔助導(dǎo)槽4211，并在下磁體42底部設(shè)有底部導(dǎo)槽422，將導(dǎo)體 5裸露在磁體4外的導(dǎo)體5壓扁，并由輔助導(dǎo)槽4211與底部導(dǎo)槽422固定位置， 而成為SMD件，而如圖10所示；
再者，請(qǐng)參閱圖11所示，本實(shí)用新型的槽溝43也可設(shè)在t:磁體41，其包含 -磁體4，所述的磁體4是由一上磁體41與一下磁體42組成，所述的上磁 體41可設(shè)有槽溝43，且所述的槽溝43寬(高)與磁體4整體寬(高)的比例為1/3以 下；
--導(dǎo)體5，所述的導(dǎo)體5是可穿伸設(shè)置在槽溝43內(nèi)，且所述的導(dǎo)體5兩側(cè)向 下彎折為端子51;
一間隙44,所述的間隙44設(shè)在上磁體41與下磁體42間；
其中，所述的下磁體42也可進(jìn)一步在兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽421，而方便導(dǎo)體5彎折 固定位置成為端子件，又可再更進(jìn)一步在下磁體42兩側(cè)的導(dǎo)槽421其兩側(cè)在設(shè)有 輔助導(dǎo)槽42U，并在下磁體42底部設(shè)有底部導(dǎo)槽422，將導(dǎo)體5裸露在磁體4 外的導(dǎo)體5壓扁，并由輔助導(dǎo)槽4211與底部導(dǎo)槽422固定位置，而成為SMD件；
又再，請(qǐng)參閱圖12所示，本實(shí)用新型的槽溝43也可由上磁體41與下磁體 42分別設(shè)有上槽溝431與下槽溝432所組成，其包含
一磁體4，所述的磁體4是由一上磁體41與一下磁體42組成，所述的上磁 體41設(shè)有上槽溝431，所述的下磁體42設(shè)有下槽溝432，所述的上槽溝431與下 槽溝432相組成槽溝43，且所述的槽溝43寬(高)與磁體4整體寬(高)的比例為1/3 以下；
一導(dǎo)體5，所述的導(dǎo)體5是可穿伸設(shè)置在槽溝43內(nèi)，且所述的導(dǎo)體5兩側(cè)向 下彎折為端子51;
一間隙44，所述的間隙44設(shè)在上磁體41與下磁體42間；
其中，所述的下磁體42也可進(jìn)一步在兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽421，而方便導(dǎo)體5彎折 固定位置成為端子件，又可在更進(jìn)一步在下磁體42兩側(cè)的導(dǎo)槽421其兩側(cè)在設(shè)有 輔助導(dǎo)槽4211，并在下磁體42底部設(shè)有底部導(dǎo)槽422，將導(dǎo)體5裸露在磁體4 外的導(dǎo)體5壓扁，并由輔助導(dǎo)槽42U與底部導(dǎo)槽422固定位置，而成為SMD件;
以上說(shuō)明對(duì)本實(shí)用新型而言只是說(shuō)明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、
變化或等效，但都將落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求可限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的下磁體設(shè)有槽溝，且所述的槽溝寬與磁體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下；一導(dǎo)體，所述的導(dǎo)體是穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)；一間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的 導(dǎo)體兩側(cè)向下彎折為端子。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的 下磁體兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的 下磁體底部設(shè)有底部導(dǎo)槽。
5、 一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的上磁體設(shè)有槽溝， 且所述的槽溝寬與磁體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例 為1/3以下；一導(dǎo)體，所述的導(dǎo)體是穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)；一間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導(dǎo)體兩側(cè)向下彎折為端子。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下磁體兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下磁體底部設(shè)有底部導(dǎo)槽。
9、 一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的上磁體設(shè)有上槽 溝，所述的下磁體設(shè)有下槽溝，所述的上槽溝與下槽溝相組成槽溝，且所述的槽 溝寬與磁體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下;一導(dǎo)體，所述的導(dǎo)體是穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)；一間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體。
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 的導(dǎo)體兩側(cè)向下彎折為端子。
11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 的下磁體兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽。
12、根據(jù)權(quán)利要求9所述的低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 的下磁體底部設(shè)有底部導(dǎo)槽。
專利摘要本實(shí)用新型是一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)，其包含一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的下磁體可設(shè)有槽溝，且所述的槽溝寬(高)與磁體整體寬(高)的比例為1/3以下；一導(dǎo)體，所述的導(dǎo)體是可穿伸設(shè)置在槽溝內(nèi)，且所述的導(dǎo)體兩側(cè)向下彎折為端子；一間隙，所述的間隙設(shè)在上磁體與下磁體間；憑借所述的槽溝寬(高)與磁體整體寬(高)的比例在1/3以下，而縮短所述的電感所產(chǎn)生的磁路路徑，同時(shí)可增加槽溝左右兩側(cè)磁體所能提供磁力線數(shù)流過(guò)的截面積，進(jìn)而提升電感量，因此，在要求同一感值的電感下，本實(shí)用新型的間隙可較現(xiàn)有間隙為大，而方便加工生產(chǎn)且飽和儲(chǔ)能效果與磁飽和都較佳，形成一種低感大儲(chǔ)能單圈式線圈結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01F17/00GK201066606SQ20072015135
公開日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2007年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月11日
發(fā)明者羅鵬程 申請(qǐng)人:美桀科技股份有限公司