專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施方式涉及一種顯示器件，尤其涉及一種液晶顯示(LCD)器 件及其制造方法。盡管本發(fā)明的實施方式可適用于較寬的應(yīng)用范圍，但尤其適 用于通過減小掩模數(shù)而簡化制造工序，提高生產(chǎn)率，并提高器件可靠性。
背景技術(shù)：
隨著消費者對信息顯示器的關(guān)注度提高且對便攜式(移動)信息設(shè)備的需 求增加，輕且薄的平板顯示器("FPD")的研究和商業(yè)化也在增加。
在FPD中，液晶顯示器("LCD")是用于通過使用液晶的光學(xué)各向異 性來顯示圖像的器件。LCD器件表現(xiàn)出優(yōu)秀的分辨率以及顏色和圖像質(zhì)量， 從而其廣泛用于筆記本計算機(jī)或桌上顯示器等。
LCD包括濾色片基板、陣列基板和形成在濾色片基板與陣列基板之間的 液晶層。
通常用于LCD的有源矩陣(AM)驅(qū)動方法是通過使用非晶硅薄膜晶體管 (a-SiTFT)作為開關(guān)元件來驅(qū)動像素部中的液晶分子的方法。
在LCD的制造工序中，進(jìn)行多個掩模工序(即光刻工序)來制造包含TFT 的陣列基板，從而用于減小掩模工序次數(shù)的方法可提高生產(chǎn)率。 圖1所示為一般LCD器件的分解透視圖。
如圖1中所示，LCD包括濾色片基板5、陣列基豐反IO和形成在濾色片基 板5與陣列基板10之間的液晶層30。
濾色片基板5包括具有實現(xiàn)紅色、綠色和藍(lán)色的多個子濾色片7的濾色片 (C)、用于分割子濾色片7并阻止光穿過液晶層30的黑矩陣6、和用于給液 晶層30施加電壓的透明公共電極8。
陣列基板10包括垂直和水平設(shè)置以確定多個像素區(qū)域(P)的柵線16和 數(shù)據(jù)線17、形成在柵線16和數(shù)據(jù)線17的各個交點處的TFT，即開關(guān)元件以 及形成在像素區(qū)域(P)上的像素電極18。 濾色片基板5和陣列基板10通過形成在圖像顯示區(qū)域邊緣的密封劑(沒 有示出)以面對的方式粘接以形成液晶面板，并且通過形成在濾色片基板5或陣列基板10上的連接鍵實現(xiàn)濾色片基板5和陣列基板10的粘接。
圖2A到2E所示為連續(xù)示出圖1中的LCD的陣列基板制造工序的橫截面圖。
如圖2A中所示，通過使用光刻工序(第一掩模工序)在基板上形成由導(dǎo) 電材料形成的柵極21。
接著，如圖2B中所示，在其上形成有柵極21的基板10的整個表面上連 續(xù)沉積第一絕緣膜15a、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，并且通過使用光刻工序 (第二掩模工序)對非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜選擇性地構(gòu)圖，從而在柵極 21上形成非晶硅薄膜的有源圖案24。
在該情形中，在有源圖案24上形成以與有源圖案24相同形式被構(gòu)圖的 n+非晶硅薄膜圖案25。
之后，如圖2C中所示，在陣列基板10的整個表面上沉積導(dǎo)電金屬材料 并隨后通過使用光刻工序(第三掩模工序)選擇性地構(gòu)圖，從而在有源圖案 24的上部形成由導(dǎo)電金屬材料形成的源極22和漏極23。此時，通過第三掩模 工序去除形成在有源圖案24上的n+非晶硅薄膜圖案的特定部分，從而在有源 圖案24與源極22和漏極23之間形成了歐姆接觸層25'。
隨后，如圖2D中所示，在其上形成有源極22和漏極23的陣列基板10 的整個表面上沉積第二絕緣膜15b，并且通過光刻工序(第四掩模工序)去除 一部分第二絕緣膜15b，從而形成暴露一部分漏極23的接觸孔40。
如圖2E中所示，在陣列基板10的整個表面上沉積透明導(dǎo)電金屬材料并通 過使用光刻工序(第五掩模工序)選擇性地構(gòu)圖，從而形成通過接觸孔40與 漏極23電連接的由透明導(dǎo)電金屬材料形成的像素電極18。
如上所述，在依照現(xiàn)有技術(shù)制造包含TFT的陣列基板中，必須進(jìn)行總共 五輪光刻工序來對柵極、有源圖案、源極和漏極、接觸孔和像素電極進(jìn)行構(gòu)圖。
光刻工序是將形成在掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到其上沉積有薄膜的基板上以形 成理想圖案的工序，其包括多個工序，如涂敷光敏溶液的工序、曝光工序和顯 影工序等，最終導(dǎo)致生產(chǎn)率下降。
尤其是，因為設(shè)計用于形成圖案的掩模十分昂貴，所以隨著工序中使用的
掩模數(shù)增加，LCD的制造成本成比例地增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的實施方式涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺
點而導(dǎo)致的一個或多個問題的液晶顯示器(LCD)及其制造方法。
本發(fā)明的實施方式的一個目的是提供一種通過將有源圖案形成為島狀并 使用蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)來減小截止電流并提高器件可靠性的液晶顯示器(LCD)及 其制造方法。
本發(fā)明的實施方式的另一個目的是提供一種通過進(jìn)行四次掩模工序來制 造陣列基板的LCD及其制造方法，其中通過單個掩模工序形成有源圖案和柵 極，并且不需要額外進(jìn)行掩模工序形成蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明實施方式的其他特征和優(yōu)點一部分在隨后的說明書中列出，一部分 通過下面的內(nèi)容將變得顯而易見或者從本發(fā)明實施方式的實踐而理解到。通過 在所寫說明書和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明實 施方式的目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明實施方式的目的，如這里具體化 和廣泛描述的，液晶顯示器(LCD)包括劃分為像素部及第一和第二焊盤部 的第一基板；形成在第一基板的像素部的柵極和柵線；以島狀形成在柵極上并 具有比柵極小的寬度的有源圖案；絕緣膜，其形成在第一基板上并具有分別暴 露有源圖案的源極和漏極區(qū)域的第一和第二接觸孔；源極和漏極，其形成在第 一基板的像素部處并通過第一和第二接觸孔與有源圖案的源極和漏極區(qū)域電 連接；數(shù)據(jù)線，其形成在第一基板的像素部處并與柵線交叉，從而確定像素區(qū) 域；蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)，其位于源極和漏極之間并形成為絕緣膜；與漏極電連接的 像素電極；以及以面對方式與第一基板粘接的第二基板。
為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明實施方式的目的，如這里具體化 和廣泛描述的，制造液晶顯示器的方法包括提供劃分為像素部及第一和第二 焊盤部的第一基板；在第一基板的像素部處形成柵極和柵線并在柵極上形成島 狀的有源圖案；在第一基板上形成絕緣膜；去除一部分絕緣膜，從而形成暴露 有源圖案的源極和漏極區(qū)域的第一和第二接觸孔，并在源極和漏極區(qū)域之間的 有源圖案上形成由第一絕緣膜形成的蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)；形成通過第一和第二接觸
孔與有源圖案的源極和漏極區(qū)域電連接的源極和漏極，并形成與柵線交叉的數(shù)
據(jù)線，從而確定像素區(qū)域；形成與漏極電連接的像素電極；和粘接第一和第二 基板。
應(yīng)當(dāng)理解，前面的一般描述和隨后的詳細(xì)描述是示范性的和說明性的，意 在提供如權(quán)利要求所述的實施方式的進(jìn)一步解釋。


提供本發(fā)明進(jìn)一步的理解并結(jié)合組成該申請一部分的附解了本發(fā)明 的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。 在附圖中
圖l所示為一般液晶顯示器(LCD)的分解透視圖； 圖2A到2E是連續(xù)顯示圖1中的LCD的陣列基板制造工序的橫截面圖； 圖3所示為依照本發(fā)明第一實施方式的LCD的一部分陣列基板的平面圖； 圖4A到4D是沿圖3中的陣列基板的線IIIa-IIIa，， IIIb-IIIb，和IIIc-IIIc，連 續(xù)顯示制造工序的橫截面圖5A到5D是連續(xù)顯示圖3中的陣列基板制造工序的平面圖； 圖6A到6F是顯示圖4A和5A中的第一掩模工序的橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述液晶顯示器(LCD)及其制造方法。
圖3所示為依照本發(fā)明第一實施方式的LCD的一部分陣列基板的平面圖， 其中為了解釋方便，示出了包含柵極焊盤部和數(shù)據(jù)焊盤部的單個像素。
實際上，彼此交叉形成有N條柵線和M條數(shù)據(jù)線，從而確定了 MxN個 像素。為了簡化解釋，只顯示了單個像素。
如圖3中所示，柵線116和數(shù)據(jù)線117形成為垂直和水平地設(shè)置，從而在 陣列基板110上確定了像素區(qū)域。在柵線116和數(shù)據(jù)線117的交點處形成有薄 膜晶體管(TFT)，即開關(guān)元件。在像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極118，其與TFT 連接，從而與濾色片基板(沒有示出)的公共電極一起驅(qū)動液晶分子(沒有示 出)。
柵極焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極127p形成在陣列基板110的邊緣部并與柵線116和數(shù)據(jù)線117電連接，并將從外部驅(qū)動電路單元(沒有示出)施加
的掃描信號和數(shù)據(jù)信號分別傳送到柵線116和數(shù)據(jù)線117。
就是說，柵線U6和數(shù)據(jù)線in延伸到驅(qū)動電路單元，從而與相應(yīng)柵極焊
盤線116p和數(shù)據(jù)焊盤線117p連接，柵極焊盤線116p和數(shù)據(jù)焊盤線117p通過 與柵極焊盤線116p和數(shù)據(jù)焊盤線117p電連接的柵極焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊 盤電極127p從驅(qū)動電路單元接收掃描信號和數(shù)據(jù)信號。
TFT包括與柵線U6連接的柵極121、與數(shù)據(jù)線117連接的源極122、和 與像素電極118連接的漏極123。 TFT還包括通過供給到柵極121的柵極電壓 而在源極122和漏極123之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案124。
源極122和漏極123的上部由不透明導(dǎo)電材料形成。此外，以與源極122 和漏極123相同的形式，分別對由透明導(dǎo)電材料形成的源極圖案(沒有示出) 和漏極圖案(沒有示出)進(jìn)行構(gòu)圖。
一部分源極122在一個方向上延伸，從而形成一部分?jǐn)?shù)據(jù)線117，并且一
部分漏極圖案延伸到像素區(qū)域，從而形成像素電極118。
在本發(fā)明的實施方式中，有源圖案124由非晶硅薄膜形成并在由柵極121 周邊所確定的邊界內(nèi)在柵極121上形成為島狀，從而減小了 TFT的截止電流。 通過使用衍射(狹縫)掩模或半色調(diào)掩模(之后，假定當(dāng)涉及半色調(diào)掩模時， 其也包括衍射掩模)的單個掩模工序形成有源圖案124和柵極121，因而節(jié)省 了一次制造陣列基板110的掩模工序。
此外，在其中暴露背溝道的源極122和漏極123之間形成有由絕緣膜形 成的蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)150，從而阻止有源圖案124的背溝道的污染。
一部分在前的柵線116'與一部分像素電極118重疊，在其間夾有第二絕緣 膜(沒有示出)，從而形成存儲電容Cst。存儲電容Cst用于均勻地保持施加 給液晶電容的電壓，直到接收下一個信號為止。就是說，陣列基板110的像素 電極118與濾色片基板的公共電極一起形成液晶電容。然而，有時候施加給液 晶電容器的電壓沒有保持到接收下一個信號，而是泄漏了。因此，為了保持施 加的電壓，存儲電容Cst應(yīng)與液晶電容相連。
除了保持信號之外，存儲電容還具有穩(wěn)定灰度再現(xiàn)、減小閃爍影響、和減 小殘余圖像形成等效果。
在依照本發(fā)明實施方式的LCD中，柵極121和有源圖案124通過使用狹
縫掩模的單個掩模工序同時形成，并且不用進(jìn)行任何額外的掩模工序而形成用 于保護(hù)背溝道的蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)150。因而，通過進(jìn)行總共四次的掩模工序制造 陣列基板IIO?，F(xiàn)在將詳細(xì)描述。
圖4A到4D是連續(xù)顯示圖3中的陣列基板制造工序的橫截面圖。左側(cè)顯 示了制造像素部的陣列基板的工序，右側(cè)顯示了制造數(shù)據(jù)線部、數(shù)據(jù)焊盤部和 柵極焊盤部的陣列基板的連續(xù)工序。
圖5A到5D是連續(xù)顯示圖3中的陣列基板制造工序的平面圖。
如圖4A和5A中所示，在由透明絕緣材料，如玻璃形成的陣列基板110 的像素部上形成柵極121和柵線116和116，，在陣列基板110的柵極焊盤部上 形成柵極焊盤線116p。
附圖標(biāo)記116'表示相對于相應(yīng)像素來說在前的柵線，相應(yīng)像素的柵線116 和在前的柵線116'以相同的方式形成。
在本發(fā)明的實施方式中，有源圖案124在柵極121的上部形成為島狀，在 它們之間夾有第一絕緣膜115a。通過在陣列基板110的整個表面上沉積第一 導(dǎo)電膜、第一絕緣膜和非晶硅薄膜并隨后通過光刻工序(第一掩模工序)對其 構(gòu)圖而形成柵極121、柵線116和116'、柵極焊盤線116p和有源圖案124。
這樣，在本發(fā)明的實施方式中，通過使用狹縫掩模同時形成柵極121、柵 線116和116，、柵極焊盤線116p和有源圖案124?，F(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述 第一掩模工序。
圖6A到6F是詳細(xì)顯示圖4A和5A中的第一掩模工序的橫截面圖。
如圖6A中所示，在由透明絕緣材料，如玻璃形成的陣列基板110的整個 表面上連續(xù)沉積第一導(dǎo)電膜130、第一絕緣膜115和非晶硅薄膜120。
這里，第一導(dǎo)電膜130可由低電阻的不透明導(dǎo)電材料，如鋁(Al)、鋁合 金、鴇(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉬(Mo)等形成。此外，第一導(dǎo)電膜 130可通過層疊兩個或多個低電阻導(dǎo)電材料以多層結(jié)構(gòu)形成。
之后，如圖6B中所示，在陣列基板110的整個表面上形成由光敏材料， 如光刻膠形成的感光膜170，其中光通過狹縫掩模180選擇性地照射到該感光 膜170上。
狹縫掩模180包括講照射的光全部透過的第一透射區(qū)域(I)、僅使光一 部分透過而阻擋其余光的第二透射區(qū)域(II)、和全部阻擋照射的光的阻擋區(qū) 域(III)。只有透過半色調(diào)掩模180的光才能照射到感光膜170上。
隨后，當(dāng)對通過狹縫掩模180曝光的感光膜170進(jìn)行顯影時，如圖6C中 所示，第一和第二感光膜圖案170a到170d保留在通過阻擋區(qū)域(III)和狹縫 區(qū)域(II)全部阻擋或部分阻擋光的區(qū)域處，光全部透過的透射區(qū)域(I)處的 感光膜完全被去除，從而暴露出非晶硅薄膜120的表面。
此時，形成在阻擋區(qū)域III處的第一感光膜圖案170a比通過狹縫區(qū)域II 形成的第二到第四感光膜圖案170b到170d厚。此外，光全部透過第一透射區(qū) 域I的區(qū)域處的感光膜完全被去除。這是因為使用了正型光刻膠，但并不限于 此，在本發(fā)明中還可使用負(fù)型光刻膠。
之后，如圖6D中所示，通過使用感光膜圖案170a到170d作為掩模選擇 性地去除下面的第一導(dǎo)電膜、第一絕緣膜和非晶硅膜，從而在陣列基板110 的像素部處形成由第一導(dǎo)電膜形成的柵極和柵線116和116'，在陣列基板110 的柵極焊盤部處形成由第一導(dǎo)電膜形成的柵極焊盤線U6p。
然后，由非晶硅薄膜形成并以與柵極121、柵線116和116'以及柵極焊盤 線116p相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖的像素部非晶硅薄膜圖案120，、柵線部非晶硅薄 膜圖案120"和焊盤部非晶硅薄膜圖案120'"保留在柵極121、柵線116和116'、 和柵極焊盤線116p的上部。
由第一絕緣膜形成并以與柵極121、柵線116和116'以及柵極焊盤線116p 相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖的像素部第一絕緣膜圖案115'、柵線部第一絕緣膜圖案 115"和焊盤部第一絕緣膜圖案U5"'夾在柵線121、柵線116和116'和柵極焊 盤線116p與像素部非晶硅薄膜圖案120，、柵線部非晶硅薄膜圖案120"和焊 盤部非晶硅薄膜圖案120"'之間。
之后，進(jìn)行灰化工序，從而去除一部分第一感光膜圖案170a到170d。然 后，如圖6E中所示，應(yīng)用狹縫曝光的狹縫區(qū)域II的第二到第四感光膜圖案被 完全去除，從而暴露出像素部非晶硅薄膜圖案120，、柵線部非晶硅薄膜圖案 120"和焊盤部非晶硅薄膜圖案120'"的部分表面。
在該情形中，通過僅在對應(yīng)于阻擋區(qū)域III的特定區(qū)域處去除第二到第四 感光膜圖案的厚度，第一感光膜圖案保留為第五感光膜圖案170a'。
之后，如圖6F中所示，通過使用保留的第五感光膜圖案170a'作為掩模去 除一部分像素部第一絕緣膜圖案和像素部非晶硅薄膜圖案，從而形成由非晶硅薄膜形成的柵絕緣膜115a和有源圖案124。此時保留的柵線部非晶硅薄膜圖
案、焊盤部非晶硅薄膜圖案、柵線部第一絕緣膜圖案和焊盤部第一絕緣膜圖案
被去除，從而暴露出柵線116和116'和柵極焊盤線116p的表面。
這樣，在本發(fā)明的實施方式中，可通過使用狹縫掩模的單個掩模工序形成 柵極121、柵線116和116，、柵極焊盤線116p和有源圖案124。因而，可減小 用于制造TFT的掩模數(shù)，因而可減小制造工序和成本并提高生產(chǎn)率。
此外，因為有源圖案124在柵極121上且由柵極周邊所確定的邊界內(nèi)形成 為島狀，所以可減小TFT的截止電流。
接下來，如圖4B和5B中所示，在其上形成有柵極121、柵線116和116'、 柵極焊盤線116p和有源圖案124的陣列基板110的整個表面上沉積第二絕緣 膜U5b，通過光刻(第二掩模工序)去除一部分第二絕緣膜U5b，從而形成 暴露出有源圖案124特定區(qū)域(例如源極和漏極區(qū)域)的第一接觸孔140a和 第二接觸孔140b以及暴露出一部分柵極焊盤線116p的焊盤孔140。
此時，位于有源圖案124背溝道區(qū)域處的第二絕緣膜保留下來形成蝕刻阻 擋結(jié)構(gòu)150。
在依照本發(fā)明實施方式的LCD中，因為形成蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)150來防止暴 露有源圖案124的背溝道以保護(hù)背溝道，所以有源圖案124的厚度相對較薄， 可防止有源圖案124背溝道的污染。因而，柵絕緣膜115a可形成較薄，從而 可充分降低TFT的驅(qū)動電壓和閾值電壓。
參照圖4C和5C，在陣列基板110的整個表面上形成n+非晶硅薄膜和第 二導(dǎo)電膜之后，通過使用光刻工序(第三掩模工序)選擇性地構(gòu)圖，從而形成 通過第一接觸孔與源極區(qū)域電連接的源極和通過第二接觸孔與漏極區(qū)域電連 接的漏極123。
此時，在有源圖案124上形成歐姆接觸層125，其由n+非晶硅薄膜形成并 以與源極122和漏極123相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖，從而使下面的有源圖案124 的源極漏極區(qū)域和源極122和漏極123進(jìn)行歐姆接觸。
通過第三掩模工序在數(shù)據(jù)焊盤部的陣列基板110上形成由第二導(dǎo)電膜形 成的數(shù)據(jù)焊盤線117p，并且由n+非晶硅薄膜形成并以與數(shù)據(jù)焊盤線117p相同 形式被構(gòu)圖的焊盤部n+非晶硅薄膜圖案125p保留在數(shù)據(jù)悍盤線117p的下部。
在該情形中，像素部的一部分源極122在一方向上延伸，從而組成數(shù)據(jù)線
117的一部分，形成在n+非晶硅薄膜上的數(shù)據(jù)線部n+非晶硅薄膜圖案125'以 與數(shù)據(jù)線117相同的形式被構(gòu)圖并保留在數(shù)據(jù)線117的下部。
這里，在本發(fā)明的實施方式中，數(shù)據(jù)線在其下部不具有由非晶硅薄膜形成 的有源圖案的尾部，從而不存在由于有源圖案的尾部所導(dǎo)致的干擾數(shù)據(jù)線117 的信號。例如，在通過使用狹縫掩模的單掩模工序形成有源圖案、源極和漏極 以及數(shù)據(jù)線的工序中，有源圖案的尾部形成在數(shù)據(jù)線的下部。因為具有比數(shù)據(jù) 線大的寬度，所以尾部對數(shù)據(jù)線造成信號干擾并降低了開口率。
為了形成源極122和漏極123、數(shù)據(jù)線U7和數(shù)據(jù)焊盤線117p，第二導(dǎo)電 膜由低電阻不透明導(dǎo)電材料，如鋁(Al)、鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻 (Cr)、鉬(Mo)等形成。
隨后，如圖4D和5D中所示，在陣列基板110的整個表面上形成第三導(dǎo) 電膜，并通過光刻工序(第四掩模工序)選擇性地構(gòu)圖，從而形成與漏極123 電連接的像素電極118并同時形成與柵極焊盤線116p和數(shù)據(jù)焊盤線117p連接 并暴露它們的柵極焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極127p。
此時，在源極122和漏極123上形成由第三導(dǎo)電膜形成并以與源極122 和漏極123相同形式被構(gòu)圖的源極圖案122'和漏極圖案123'，并且一部分漏 極圖案123，延伸到像素區(qū)域，從而形成像素電極118。
像素電極118和數(shù)據(jù)焊盤電極127p直接與下面的漏極123和數(shù)據(jù)焊盤線 117p電連接，柵極焊盤電極126p通過焊盤孔與下面的柵極焊盤線116p電連 接。
此外， 一部分相應(yīng)的像素電極118與一部分在前的柵線116'重疊，從而與 在前的柵線116，一起形成存儲電容Cst，在它們之間夾有第二絕緣膜115b。
為了形成像素電極118、柵極焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極127p，第三 導(dǎo)電膜可由具有良好透光率的透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅 (IZO)形成。
通過施加到圖像顯示部外邊緣的密封劑以面對的方式粘接依照本發(fā)明實 施方式的陣列基板與濾色片基板。在該情形中，濾色片基板包括用于阻止光泄 漏到TFT的黑矩陣、柵線和數(shù)據(jù)線以及用于實現(xiàn)紅色、綠色和藍(lán)色的彩色濾 色片。
通過形成在濾色片基板或陣列基板上的連接鍵實現(xiàn)濾色片基板和陣列基
板的粘接。
在本發(fā)明的實施方式中，作為有源圖案，作為一個例子使用了利用非晶硅 薄膜的非晶硅TFT，但本發(fā)明不限于此，作為有源圖案，還可使用利用多晶硅
薄膜的多晶硅TFT。
本發(fā)明還可適用于使用TFT制造的不同的顯示器件，例如OLED (有機(jī) 發(fā)光二極管)顯示器件，其中OLED與驅(qū)動晶體管連接。
盡管以沒有脫離本發(fā)明精神或?qū)嶋H特性的幾個形式實施了本發(fā)明，但還應(yīng) 理解，上述的實施方式不限于前面描述的任何細(xì)節(jié)，除非另有說明，而是應(yīng)當(dāng) 在所附權(quán)利要求中定義的其精神和范圍內(nèi)廣泛地進(jìn)行解釋，因此通過所附權(quán)利 要求涵蓋落入權(quán)利要求邊界和范圍，或者這種邊界或范圍的等價物內(nèi)的所有變 化和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示器的方法，包括提供劃分為像素部及第一焊盤部和第二焊盤部的第一基板；在第一基板的像素部處形成柵極和柵線并在柵極上形成島狀的有源圖案；在第一基板上形成絕緣膜；去除一部分絕緣膜，從而形成暴露有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一接觸孔和第二接觸孔，并在源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的有源圖案上形成由第一絕緣膜形成的蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)；形成通過第一接觸孔和第二接觸孔與有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域電連接的源極和漏極，并形成與柵線交叉的數(shù)據(jù)線，以限定像素區(qū)域；形成與漏極電連接的像素電極；以及粘接第一基板和第二基板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 通過使用用于形成柵極的第一導(dǎo)電膜在第一基板的第一焊盤部上形成柵極焊盤線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括-通過使用用于形成源極和漏極的第二導(dǎo)電膜在第一基板的第二焊盤部上形成數(shù)據(jù)焊盤線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 通過使用用于形成像素電極的第三導(dǎo)電膜，在第一基板的第一焊盤部上形成與柵極焊盤線電連接的柵極焊盤電極，以及在第一基板的第二焊盤部上形成 與數(shù)據(jù)焊盤線電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 通過使用第三導(dǎo)電膜在源極和漏極的上部處形成以與源極和漏極相同形式進(jìn)行構(gòu)圖的源極圖案和漏極圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，漏極圖案的一部分延伸到 像素區(qū)域，以形成像素電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)位于源極和 漏極之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，柵極、柵線和有源圖案通 過使用衍射(狹縫)掩?；虬肷{(diào)掩模的單個掩模工序形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 形成歐姆接觸層，其位于源極和漏極的下部并以與源極和漏極相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖，從而使源極區(qū)域和漏極區(qū)域與源極和漏極彼此歐姆接觸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 在柵極與有源圖案之間形成由絕緣材料形成并以與有源圖案相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖的柵絕緣膜。
11. 一種液晶顯示(LCD)器件，包括 劃分為像素部及第一焊盤部和第二焊盤部的第一基板； 形成在第一基板的像素部處的柵極和柵線； 以島狀形成在柵極上并具有比柵極小的寬度的有源圖案； 絕緣膜，其形成在第一基板上并具有分別暴露有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一接觸孔和第二接觸孔；源極和漏極，其形成在第一基板的像素部處并通過第一接觸孔和第二接觸 孔與有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域電連接；數(shù)據(jù)線，其形成在第一基板的像素部處并與柵線交叉，以限定像素區(qū)域；蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)，其位于源極和漏極之間并形成為絕緣膜；與漏極電連接的像素電極；和以面對方式與第一基板粘接的第二基板。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括 柵極焊盤線，其由形成柵極的第一導(dǎo)電膜形成，并形成在第一基板的第一焊盤部上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括 數(shù)據(jù)焊盤線，其由形成源極和漏極的第二導(dǎo)電膜形成，并形成在第一基板的第二焊盤部上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括 通過使用用于形成像素電極的第三導(dǎo)電膜形成的與第一基板的第一焊盤部上的柵極焊盤線電連接的柵極焊盤電極和與第一基板的第二焊盤部上的數(shù) 據(jù)焊盤線電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括 通過使用第三導(dǎo)電膜形成在源極和漏極上部的源極圖案和漏極圖案，其以與源極和漏極相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其特征在于，漏極圖案的一部分延伸 到像素區(qū)域，以形成像素電極。
17. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括-歐姆接觸層，其位于源極和漏極的下部并以與源極和漏極相同的形式進(jìn)行 構(gòu)圖，從而使源極區(qū)域和漏極區(qū)域與源極和漏極彼此歐姆接觸。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其特征在于，歐姆接觸層與有源圖案 的一部分源極區(qū)域和漏極區(qū)域、源極和漏極以及絕緣膜接觸。
19. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于， 一部分像素電極與一部 分柵線重疊，并且在它們之間夾置絕緣膜，從而形成存儲電容。
20. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，柵絕緣膜位于柵極的上 部并以與有源圖案相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖。
21. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括 n+非晶硅薄膜圖案，其形成在數(shù)據(jù)線的下部并以與數(shù)據(jù)線相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖。
22. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括 柵絕緣膜，其由柵極與有源圖案之間的絕緣材料形成并以與有源圖案相同的形式進(jìn)行構(gòu)圖。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示(LCD)器件，包括劃分為像素部及第一和第二焊盤部的第一基板；形成在第一基板像素部的柵極和柵線；以島狀形成在柵極上并具有比柵極小的寬度的有源圖案；絕緣膜，其形成在第一基板上并具有分別暴露有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一和第二接觸孔；源極和漏極，其形成在第一基板的像素部處并通過第一和第二接觸孔與有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域電連接；數(shù)據(jù)線，其形成在第一基板的像素部處并與柵極線交叉，從而限定像素區(qū)域；蝕刻阻擋結(jié)構(gòu)，其位于源極和漏極之間并形成為絕緣膜；與漏極電連接的像素電極；和以面對方式與第一基板粘接的第二基板。
文檔編號H01L21/84GK101207092SQ200710198799
公開日2008年6月25日 申請日期2007年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月19日
發(fā)明者李昌斌, 金東瑛 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社