專利名稱：發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要披露了 一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，更特別地是將 發(fā)光二極管與透明基板上的金屬層電性連接的封裝結(jié)構(gòu)及其制作 方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light emitting diode, LED)在各種電子產(chǎn)品與工業(yè) 上的應(yīng)用日益普及，由于所需的能源成本遠(yuǎn)^氐于傳統(tǒng)的白熱燈或熒 光燈，且單一的發(fā)光二極管的尺寸非常的輕巧，是傳統(tǒng)光源所不能 達(dá)到的，因此在電子產(chǎn)品體積日益輕薄短小的趨勢之下，發(fā)光二極 管的需求也與日倶增。
發(fā)光二極管是一種可以將電能直接轉(zhuǎn)換為光能的發(fā)光組件，由 于不需經(jīng)過將電能轉(zhuǎn)換成熱能的熱熾發(fā)光過程。因此也稱為冷發(fā)光 組件。發(fā)光二極管除了具有高發(fā)光效率之外，也是一種微小的固態(tài) 光源(solid state illuminator),可制作成半導(dǎo)體芯片形式，具有半導(dǎo)體 p-n 4妾面結(jié)斗勾。在》匕p-n才妾面的兩端施力o電壓以通入電流之后，隨 即產(chǎn)生電子與空穴往此p-n 4妻面流動，并結(jié)合而釋方文出光子。
就發(fā)光二一及管的亮度方面而言， 一舶^人為現(xiàn)階段的發(fā)光二極 管，其技術(shù)上已經(jīng)具備冷陰極燈管一半左右的效率，甚至其發(fā)光效 能可以與冷陰極燈管并駕齊驅(qū)，發(fā)光二極管的光效率主要與兩者有 關(guān) 一是與半導(dǎo)體芯片本身的發(fā)光效率，另一個是將半導(dǎo)體芯片封裝完成之后的光提取率。關(guān)于半導(dǎo)體芯片發(fā)光效率的主要發(fā)展方向
為電致發(fā)光材料的研發(fā)、以及4是高半導(dǎo)體芯片結(jié)晶性的研究，以
增加半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的量子效率。
對于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的光提取率而言，由于半導(dǎo)體芯片所 產(chǎn)生的光線大部份都因界面全反射而回到半導(dǎo)體芯片內(nèi)部，而且全 反射的光線會^皮發(fā)光層本身與電極、基板吸收。因此，外部對半導(dǎo) 體晶粒的光提取率遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的量子效率。
鑒于此，雖然發(fā)光二極管已具有能源成本遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的白熱燈 或焚光燈的好處，且還具有尺寸輕巧的優(yōu)點(diǎn)，這些是傳統(tǒng)光源所不 能達(dá)到的優(yōu)點(diǎn)，但是如何更進(jìn)一步地提高對發(fā)光二極管在完成封裝 后的光提取率，以使得發(fā)光二極管的半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的量子效率達(dá) 到更高的使用效率，為當(dāng)前技術(shù)的首要發(fā)展目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以的問題，本發(fā)明的主要目的在于提供的透明載板可以 與發(fā)光二極管同時進(jìn)行制造，可縮短發(fā)光二極管封裝的時間，由此 減少過程時間以節(jié)省過禾呈成本。
本發(fā)明的另一主要目的在于將發(fā)光二極管直接與透明載板接 合，由此增加組件的堅固程度。
才艮據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明披露一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)
構(gòu)，包括具有第一表面及第二表面的載板；金屬層，配置在載板 的第一表面上且金屬層的中央?yún)^(qū)域配置有貫穿第一表面及第二表 面的孔洞，以棵露出載板的部份第一表面；發(fā)光二極管，具有發(fā)光 功能的半導(dǎo)體層的兩側(cè)邊上配置有N電極及P電極，且該P(yáng)電極與 金屬層的第 一表面形成電性連接；第一電性連接組件與金屬層形成電性連接；第二電性連接組件，與N電極形成電性連接；及封月交體， 用以包覆發(fā)光二4及管、金屬層及凈果露出第 一 電性連4妻組件及第二電 性連接組件。
另外，本發(fā)明還4皮露另一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括:載板， 具有第一表面及第二表面；圖案化的金屬層，配置在載板的第一表 面上；發(fā)光二極管，其具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層的同一側(cè)上配置有 N電極及P電極，N電極與P電極分別有導(dǎo)電組件與圖案化的金屬 層形成電性連接； 一對電性連接組件，分別與圖案化的金屬層形成 電性連接；及封膠體，用以包覆發(fā)光二極管、金屬層及棵露出一對 電性連4妻組件。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的封裝方法，其包含:提供具有第 一表面及第二表面的載板，其上配置有貫穿第一表面及第二表面的 多個孔洞；形成圖案化的金屬層在載板的第一表面上，且凈果露出多 個孔洞以及該載板的部份第一表面；提供多個發(fā)光二極管，每一個 發(fā)光二才及管中具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層的兩側(cè)邊上配置有N電招^ 及P電極；貼附每一個發(fā)光二極管，是將每一個發(fā)光二極管的任一 N電才及側(cè)或P電才及側(cè)逐一貼附并電性連4妾至圖案^:的金屬層的第一
表面上；提供多個電性連接組件，是部份形成在圖案化的金屬層的 第一表面之上及部份形成在每一個發(fā)光二極管的任一 N電極或任 一P電極上；執(zhí)行注模步驟，用以包覆每一個發(fā)光二極管、部份圖 案化的金屬層以及棵露出部份的電性連接組件；以及切割載板，以 形成多個發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的封裝方法，包括:提供具有第一 表面及第二表面的載板，其上配置有貫穿第一表面及第二表面的多 個孔洞；形成圖案化的金屬層在載一反的第一表面，且^果露出多個孔 洞及載板的部份第一表面；提供多個發(fā)光二極管，每一個發(fā)光二極 管的主動面上的同側(cè)配置有N電才及及P電才及；貼附每一個發(fā)光二才及管，是經(jīng)配置于主動面上的每一個發(fā)光二極管的N電極側(cè)及P電極
側(cè)逐一貼附并電性連接至圖案化的金屬層的第 一表面上；形成多個 電性連接組件在圖案化的金屬層的第一表面上；注才莫步驟，用以包 覆每一個發(fā)光二極管、部份圖案化金屬層及棵露出部份的電性連接 組件；及切割載板，以形成多個發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明所披露的實施例，表示一發(fā)光二極管的剖面 示意圖2是根據(jù)本發(fā)明所披露的另一實施例，表示另一發(fā)光二極管 的剖面示意圖3A是4艮據(jù)本發(fā)明所4皮露的實施例，表示一載才反上配置有圖 案化的金屬層的俯視圖3B是根據(jù)本發(fā)明所披露的實施例，表示根據(jù)圖3A中的A-A 線^段的剖面示意圖4A至圖4C是根據(jù)本發(fā)明所披露的實施例，表示發(fā)光二極 管的封裝結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖5是才艮據(jù)本發(fā)明所披露的實施例，表示完成封裝的發(fā)光二極 管與聚光罩的剖面示意圖6A是4艮據(jù)本發(fā)明所披露的另一實施例，表示在一載板上配 置有圖案化的金屬層的俯視圖6B是根據(jù)本發(fā)明所披露的另一實施例，表示根據(jù)圖6A中 的A-A線,殳的剖面示意圖；圖7A至圖7C是根據(jù)本發(fā)明所披露的另一實施例，表示發(fā)光 二極管的封裝結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖8A至圖8B是根據(jù)本發(fā)明所披露的另一實施例，表示在圖 案化的金屬層上形成電性連接組件的步驟示意圖；及
圖9A及圖9B是根據(jù)本發(fā)明所披露的另一實施例，表示完成 封裝的發(fā)光二極管與聚光罩的剖面示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明在此所探討的方向為一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，為了 能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的封裝結(jié)構(gòu)及其 封裝步驟。顯然地，本發(fā)明的施行并未限定發(fā)光二極管封裝的方式 的普通技術(shù)人員所熟知的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾所周知的發(fā)光二
避免造成本發(fā)明不必要的限制。然而，對于本發(fā)明的優(yōu)選實施例， 則會詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述之外，本發(fā)明還可以廣 泛地施4亍在其它的實施例中，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以之后 的4又利要求書為準(zhǔn)。
首先參考圖1，是表示本發(fā)明所披露的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。 此發(fā)光二才及管結(jié)構(gòu)10包含具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層103的兩側(cè)邊 上配置有N電才及107及P電才及109,此發(fā)光二才及管結(jié)構(gòu)10還包4舌 設(shè)置在P電極109及半導(dǎo)體層103之間的基底101以及設(shè)置在N電 極107及半導(dǎo)體層103之間的透明導(dǎo)電層15。
如圖2所示，表示本發(fā)明所*披露的另一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)20包含具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層203,以及在半導(dǎo)體層203的同 一側(cè)上配置有N電才及207及P電才及209。此外，發(fā)光二才及 管結(jié)構(gòu)20還包括形成在半導(dǎo)體層203之下的基底201,以及i殳置在 半導(dǎo)體層203及N電極207之間的透明導(dǎo)電層205。
接著，圖3A及圖3B是表示本發(fā)明所披露的俯視圖及剖視圖。 如圖3A所示，提供具有第一表面及第二表面的載板(carrier substrate)30，其中載板30為透明材料，其材質(zhì)可以是玻璃或是光學(xué) 級的玻璃。請繼續(xù)參考圖3A,多個圖案化的金屬層40配置在載板 30的上表面之上，且在此圖案化的金屬層40的中央?yún)^(qū)域配置有貫 穿載板30上表面及下表面的孔洞402,以使載板30的部份上表面 棵露。在此，多個圖案化的金屬層40形成在載板30的方法包括 先將金屬層形成在載板30上；然后涂布光阻層(在圖中未示出) 于金屬層之上并經(jīng)過圖案化的光罩曝光及顯影后，在金屬層上形成 具有圖案化的光阻層；接著，執(zhí)行蝕刻步驟，以移除部份的金屬層； 再接著，將光阻層移除，由此在載板30上形成多個相同圖案化的 金屬層40,其中，每一個金屬層40的中央?yún)^(qū)域附近形成孔洞402, 以佼/昨為發(fā)光二才及管光線的出口 。
接著，如圖3B所示，是表示由圖3A的A-A剖面示意圖。同 樣的，載斧反30具有第一表面及第二表面，且在載板30的第一表面 上配置有多個圖案化的金屬層40以及孔洞402。
緊接著，圖4A至圖4C是表示發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的步驟 示意圖。首先，如圖4A所示，將發(fā)光二極管10的P電極109貼附 在圖案化的金屬層40的部份上表面上，以形成電性連接，在此具 體實施例中，在發(fā)光二極管10的P電極109與圖案化的金屬層40 之間通過導(dǎo)電膠(在圖中未示出)形成電性連接，且此導(dǎo)電膠的材質(zhì) 為錫膏(paste)。在此要說明的是，在本發(fā)明所披露的具體實施例中， 發(fā)光二極管10可以是綠光、紅光或是藍(lán)光，因此并不限定發(fā)光二才及管為發(fā)紅光、綠光、藍(lán)光、白光或其它顏色的光，只要是符合圖 1所示的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，均為本發(fā)明的目的。
接著，請參考圖4B，是提供多個電性連接組件，其中一部份 電性連4妄組件502形成在圖案化的金屬層40上，且與圖案化的金 屬層40形成電性連接；而另外一部份的電性連接組件504與發(fā)光 二極管10的N電極107形成電性連接。要說明的是，在本發(fā)明中 所才皮露的多個電性連4妄組件502/504其可以為一種金手指結(jié)構(gòu)或一 種金屬引線；當(dāng)電性連接組件502/504為金手指結(jié)構(gòu)時，通過絕續(xù)— 材料(例如塑料)或是陶瓷材料(ceramic)來包覆電性連接組件 502/504。因此，才艮據(jù)以上所述，在本發(fā)明的具體實施例中，電性連 接組件502及電性連接組件504與圖案化的金屬層40及N電極107 之間，分別通過導(dǎo)電膠形成電性連接，且此導(dǎo)電膠的材質(zhì)可以是錫 膏(paste)。
請繼續(xù)參考圖4C,在圖4B的結(jié)構(gòu)中注入模流，利用封膠體60 包覆發(fā)光二極管10、圖案化的金屬層40及電性連接組件，其中電 性連接組件502及電性連接組件504的一部份則會棵露在封膠體60 外，以便作為電源連接。在本發(fā)明的具體實施例中，封膠體60可 以是環(huán)氧化物(epoxy)或是膠體(colloid)。
緊接著，在完成上述圖4C的步驟之后，再進(jìn)行載板的切割過 程(sawing process),并依照載才反30上切割道301的位置來切割透明 載板30及封月交體60,以形成多個完成封裝的發(fā)光二才及管。4艮明顯 地，本發(fā)明所4皮露的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，已通過透明基板30及 封月交體60將發(fā)光二才及管10完全包覆，再經(jīng)由^果露在去W交體60外 的電性連接組件502及電性連接組件504與電源連4妄時，就可以發(fā) 光了。然而，為使發(fā)光二極管的光能夠有一致的方向，以增加發(fā)光 的亮度，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，可以選4奪在已完成封裝的發(fā)光 二^ l管外再加上聚光罩80,且于聚光罩80內(nèi)側(cè)的部^f分位置配置反
13射層(在圖中未示出)，以便形成優(yōu)選的光反射3各徑，以增加發(fā)光
的亮度。要說明的是，在本發(fā)明進(jìn)行加入聚光罩80的步驟，可以
如傳統(tǒng)發(fā)光二一及管的制造方式，即先將每一顆發(fā)光二才及管切割成獨(dú)
立個體后，再逐一加上聚光罩80,而加上聚光罩80的方式可以4吏 用膠著方式來黏合，也可以使用固定件來嵌合，本發(fā)明并不加以限 制；同時，本發(fā)明對于聚光罩80的材質(zhì)也并未限制，例如塑料 材料。此外，在本發(fā)明的實施例中，可以在完成圖4C的結(jié)構(gòu)后， 就先進(jìn)行聚光罩80的黏合或嵌合，使得聚光罩80與完成封裝的發(fā) 光二極管10的透明基板30的第二表面接合，如圖5所示。很明顯 地，此方式可以避免發(fā)光二才及管10 一皮污染，同時也能通過聚光罩 80內(nèi)側(cè)的部份位置配置反射層(在圖中未示出)，以增加發(fā)光的亮度。
另外，本發(fā)明還披露另 一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方 法，如圖6所示，其中圖6A是表示提供透明載4反32,其具有第一 表面及第二表面，且在透明載^反32的第一表面上配置有多個相同 圖案化的金屬接點(diǎn)40。而圖6B是才艮據(jù)圖6A中A-A線段的剖面示意圖。
緊接著，圖7A至圖7C是表示發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的步驟 示意圖。首先，如圖7A所示，是提供多個發(fā)光二極管20,其在具 有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層203的同一側(cè)配置有N電極207及P電極 209。接著，貼附每一個發(fā)光二極管20,是將配置于半導(dǎo)體層203 上的N電極側(cè)207及P電極側(cè)209貼附并電性連接至圖案化的金屬 接點(diǎn)40的第一表面上方。在本發(fā)明所4皮露的具體實施例中，發(fā)光 二極管20的N電極207及P電極109是由導(dǎo)電組件70與圖案化的 金屬接點(diǎn)40形成電性連接，其中導(dǎo)電組件70可以是金屬凸塊(metal bump)或是錫球(solder ball)。
接著，如圖7B所示，是提供多個電性連接組件50,并將此多 個電性連接組件50與圖案化的金屬接點(diǎn)40的上表面電性連接。如前所述，在此實施例中所4皮露的多個電性連接組件50為一種金手
指結(jié)構(gòu)，通過絕緣材料(例如塑料)或是陶瓷材料(ceramic)來包覆電 性連4妄組件50。另外，在本實施例中，多個電性連4妻組^牛50也可 以是金屬引線，直接與圖案化的金屬接點(diǎn)40的上表面電性連接。 同樣地，上述這些電性連接組件50與圖案化的金屬接點(diǎn)40之間通 過導(dǎo)電膠形成電性連接，而導(dǎo)電膠的材質(zhì)可以是錫膏(paste)。
接著，如圖7C所示，在圖7B的結(jié)構(gòu)中注入模流，利用封膠體 600包覆發(fā)光二極管20、圖案化的金屬接點(diǎn)40及電性連接組件50， 其中電性連接組件50的一部份則會棵露在封膠體600外，以便作 為電源連接。在本發(fā)明的具體實施例中，封膠體600可以是環(huán)氧化 物(epoxy)或是膠體(colloid)。
另夕卜，本發(fā)明還披露另一種在圖案化的金屬層上形成電性連接 組件的具體實施例。如圖8A及圖8B所示，在本實施例中，在將多 個發(fā)光二才及管20與透明載板32上的多個圖案化的金屬接點(diǎn)40完 成電性連^妄之后，即先進(jìn)4亍注才莫過程(molding process),以形成封月交 體600來包覆多個發(fā)光二極管20及圖案化的金屬接點(diǎn)40。緊接著， 在完成只寸準(zhǔn)過禾呈(alignmentprocess)之后，利用々蟲刻步駛朵，例3。干式 蝕刻或是反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)，將部份圖案化的金屬接點(diǎn)40上的 封膠體600移除，以形成多個孔洞602并曝露出圖案化的露出金屬 接點(diǎn)40的部份第一表面。接著，再利用電鍍(plating)的方式，將導(dǎo) 電材料填滿在這些孔洞602內(nèi)，以形成多個電性連接組件50，再接 著，在多個電性連接組件50上形成多個導(dǎo)電組件90之后，即可以 完成發(fā)光二極管20的封裝過程步驟。同樣地，在此本實施例中的 導(dǎo)電組件90可以是錫球(solder ball)也可以是金屬凸塊(solder bump)。
緊*接著，在完成上述圖7C及圖8B的步-驟之后，再進(jìn)行載板的 切割過程(sawing process),并依照載斧反30上切割道301的位置來切割透明載板30及封膠體600,以形成多個完成封裝的發(fā)光二極管。 同樣地，本發(fā)明所4皮露的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，已通過載才反30及 封膠體60將發(fā)光二極管20完全包覆，再通過棵露在封膠體60外 的電性連4妄組件50與電源連4妄時，就可以發(fā)光了。然而，為4吏發(fā) 光二極管20的光能夠有一致的方向，以增加發(fā)光的亮度，在本發(fā) 明的一優(yōu)選實施例中，可以選才奪在已完成封裝的發(fā)光二極管20夕卜 再加上聚光罩80,且于聚光罩80內(nèi)側(cè)的部份位置配置反射層(在 圖中未示出)，以1更形成優(yōu)選的光反射3各徑，以增加發(fā)光效率。要 i兌明的是，在本發(fā)明進(jìn)行加入聚光罩80的步驟，可以如傳統(tǒng)發(fā)光 二極管的制造方式，即先將每一顆發(fā)光二極管切割成獨(dú)立個體后， 再逐一加上聚光罩80,而加上聚光罩80的方式可以-使用膠著方式 來黏合，也可以〃使用固定件來嵌合，本發(fā)明并不加以限制；同時， 本發(fā)明對于聚光罩80的材質(zhì)也并未限制，例如塑料材料。此外， 也可以在完成圖7C或圖8B的結(jié)構(gòu)后，就先進(jìn)4亍聚光罩80的黏合 或嵌合，使得聚光罩80與完成封裝的發(fā)光二極管20的透明基板30 的第二表面接合，如圖9A及圖9B所示。很明顯地，此方式可以避 免發(fā)光二極管20被污染，同時也能通過聚光罩80內(nèi)側(cè)的部份位置 配置反射層，以增加發(fā)光亮度。
雖然本發(fā)明以前述的優(yōu)選實施例披露如上，然而其并非用以限 定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)，可作些許的變動與^f務(wù)飾，因此本發(fā)明的專利〗呆護(hù)范圍須朝L 本說明書所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
主要組件符號說明
10 發(fā)光二才及管 101 基底
103 半導(dǎo)體層 105 透明導(dǎo)電層107 N電才及
20 發(fā)光二極管
203 半導(dǎo)體層
207 N電極
30 載板
40 圖案化的金屬層(金屬接點(diǎn))
402 中央?yún)^(qū)i戈
502 第一電性連接組件
60 封膠體
70 導(dǎo)電紐/f牛
90 導(dǎo)電組4牛
109 P電才及
201 基底
205 透明導(dǎo)電層
209 P電極
301 切割道
50 電性連"l妾組件
504 第二電性連接組件
602 孔洞
80 聚光罩
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板，具有第一表面及第二表面；金屬層，具有上表面及下表面，所述下表面固接于所述載板的第一表面上，所述金屬層的中央?yún)^(qū)域配置有貫穿所述上表面及所述下表面的孔洞以裸露出部份所述載板的第一表面；發(fā)光二極管，其具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層的兩側(cè)邊上配置有N電極及P電極，且所述P電極與一部份所述金屬層的所述上表面形成電性連接；第一電性連接組件，與所述金屬層的另一部份上表面形成電性連接；第二電性連接組件，與所述發(fā)光二極管的所述N電極電性連接；及封膠體，包覆所述發(fā)光二極管、所述金屬層、一部份所述第一電性連接組件以及一部份所述第二電性連接組件，而所述第一電性連接組件及所述第二電性連接組件的另一部份裸露于所述封膠體外。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括聚光罩，形成于所述 載斧反的所述第二表面。
3. —種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板，具有第一表面及第二表面；圖案化的金屬層，配置在所述載板的所述第一表面上；發(fā)光二極管，其具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層的同一側(cè)上配置有N電極及P電極，且所述N電極與所述P電極分別由導(dǎo)電材料與所述圖案化的金屬層電性連接；一對電性連接組件，分別與所述圖案化的金屬層電性連接；及封膠體，包覆所述發(fā)光二極管、所述圖案化的金屬層及 一部^f分所述電性連4妻組件，而所述電性連4秦組件的另 一部傷4果 露于所述封"交體外。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括聚光罩，形成于所述 載4反的所述第二表面。
5. —種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板，具有第一表面及第二表面；圖案化的金屬層，配置在所述載板的所述第一表面上；發(fā)光二極管，其具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層的同一側(cè)上配 置有N電才及及P電才及，且所述N電才及與所述P電才及分別由金 屬材料與所述圖案化的金屬層電性連接；一對電性連沖妄組件，每一所述電性連4妾組件的第一端分 別與所述圖案化的金屬層電性連接；及封膠體，包覆所述發(fā)光二極管、所述圖案化的金屬層及 所述電性連4妻組件，而所述電性連4妄組件的第二端#果露于所述 封膠體外；及一對金屬凸塊，分別與所述對的電性連接組件的所述第 二端電性連4妾。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括聚光罩，形成于所述 載4反的所述第二表面。
7. —種發(fā)光二極管的封裝方法，包括提供具有第 一表面及第二表面的載板；形成多個相同的金屬層于所述載板的第一表面上，每一 所述金屬層具有上表面及下表面，其中所述下表面固4姿于所述 載板的第一表面上，每一所述金屬層的中央?yún)^(qū)域配置有貫穿所 述上表面及所述下表面的孔洞以棵露出部份所述載板的第一 表面；提供多個發(fā)光二極管，每一所述發(fā)光二極管的具有發(fā)光 功能的半導(dǎo)體層的兩側(cè)邊上配置有N電極及P電極；貼附每一所述發(fā)光二極管，是將每一所述發(fā)光二極管的 任一所述N電才及側(cè)或所述P電才及側(cè)逐一貼附并電性連4妻至所 述金屬層的所述第一表面上；提供多個電性連接組件，是部份電性連接在所述金屬層 的所述第一表面上及部份電性連接在每一所述發(fā)光二極管的 4壬一所述N電才及或所述P電才及之上；執(zhí)行注一莫，以形成封膠體來包覆每一所述發(fā)光二極管、 所述金屬層及一部^f分所述電性連接組件，而所述電性連4妄組件 的另一部傷"陳露于所述封月交體外；及切割所述載板及所述封膠體，以形成多個發(fā)光二極管的 封裝結(jié)構(gòu)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝方法，還包括聚光罩，形成于所述 載板的所述第二表面。
9. 一種發(fā)光二極管的封裝方法，包括提供載板，其具有第一表面及第二表面；形成多個具有相同圖案化的金屬4妄點(diǎn)在所述載寺反的所述第一表面上；提供多個發(fā)光二極管，每一所述發(fā)光二極管的主動面上 的同側(cè)配置有N電才及及P電才及；貼附所述發(fā)光二才及管，是將所述發(fā)光二極管的所述N電 極及所述P電極貼附并電性連接至所述圖案化的金屬接點(diǎn)的 所述第一表面上；形成多個電性連接組件于所述圖案化的金屬接點(diǎn)的所述 第一表面上；執(zhí)行注模，以形成封膠體來包覆每一所述發(fā)光二極管、 所述圖案化的金屬4妄點(diǎn)及一部份所述電性連4妄組件，而所述電 性連接組件的另 一部傷"寐露于所述封月交體外；及切割所述載板及所述封膠體，以形成多個發(fā)光二極管的 封裝結(jié)構(gòu)。
10. —種發(fā)光二極管的封裝方法，包括提供載板，其具有第一表面及第二表面；形成多個具有相同圖案化的金屬^妻點(diǎn)于所述載^反的所述 第一表面上；提供多個發(fā)光二極管，每一所述發(fā)光二極管的主動面上 的同側(cè)配置有N電才及及P電才及；貼附所述發(fā)光二一及管，是將所述發(fā)光二4及管的所述N電 極及所述P電極貼附并電性連接至所述圖案化的金屬接點(diǎn)的 所述第一表面上；執(zhí)行注模，以形成封膠體來包覆所述發(fā)光二極管及所述 圖案化的金屬接點(diǎn)；形成多個孔洞以暴露出部份所述圖案化的金屬接點(diǎn)；填滿所述孔洞以形成多個電性連4妄組件且所述多個電性 連接組件的 一 端與所述圖案化的金屬4妄點(diǎn)的所述第 一 表面電 性連接；及形成多個導(dǎo)電組件在所述電性連接組件的另一端上；及 切割所述載板，以形成多個發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明披露一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，包括具有第一表面及第二表面的載板；金屬層，配置在載板的第一表面上且金屬層的中央?yún)^(qū)域配置有貫穿的孔洞，以裸露出載板的部份第一表面；發(fā)光二極管，具有發(fā)光功能的半導(dǎo)體層的兩側(cè)邊上配置有N電極及P電極，且P電極與金屬層的第一表面形成電性連接；第一電性連接組件與金屬層形成電性連接；第二電性連接組件，與N電極形成電性連接；及封膠體，用以包覆發(fā)光二極管、金屬層及裸露出第一電性連接組件及第二電性連接組件。
文檔編號H01L23/31GK101414652SQ20071016426
公開日2009年4月22日 申請日期2007年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月17日
發(fā)明者葉秀慧 申請人:葉秀慧