專利名稱：一種賤金屬薄膜電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種薄膜電阻器，尤其涉及薄膜電阻器的端電極 結(jié)構(gòu)層。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)有技術(shù)中已有薄膜電阻器，代替?zhèn)鹘y(tǒng)厚 膜電阻器。傳統(tǒng)厚膜片式電阻器主要都由基片、電阻層、玻璃保護(hù)層， 背電極、面電極和端頭電極組成。無論是厚膜片式電阻器還是薄膜電 阻器，其端頭電極由三層電極組成，即由連接正面電極和背面電極的側(cè)面電極Ag層，和經(jīng)電鍍形成端頭中間電極Ni層和外電極Sn層組 成，該種端頭電極工序復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。因而，有必要提供一種端 頭電極結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低的電阻器。發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種端頭電極結(jié)構(gòu)簡單的 賤金屬薄膜電阻器。本實用新型是這樣實現(xiàn)的賤金屬薄膜電阻器主要由基片、背電 極，面電極、電阻體、保護(hù)層和端頭電極組成，端頭電極由倒面電極 及覆蓋側(cè)面電極的外電極二層電極組成，這種端頭電極結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有的 電阻端頭電極少了一個中間電極層，簡化了電阻的端頭電極，節(jié)約成本。進(jìn)一步，本實用新型中的電阻體是以光刻、真空濺射方式形成， 側(cè)面電極是鎳鉻金屬膜層，其外電極是錫金屬膜層，它們都是以濺射 或真空蒸發(fā)鍍膜的方式形成，通過這種方式，進(jìn)一步節(jié)約了生產(chǎn)成本。本實用新型通過以上方式，提供了一種端頭電極結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn) 成本低的賤金屬薄膜電阻器。


圖l是傳統(tǒng)厚膜片式電阻器截面圖，圖中f基片 h背電極 b電阻體c 一次玻璃保護(hù)層 d 二次玻璃保護(hù)層 la面電極 2a側(cè)面電 3a中間電極 4a外電極圖2是本實用新型賤金屬薄膜電阻器的正截面示意圖，圖中f基片 h背電極 b電阻體
d保護(hù)層 la面電核^ 2a 4則面電招L 3a外電極具體實施方式
下面將結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進(jìn)一步的描述。 參照圖1，傳統(tǒng)厚膜片式電阻器主要都由基片f、電阻層d、 一次玻 璃保護(hù)層c， 二次玻璃保護(hù)層d、背電極h、面電極la、側(cè)面電極Ag 層2a、中間電極Ni層3a和外電極Sn層4a組成，即其端頭電極由 側(cè)面電極Ag層2a、中間電極Ni層3a和外電極Sn層4a三層電極組 成。參照圖2，本實用新型公開的賤金屬薄膜電阻器主要由基片f、 背電極h、面電極la、電阻體b、保護(hù)層d和側(cè)面電極2a ^_蓋側(cè) 面電極2a的外電極3a組成，即其端頭電極由側(cè)面電極2a和外電極 3a 二層電極組成。電阻體b是以光刻、真空'踐射方式形成，側(cè)面電 極2a是鎳鉻金屬膜層，外電極3a是錫金屬膜層，側(cè)面電極2a與外 電極3a是以賊射或真空蒸發(fā)鍍膜的形成。
權(quán)利要求1、一種賤金屬薄膜電阻器，主要由基片(f)、背電極(h)，面電極(1a)、電阻體(b)、保護(hù)層(d)和端頭電極組成，其特征在于端頭電極由側(cè)面電極(2a)及覆蓋側(cè)面電極(2a)的外電極(3a)組成。
2、 如權(quán)利要求1所述的電阻器，其特征在于電阻體(b)是以 光刻、真空濺射方式形成。
3、 如權(quán)利要求1所述的電阻器，其特征在于側(cè)面電極(2a) 是鎳#^屬膜層。
4、 如權(quán)利要求1所述的電阻器，其特征在于外電極(3a)是 錫金屬膜層。
5、 如權(quán)利要求3所述的電阻器，其特征在于側(cè)面電極(2a) 是以賊射或真空蒸發(fā)鍍膜的方式形成。
6、 如權(quán)利要求4所述的電阻器，其特征在于外電極(3a)是 以濺射或真空蒸發(fā)鍍膜的方式形成。
專利摘要本實用新型涉及一種賤金屬薄膜電阻器，主要由基片(f)、背電極(h)、面電極(1a)、電阻體(b)、保護(hù)層(d)和側(cè)面電極(2a)及覆蓋側(cè)面電極(2a)的外電極(3a)組成，電阻體(b)是以光刻、真空濺射方式形成，側(cè)面電極(2a)是鎳鉻金屬膜層，外電極(3a)是錫金屬膜層，側(cè)面電極(2a)與外電極(3a)都是以濺射或真空蒸發(fā)鍍膜的方式形成，該電阻器端頭電極結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)工序簡化，生產(chǎn)成本低。
文檔編號H01C7/00GK201036095SQ20072004993
公開日2008年3月12日 申請日期2007年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月29日
發(fā)明者波 葉, 張遠(yuǎn)生, 李志堅, 楊曉平, 林瑞芬, 平 肖, 莫廣能 申請人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司