專利名稱：一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型屬于高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種能夠減少焊線 工藝的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，具有散熱座裝置的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其具有一殼體，在 殼體內(nèi)部設置有第 一支架及與第 一支架相對應的第二支架，二支架分別連接至
外部； 一透鏡設置于該殼體上方的凹陷部； 一散熱座設置于該殼體內(nèi)部，該散 熱座底部外露于殼體，可將殼體內(nèi)部熱量導出； 一個或多個發(fā)光二極管芯片被 透鏡包覆設置于散熱座上方，通過多條晶線與第一、二支架電性連接，以提供 電壓源給發(fā)光二極管芯片使用。
上述習用的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，采用了多條晶線將發(fā)光二極管 芯片與支架連接的方式來達到電性連接的目的，其工藝步驟較復雜，物料成本 較高，從而使得制作成本高。

實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)工藝步驟復雜，制 作成本和物料成本高的問題。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的， 一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括殼體、 透鏡及散熱座，在殼體兩側(cè)分別設置有第一支架及第二支架，二支架一端分別 設置于殼體內(nèi)部，而其另一端則分別延伸出殼體之外；所述透鏡置于所述殼體 上；所述散熱座設置于殼體內(nèi)部；所述散熱座包括第一表面及第二表面，發(fā)光
二極管芯片設置于所述第一表面上，在所述第二表面上設置有凸起，第一支架 與散熱座第二表面上的凸起電性導通，第一支架和第二支架分別與發(fā)光二極管 芯片的電極電性連接。
本實用新型利用散熱座組立于殼體內(nèi)部，該殼體的兩側(cè)分別設有第一、二 支架，該散熱座的第二表面上的凸起與第一支架形成電性導通，能減少部分焊 線工藝，從而節(jié)省了物料，也節(jié)省了制作成本。


圖1是本實用新型提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一較佳實施例的分解示意圖。
圖2是圖1所示實施例中散熱座的立體示意圖。 圖3是圖1所示實施例的立體組合示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明 白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解， 此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
請參閱圖1至圖3,本實施例的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括透鏡10、 殼體12及散熱座14。殼體12上表面具有一凹陷部24,透鏡10通過硅膠粘貼 或者通過鉚接方式安裝在殼體12的凹陷部24上，散熱座14則安裝在殼體12 內(nèi)，并且其底部棵露于殼體12外。
所述散熱座14可由導熱系數(shù)較高的金屬，如銅、鐵、鋁、不銹鋼、合金等 制成，其上表面中央向上凸伸形成一環(huán)狀的凸緣144，凸緣144內(nèi)部區(qū)域的底 面為第一表面141， 一個或多個具有上、下電極的發(fā)光二極管芯片16設置于第 一表面141上，所述凸緣144外部區(qū)域的散熱座14的上表面為第二表面142， 于第二表面142上設有一個或多個凸起143。上述凸緣144的外型可為圓柱狀、
長方體狀、多邊立方體狀等設計，使得能夠針對不同的殼體12的凹陷部24設 計，以便于進行相互裝配連接之用。
所述殼體12由可塑高溫塑料制成，其兩側(cè)分別設有第一支架20及第二支 架22， 二支架相互絕緣，其一端分別設置于殼體12內(nèi)部，而其另一端則分別 延伸出殼體12之外。其中，第一支架20與散熱座14第二表面142上的凸起 143電性導通，第一支架20及第二支架22分別與發(fā)光二極管芯片16的電極電 性導通，具體實施時，第一支架20可與發(fā)光二極管芯片16的下電極形成電性 連接，而第二支架22則可與發(fā)光二極管芯片16的上電極電性連接。
上述實施例中，由于散熱座14安裝于殼體12內(nèi)部，并且其凸起143與第 一支架20接觸以形成電性導通，因此，本實施例中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在制 作過程中無需焊線，其工藝較筒單，并且可有效降低制作成本和物料成本。
此外，殼體12中的部分熱量可通過與散熱座14相連的第一支架20導出至 殼體12外部；而散熱座14底部棵露于殼體12的下方，據(jù)此可以充分地接觸外 界散熱結(jié)構(gòu)，有利于散熱降溫。所述殼體12與散熱座14裝配后，發(fā)光二極管 芯片16發(fā)光所產(chǎn)生的高溫必須排出于殼體12之外，為進一步提高散熱效能， 于殼體12側(cè)壁開i殳有若干氣流孔26，以增加散熱效果。
綜上所述，上述實施例利用散熱座14組立于殼體12內(nèi)部，第一支架20 與散熱座14的凸起143形成電性導通，因此與習用高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 中需要用多條晶線將發(fā)光二極管芯片與第一、第二支架連接相較，本實施例能 減少部分焊線工藝，從而節(jié)省了物料，也節(jié)省了制作成本。此外，該散熱座14 的第二表面142上的凸起143與第一支架20直接接觸，使得殼體12中的部分 熱量可通過該第一支架20導出至殼體12外，從而比習用的散熱座結(jié)構(gòu)進一步 提高了散熱效能，而在殼體12上開設氣流孔23更有助于提高散熱效能。另夕卜， 散熱座14上的凸起143使得殼體12與散熱座14的接觸面積增大，從而使散熱 座14與殼體12的結(jié)合更加穩(wěn)固。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，
凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應 包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括殼體、透鏡及散熱座，在殼體兩側(cè)分別設置有第一支架及第二支架，二支架一端分別設置于殼體內(nèi)部，而其另一端則分別延伸出殼體之外；所述透鏡置于所述殼體上；所述散熱座設置于殼體內(nèi)部；其特征在于，所述散熱座包括第一表面及第二表面，發(fā)光二極管芯片設置于所述第一表面上，在所述第二表面上設置有凸起，第一支架與散熱座第二表面上的凸起電性導通，第一支架和第二支架分別與發(fā)光二極管芯片的電極電性連接。
2、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散 熱座的底部棵露于殼體下方。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述殼體的側(cè)壁上開設有氣流孔。
4、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散 熱座上表面中央向上凸伸形成一環(huán)狀凸緣，所述凸緣內(nèi)部區(qū)域的底面為所述第 一表面。
5、 如權(quán)利要求4所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸 緣為圓柱狀、長方體狀或者多邊立方體狀。
6、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第 一支架與第二支架相互絕緣。
7、 如權(quán)利要求1或6所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述第一支架與發(fā)光二極管芯片的下電極電性連接，所述第二支架則與發(fā)光二極 管芯片的上電極電性連接。
8、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透鏡與殼體之間通過硅膠組合或者通過鉚接方式組合。
專利摘要本實用新型適用于發(fā)光二極管，提供了一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括殼體、透鏡及散熱座，在殼體兩側(cè)分別設置有第一支架及第二支架，二支架一端分別設置于殼體內(nèi)部，而其另一端則分別延伸出殼體之外；所述透鏡置于所述殼體上；所述散熱座設置于殼體內(nèi)部；所述散熱座包括第一表面及第二表面，發(fā)光二極管芯片設置于所述第一表面上，在所述第二表面上設置有凸起，第一支架與散熱座第二表面上的凸起電性導通，第一支架和第二支架分別與發(fā)光二極管芯片的電極電性連接。本實用新型能夠減少焊線工藝，從而節(jié)省了物料，也節(jié)省了制作成本。
文檔編號H01L33/00GK201066694SQ20072012128
公開日2008年5月28日 申請日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月3日
發(fā)明者宋文洲 申請人:深圳市龍崗區(qū)橫崗光臺電子廠;今臺電子股份有限公司