專利名稱：防止水汽和可動(dòng)離子進(jìn)入內(nèi)部電路的方法及相應(yīng)壓焊窗口的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路工藝方法以及壓焊窗口，特別是涉及一種于集成 電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子進(jìn)入內(nèi)部電路的方法及相應(yīng)壓焊窗口。
背景技術(shù)：
在實(shí)際的使用中，集成電路比較容易受到外部環(huán)境的影響，而產(chǎn)生破壞的 主要模式有水汽和可動(dòng)離子對內(nèi)部電路的滲透。單獨(dú)的水汽并不能腐蝕鋁線， 但一旦有離子在水中，就可能形成具腐蝕性的溶液，特別是含磷硅玻璃的介質(zhì) 層中的磷與水汽反應(yīng)形成磷酸，而磷酸會(huì)對金屬連線造成嚴(yán)重的侵蝕。而可動(dòng) 離子的滲透主要導(dǎo)致器件參數(shù)的變化，特別是對場效應(yīng)晶體管的閾值電壓的影 響最大。請參考圖1,其為傳統(tǒng)的集成電路的壓焊窗口的示意圖。在傳統(tǒng)的集成電路制造工藝中，常常利用最后的鈍化層IO來保護(hù)內(nèi)部電路，鈍化層IO—般使用氮化硅或氮氧化硅，因?yàn)樗鼈儗λ涂蓜?dòng)離子有較好的阻擋作用。但后續(xù)需要通過刻蝕打開壓焊窗口 14，因此壓焊窗口 14的側(cè)壁容易受到水汽和可動(dòng)離子 的滲透，特別是為了減小氮化硅或氮氧化硅對下層金屬的應(yīng)力，常常利用二氧 化硅作為氮化硅或氮氧化硅層之下的襯墊層12,而水汽和可動(dòng)離子更容易通過 二氧化硅進(jìn)入內(nèi)部電路(如圖中箭頭所示)，而對內(nèi)部電路產(chǎn)生侵蝕。為此如何保護(hù)壓焊窗口，減少水汽和可動(dòng)離子的滲透量，已成為業(yè)界的一 大問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通 過壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路的方法，以解決傳統(tǒng)工藝中水汽和可動(dòng)離子的滲透對 內(nèi)部電路侵蝕的問題。
本發(fā)明的另 一 目的在于提供一種壓焊窗口 ，其在集成電路制造工藝中可防 止水汽和可動(dòng)離子進(jìn)入而侵蝕內(nèi)部電路。為此，本發(fā)明提供一種于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通過壓焊窗口i^7v內(nèi)部電路的方法，包括以下步驟在打開一壓焊窗口以后，淀積一 鈍化層；保留壓焊窗口側(cè)壁上的鈍化層，去除其余鈍化層，而于壓焊窗口側(cè)壁 形成一鈍化邊墻。進(jìn)一步的，上述鈍化層為一氮化硅層。進(jìn)一步的，上述淀積的鈍化層的厚度為100埃到10000埃。進(jìn)一步的，在形成上述鈍化邊墻的過程中，是通過各向異性的干法刻蝕對 鈍化層進(jìn)行反刻，而去除上述其余鈍化層。進(jìn)一步的，淀積上述鈍化層是采用全片淀積的方式。本發(fā)明另提供一種壓焊窗口 ，可以防止水汽和可動(dòng)離子在集成電路制造工 藝中進(jìn)入內(nèi)部電路，該壓焊窗口包括 一鈍化邊墻，形成于該壓焊窗口的側(cè)壁。進(jìn)一步的，上述《屯化邊墻的厚度為100埃到10000埃。進(jìn)一步的，上述鈍化邊墻是通過各向異性的干法刻蝕對一鈍化層進(jìn)行反刻 而形成的。焊窗口。綜上所述，本發(fā)明利用鈍化層反刻而于壓焊窗口的側(cè)壁上形成邊墻，從而 防止水汽和可動(dòng)離子通過壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路而對其產(chǎn)生侵蝕。


圖1為傳統(tǒng)的集成電路的壓焊窗口；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中淀積有一鈍化層的壓焊窗口示意圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中形成的帶有鈍化邊墻的壓焊窗口的示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施 方式作進(jìn)一步的說明。
請參考圖2，其為本發(fā)明一實(shí)施例中淀積有一鈍化層的壓焊窗口示意圖。為 防止水汽和可動(dòng)離子在傳統(tǒng)集成電路的壓焊窗口 14側(cè)壁進(jìn)入內(nèi)部電路，本發(fā)明 一實(shí)施例于傳統(tǒng)壓焊窗口 14上淀積一鈍化層16。繼續(xù)參考圖3，其為本發(fā)明一 實(shí)施例中形成的帶有鈍化邊墻的壓焊窗口的示意圖。而后，保留壓焊窗口14側(cè) 壁上的鈍化層16，去除其余鈍化層16,而于壓焊窗口側(cè)壁上形成鈍化邊墻18， 從而在鈍化邊墻18的保護(hù)下，水汽和可動(dòng)離子很難進(jìn)入內(nèi)部電路而對其產(chǎn)生侵 蝕，從而減少了外部環(huán)境對內(nèi)部電路的侵蝕和對器件參數(shù)漂移的影響。以上鈍化層16可以是對水汽和可動(dòng)離子有較好的阻擋作用的氮化硅層，其 厚度一般為100埃到10000埃。另外鈍化層16可以通過化學(xué)汽相淀積而成，如 圖2所示，其為全片淀積的方式。淀積以后，可以通過各向異性的干法刻蝕對 鈍化層16進(jìn)行反刻，而去除除壓焊窗口 14側(cè)壁上以外的鈍化層16,而形成帶 有鈍化邊墻18的壓焊窗口 14，。從而本發(fā)明一實(shí)施例還提供一種壓焊窗口 14，，可以防止水汽和可動(dòng)離子在 集成電路制造工藝中進(jìn)入內(nèi)部電路，其包括鈍化邊墻18,形成于壓焊窗口 14， 的側(cè)壁上。如上所述，上述鈍化邊墻18是通過各向異性的干法刻蝕對一4屯化層 進(jìn)行反刻而形成的，而此鈍化層是以全片淀積的方式淀積而成。此鈍化邊墻18, 也就是說鈍化層的材質(zhì)可以是氮化硅，厚度一般為100埃到10000埃。以上僅為舉例，并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求 書所涵蓋的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通過壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路的方法，其特征是，包括在打開一壓焊窗口以后，淀積一鈍化層；保留壓焊窗口側(cè)壁上的鈍化層，去除其余鈍化層，而于壓焊窗口側(cè)壁形成一鈍化邊墻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通過 壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路的方法，其特征是，其中上述鈍化層為一氮化硅層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通過 壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路的方法，其特征是，其中上述淀積的鈍化層的厚度為100 埃到10000埃。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通過 壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路的方法，其特征是，其中在形成上述鈍化邊墻的過程中， 是通過各向異性的干法刻蝕對鈍化層進(jìn)行反刻，而去除上述其余鈍化層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子通過 壓焊窗口進(jìn)入內(nèi)部電路的方法，其特征是，其中淀積上述鈍化層是采用全片淀 積的方式。
6. —種壓焊窗口，可以防止水汽和可動(dòng)離子在集成電路制造工藝中進(jìn)入內(nèi) 部電路，其特征是，包括一鈍化邊墻，形成于該壓焊窗口的側(cè)壁。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓焊窗口，其特征是，其中上述鈍化邊墻為一氮 化硅邊墻。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓焊窗口，其特征是，其中上述鈍化邊墻的厚度 為100埃到10000埃。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓焊窗口，其特征是,其中上述鈍化邊墻是通過 各向異性的干法刻蝕對一鈍化層進(jìn)行反刻而形成的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的壓焊窗口，其特征是，其中上述鈍化層是在打開 壓焊窗口之后以全片淀積的方式淀積于壓焊窗口。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種于集成電路制造工藝中防止水汽和可動(dòng)離子進(jìn)入內(nèi)部電路的方法和相應(yīng)壓焊窗口。該方法包括在打開壓焊窗口以后，淀積一鈍化層；保留該壓焊窗口側(cè)壁上的鈍化層，去除其余鈍化層，而于壓焊窗口側(cè)壁形成鈍化邊墻。在此鈍化邊墻的保護(hù)下，水汽和可動(dòng)離子很難進(jìn)入內(nèi)部電路而對其產(chǎn)生侵蝕，從而減少了外部環(huán)境對內(nèi)部電路的侵蝕以及對器件參數(shù)漂移的影響。
文檔編號H01L21/02GK101211800SQ200710172930
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月25日
發(fā)明者顧學(xué)強(qiáng) 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司