專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置可被
應(yīng)用于液晶顯示元件的背光源(backlight)、便攜式照相機的 閃光光源等。
背景技術(shù)：
已經(jīng)研制了使用發(fā)光二極管元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，該半 導(dǎo)體發(fā)光裝置可被應(yīng)用于便攜式裝置中的液晶顯示元件的背光 源、便攜式裝置中的照相機的閃光光源等。將分別參照圖l和圖 2說明現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的實例。
圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1如下構(gòu)造。發(fā)光二極管元件(下 文中稱為LED元件)5:帔安裝在印刷線路板4上，在該印刷線路 板4,在絕緣基板2上形成期望的布線圖3。殼體6通過祐結(jié)層7 一體地形成在布線圖3上。此處，殼體6用作反射體。此外，殼 體6填充有透明樹脂8并且覆蓋LED元件5。布線圖3形成為延伸 至絕緣基板2的背側(cè)且由兩個布線部3a和3b組成。將LED元件5 放置在一個布線部3a上，以在LED元件5的背部電極(未示出) 與布線部3a之間形成連接。此外，LED元件5通過細金屬線9在 LED元件5的前部電極(未示出)與另 一布線部3b之間形成連接。 在該半導(dǎo)體發(fā)光裝置l中，在從LED元件5發(fā)出的光線之中，除 了直接向上輸出的光線外，其它光線(即沿側(cè)向輸出的光線) 在殼體6的反射面6A上被反射，并轉(zhuǎn)向向上?？偟膩碚f，從LED 元件5向上發(fā)光。
圖2所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置11如下構(gòu)造。通過在將引線框12 放置于其中的同時注射成型樹脂而在基板13上形成具有反射面的殼體14。將LED元件15安裝在殼體14中的引線框n上，然后 用期望的熒光層16覆蓋L E D元件15 ，同時使殼體14充滿透明樹 脂17。在該實例中，所使用的LED元件15為藍色LED元件，所 使用的熒光層16含有紅色和黃色兩種熒光物質(zhì)。此處，從LED 元件15發(fā)出的藍光激發(fā)熒光層16中的紅色熒光物質(zhì)層和黃色熒 光物質(zhì)發(fā)光，以獲得白光。在該半導(dǎo)體發(fā)光裝置ll中，在所發(fā) 出的光線之中，除了直接向上輸出的光線外，沿側(cè)向輸出的其 它光線在反射面14A即殼體14的內(nèi)表面上被反射?？偟膩碚f， 向上發(fā)出白光。
此外，日本待審專利申請公報No.2002-280616提出另 一半 導(dǎo)體發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置如下構(gòu)造。封裝成型的 (package-molded)產(chǎn)品設(shè)有凹部，然后將發(fā)光元件放置在凹 部中，使得發(fā)光元件可接近正引線電極和負引線電極。隨后， 使凹部充滿透明樹脂。日本待審專利申請公報No.2005-294736 提出另一半導(dǎo)體發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置如下構(gòu)造。在引線框上 安裝LED芯片。然后，在該引線框上形成由具有高反射性的不 透光樹脂成型的燈室(lamp house )，接著用透光樹脂填充方文置 有LED燈的燈室的凹部。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置通過 根據(jù)發(fā)出的光的輸出來設(shè)計端子(terminal )部而具有特定結(jié)構(gòu)。 因此，存在至少兩種類型的發(fā)光裝置，即頂視型和側(cè)視型。例 如，頂視型裝置構(gòu)造為閃光單元，使得光可從基板安裝面垂直 地輸出。例如，側(cè)視型裝置構(gòu)造為液晶顯示裝置的背光源，使 得光可平行于基板安裝面輸出，以將光輸入到導(dǎo)光板的側(cè)面。
越來越多地研制便攜式裝置，從而安裝于其中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)應(yīng)被小型化?，F(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)在安裝LED元件時
可能有困難，從而可能限制產(chǎn)生的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的尺寸，且
還可能限制光輸出效率。此處，光輸出效率由下式(1)定義 光輸出效率呵從LED輸出的光量/LED的發(fā)光面積所確定的 光量]a[ ( LED的發(fā)光面積所確定的光量x有效反射率x吸光率)
/ L E D的發(fā)光面積所確定的光量]
期望提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其能夠組合側(cè)視型與頂視 型，同時即使在小芯片尺寸和更加小型化結(jié)構(gòu)的情況下也具有 提高的光輸出效率。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其包括 發(fā)光半導(dǎo)體元件，其被布置在引線框上；透明樹脂成型體，其 覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體元件和引線框的除了該引線框的端子部之外的 部分；以及反射面，其形成在作為引線框一部分的彎曲部上。 引線框的端子部具有端子結(jié)構(gòu)，該端子結(jié)構(gòu)可用作頂視型和側(cè) 視型的組合。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，發(fā)光半導(dǎo)體元 件被放置在引線框上。然后，部分引線框被彎曲以提供反射面， 接著用透光樹脂成型體覆蓋。因此，由于可減少零件數(shù)和生產(chǎn) 步驟數(shù)，所以半導(dǎo)體發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)可簡化和小型化。通過在 引線框的彎曲部上反射來輸出來自發(fā)光半導(dǎo)體元件的光，從而 可提高光輸出效率(即，輸出光的亮度)。此外，該半導(dǎo)體發(fā)光 裝置可對應(yīng)于頂視型和側(cè)視型構(gòu)造中的任何 一 種。
因此，如上所述，可提供根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光 裝置，用于側(cè)視型和頂視型的組合。即使發(fā)光半導(dǎo)體元件具有 小芯片尺寸，也可提高其光輸出效率，同時減少零件數(shù)并允許 更小型化的結(jié)構(gòu)。


圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的實例的示意性剖 視圖。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的另 一 實例的示意 性剖視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性透視圖。
圖4是圖示當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光裝置被構(gòu)造成側(cè)視型時，將根據(jù)本 發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝在基板上的狀態(tài)的說明圖。
圖5是圖示當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光裝置被構(gòu)造成頂視型時，將根據(jù)本 發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝在基板上的狀態(tài)的說明圖。
圖6A至圖6C圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其 中圖6A為裝置的俯視圖，圖6B為沿圖6A中的線B-B的剖視圖， 圖6C為沿圖6A中的線C-C的剖視圖。
圖7為圖示應(yīng)用到根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的 發(fā)光半導(dǎo)體元件的實例的剖視圖。
圖8是示出應(yīng)用到根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的 矩形發(fā)光半導(dǎo)體元件的實例的平面圖。
圖9A與圖9B圖示根據(jù)本發(fā)明另 一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝 置，其中圖9A為平面圖，而圖9B為剖視圖。
圖IO是示出根據(jù)本發(fā)明另 一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的實 質(zhì)性部分的放大剖視圖。
圖11是示出應(yīng)用到本發(fā)明實施例的防護二極管(protective diode )的實例的平面圖。
圖12A至圖12C圖示制造根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光 裝置(1/2部分)的方法，其中圖12A為該裝置的平面圖，圖12B 與圖12C為該裝置的剖視圖，用于圖示工序的各步驟。圖13A至圖13C圖示制造根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光 裝置(2/2部分)的方法，其中圖13A、圖13B和圖13C為該裝置 的剖視圖，用于圖示工序的各步驟。
具體實施例方式
下文中，將詳細說明本發(fā)明的實施例。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。該實施例的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置21如下構(gòu)造。發(fā)光半導(dǎo)體元件23被安裝在引線 框22上。此處，部分引線框22可用作反射體。此外，透光樹脂 成型體25覆蓋整個發(fā)光半導(dǎo)體元件23和除引線框22的端子部 22A之外的引線框22。發(fā)光半導(dǎo)體元件23可以為例如LED元件。
在半導(dǎo)體發(fā)光裝置21的成品結(jié)構(gòu)中，引線框22形成為長的 薄構(gòu)件，引線框22的沿長度方向(長軸方向)的相反端以預(yù)定 角度彎曲。例如，分別以向內(nèi)傾斜的角度彎曲。彎曲部可分別 用作聚光反射體24。位于長度方向相反端的聚光反射體24具有 設(shè)置為反射面26的內(nèi)表面。
此外，引線框22的沿寬度方向(短軸方向)的相反端以預(yù) 定角度彎曲，例如分別以向內(nèi)傾斜的角度彎曲。彎曲部可分別 用作聚光反射體24。位于寬度方向相反端的聚光反射體24分別 具有設(shè)置為反射面27的內(nèi)表面。
引線框22被電氣分成用于與發(fā)光半導(dǎo)體元件23的相反電極 電分離和電連4^的兩部分。此外，如稍后iJL明的圖12A所示， 在引線框22中形成槽28,以將引線框的寬度方向上的用作聚光 反射體24的兩端部從平坦端子部22A分開。因此，可便于寬度 方向上的相反端的彎曲。換句話說，槽28使得可沿圖12A所示 的虛線a正確且容易地進行彎曲。
引線框22的端子部(或外部端子部)22A從透光樹脂成型體25向外延伸。端子部22A具有用作頂視型和側(cè)視型的端子結(jié) 構(gòu)。換句話說，每個端子部22A在平面圖中形成為L形。具體地， 端子部22A形成為L形，使得其可處理來自發(fā)光半導(dǎo)體元件23 的任何輸出方向的光。例如，發(fā)光半導(dǎo)體裝置21可被放置在導(dǎo) 光板30的側(cè)面上(見圖4),以允許從發(fā)光半導(dǎo)體元件23發(fā)出的 光35入射在導(dǎo)光板30的側(cè)面上。在此情況下，如圖4所示，L形 端子部22A可以以例如直角彎曲。底端部(或平行于發(fā)光方向
從發(fā)光半導(dǎo)體元件23發(fā)出的光35可沿平行于印刷線路板31的安 裝面的方向輸出，然后入射在導(dǎo)光板30的側(cè)面上。在此情況下， 構(gòu)造了側(cè)視型的半導(dǎo)體發(fā)光裝置21。
此外，例如如圖5所示，當(dāng)從發(fā)光半導(dǎo)體元件23發(fā)出的光35 沿垂直于安裝印刷線路板31的安裝面的方向輸出時，L形端子 部22A的端部29A可被切去。在此情況下，可選擇地，L形端子 部22A的端部29A可保持在L形中而不彎曲，同時其正面或背面 被確定為用于安裝印刷線路板31的表面。相反，如圖4所示的部 分端子部22A可被彎曲，使得其具有垂直于發(fā)光方向的表面的 端部29B可被確定為安裝印刷線路板31的表面。由于端部29B被
于安裝印刷線路板31的表面的方向輸出。在此情況下，構(gòu)造了 頂視型的半導(dǎo)體發(fā)光裝置21。
半導(dǎo)體發(fā)光裝置21將引線框22的端子部22A電連接至印刷 線路板31,例如柔性印刷板。
引線框22由具有反射性和導(dǎo)電性的材料制成，例如在半導(dǎo) 體技術(shù)領(lǐng)域中采用的如Cu、 42-合金(鐵基)及Cu-合金(黃銅) 中的任一種。引線框22用作反射體，從而引線框22優(yōu)選地可由 具有盡可能高的反射性的材料制成。在該實施例中，可通過電鍍或沉積在引線框22的如Cu、 42-合金(鐵基)或Cu-合金(黃 銅)等基底材料上形成具有高反射性的金屬層42 (見圖6B)。 該金屬可為白金屬，如Ag、 Al或Ni。
根據(jù)該實施例，發(fā)光半導(dǎo)體元件23包括三種不同的發(fā)光半 導(dǎo)體元件藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B、紅色發(fā)光半導(dǎo)體元件23R 以及綠色發(fā)光半導(dǎo)體元件23G。這些元件沿長度方向布置在引 線框22上。如圖6A和圖6B所示，藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B位于 該配置的中間位置。綠色發(fā)光半導(dǎo)體元件23G被安裝在一個分 開的引線框部22B上。藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B和紅色發(fā)光半導(dǎo) 體元件23R二者被安裝在另 一個分開的引線框部22C上。這三個 發(fā)光半導(dǎo)體元件23B 、 23R和23G經(jīng)由例如細Au線等細金屬線32 通過引線接合法(wire-bonding)串聯(lián)連接，同時被電連接至引 線框22?？捎眠@三個發(fā)光半導(dǎo)體元件23R、 23G和23B獲得白光。
例如，可如圖7 (沿圖8中線A-A的剖視圖)所示那樣構(gòu)造 發(fā)光半導(dǎo)體元件23。具體地，將n-型GaN層45、活性層46、 p-型GaN層47以及蓋層(cap layer) 48依次堆疊在藍寶石襯底44 上。p-側(cè)電極49形成在蓋層48上。另一方面，將產(chǎn)生的堆疊體 有選擇地蝕刻以露出部分n型GaN層45,然后在該部分上形成n 側(cè)電極50。除了p-側(cè)電極49和n-側(cè)電極50的連接面之外，使堆 疊體的整個表面覆蓋有絕緣膜以形成鈍化膜51 。
具體地，當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光裝置21用于如移動電話裝置等便攜 式裝置時，其尺寸可為例如2.8mm ( L;長度)x0.8mm ( W; 寬度)xi.2mm(H;高度)。可根據(jù)包括機械強度等條件確定 這些數(shù)值。近年來，存在減小導(dǎo)光板厚度的趨勢。例如，當(dāng)導(dǎo) 光板的寬度(W)為0.3mm時，半導(dǎo)體發(fā)光裝置21的寬度(W) 也可相應(yīng)地減小。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，發(fā)光半導(dǎo)體元件23優(yōu)選地構(gòu)造成用于獲得強光的從平面圖看(從頂面看)時為矩形的芯片(或長
芯片)。如圖8所示，發(fā)光半導(dǎo)體元件23可形成為矩形，其中其 長度方向?qū)?yīng)于在引線框上布置發(fā)光半導(dǎo)體元件23的方向。此 外，p-側(cè)電極49和n-側(cè)電極50分別形成在發(fā)光半導(dǎo)體元件(或 LED元件)23的相反端上。如圖8所示，設(shè)置從p-側(cè)電極49延伸 至芯片中央的長電極53，用于形成均勻的電流或均勻的電流密 度。該矩形發(fā)光半導(dǎo)體元件23優(yōu)選具有1.0: 1.2或更大的水平-垂直比。
當(dāng)從平面圖看時，典型的發(fā)光半導(dǎo)體元件(LED元件)形 成為方形。由于半導(dǎo)體發(fā)光裝置的尺寸比以前的任何都小，發(fā) 光半導(dǎo)體元件23的面積減小導(dǎo)致發(fā)光量減少，并且還導(dǎo)致引線 框尺寸減小。結(jié)果，例如，發(fā)光半導(dǎo)體元件23的布置發(fā)生改變， 由于有效反射率降低及吸光率增加而導(dǎo)致光輸出效率降低。
如上所述，發(fā)光半導(dǎo)體元件23形成為矩形，且被布置成其 長度方向?qū)?yīng)于引線框22的長度方向。因此，與方形發(fā)光半導(dǎo) 體元件相比，可提高光輸出效率(或輸出光的亮度)。此處，發(fā) 光半導(dǎo)體元件23的結(jié)構(gòu)可如下設(shè)計。將發(fā)光半導(dǎo)體元件23布置 在引線框上，然后通過彎曲引線框來形成反射面，該反射面靠 近并面向發(fā)光半導(dǎo)體元件的側(cè)面。如果在平面視圖中矩形發(fā)光 半導(dǎo)體元件與方形發(fā)光半導(dǎo)體元件具有相同的面積，則矩形發(fā)
因此，從矩形元件的反射面反射的光輸出量比方形元件的多。 結(jié)果，在不增大芯片尺寸的情況下，可提高光輸出效率且可輸 出強光。
另 一方面，在典型的方形發(fā)光半導(dǎo)體元件的中央形成電極。 該電極可用作光吸收體。為確保引線接合的面積，電極所占的 面積百分比隨著芯片尺寸的減小而增大。結(jié)果，出現(xiàn)光輸出效率的降低。相反，如圖8所示，在矩形發(fā)光半導(dǎo)體元件23的情況 下，p-側(cè)電才及49和n-側(cè)電才及50形成在矩形的相反端。因此，電 極對光的吸收減少，同時光輸出效率提高到 一 定程度。
通過比較相同LED芯片面積的矩形和方形，矩形的光輸出 效率比方形的增加30%至50%。本發(fā)明人首先研究并發(fā)現(xiàn)，隨 著發(fā)光半導(dǎo)體元件23尺寸的減小，矩形發(fā)光半導(dǎo)體元件表現(xiàn)出 光輸出效率的提高。
根據(jù)上述實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置21，引線框22的端子部 22A形成為平面圖中的L形。取決于頂一見型或側(cè)^L型，引線框22 的端子部22A彎曲或保持原樣。因此，在單個半導(dǎo)體發(fā)光裝置 21中，可共同4吏用側(cè)-見和頂浮見。也就是說， 一個組件(package ) 同時用作側(cè)一見型和頂-現(xiàn)型。
此外，引線框的寬度方向上的相反端分別被部分彎曲以形 成聚光反射體24。然后，來自LED元件23的光入射在聚光反射 體24的反射面27上。結(jié)果，可在不增大發(fā)光半導(dǎo)體元件23的尺 寸或芯片尺寸的情況下，提高輸出光的亮度。引線框22的兩端 部被彎曲以提供聚光反射體24，且其內(nèi)表面還可用作反射面26。 因此，還可向前輸出反射光，有助于提高光輸出效率。此外， 與典型結(jié)構(gòu)不同，不需要任何單獨的發(fā)光反射體。因此，可減 少零件數(shù)。除此之外，還可減少生產(chǎn)步驟數(shù)。
此外，可通過將發(fā)光半導(dǎo)體23制成矩形來提高光輸出效率。 在圖9A、圖9B和圖10中，示出作為本發(fā)明另一實施例的半 導(dǎo)體發(fā)光裝置。在使用LED元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，內(nèi)置諸 如齊納二極管(Zener diode)等防護二極管，用于LED元件的 靜電保護。在本實施例中， 一個單色LED元件同時覆蓋有熒光 層，以輸出白光。本實施例應(yīng)用于具有內(nèi)置防護二極管的半導(dǎo) 體發(fā)光裝置。如圖9B所示，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置61 中，在引線框22上布置單色發(fā)光半導(dǎo)體元件(在該實施例中為 藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B)。然后，將具有紅、綠和藍熒光物質(zhì) 的熒光層67形成為覆蓋藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B,接著放置防 護二極管63。
在本實施例中，特別地，在引線框22的應(yīng)布置防護二極管 63的區(qū)域上形成凹部62。將防護二極管63布置成藏在凹部62中， 在該防護二極管6 3的正面和背面上形成有電極6 4 A和6 4 B 。如圖 IO所示，將凹部62的深度(Z)確定為使得防護二極管63的上 表面上的電極64A的表面與引線框22的放置發(fā)光半導(dǎo)體元件23 的表面22d處于相同的水平面?？蛇x擇地，將深度(Z)確定為 使得防護二極管6 3的上表面上的電極6 4 A的表面比引線框的表 面22d所在的水平面低。其它結(jié)構(gòu)部件與圖3和圖6A至圖6C所示 的實施例中采用的相同，使得對應(yīng)零件具有相同的附圖標(biāo)記以 省略重復(fù)說明。
根據(jù)上述本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置61，來自藍色發(fā)光半 導(dǎo)體元件23B的光激發(fā)紅、綠和藍熒光物質(zhì)發(fā)光，以輸出白光。 在本實施例中，將防護二極管63放置在引線框22的凹部62中， 以藏于其中。因此，防護二極管63不會阻擋來自發(fā)光半導(dǎo)體元 件23的側(cè)向光。因此，來自發(fā)光半導(dǎo)體元件23的光不被防護二 極管63吸收，從而可獲得一定程度的光輸出效率的增加。此外， 本實施例具有與根據(jù)先前實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置21相同的效 果。
防護二極管63的芯片典型地由硅(Si)制成，且硅本身為 黑色的。因此，當(dāng)將防護二極管63放置在與發(fā)光半導(dǎo)體元件23 相同的平面上時，防護二極管63的芯片吸收沿側(cè)向從發(fā)光半導(dǎo) 體元件23發(fā)出的光。結(jié)果，可能出現(xiàn)光輸出效率的降低。然而，如本實施例中所說明的那樣，可通過在引線框22中形成凹部62、 然后將防護二極管63放置在凹部62中來防止光的吸收。結(jié)果， 側(cè)向光在引線框22的端部的反射面26上被反射而被輸出。因此， 可獲得光輸出效率的進一 步提高。
此外，例如，如圖ll所示，防護二才及管63優(yōu)選地可在正面 和背面上形成有大表面積的電極64A和64B (例如A1電極)，尤 其在正面上形成電連接接合用的大表面積電極64A。換句話說， 由于Si的表面為黑色并吸收光，所以可能出現(xiàn)光輸出效率的降
射體的功能，可進一步提高光輸出效率。在此情況下，電極64A 形成有剩余邊緣區(qū)域65,該區(qū)域可確保如齊納二極管等防護二 極管63的8kV的耐壓(resistingpressure)。具體地，電極端部與 芯片端部之間的距離或不包括任何電極的邊緣區(qū)域65的寬度 (X)為101im至50pm,優(yōu)選地為10lam至25(im。如果該3巨離小 于10pm,則可能不能獲得8kV的耐壓(即p-n結(jié)上的耐壓)。如 果該距離超過50pm,則由于吸收光的可能性隨著防護二極管63 上的硅的露出面積的增加而增加，因而并不是優(yōu)選的。防護二 極管63的芯片典型地為方形。
圖9A和圖9B所示的包括形成在引線框22中的凹部62以及 放置在凹部62中的防護二極管63的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)可被 應(yīng)用于圖3、圖6A和圖6B所示的實施例。
下面將說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方 法。該實施例應(yīng)用于制造圖9A和圖9B所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
首先，如圖12A所示，形成引線框22。該引線框22在放置 防護二極管的部分上具有凹部62。引線框22形成為經(jīng)由連接部 68與周邊部69連接，該連接部68從位于兩縱向端部的端子部 22A延伸。接著，如圖12B所示，將引線框22的周邊部沿虛線彎曲， 以形成具有反射面的彎曲部。在此狀態(tài)下，將藍色發(fā)光半導(dǎo)體 元件23B布置在引線框部分中的一個上，并將防護二極管63放 置在凹部62中。
接著，如圖12C所示，例如，通過用細金屬線32引線接合 而將防護二極管63、藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B和引線框22彼此 電連接。
接著，如圖13A所示，用包括紅、綠和藍熒光物質(zhì)的熒光 層67覆蓋藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B。
接著，如圖13B所示，采用傳遞成型法(transfer molding method)來成型除端子部22A之外的引線框22、帶有熒光層67 的藍色發(fā)光半導(dǎo)體元件23B以及防護二極管63。換句話說，用 透光樹脂成型體25覆蓋這些部件。
接著，沿圖12A所示的虛線69切割引線框22的連接部68。 根據(jù)側(cè)視型或頂視型來彎曲引線框22的面向外部的端子部 22A。從而，可獲得如圖13C所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置61。換句話 說，圖13C圖示對應(yīng)于側(cè)視型的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
如上所述，可簡化根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的 制造方法。此外，如圖3和圖6A至圖6C所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置 21的制造方法也可根據(jù)圖12A至圖12C以及圖13A至圖13C所示 的步驟來進行。
已參照

了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)了解本發(fā)明不 限于這些精確的實施例，且在不偏離所附權(quán)利要求書限定的本 發(fā)明的精神或范圍的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可實施各種更 改和變形。
相關(guān)申請的交叉引用
本發(fā)明包含與2007年5月29日在日本專利局提交的日本專利申請JP 2007-141420相關(guān)的主題，該申請的全部內(nèi)容通過引
用包含于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其包括發(fā)光半導(dǎo)體元件，其被布置在引線框上；透明樹脂成型體，其覆蓋所述發(fā)光半導(dǎo)體元件和所述引線框的除了所述引線框的端子部之外的部分；以及反射面，其形成在作為所述引線框一部分的彎曲部上，其中，所述引線框的所述端子部具有端子結(jié)構(gòu)，該端子結(jié)構(gòu)可用作頂視型與側(cè)視型的組合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述引線框的所述端子部在平面圖中為L形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 還包括防護二極管，其被布置在所述引線框的凹部中，其中， 所述防護二極管的上表面位于所述引線框的布置所述發(fā)光 半導(dǎo)體元件的布置平面的下方。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述防護二極管的所述上表面上的電極形成在除了邊緣區(qū)域之外的整個表面上，該邊緣區(qū)域用于確保所述防護二極管的 耐壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光半導(dǎo)體元件在平面圖中形成為矩形； 所述發(fā)光半導(dǎo)體元件被放置成其長度方向沿著所述引線框的長度方向延伸；以及反射面形成在所述引線框的彎曲部上，所述反射面靠近并
6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 分別發(fā)出紅光、發(fā)出綠光和發(fā)出藍光的三個發(fā)光半導(dǎo)體元件被布置在所述引線框上。
7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 發(fā)出單色光的發(fā)光半導(dǎo)體元件被放置在所述引線框上，且
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其包括發(fā)光半導(dǎo)體元件，其被布置在引線框上；透明樹脂成型體，其覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體元件和引線框的除了引線框的端子部之外的部分；以及反射面，其形成在作為引線框一部分的彎曲部上。引線框的端子部具有端子結(jié)構(gòu)，該端子結(jié)構(gòu)可用作頂視型和側(cè)視型的組合。
文檔編號H01L25/00GK101315963SQ200710153870
公開日2008年12月3日 申請日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月29日
發(fā)明者阿部修 申請人:巖谷產(chǎn)業(yè)株式會社;巖谷電子株式會社