專利名稱：：釬焊接合部、電子部件、半導(dǎo)體器件和電子部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種不容易出現(xiàn)裂紋的釬焊接合部、具有該釬焊接合部的電路基板等的電子部件、半導(dǎo)體器件以及電子部件的制造方法，特別涉及一種形成在銅制焊盤上的諸如鎳鍍層或金鍍層的金屬鍍敷層與錫基焊料通過釬焊接合在一起的芯片部件、電路部件、基板部件、電子部件、電氣部件以及半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
：過去，在進(jìn)行釬焊時(shí)采用含錫(Sn)的錫基焊料。特別在最近，在連接電氣部件時(shí)，采用諸如Sn-Pb合金、Sn-Pb-Ag合金等的含鉛焊料?？紤]到鉛對(duì)環(huán)境造成的污染，現(xiàn)在已釆用以Sn-Ag-Cu類合金為代表的無鉛焊料。但是，導(dǎo)體圖形大多采用銅(Cu)，而銅(Cu)的表面容易被氧化。當(dāng)銅的表面被氧化時(shí)，焊料的浸潤(rùn)性就會(huì)降低。特別是在采用上述無鉛焊料時(shí)，一旦銅的表面被氧化，其與無鉛焊料之間的結(jié)合力將減弱。因此，有時(shí)會(huì)在待實(shí)施釬焊處理的銅制焊盤上鍍金(Au)。若在銅上直接鍍金，會(huì)形成脆弱的合金層。因此，就采用了預(yù)先在被用作導(dǎo)體圖形的銅制焊盤和金鍍層之間實(shí)施鍍鎳處理而形成阻擋層(Barrier)，由此抑制上述脆弱金屬層形成這樣的方法。例如，公知文獻(xiàn)1(日本國(guó)專利申請(qǐng)公開特開2000-332408號(hào)公報(bào)，公開日2000年11月30日)揭示了一種為提高銅制焊盤和鎳鍍層的接合性能而在實(shí)施鍍鎳之前對(duì)銅制焊盤進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。當(dāng)釬焊接合上述已實(shí)施鍍敷處理的銅制焊盤和上述無鉛焊料時(shí)，因釬焊接合時(shí)的熱量而熔化的金屬相互擴(kuò)散，焊料的錫成分將擴(kuò)散侵入例如鎳鍍層或者金鍍層。在鎳鍍層和金鍍層之間、金鍍層和錫基焊料之間等形成以Cu-Sn合金或Ni-Sn合金為主要成分的錫合金層。像這樣的錫合金層比較脆弱，因此，在釬焊接合部產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)容易發(fā)生斷裂(裂紋)。特別是，由于鎳的縱向彈性系數(shù)較大，約為200kN/mm2，'所以，鎳鍍層與錫合金層之間的界面容易集中應(yīng)力。因此，在上述鎳鍍層與錫合金層之間的界面上特別容易出現(xiàn)裂紋。對(duì)此，例如，公知文獻(xiàn)2(日本國(guó)專利申請(qǐng)公開特開2003-188313號(hào)公報(bào)，公開日2003年7月4日)揭示了一種目的在于防止因作用于具有上述脆弱的合金層的結(jié)構(gòu)的應(yīng)力而出現(xiàn)裂紋的技術(shù)方法。根據(jù)公知文獻(xiàn)2所揭示的技術(shù)方法，通過增加釬焊接合的金屬部的厚度，在金屬配線部分保留有在進(jìn)行釬焊接合時(shí)不會(huì)形成Cu-Sn合金的區(qū)域。通過該技術(shù)，來防止金屬配線發(fā)生斷裂。但是，在現(xiàn)有技術(shù)的方法中，并沒有涉及從根本上避免因釬悍接合時(shí)形成的錫合金層而容易出現(xiàn)裂紋的方法。例如，根據(jù)公知文獻(xiàn)2揭示的方法，因?yàn)樵诮饘倥渚€部分保留有不會(huì)形成Cu-Sn合金的區(qū)域，所以能夠防止因基板形成材料的熱膨脹系數(shù)等的差異而產(chǎn)生的熱應(yīng)力所造成的金屬配線斷裂。但是，并沒有解決作用于Cu-Sn合金形成區(qū)域的應(yīng)力，因此，在含有Cu-Sn合金的錫合金層容易出現(xiàn)裂紋的問題并沒有得到解決。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題進(jìn)行開發(fā)的，其目的在于提供一種不容易出現(xiàn)裂紋的釬焊接合部、具有該釬焊接合部的電路基板等的電子部件、半導(dǎo)體器件、以及電子部件的制造方法。在現(xiàn)有技術(shù)的方法中，沒有對(duì)容易出現(xiàn)裂紋的上述錫合金層的形成位置以及鎳鍍層與錫合金層之間的界面的形成位置進(jìn)行說明，上述容易出現(xiàn)裂紋的錫合金層等的形成位置和蝕刻前的銅制焊盤的表面位置大致相同。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過積極深入的研究，發(fā)現(xiàn)如果上述容易出現(xiàn)裂紋的錫合金層等的位置偏離應(yīng)力的集中位置就不容易出現(xiàn)裂紋，上述應(yīng)力是導(dǎo)致出現(xiàn)裂紋的原因。并且，本發(fā)明的發(fā)明人通過對(duì)上述錫合金層的形成位置以及鎳鍍層與錫合金層之間的界面形成位置進(jìn)行研究，成功地使上述容易出現(xiàn)裂紋的部位偏離應(yīng)力的集中位置，并成功地減小了釬焊接合部的斷裂率。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子部件包括具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極，該電極具有用于實(shí)施釬焊接合的釬焊接合部，該電子部件的特征在于上述釬焊接合部具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部頁(yè)的表面上層疊有至少一層金屬層；在上迷金屬層被釬焊接合時(shí)形成于上述金屬層的表面部的錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的電子部件中，因釬焊接合而形成于上述金屬層的錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。例如，如果金屬層被設(shè)計(jì)得高于上述凹部，即，上述金屬層的厚度大于上述凹部的凹部深度，那么，上述錫合金層與上述金屬層之間的界面位置就形成在上述凹部之外；如果金屬層被設(shè)計(jì)得低于上述凹部，即，上述金屬層的厚度小于上述凹部的凹部深度，那么，上述錫合金層與上述金屬層之間的界面位置就形成在上述凹部?jī)?nèi)。因釬焊接合而形成于金屬層的錫合金層的機(jī)械應(yīng)力耐受性較差，容易發(fā)生斷裂(裂紋)。但是，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于能夠緩和作用于錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力，所以能夠焊斷裂另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子部件包括具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極，該電極具有用于實(shí)施釬焊接合的釬焊接合部，該電子部件的特征在于上述釬焊接合部具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊有金屬層，該金屬層是自上述凹部的表面起依次層疊第一金屬層、第二金屬層而構(gòu)成的金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，焊料的錫成分?jǐn)U散侵入第2金屬層。因此，擴(kuò)散侵入第l金屬層中的錫成分減少，結(jié)果，錫合金層形成于第l金屬層和第2金屬層之間。即，即使在這種情況下，也能夠緩和作用于錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力，所以，也能夠防止結(jié)構(gòu)較脆弱的錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面發(fā)生釬焊斷裂。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，在上述電子部件的釬焊接合部釬焊接合有半導(dǎo)體元件。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠防止發(fā)生釬焊斷裂，所以，可大幅度提高釬焊接合部的連接可靠性。因此，制造的半導(dǎo)體器件的釬焊接合部的連接可靠性大幅度提高，從而提高使用本半導(dǎo)體器件制造的電路的制造成品率。另外，能夠提高使用本半導(dǎo)體器件制造的器件的可靠性和制造成品率。另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的釬焊接合部被設(shè)置在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上，其特征在于具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊至少一層金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)形成于上述金屬層的表面部的錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，因釬焊接合而形成于上述金屬層的錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。例如，如杲金屬層被設(shè)計(jì)得高于上述凹部，即，上述金屬層的厚度大于上述凹部的凹部深度，那么，上述錫合金層與上述金屬層之間的界面位置就形成在上述凹部之外；如果金屬層被設(shè)計(jì)得低于上述凹部，即，上述金屬層的厚度小于上述凹部的凹部深度，那么，上述錫合金層與上述金屬層之間的界面位置就形成在上述凹部?jī)?nèi)。因釬焊接合而形成于金屬層的錫合金層的機(jī)械應(yīng)力耐受性較差，容易發(fā)生斷裂(裂紋)。但是，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于能夠緩和作用于錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力，所以能夠防止結(jié)構(gòu)較脆弱的錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面發(fā)生釬焊斷裂。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的釬焊接合部被設(shè)置在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上，其特征在于具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊有金屬層，該金屬層是自上述凹部的表面起依次層疊第一金屬層、第二金屬層而構(gòu)成的金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。根椐上述結(jié)構(gòu)，焊料的錫成分?jǐn)U散侵入第2金屬層。因此，擴(kuò)散侵入第l金屬層中的錫成分減少，結(jié)果，錫合金層形成于第l金屬層和第2金屬層之間。即，即使在這種情況下，也能夠緩和作用于錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力，所以，也能夠防止結(jié)構(gòu)較脆弱的錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面發(fā)生釬焊斷裂。本發(fā)明的電子部件的制造方法包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，將上述金屬層形成得高于上述基準(zhǔn)表面；在上述釬焊接合步驟中，使得上述金屬層與錫合金層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面，其中，上述錫合金層形成在上述金屬層上。本發(fā)明的電子部件的制造方法包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，將上述金屬層形成得低于上述基準(zhǔn)表面；在上述釬焊接合步驟中，使得上述金屬層與錫合金層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面，其中，上述錫合金層形成在上述金屬層上。根據(jù)上述方法，機(jī)械應(yīng)力耐受性較差的錫合金層以及上述錫合金層與上述金屬層之間的界面可形成在偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面的位置上。由此，能夠形成用于緩和作用在錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力的結(jié)構(gòu)。即，能夠防止在結(jié)構(gòu)上較脆弱的錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面發(fā)生釬焊斷裂。本發(fā)明的電子部件的制造方法包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，在上述凹部的表面上形成要高于上述基準(zhǔn)表面的第一金屬層并在該第一金屬層上形成第二金屬層；在上述釬焊接合步驟中，使得上述第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。本發(fā)明的電子部件的制造方法包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上迷金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，在上述凹部的表面上形成要低于上述基準(zhǔn)表面的第一金屬層并在該第一金屬層上形成第二金屬層；在上述釬焊接合步驟中，使得上述第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。根據(jù)上述方法，機(jī)械應(yīng)力耐受性較差的錫合金層可形成于第一金屬層與第二金屬層之間的界面上，該界面形成于偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面的位置上。由此，能夠形成用于緩和作用在錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力的結(jié)構(gòu)。即，能夠防止在結(jié)構(gòu)裂。本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在以下的描述中會(huì)變得十分明了此外，以下參照附圖來明確本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。圖1(a)是表示一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的釬焊接合部的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖1(b)是表示一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的釬焊接合部的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖1(c)是表示一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的釬焊接合部的結(jié)構(gòu)的剖面圖。構(gòu)的圖表。、穴、、-、、'=,i'"圖3是表示具有圖1所示的釬焊接合部的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖4是表示用錫基焊料釬焊接合圖3所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的狀態(tài)的剖面圖。圖5是表示圖4所示的半導(dǎo)體器件的電路基板和錫基焊料的接合部位的放大剖面圖。圖6(a)是表示圖1所示的金屬鍍覆層的另一結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖6(b)是表示圖1所示的金屬鍍覆層的另一結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7(a)是表示圖1(a)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖7(b)是表示圖1(a)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖7(c)是表示圖1(a)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖7(d)是表示圖1(a)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖7(e)是表示圖1(a)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖8(a)是表示圖1(b)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖8(b)是表示圖1(b)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖8(c)是表示圖1(b)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖8(d)是表示圖1(b)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖8(e)是表示圖1(b)所示的半導(dǎo)體器件的電路基板的形成方法和釬焊接合方法的剖面圖。圖9是表示其它實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖，是在圖3所示的半導(dǎo)體器-圖10是表示其它實(shí)施方式中的半導(dǎo)體器件的剖面圖，是圖9所示的電路基板與另一半導(dǎo)體器件連接的剖面圖?？啃缘膶?shí)施例的方法的剖l圖,、i表示圖1(1)所示的半導(dǎo);器件的;焊接合部被施加負(fù)栽的狀態(tài)的剖面圖?？啃缘膶?shí)施例的結(jié)果的圖i:是^示層厚差^接合界面斷裂i的關(guān)系"圖表。具體實(shí)施方式(實(shí)施方實(shí)1)下面，參照?qǐng)D1~圖7i兌明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖3是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的剖面圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100包括電路基板110、半導(dǎo)體芯片120以及外部連接端子130。上述電路基板110在基板111上具有未圖示的配線層，并搭載有半導(dǎo)體芯片120。上述基板111可使用公知的基板。例如可以使用玻璃基板，也可以使用環(huán)氧樹脂基板。另外，配線層也能夠利用公知的方法形成，例如，可通過蝕刻銅箔或鋁箔等來形成配線層。另外，上述配線層可以根據(jù)需要形成為多層。另外，上述半導(dǎo)體芯片120可通過公知的方法連接上述配線層。例如，可以通過釬焊接合方法進(jìn)行連接，也可以使用公知的倒裝接合法進(jìn)行連接。此外，可以在上述電路基板110的搭栽上述半導(dǎo)體芯片120的一側(cè)設(shè)置用于保護(hù)上述半導(dǎo)體芯片120等的樹脂140。另外，在本實(shí)施方式的電路基板110中，在基板lll的與搭載上述半導(dǎo)體芯片120的面相反的表面上設(shè)置有用于電連接本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的外部連接端子130，該外部連接端子130與上述半導(dǎo)體芯片120電連接。在本實(shí)施方式的電路基板110中，可以在上述基板lll的形成外部連接端子130—側(cè)的表面設(shè)置配線(未圖示)，也可以構(gòu)成為配線從基板]11的搭栽上述半導(dǎo)體芯片120的一側(cè)的配線層經(jīng)由通孔等延伸至基板111的形成上述外部連接端子130的表面。這些配線可通過公知的方法來形成，例如，通過蝕刻銅箔或鋁箔等來形成這些配成有釬悍接合部150。釬焊接合部150形成有焊盤112,該焊盤112是為了使上述未圖示的配線連接上述外部連接端子130或其它電子部件而設(shè)置的電極?？梢詫?duì)焊盤112實(shí)施后述處理以提高焊料的浸潤(rùn)性。在本實(shí)施方式中，形成配線的焊盤112是由銅(Cu)形成的。但并不限于此，也可以由含銅的合金、鋁(Al)或其它金屬形成。在焊盤112的進(jìn)行釬焊接合的位置形成有凹部113。如果以焊盤112的表面作為平坦的基準(zhǔn)表面，那么，在基板111的表面方向凹陷形成凹部113。可^f吏用/〉知的方法形成凹部113，例如，-使用蝕刻方法形成凹部113。另外，對(duì)凹部113實(shí)施金屬鍍敷處理以提高釬焊接合時(shí)焊料的浸潤(rùn)性。鍍敷方法可以是采用電氣或化學(xué)等方法進(jìn)行的濕法鍍敷，也可以是采用蒸鍍等的干法鍍敷。如果是能夠達(dá)到上述目的的金屬即可，對(duì)形成于凹部113的鍍敷層并沒有特別的限定，可以采用含有鎳(Ni)或金(Au)的金屬進(jìn)行鍍敷?？梢圆捎枚喾N金屬或合金進(jìn)行鍍敷，特別是在進(jìn)行鍍金的情況下，先在焊盤上實(shí)施一次鍍鎳，然后在其上再進(jìn)行鍍金。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，用鎳進(jìn)行鍍敷而形成鎳鍍層114。上述鎳鍍層114可通過^^知的方法形成，例如，可以通過無電鍍的方法等形成。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，在上述電路基板110上形成的焊盤112的凹部U3的凹部深度和鎳鍍層114的厚度這兩者之間的關(guān)系非常重要。詳細(xì)情況將后述。另外，在基板lll的表面，與釬焊接合焊盤112的部位不同的部位被阻焊層115覆蓋。阻焊層115是為了保護(hù)基板111的配線而設(shè)置的構(gòu)件，對(duì)其材料并不進(jìn)行特別限制，如果是具有絕緣性的材料即可，可使用公知的絕緣材料。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，上述外部連接端子130由錫(Sn)基焊料131形成。錫基焊料131優(yōu)選一般被稱為無鉛的焊料，例如，已知有由Sn-Ag-Cu類合金形成的錫基焊料。本實(shí)施方式中的錫基焊料131優(yōu)選上述Sn-Ag-Cu類合金等的無鉛焊料，但也可以使用現(xiàn)有技術(shù)中的含鉛的焊料，例如，Sn-Pb合金或Sn-Pb-Ag合金等的焊料。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，如上所述形成的焊盤112和作為外部連接端子130的錫基焊料131通過釬焊接合連接在一起。例如，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100通過錫基焊料131連接另一半導(dǎo)體器件。圖4是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IOO的電路基板UO通過錫基焊料131實(shí)現(xiàn)連接的狀態(tài)的剖面圖。在圖4中，為了便于說明，沒有記載半導(dǎo)體芯片120等。圖4表示兩個(gè)電路基板110和110通過錫基焊料131相互連接的狀態(tài)。在如上述那樣地連接兩個(gè)電路基板110和110的情況下，利用其中一個(gè)電路基板110的錫基焊料131進(jìn)行連接即可，無需在另一個(gè)電路基板110設(shè)置錫基焊料131。另外，在圖4中，本實(shí)施方式的電路基板U0相互連接，但也可以通過錫基焊料131連接上述電路基板UO和公知的半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，可通過設(shè)定被形成于上述電路基板110的焊盤112的凹部113的凹部深度和鎳鍍層114的厚度的關(guān)系，使得上述半導(dǎo)體器件的釬焊接合不容易產(chǎn)生斷裂(裂紋)。在說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的焊盤112的凹部113的凹部深度和鎳鍍層114的厚度之間的關(guān)系之前，首先，參照?qǐng)D5說明在鎳鍍層和錫基焊料進(jìn)行釬焊接合的區(qū)域中形成的結(jié)構(gòu)。圖5是圖4所示的區(qū)域I的放大圖。區(qū)域I是圖4所示的釬焊接合區(qū)域的一部分區(qū)域。如圖5的剖面圖所示，在焊盤112上設(shè)置有鎳鍍層114,進(jìn)而，在鎳鍍層U4上釬焊接合有錫基焊料131。在焊盤112的表面的未實(shí)施釬焊接合的區(qū)域中設(shè)置有阻焊層115。假設(shè)焊盤112和阻焊層115之間的界面、即，凹部113形成前的焊盤112的表面位置(沒有形成凹部的表面的位置)為pl。如果焊盤112形成平坦的表面，那么，就可以認(rèn)為上述pl和焊盤112的平坦的表面(基準(zhǔn)表面)相同。在鎳鍍層114和錫基焊料131之間，因釬焊接合時(shí)的熱量而熔化的鎳鍍層114和錫基焊料131相互擴(kuò)散，焊料的錫成分?jǐn)U散侵入鎳鍍層，從而形成錫合金層116。假設(shè)鎳鍍層114和錫合金層116之間的界面為p2。另外，假設(shè)錫合金層U6和錫基焊料131的界面為p3。上述形成的錫合金層116是由錫基焊料131的成分和鎳鍍層114的成分形成的合金層。根據(jù)鎳鍍層114的厚度，錫合金層U6也可能會(huì)含有焊盤112中的成分。另外，在本實(shí)施方式中說明了在鎳鍍層114上釬焊接合錫基焊料131的情況。在上述鎳鍍層114上進(jìn)一步設(shè)置諸如金鍍層等的情況下，錫合金層116將形成為含有這些金屬成分的合金層。由于錫合金層U6較為脆弱，在釬焊接合部產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)容易發(fā)生斷裂(裂紋)，所以，在本實(shí)施方式中將對(duì)鎳鍍層114和錫基焊料131之間生成的錫合金層U6進(jìn)行描述。錫合金層116的形成厚度根據(jù)釬焊接合的條件等發(fā)生變化。在本實(shí)施方式中，說明錫合金層U6的厚度約為2-4^im的情況。本發(fā)明的發(fā)明者們經(jīng)過積極深入的研究，發(fā)現(xiàn)如果上述容易出現(xiàn)裂紋的錫合金層等的位置偏離導(dǎo)致裂紋發(fā)生的應(yīng)力的集中位置，就不容易出現(xiàn)裂紋。并且發(fā)現(xiàn)通過使上述界面p2及錫合金層116的形成位置偏離界面pl,就不容易產(chǎn)生斷裂(裂紋)。即，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，通過下述結(jié)構(gòu)，在形成于釬焊接合部的界面p2和錫合金層U6上不容易產(chǎn)生斷裂(裂紋)。圖1(a)~圖1(c)是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中的釬焊接合部的結(jié)構(gòu)的剖面圖，表示了形成于上述電路基板110的焊盤112的凹部113的凹部深度和鎳鍍層114的厚度之間的關(guān)系。設(shè)焊盤112的凹部113的凹部深度為L(zhǎng)l、鎳鍍層114的鎳鍍厚度為L(zhǎng)2、凹部113的凹部深度L1和鎳鍍層114的鎳鍍厚度L2之間的差為層厚差L3時(shí)，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100所包括的釬焊接合結(jié)構(gòu)可分成圖1(a)~圖1(c)所示的三種類型。另外，在圖l中，為了便于理解上述部件的位置關(guān)系，并沒有圖示錫基焊料131。但是，形成有錫基焊料131使得其接觸錫合金層116上的界面p3。圖1(a)表示電路基板U0a的結(jié)構(gòu)，其中，焊盤112形成有凹部113,鎳鍍層114的鎳鍍厚度要大于凹部113的凹部深度。即，凹部113的凹部深度L1相對(duì)較小，鎳鍍層114的鎳鍍厚度L2相對(duì)較大。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，設(shè)定凹部113的凹部深度和鎳鍍層114的鎳鍍厚度的至少一者即可。在本實(shí)施方式中，焊盤112由銅形成，界面p2形成于由銅形成的焊盤112的凹部113之外。在本實(shí)施方式中，將層厚差L3大于或等于lpm的情況、即，界面pl和界面p2之間的距離大于或等于ljim的情況定義為剖面狀態(tài)A。另外，在圖1(a)中，在鎳鍍層114的表面形成有錫合金層116。在圖1(a)中，錫合金層116和錫基焊料Bl之間的界面pS形成于阻焊層115的層中，但是，界面p3也可以形成于阻焊層115的外側(cè)。圖1(b)表示電路基板110b的結(jié)構(gòu)，其中，焊盤112形成有凹部113,鎳鍍層114的鎳鍍厚度要小于凹部113的凹部深度。即，凹部113的凹部深度L1相對(duì)較大，鎳鍍層114的鎳鍍厚度L2相對(duì)較小。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，如果設(shè)定凹部113的凹部深度或鎳鍍層114的鎳鍍厚度的至少一者即可。在本實(shí)施方式中，焊盤U2由銅形成，界面p2形成于由銅形成的焊盤112的凹部113中。將層厚差L3大于或等于lnm的情況、即，界面pl和界面p2之間的距離大于或等于lpm的情況定義為剖面狀態(tài)B。另外，在圖1(b)中，在鎳鍍層114的表面形成有錫合金層116，錫合金層116和錫基焊料131之間的界面p3形成于凹部113中。本實(shí)施方式的錫合金層116的厚度大約為2~4pm。所以，除圖1(b)所示的結(jié)構(gòu)之外，也可以是這樣的結(jié)構(gòu)，即，界面p3形成在凹部in之外。圖1(c)表示電路基板110c的結(jié)構(gòu)，焊盤112形成有凹部113，鎳鍍層114的鎳鍍厚度和凹部113的凹部深度大致相同。即，凹部113的凹部深度L1和鎳鍍層114的鎳鍍厚度L2大致相同。即，界面p2形成于焊盤112和阻焊層115之間的界面pl的附近位置。在本實(shí)施方式中，將層厚差L3小于lnm的情況定義為剖面狀態(tài)C?？梢匀鐖D2所示那樣對(duì)上述剖面形狀和界面p2的位置進(jìn)行歸納。另外，如圖6(a)、圖6(b)所示，作為形成于凹部113的金屬鍍敷層，也可以在形成了鎳鍍層114以后進(jìn)一步形成金鍍層114a。圖6是表示圖1(a)、圖1(b)中釬焊接合結(jié)構(gòu)的金屬鍍敷層的變形例的剖面圖。在如上述那樣地形成金鍍層114a的情況下，可提高無鉛焊等的錫基焊料131對(duì)上述金屬鍍敷層的浸潤(rùn)性，而不會(huì)受直接在銅制焊盤112上形成金鍍層lMa時(shí)生成的脆弱的合金層的影響。另外，在如圖6(a)、圖6(b)所示那樣地形成金屬鍍敷層的情況下，錫基焊料131釬焊接合在金鍍層U4a上。在這種情況下，錫基焊料131的錫成分?jǐn)U散侵入金鍍層114a。因此，擴(kuò)散侵入鎳鍍層114的錫的成分將變少。即，錫合金層116a容易形成于金鍍層114a以及該金鍍層114a和鎳鍍層114之間。另外，根據(jù)金鍍層114a的厚度和釬焊接合時(shí)的條件等，在釬焊接合后金鍍層114a也可能不會(huì)殘留于釬焊接合界面上。在這種情況下，參照?qǐng)D1(a)、圖1(b)即可。當(dāng)然，關(guān)于在釬焊接合后金鍍層114a殘留于釬焊接合界面的情況，也可參照?qǐng)D1(a)、圖1(b)來考慮錫合金層116a的位置。在本實(shí)施方式中，主要記述了圖1(a)~圖1(c)中的釬焊接合的結(jié)構(gòu)。每一個(gè)實(shí)施方式都能如圖6(a)、圖6(b)那樣地形成金鍍層。在本實(shí)施方式中，主要記述上述剖面形狀A(yù)的情況。以下參照?qǐng)D7說明在剖面形狀A(yù)時(shí)的釬焊接合方法。圖7是表示如剖面形狀A(yù)那樣地形成電路基板U0a,并進(jìn)行釬焊接合的步驟的剖面圖。首先，如圖7(a)所示，在利用例如玻碎基板或者環(huán)氧樹脂基板等公知的材料形成的基板111上形成與配線的線路進(jìn)行釬焊接合的部位(焊盤U2)。形成配線的材料是公知的導(dǎo)電性材料即可，可以使用例如銅或者鋁等材料。另外，采用公知的方法形成配線即可，例如可通過蝕刻已形成于基板in上的銅箔等的導(dǎo)體薄膜來形成配線，或者，在基板ni上轉(zhuǎn)印已經(jīng)印刷的配線。除此以外還能夠利用其它公知的方法形成配線。接著，如圖7(b)所示，以公知的方法，在基板111和焊盤112的表面的不進(jìn)行釬焊接合的部位上形成阻焊層115。阻焊層115是為了保護(hù)基板上的配線而設(shè)置的構(gòu)件。關(guān)于阻焊層的形成材料，并不作特別限制，如果是絕緣性材料即可，可使用公知的絕緣性材料。然后，如圖7(c)所示，在焊盤112上形成凹部113。上述凹部113可通過^^知的方法形成，例如通過蝕刻法形成。接著，如圖7(d)所示，在凹部113形成鎳鍍層114。所形成的鎳鍍層114的鎳鍍厚度要大于凹部113的凹部深度L1。鎳鍍層114的鎳鍍厚度L2比凹部113的凹部深度L1大lpm以上。即，使得層厚差L3大于或等于lpm。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，設(shè)定凹部113的凹部深度和鎳鍍層114的鎳鍍厚度的至少一者即可。鎳鍍層114也可以通過公知的方法形成，例如，可以通過無電鍍的方法形成。接著，如圖7(e)所示，利用含有錫的錫基焊料131在進(jìn)行釬焊接合的部位的鎳鍍層114上進(jìn)行釬焊接合。可利用公知的方法進(jìn)行釬焊接合。錫基焊料131優(yōu)選一般被稱為無鉛的焊料，例如，Sn-Ag-Cu合金等的錫基焊料。本實(shí)施方式的錫基焊料131優(yōu)選使用上述Sn-Ag-Cu等含有錫的無鉛焊料，但也可以使用現(xiàn)有技術(shù)中的含鉛的Sn-Pb合金或Sn-Pb-Ag合金等的焊料。圖7(e)沒有記述釬焊接合的對(duì)象構(gòu)件，可以用錫基焊料131釬焊接合任意的構(gòu)件。通過上述結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的釬焊接合部中，在界面p2和錫合金層116不容易產(chǎn)生斷裂(裂紋)。將在后述的實(shí)施例1和實(shí)施例3中詳細(xì)說明上述結(jié)構(gòu)所取得的效果。(實(shí)施方式2)以下，參照?qǐng)D8~圖IO說明本發(fā)明的另一實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中未予以說明的部分和上述實(shí)施方式1所述結(jié)構(gòu)相同。另外，為了便于說明，對(duì)具有和上述實(shí)施方式l的附圖所示的部件相同的功能的部件賦予相同的標(biāo)號(hào)，并省略其說明。在本實(shí)施方式中，主要說明圖1(b)和圖2所示的剖面形狀B的情況。部。即，在焊盤112上形成四部713，^形成的鎳J層114的鎳鍍厚度小于凹部113的凹部深度。另外，當(dāng)層厚差L3大于或等于lpm時(shí)，即，界面pl和界面p2的距離大于或等于lpm。以下，參照?qǐng)D8說明在剖面形狀B時(shí)的釬焊接合方法。圖8是表示如剖面形狀B那樣地形成電路基板110b并進(jìn)行釬焊接合的步驟的剖面圖。首先，如圖8(a)所示，在由諸如玻璃基板或環(huán)氧樹脂基板等公知的材料形成的基板111上形成與配線線路進(jìn)行釬焊接合的部位(焊盤112)。形成配線的材料是公知的導(dǎo)電性材料即可，例如可以使用銅或鋁等材料。另外，采用公知的方法形成配線即可，例如，可通過蝕刻在基板111上形成的銅箔等的導(dǎo)體薄膜來形成配線，或者，在基板lll上轉(zhuǎn)印已經(jīng)印刷的配線。除此以外還可利用其它7>知的方法形成配線。接著，如圖8(b)所示，以公知的方法，在基板111和焊盤112的表面的不進(jìn)行釬焊接合的部位上形成阻焊層ll5。阻焊層115是為了保護(hù)基板上的配線而設(shè)置的部件。關(guān)于阻焊層的形成材料，并不作特別限制，如果是絕緣性材料即可，可使用公知的絕緣性材料。然后，如圖8(c)所示，在焊盤112上形成凹部113。上述凹部113能夠以公知的方法形成，例如通過蝕刻法形成。接著，如圖8(d)所示，在凹部113中形成鎳鍍層114。鎳鍍層114的鎳鍍厚度要小于所形成的凹部113的凹部深度L1。鎳鍍層114的鎳鍍厚度L2要比凹部113的凹部深度L1小l|um以上。即，形成鍍敷層使得層厚差L3大于或等于l|iim。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，設(shè)定凹部U3的凹部深度和鎳鍍層114的鎳鍍厚度的至少一者即可。鎳鍍層114也可以通過公知的方法形成，例如，可以通過無電鍍等方法形成。接著，如圖8(e)所示，利用錫基焊料131在進(jìn)行釬焊接合的部位的鎳鍍層U4上進(jìn)行釬焊接合。可利用公知的方法進(jìn)行釬焊接合。錫基焊料131優(yōu)選一般被稱為無鉛的焊料，例如，Sn-Ag-Cu類合金等的錫基焊料。本實(shí)施方式的錫基焊料131優(yōu)選使用上述Sn-Ag-Cu類合金等含有錫的無鉛焊料，但也可以使用現(xiàn)有技術(shù)中的含鉛的Sn-Pb合金或Sn-Pb-Ag合金等的焊料。圖8(e)沒有記述釬焊接合的對(duì)象構(gòu)件，可利用錫基焊料131釬焊接合任意的構(gòu)件。通過上述結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的釬焊接合部中，在界面p2和錫合金層116不容易發(fā)生斷裂(裂紋)。將在后述的實(shí)施例2和實(shí)施例4中詳細(xì)說明上述結(jié)構(gòu)所取得的效果。另外，在上述實(shí)施方式中，說明了在電路基板110的表面上搭載有半導(dǎo)體芯片120的結(jié)構(gòu)。也可以構(gòu)成為圖9所示的電路基板110d那樣的結(jié)構(gòu)，即在基板110d的兩個(gè)表面形成焊盤112、凹部113和鎳鍍層114,并在電路基板110d的兩個(gè)表面設(shè)置阻焊層115,之后在鎳鍍層114上形成外部連接端子130。另外，也可以利用^^知的方法在電路基板110d中形成半導(dǎo)體回路或電路基板。根椐上述結(jié)構(gòu)，可提高如圖10所示的通過層疊并連接多個(gè)半導(dǎo)體電路而構(gòu)成的半導(dǎo)體電路或電路基板的釬焊接合部的連接可靠性。另外，本發(fā)明并不限于上述說明的各結(jié)構(gòu)，能夠在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)作各種變更，通過適當(dāng)組合不同實(shí)施方式所揭示的技術(shù)手段得到的實(shí)施方式也被包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍之內(nèi)。(實(shí)施例1)為了證明在本實(shí)施方式的釬焊接合的剖面形狀為剖面形狀A(yù)的情況下釬焊接合部不容易出現(xiàn)裂紋而進(jìn)行了試驗(yàn)。圖11是表示用于評(píng)價(jià)釬焊接合部的連接可靠性的方法的剖面圖，21ol21Ob中的一個(gè)|^定而錄I離其中另t個(gè)來評(píng)價(jià)釬焊接合部的連i可靠性。在圖11中，利用含有錫的錫基焊料231釬焊接合兩個(gè)相同結(jié)構(gòu)的電路基板210a和電路基板210b,將其中一個(gè)電路基板210a固定于操作臺(tái)面上，向上方拉提另一個(gè)電路基板210b，從而對(duì)釬焊接合部施加負(fù)載。在本實(shí)施例中，對(duì)釬焊接合的接合界面施加與沖擊試驗(yàn)同樣的負(fù)栽。在圖ll所示的實(shí)施例中，向上方拉提電路基板210b來對(duì)釬焊接合部施加負(fù)載，直至釬焊接合部斷裂，電路基板210a和電路基板210b完全分離為止。錫合金層216比其它金屬層即鎳鍍層214或錫基焊料231脆弱，在釬焊接合部產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)容易發(fā)生斷裂(裂紋)。因此，在形成釬焊接合部的金屬層中，錫合金層216發(fā)生斷裂的比率被定義為接合界面斷裂率，評(píng)價(jià)在釬焊結(jié)合部斷裂時(shí)錫合金層216的斷裂率。在表l中列出了按照?qǐng)D11所述的評(píng)價(jià)方法對(duì)凹部深度L1、鎳鍍厚度L2不同的三種結(jié)構(gòu)進(jìn)行試驗(yàn)所得到的接合界面斷裂率。(表l)樣<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>在樣本1中，凹部的凹部深度Ll為6.26|im,鎳鍍厚度L2為7.03pm，剖面形狀為圖1(c)所示的剖面形狀C。在樣本2中，凹部的凹部深度Ll為4.46jLim，鎳鍍厚度L2為8.28fim,剖面形狀為圖1(a)所示的剖面形狀A(yù)。在樣本3中，凹部的凹部深度Ll為4.74pm,鎳鍍厚度L2為16.4)Lim，剖面形狀為圖1(a)所示的剖面形狀A(yù)。在本實(shí)施例中，在樣本1(剖面形狀C)的情況下，接合界面斷裂率為67.9%;在樣本2(剖面形狀A(yù))的情況下，接合界面斷裂率為2.6%;在樣本3(剖面形狀A(yù))的情況下，接合界面斷裂率為1.6%。即，試驗(yàn)結(jié)果為較之于剖面形狀C的結(jié)構(gòu)，剖面形狀A(yù)的結(jié)構(gòu)的錫合金層216不容易斷裂。在通常情況下，錫合金層216較脆，較之于其它金屬容易因?yàn)檩^小的沖擊應(yīng)力發(fā)生斷裂。因此，可以認(rèn)為，在上述剖面形狀A(yù)的情況下，由于用于緩和作用于錫合金層216或鎳鍍層214與錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力的結(jié)構(gòu)發(fā)揮作用，從而使得接合界面斷裂率降低。由此可知，通過構(gòu)成剖面形狀A(yù)，可提高釬焊接合部的連接可靠性。(實(shí)施例2)為了證明在本實(shí)施方式的釬焊接合的剖面形狀為剖面形狀B的情況下釬焊接合部不容易出現(xiàn)裂紋而進(jìn)行了與實(shí)施例1相同的試驗(yàn)。在表2中列出了按照?qǐng)D11所述的評(píng)價(jià)方法對(duì)凹部深度L1、鎳鍍厚度L2不同的三種結(jié)構(gòu)進(jìn)行試驗(yàn)所得到的接合界面斷裂率。(表2)<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>在樣本4中，凹部的凹部深度L1為8.73pm,鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為6.36|Lim，剖面形狀為圖1(b)所示的剖面形狀B。在樣本5中，凹部的凹部深度L1為9.21|um,鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為8.86)um,剖面形狀為圖1(c)所示的剖面形狀C。在樣本6中，凹部的凹部深度L1為8.5l|im,鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為15.54|Lim，剖面形狀為圖1(a)所示的剖面形狀A(yù)。在本實(shí)施例中，在樣本5(剖面形狀C)的情況下，接合界面斷裂率為69.8%;在樣本4(剖面形狀B)的情況下，接合界面斷裂率為7.9%;在樣本6(剖面形狀A(yù))的情況下，接合界面斷裂率為6.8%。即，試驗(yàn)結(jié)果為較之于剖面形狀C的結(jié)構(gòu)，在剖面形狀A(yù)或B的結(jié)構(gòu)中，錫合金層216不容易發(fā)生斷裂。在通常情況下，錫合金層216較脆，較之于其它金屬容易因?yàn)檩^小的沖擊應(yīng)力發(fā)生斷裂。因此，可以認(rèn)為，在上述剖面形狀A(yù)或B的結(jié)構(gòu)的情況下，由于用于41和作用于錫合金層216或鎳鍍層214與錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力的結(jié)構(gòu)發(fā)揮作用，從而使得接合界面斷裂率降低。特別是在上述樣本4的情況下，錫合金層216的厚度形成為約2-4|imi,所以錫合金層216形成于焊盤212和阻焊層215之間的界面pl的附近，成為與剖面形狀C相近的結(jié)構(gòu)。但是由于層厚差L3是2.37pm，所以界面p2形成在偏離界面pl的位置。由此可以認(rèn)為由于用于緩和作用于界面p2上的應(yīng)力的結(jié)構(gòu)發(fā)揮作用，而使得接合界面的斷裂率降低。即，可知通過構(gòu)成剖面形狀A(yù)或B,釬焊接合部的連接可靠性提高。圖12是表示在實(shí)施例1和實(shí)施例2進(jìn)行試驗(yàn)所知的層厚差13與接合界面斷裂率之間關(guān)系的圖表。如困12所示，如果層厚差L3大于或等于2pm,就能將接合界面斷裂率控制在10%以下。另外根據(jù)圖12所示的由試驗(yàn)值推出的近似線可知，當(dāng)層厚差L3為0.4)im左右時(shí)，接合界面斷裂率為60%左右的值，當(dāng)層厚差L3為lpm左右時(shí)，接合界面斷裂率為20%左右的值，當(dāng)層厚差L3為4nm左右時(shí)，接合界面斷裂率將下降至4%。(實(shí)施例3)為了證明在本實(shí)施方式的釬焊接合的剖面形狀為剖面形狀A(yù)的情況下釬焊接合部不容易出現(xiàn)裂紋而進(jìn)行了模擬應(yīng)力分析。生成如圖11所示形態(tài)的分析模型。在表3中，表示了凹部深度L1、鎳鍍厚度L2不同的三種結(jié)構(gòu)的模擬分析結(jié)果。(表3)<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>在樣本sl中，凹部的凹部深度Ll為2|um，鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為2pm,剖面形狀為圖1(c)所示的剖面形狀C。在樣本s2中，凹部的凹部深度Ll為2pm,鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為6ium，剖面形狀為圖1(a)所示的剖面形狀A(yù)。在樣本s3中，凹部的凹部深度L1為2pm，鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為12|um,剖面形狀為圖1(a)所示的剖面形狀A(yù)。上述^f莫擬試驗(yàn)的結(jié)果為在剖面形狀C的樣本sl中，施加在鎳鍍層214和錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力為3.0x108N/m2;在剖面形狀A(yù)的樣本s2中，施加在鎳鍍層214和錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力為2.0x108N/m2;在剖面形狀A(yù)的樣本s3中，施加在鎳鍍層214和錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力為1.4x108N/m2。即，由上述可知，較之于層厚差L3較小的剖面形狀C(樣本sl),在剖面形狀A(yù)(樣本s2或者樣本s3)的情況下，施加在上述界面p2上的應(yīng)力李支小。因此，由實(shí)施例1的試驗(yàn)結(jié)果和本實(shí)施例的模擬試驗(yàn)結(jié)果可知，將鎳鍍層的鎳鍍厚度形成得大于焊盤的蝕刻量(凹部深度)，能夠降低釬焊結(jié)合部的斷裂率，從而可提高連接的可靠性。即，具有可提高釬焊結(jié)合部的連接成功率的效果。(實(shí)施例4)為了證明在本實(shí)施方式的釬焊接合的剖面形狀為剖面形狀B的情況下釬焊接合部不容易出現(xiàn)裂紋而進(jìn)行了模擬應(yīng)力分析。生成如圖11所示形態(tài)的分析模型。在表4中，表示了凹部深度L1、鎳鍍厚度L2不同的三種結(jié)構(gòu)的模擬分析結(jié)果。(表4)<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>在樣本s4中，凹部的凹部深度Ll為6pm，鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為2prn，剖面形狀為圖1(b)所示的剖面形狀B。在樣本s5中，凹部的凹部深度L1為6pm，鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為6iim，剖面形狀為圖1(c)所示的剖面形狀C。在樣本s6中，凹部的凹部深度L1為6nm,鎳鍍層的鎳鍍厚度L2為12jam,剖面形狀為圖1(a)所示的剖面形狀A(yù)。上述模擬試驗(yàn)的結(jié)果為在剖面形狀C的樣本s5中，施加在鎳鍍層214和錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力為3.0x108N/m2;在剖面形狀B的樣本s4中，施加在鎳鍍層214和錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力為1.3x108N/m2;在剖面形狀A(yù)的樣本s6中，施加在鎳鍍層214和錫合金層216之間的界面p2上的應(yīng)力為1.8x108N/m2。即，由上述可知，較之于層厚差L3較小的剖面形狀C(樣本s5),在剖面形狀A(yù)(樣本s6)或剖面形狀B(樣本s4)的情況下，施加在上述界面p2上的應(yīng)力較小。因此，由實(shí)施例1的試驗(yàn)結(jié)果和本實(shí)施例的模擬試驗(yàn)結(jié)果可知，將鎳鍍層的鎳鍍厚度形成得大于焊盤的蝕刻量(凹部深度)，能夠降低釬焊結(jié)合部的斷裂率，從而可提高連接的可靠性。即，具有可提高釬焊結(jié)合部的連接成功率的效果。特別是在上述樣本4的情況下，對(duì)錫合金層216的厚度為4nm的情形進(jìn)行了模擬分析。在這種情況下，錫合金層216與錫基焊料231之間的界面p3和焊盤212與阻焊層215之間的界面pl形成為相同的高度，成為與剖面形狀C相近的結(jié)構(gòu)。但是，由于層厚差L3是4iLim,所以，界面p2形成在偏離界面pl的位置。因此可以認(rèn)為由于用于緩和作用于界面p2上的應(yīng)力的結(jié)構(gòu)發(fā)揮作用，使得接合界面的斷裂率降低。即，可知通過構(gòu)成剖面形狀A(yù)或B，釬焊接合部的連接可靠性提高。因此，由實(shí)施例2的試驗(yàn)結(jié)果和本實(shí)施例的模擬試驗(yàn)結(jié)果可知，將鎳鍍層的厚度形成得小于焊盤的蝕刻量(凹部深度)，能夠降低釬焊結(jié)合部的斷裂率，從而可提高連接的可靠性。即，具有可提高釬焊結(jié)合部的連接成功率的效果。另外，根據(jù)上述實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)所得出的數(shù)值只是一個(gè)示例，上述數(shù)值或結(jié)果可因不同的實(shí)施方法、實(shí)施條件而發(fā)生變化。當(dāng)然，如果上述實(shí)施方法、實(shí)施條件屬于權(quán)利要求所述的范圍，就能夠獲得和上述實(shí)施效果相同的效果。因此，本發(fā)明并不限于上述說明的各結(jié)構(gòu)，能夠在權(quán)利要求所述的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，適當(dāng)組合不同實(shí)施方式所揭示的技術(shù)方法所得到的實(shí)施方式也被包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍之內(nèi)。綜上所述，通過控制在焊盤的用于進(jìn)行釬焊結(jié)合的部位形成的凹部的凹部深度和在上述部位實(shí)施的鎳鍍層的鎳鍍厚度，使得錫合金層或鎳鍍層與錫合金層的界面形成在偏離焊盤的未形成凹部的表面位置，從而可形成在釬焊接合部不容易出現(xiàn)裂紋的結(jié)構(gòu)。因此，能夠提供一種不容易出現(xiàn)裂紋的釬焊接合部、具有該釬焊接合部的電路基板、半導(dǎo)體器件以及確f焊接合部的形成方法。另外，在構(gòu)成其中設(shè)置有錫基焊料作為外部連接端子的半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體器件基板時(shí)，通過形成上述結(jié)構(gòu)的釬焊接合部，能夠大幅度提高釬焊接合部的連接可靠性，從而提高形成釬焊接合部時(shí)的成品率。另外，即使在上述釬焊接合部中錫合金層或錫合金層與錫基焊料之間的界面形成在焊盤的未形成凹部的表面位置的附近，如果鎳鍍層與錫合金層之間的界面偏離了上述表面位置2nm以上，也能夠大幅度提高釬焊接合部的連接可靠性，從而提高形成釬焊接合部時(shí)的成品率。如上所述，在本實(shí)施方式的電子部件中，上述釬焊接合部形成有相對(duì)于上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部，在上述凹部的表面層疊有至少1層金屬層，在上述金屬層被釬焊接合時(shí)形成于上述金屬層表面部的錫合金層和上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。即，如上所述，在本實(shí)施方式的釬焊接合部中，形成有相對(duì)于上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部，在上述凹部的表面層疊有至少1層金屬層，在上屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。例如，也可以構(gòu)成為下述，即上述金屬層^U殳置得高于上述基準(zhǔn)表面，從而使得上述金屬層的表面處于上述凹部之外；或者，上述金屬層被設(shè)置得低于上述基準(zhǔn)表面，從而使得上述金屬層的表面處于上述凹部?jī)?nèi)。即，設(shè)定上述凹部的凹部深度和上述金屬層的至少一者來實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)即可。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于能夠緩和作用于錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力，所以能夠防止在結(jié)構(gòu)上較脆弱的錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上發(fā)生釬焊斷裂。另外，可以構(gòu)成為上述錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面2|um以上。由此，能夠緩和作用于錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分應(yīng)力，從而防止發(fā)生釬焊斷裂。另外，可以構(gòu)成為上述第1金屬層與上述第2金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面2pm以上。由此，可使得第1金屬層和第2金屬層之間的界面的位置有效地偏離包括上迷基準(zhǔn)表面的平面，其中，在第1金屬層和第2金屬層上形成結(jié)構(gòu)較脆弱的錫合金層。所以，能夠緩和作用于上述界面上的一部分應(yīng)力，從而能夠防止發(fā)生釬焊斷裂。另外，上述金屬層可以構(gòu)成為從上述凹部的表面開始依次層疊第1金屬層、第2金屬層。上述金屬層可以形成為含有鎳的金屬層或者含有金的金屬層。另外，上述金屬層也可以構(gòu)成為上述第1金屬層為含有鎳的金屬層，上述第2金屬層為含有金的金屬層。由此，因?yàn)樵陔姌O上形成的凹部被包括鎳的金屬或包括金的金屬的金屬層所覆蓋，所以能夠提高焊料對(duì)上述金屬層的浸潤(rùn)性。特別是在含有鎳的金屬層上設(shè)置含有金的金屬層時(shí)，可提高焊料對(duì)上述金屬層的浸潤(rùn)性而不受在電極的凹部直接設(shè)置含有金的金屬層時(shí)所產(chǎn)生的脆弱的合金層的影響。另外，可以構(gòu)成為上述電極由銅或銅合金形成。另外，上述電子部件可以是電路基板。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠防止在電路基板上形成的釬焊接合部發(fā)生釬焊斷裂。因此，能夠大幅度地提高釬焊接合部的連接可靠性，從而可提高使用本電路基板的電路的制造成品率。另外，能夠提高使用本電路基板制造的器件的可靠性和制造成品率。另外，可以構(gòu)成為在上述電路基板的正、反面具有上述釬焊接合部。由此，即使是層疊并連接多個(gè)半導(dǎo)體電路而構(gòu)成的半導(dǎo)體電路或電路基板，也能夠提高釬焊接合部的連接可靠性。因此，通過大幅度地提高釬焊接合部的連接可靠性，從而可提高使用本電路基板制造的電路的制造成品率。另外，能夠提高使用本電路基板制造的器件的可靠性和制造成品率。另外，可以構(gòu)成為在上述電路基板的釬焊接合部具有通過焊料設(shè)置的外部連接端子?？啃暂^高的釬焊接〖部來形成。因:匕:能夠大;度地s高釬f早接合部;連接可靠性，從而提高使用本電路基板制造的電路的制造成品率。另外，能夠提高使用本電路基板制造的器件的可靠性和制造成品率。另外，如上所述，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，在上述電子部件的釬焊接合部釬焊接合有半導(dǎo)體元件。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠防止電路基板或者釬焊的斷裂，大幅度提高釬焊接合部的連接可靠性。因此，制造的半導(dǎo)體器件的釬焊接合部的連接可靠性大幅度提高，從而提高使用本半導(dǎo)體器件制造的電路的制造成品率。另外，能夠提高使用本半導(dǎo)體器件制造的器件的可靠性和制造成品率。另外，如上所述，本實(shí)施方式的釬焊接合部是被設(shè)置在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上的釬焊接合部，其形成有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部，在上述凹部的表面上層疊至少1層金屬層，在上述金屬層被釬焊接合時(shí)形成于上述金屬層的表面部的錫合金層和上述金屬層之間的界面位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。另外，如上所述，本實(shí)施方式的釬焊接合部是被設(shè)置在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上的釬焊接合部，其形成有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部，在上述凹部的表面上層疊有金屬層，該金屬層是自上述凹部的表面起依次層疊第l金屬層、第2金屬層而構(gòu)成的金屬層，在上述金屬層被釬焊接合時(shí)，上述第l金屬層和上述第2金屬層之間的界面位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。另外，可以構(gòu)成為上述金屬層是含有鎳的金屬層；也可以構(gòu)成為上述第1金屬層是含有鎳的金屬層，上述第2金屬層是含有金的金屬層。由此，因?yàn)樵陔姌O上形成的凹部被包括鎳的金屬等所覆蓋，所以能夠提高焊料對(duì)上述金屬層的浸潤(rùn)性。特別是在含有鎳的金屬層上設(shè)置含有金的金屬層時(shí)，可提高焊料對(duì)上述金屬層的浸潤(rùn)性而不受在電極的凹部直接設(shè)置含有金的金屬層時(shí)所產(chǎn)生的脆弱的合金層的影響。另外，如上所述，本實(shí)施方式的電子部件的制造方法(稱為"第1制造方法")包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，(1)將上述金屬層形成得高于上述基準(zhǔn)表面，或者，(2)將上述金屬層形成得低于上述基準(zhǔn)表面；在上述釬焊接合步驟中，使得上述金屬層與錫合金層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面，其中，上述錫合金層形成在上述金屬層上。另外，如上所述，本實(shí)施方式的電子部件的制造方法(稱為"第2制造方法")包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，(3)在上述凹部的表面上形成要高于上述基準(zhǔn)表面的第一金屬層并在該第一金屬層上形成第二金屬層；或者，(4)在上述凹部的表面上形成要低于上述基準(zhǔn)表面的第一金屬層并在該第一金屬層上形成第二金屬層；在上述釬焊接合步驟中，使得上述第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。根據(jù)上述第1制造方法或者上述第2制造方法，機(jī)械應(yīng)力耐受性較差的錫合金曾以及上述錫合金曾與上述金屬層之間的界面可形成在偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面的位置上。由此，能夠形成用于緩和作用在錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面上的一部分機(jī)械應(yīng)力的結(jié)構(gòu)。即，能夠防止在結(jié)構(gòu)上較脆弱的錫合金層以及錫合金層與金屬層之間的界面發(fā)生釬焊斷裂。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠提供一種不容易出現(xiàn)裂紋的釬焊結(jié)合部、具有該釬焊接合部的電路基板等的電子部件、半導(dǎo)體器件以及電子部件的制造方法。另外，在上述第l制造方法中，可以構(gòu)成為，由包括鎳的金屬、包括金的金屬或包括鎳的金屬和包括金的金屬形成上述金屬層。另外，在上述第2制造方法中，可以構(gòu)成為，上述第一金屬層是含有鎳的金屬層，上述第二金屬層是含有金的金屬層。由此，因?yàn)樵陔姌O上形成的凹部被包括鎳的金屬等所覆蓋，所以能夠提高焊料對(duì)上述金屬層的浸潤(rùn)性。特別是在含有鎳的金屬層上設(shè)置含有金的金屬層時(shí)，可提高焊料對(duì)上述金屬層的浸潤(rùn)性而不受在電極的凹部直接設(shè)置含有金的金屬層時(shí)所產(chǎn)生的脆弱的合金層的影響。綜上所述，在本發(fā)明中，通過控制在焊盤的用于進(jìn)行釬焊結(jié)合的部位形成的凹部的凹部深度和在上述部位實(shí)施的鎳鍍層的鎳鍍厚度，使得錫合金層或鎳鍍層與錫合金層的界面形成在偏離焊盤的未形成凹部的表面位置，從而可形成在釬焊接合部不容易出現(xiàn)裂紋的結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明可適用于釬焊接合的電路基板或按導(dǎo)體器件的釬焊接合部。以上，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，上述具體實(shí)施方式或?qū)嵤├齼H僅是揭示本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的示例，本發(fā)明并不限于上述具體示例，不應(yīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行狹義的解釋，可在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更來實(shí)施之。權(quán)利要求1.一種電子部件，包括具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極，該電極具有用于實(shí)施釬焊接合的釬焊接合部，該電子部件的特征在于上述釬焊接合部具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊有至少一層金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)形成于上述金屬層的表面部的錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。2.—種電子部件，包括具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極，該電極具有用于實(shí)施釬焊接合的釬焊接合部，該電子部件的特征在于上述釬焊接合部具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊有金屬層，該金屬層是自上述凹部的表面起依次層疊第一金屬層、第二金屬層而構(gòu)成的金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述金屬層被設(shè)置得高于上述基準(zhǔn)表面，并且，上述金屬層的表面被設(shè)置在上述凹部之外。4.根椐權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述金屬層被設(shè)置得低于上述基準(zhǔn)表面，并且，上述金屬層的表面被設(shè)置在上述凹部?jī)?nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述錫合金層與上述金屬層之間的界面偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面2jam以上。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于上述第一金屬層和第二金屬層之間的界面偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面2pm以上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述金屬層是自上述凹部的表面起依次層疊第一金屬層、第二金屬層而構(gòu)成的金屬層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述金屬層是含有鎳的金屬層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述金屬層是含有金的金屬層。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于上述第一金屬層是含有鎳的金屬層，上述第二金屬層是含有金的金屬層。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述電極由銅或銅合金形成。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于上述電子部件是電路基板。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子部件，其特征在于在上述電路基板的正面和反面具有上述釬焊接合部。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子部件，其特征在于子。工''、；、15.—種半導(dǎo)體器件，其特征在于在權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的電子部件的釬焊接合部釬焊接合有半導(dǎo)體元件。16.—種釬焊接合部，被設(shè)置在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上，其特征在于具有相對(duì)上迷基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊至少一層金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)形成于上述金屬層的表面部的錫合金層與上述金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。17.—種釬焊接合部，被設(shè)置在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上，其特征在于具有相對(duì)上述基準(zhǔn)表面凹陷的凹部；在上述凹部的表面上層疊有金屬層，該金屬層是自上述凹部的表面起依次層疊第一金屬層、第二金屬層而構(gòu)成的金屬層；在上述金屬層被釬焊接合時(shí)第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的釬焊接合部，其特征在于上述金屬層是含有鎳的金屬層。19.根據(jù)權(quán)利要求17所迷的釬焊接合部，其特征在于上述第一金屬層是含有鎳的金屬層，上述第二金屬層是含有金的金屬層。20.—種電子部件的制造方法，其特征在于，包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，將上述金屬層形成得高于上述基準(zhǔn)表面；在上述釬焊接合步驟中，使得上述金屬層與錫合金層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面，其中，上述錫合金層形成在上述金屬層上。21.—種電子部件的制造方法，其特征在于，包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電^f及上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，將上述金屬層形成得低于上述基準(zhǔn)表面；在上述釬焊接合步驟中，使得上述金屬層與錫合金層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面，其中，上述錫合金層形成在上述金屬層上。22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所迷的電子部件的制造方法，其特征在于上述金屬層由包括鎳的金屬、包括金的金屬、或者包括鎳的金屬及包括金的金屬形成。23.—種電子部件的制造方法，其特征在于，包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，在上述凹部的表面上形成要高于上述基準(zhǔn)表面的第一金屬層并在該第一金屬層上形成第二金屬層；在上述釬焊接合步驟中，使得上述第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。24.—種電子部件的制造方法，其特征在于，包括凹部形成步驟，在具有平坦的基準(zhǔn)表面的電極上形成凹陷的凹部；金屬層形成步驟，在上述凹部的表面形成至少一層金屬層；以及釬焊接合步驟，對(duì)上述金屬層進(jìn)行釬焊接合，其中，在上述金屬層形成步驟中，在上述凹部的表面上形成要低于上述基準(zhǔn)表面的第一金屬層并在該第一金屬層上形成第二金屬層；在上述釬焊接合步驟中，使得上述第一金屬層與第二金屬層之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面的平面。25.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述第一金屬層是含有鎳的金屬層，上述第二金屬層是含有金的金屬層。全文摘要本發(fā)明提供一種電子部件，具有焊盤(112)，該焊盤(112)具有平坦的基準(zhǔn)表面(p1)且具有用于進(jìn)行釬焊接合的釬焊接合部(p3)，釬焊接合部(p3)具有相對(duì)上述焊盤(112)的基準(zhǔn)表面凹陷的凹部(113)，在上述凹部(113)的表面上層疊有鎳鍍層(114)，在上述鎳鍍層(114)被釬焊接合時(shí)形成于鎳鍍層(114)的釬焊接合部(p3)上的錫合金層(116)與上述鎳鍍層(114)之間的界面的位置偏離包括上述基準(zhǔn)表面(p1)的平面。由此，能夠提供一種具有不容易出現(xiàn)裂紋的釬焊接合部的電子部件。文檔編號(hào)H01L23/488GK101211885SQ20071030540公開日2008年7月2日申請(qǐng)日期2007年12月26日優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日發(fā)明者橫林政人,樽井克行申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社