專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置和包含所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置的電子 設(shè)備。
要求2003年5月1日申請(qǐng)、申請(qǐng)?zhí)枮?003-126316的日本專(zhuān)利申請(qǐng) 的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)其內(nèi)容本文中參考引用。
背景技術(shù)：
目前，顯示裝置必須能顯示彩色圖像。通常，為了顯示彩色圖像，使 用多組三種類(lèi)型點(diǎn)，即多組紅、綠、藍(lán)點(diǎn)作為最小顯示單位(子像素)， 它們分別發(fā)紅光(R)、綠光(G)和藍(lán)光(B)。這些三種類(lèi)型點(diǎn)形成一個(gè) 像素，它是彩色顯示的最小單位。
作為這些形成像素的點(diǎn)(子像素)的布置圖案，圖12A中所示的色條 圖案、圖12B中所示的鑲嵌圖案、以及圖12C中所示的三角圖案是本領(lǐng)域 公知的。
另外，另一種布置圖案也是本領(lǐng)域公知的(例如，參見(jiàn)首次公開(kāi)號(hào)為 JP06-102503的日本未審專(zhuān)利申請(qǐng))，其中將四點(diǎn)(單元)排列成基本的 四點(diǎn)(單元)矩陣模式，以形成一個(gè)像素，每個(gè)點(diǎn)發(fā)射紅光(R)、綠光(G) 和藍(lán)光(B)之一。
主要考慮上述色條圖案、鑲嵌圖案、三角圖案、和基本上呈矩陣模式 排列的四點(diǎn)(單元)圖案，以便于驅(qū)動(dòng)每個(gè)點(diǎn)的控制。尤其是，在色條圖 案、鑲嵌圖案、三角圖案的情況下，還有在每個(gè)像素中，全部排列成實(shí)質(zhì) 上相同數(shù)量的紅、綠、藍(lán)點(diǎn)，由此簡(jiǎn)化像素驅(qū)動(dòng)方法。
然而，從感知方面來(lái)說(shuō)，對(duì)于人類(lèi)視覺(jué)系統(tǒng)，形成每個(gè)像素使其包括 相同數(shù)量的紅、綠、藍(lán)點(diǎn)是不適合的。
更具體地，對(duì)于人的情況下，分辨顏色能力在于眼睛黃斑中的光覺(jué)組
織，檢測(cè)彩色光的視網(wǎng)膜視錐分成三種類(lèi)型，即S型、L型和M型，分別 對(duì)應(yīng)藍(lán)色、紅色和綠色。當(dāng)觀察黃斑顯微圖時(shí)，將視網(wǎng)膜視錐看作能夠相 互區(qū)分的斑點(diǎn)。假設(shè)紅色和綠色視網(wǎng)膜視錐的數(shù)量為"10"，那么藍(lán)色視 網(wǎng)膜視錐的數(shù)量平均僅為"l";因此，紅色視網(wǎng)膜視錐、綠色視網(wǎng)膜視錐、 藍(lán)色視網(wǎng)膜視錐之間的相對(duì)比例為10:10:1。
因此，通過(guò)主要的紅色和綠色視網(wǎng)膜視錐檢測(cè)(視覺(jué)檢測(cè))詳細(xì)視覺(jué) 信息(也就是檢測(cè)分辨率)，即使藍(lán)色視網(wǎng)膜視錐是分辨顏色的元件，它 們也不是檢測(cè)詳細(xì)視覺(jué)信息的元件。
在以基本的矩陣模式排列四點(diǎn)(單元)圖案的情況下，例如可以增加 藍(lán)色子像素量；然而，由于這種布置主要考慮到有利于驅(qū)動(dòng)控制操作，因 此難以提高分辨率。而且，這種技術(shù)尤其應(yīng)用到顯示裝置，例如等離子顯 示器、CRT (陰極射線管)、液晶顯示器、熒光顯示管、場(chǎng)致發(fā)光顯示器和 發(fā)光二極管顯示器。近年來(lái)，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器已經(jīng)得到顯著發(fā)展；然 而，在上述技術(shù)中還沒(méi)有考慮應(yīng)用到有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況提出本發(fā)明，其目的是提供一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，通 過(guò)提高依照人類(lèi)視覺(jué)系統(tǒng)的清晰度，它能夠進(jìn)行優(yōu)質(zhì)顯示，而不顯著降低 像素間的間距。本發(fā)明的另一目的是提供一種包括這種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置 的電子設(shè)備。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的， 一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括像素電極；陰極 電極；和發(fā)光層，其夾在所述像素電極和陰極電極之間，包括由紅色子像 素、綠色子像素和藍(lán)色子像素構(gòu)成的點(diǎn)；其中以預(yù)定圖案布置所述子像素， 這樣形成每個(gè)預(yù)定圖案，即布置至少一個(gè)藍(lán)色子像素作為中心圖案，圍繞 中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)布置其中的兩個(gè)紅色子像素，還圍繞中心圖案的中 心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)布置其中的兩個(gè)綠色子像素；紅色子像素和綠色子像素共同使用 在多個(gè)理論像素中；其中紅或綠色子像素位于其中一個(gè)理論像素的中心位 置并位于另外的理論像素的周?chē)恢?；在一個(gè)理論像素中，紅色子像素或 綠色子像素的數(shù)量大于藍(lán)色子像素的數(shù)量。


圖1表示根據(jù)本發(fā)明所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置中的子像素布置圖案。
圖2A-2E分別表示由子像素構(gòu)成的像素。 圖3表示像素顯示白色時(shí)的能量分布情況。 圖4是在三種類(lèi)型的顯示器中顯示白點(diǎn)時(shí)的光強(qiáng)對(duì)照表。 圖5是表示根據(jù)本發(fā)明所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置的電氣線路排列的示 意圖。
圖6是表示根據(jù)本發(fā)明所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7是沿圖6中A-B線剖開(kāi)的橫剖視圖。
圖8是表示圖7中主要部分的放大橫剖視圖。
圖9A-90是表示有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置制造工藝的橫剖視圖。
圖IOA和10B表示子像素的其它布置圖案。
圖11是表示本發(fā)明所述電子設(shè)備的透視圖。
圖12A-12C表示傳統(tǒng)子像素的布置圖案。
具體實(shí)施例方式
下文中將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置的實(shí)施例的簡(jiǎn)圖，而且 是表示發(fā)光層中子像素布置圖案的簡(jiǎn)圖。在圖1中，附圖標(biāo)記S指示在發(fā) 光層中形成點(diǎn)的子像素。子像素S包括三種顏色的子像素，也就是紅色子 像素(圖1中用"R"指示，下文中稱(chēng)為子像素R)、綠色子像素(圖1中 用"G"指示，下文中稱(chēng)為子像素G)和藍(lán)色子像素(圖1中用"B"指示， 下文中稱(chēng)為子像素B)。
這三種顏色子的像素S (R、 G和B)形成為相同尺寸的矩形，在這個(gè) 實(shí)施例中，每個(gè)布置圖案P包括六個(gè)子像素。通過(guò)水平和垂直排列布置圖 案P形成本實(shí)施例所述的發(fā)光層(如圖1中所示)。
如圖1中所示，每個(gè)布置圖案P包括垂直排列(如圖1中所示)為中 心圖案C的兩個(gè)藍(lán)色子像素B、分別排列在中心圖案C右邊和左邊的兩組 紅色子像素R和綠色子像素G。兩個(gè)紅色子像素R關(guān)于中心圖案C的中心 點(diǎn)0對(duì)稱(chēng)排列，而兩個(gè)綠色子像素G也關(guān)于中心圖案C的中心點(diǎn)0對(duì)稱(chēng)排 列。
在本發(fā)明中，只確定每個(gè)布置圖案P，用于定義在制造工藝中如何排 列各個(gè)顏色子像素，每個(gè)布置圖案P未形成進(jìn)行顯示的單位像素。
如圖2A-2E中所示，每個(gè)像素(單位像素)L包括六個(gè)子像素S (R、 G和B)。圖2A-2E表示形成像素L的五種方式，所述像素L包括一個(gè)公共 綠色子像素G、水平排列的四個(gè)子像素S和關(guān)于水平排列的四個(gè)子像素S 之一分別布置在兩個(gè)垂直位置的兩個(gè)子像素S。
每個(gè)像素L是信息像素，它也稱(chēng)為理論像素，與圖12A-12C中所示的 常規(guī)RGB系統(tǒng)的情況相比，在像素L中更有效地使用子像素S。更具體地， 在RGB色條圖案的理論像素中，以固定方式排列紅色、綠色和藍(lán)色子像素； 然而，在圖2A-2E所示的排列實(shí)例中，理論像素L包括六個(gè)子像素S (R、 G和B)，尤其是，綠色子像素G和紅色子像素R通常用在多個(gè)理論像素L (五個(gè)理論像素L)中。通常用在五個(gè)理論像素L中的特定綠色子像素G 基本上位于所述理論像素L (圖2A)之一的中心位置，并位于所述其它四 個(gè)理論像素L (圖2B-2E)的外圍位置。
圖3是表示理論像素L發(fā)白光時(shí)能量的分布簡(jiǎn)圖，其中如圖2A中所 示，特定綠色子像素G基本上位于中心位置。如圖3中所示，當(dāng)調(diào)節(jié)提供 給外圍子像素(這種情況下是紅色子像素R和藍(lán)色子像素B)的能量以便 外圍子像素與綠色子像素G融合在一起時(shí)，理論像素L發(fā)白光，也就是， 理論像素L表現(xiàn)為白點(diǎn)。在這種情況下，即如圖2B-2E中所示紅色子像素 R代替綠色子像素G基本上位于中心位置，除了綠色子像素和紅色子像素 的位置相互交換之外，顯示白點(diǎn)時(shí)的能量分布基本上與圖3中所示的相 同。
圖4是比較圖2A中所示的理論像素L、圖2C中所示的理論像素L、 具有傳統(tǒng)RGB色條圖案的像素中的光強(qiáng)對(duì)照?qǐng)D表，所述RGB色條圖案的子 像素密度(也就是TFT密度)等于這些理論像素L的子像素密度。圖4中 (a)列與圖2A中所示的理論像素L對(duì)應(yīng)，圖4中(b)列與圖2C中所示 的理論像素L對(duì)應(yīng)，圖4中(c)列與具有傳統(tǒng)RGB色條圖案的像素對(duì)應(yīng)。 圖4中A行表示要進(jìn)行比較的理論像素(也就是子像素布置圖案)。 圖4中B行表示通過(guò)使用光學(xué)測(cè)量設(shè)備觀測(cè)子像素而獲取的實(shí)際光強(qiáng)。圖 4中C行表示包含在人類(lèi)視覺(jué)系統(tǒng)中的高斯(Gaussian)濾光器特性，通
過(guò)高斯濾光器操作員察覺(jué)和處理光。圖4中D行表示通過(guò)高斯濾光器實(shí)際 察覺(jué)的光強(qiáng)。
如圖4中D行所示，該行顯示對(duì)圖2A和2C所示的本實(shí)施例中理論像 素L察覺(jué)的特性曲線比對(duì)傳統(tǒng)像素察覺(jué)的特性曲線更尖銳。根據(jù)人類(lèi)視覺(jué) 系統(tǒng)和中心光強(qiáng)之間的關(guān)系獲得這種結(jié)果。
因此，當(dāng)本實(shí)施例中的理論像素和傳統(tǒng)像素實(shí)質(zhì)上具有相同子像素密 度(也就是TFT密度)時(shí)，由于實(shí)際察覺(jué)的光強(qiáng)，本實(shí)施例中的理論像素 提供改良的清晰度。
如圖2A和2C中所示，在本實(shí)施例中，作為發(fā)光層中顯示單位的像素 L (理論像素)，由包括四個(gè)綠色子像素G的理論像素L和包括四個(gè)紅色子 像素R的理論像素L構(gòu)成。通過(guò)以這種方式將許多綠色子像素G和紅色子 像素R引入像素L，可以實(shí)現(xiàn)與人類(lèi)視覺(jué)系統(tǒng)匹配的圖像顯示器。更具體 地，通過(guò)設(shè)定紅色和綠色視網(wǎng)膜視錐顯示量大于藍(lán)色視網(wǎng)膜視錐顯示量， 可以使實(shí)際察覺(jué)的光強(qiáng)更強(qiáng)烈，也就是即使設(shè)定子像素密度(也就是TFT 密度)基本上與傳統(tǒng)顯示器相同，也可以提高清晰度，紅色和綠色視網(wǎng)膜 視錐主要有助于察覺(jué)詳細(xì)信息(也就是有助于分辨率)，而藍(lán)色視網(wǎng)膜視 錐無(wú)助于察覺(jué)詳細(xì)信息，只有助于辨別顏色。
其次，下面將參考圖5說(shuō)明帶有發(fā)光層的有機(jī)EL顯示器的配線結(jié)構(gòu)， 其中所述發(fā)光層如上所述排列子像素S。
圖5中所示的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1是有源矩陣型有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置， 其中薄膜晶體管(下文中縮寫(xiě)為T(mén)FT)用作開(kāi)關(guān)元件。
如圖5中所示，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1包括掃描線101、垂直于掃描線 101延伸的信號(hào)線102、平行于信號(hào)線102延伸的源極線103和像素區(qū)X， 每個(gè)像素區(qū)X設(shè)置在掃描線101和信號(hào)線102的每個(gè)交叉點(diǎn)附近。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路100連接到信號(hào)線102，該數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路100包括 移位寄存器、電平移位器、視頻線和模擬開(kāi)關(guān)。掃描線驅(qū)動(dòng)電路80連接 到掃描線101，該掃描線驅(qū)動(dòng)電路80包括移位寄存器和電平移位器。
而且，每個(gè)像素區(qū)X設(shè)置有開(kāi)關(guān)TFT112、保持電容器113、驅(qū)動(dòng)TFT123、 像素電極(電極)23、有源層110;經(jīng)由掃描線101給開(kāi)關(guān)TFT112的柵 極提供掃描信號(hào)；保持電容器113用于保持經(jīng)由開(kāi)關(guān)TFT 112從信號(hào)線說(shuō)明書(shū)第6/17頁(yè)
102提供的圖像信號(hào)；驅(qū)動(dòng)TFT 123的柵極設(shè)有用于保持由電容器113所 保持的圖像信號(hào)；當(dāng)像素電極23電連接到源極線103時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流從源 極線103提供給像素電極23;有源層110插在像素電極23和陰極電極50 (另一電極)之間。
在有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1中，當(dāng)通過(guò)掃描線101的驅(qū)動(dòng)接通開(kāi)關(guān)TFT 112 時(shí)，此時(shí)信號(hào)線102中的電勢(shì)保持在保持電容器113中，依據(jù)保持電容器 113的狀態(tài)接通和關(guān)閉驅(qū)動(dòng)TFT 123。驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)由驅(qū)動(dòng)TFT123的溝道從 源極線103流向像素電極23，電流經(jīng)由有源層U0流到陰極電極50。每 個(gè)有源層IIO依據(jù)流經(jīng)它的電流量而發(fā)光。
其次，下文中將說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1的一般 結(jié)構(gòu)。
如圖6中所示，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1是有源矩陣型， 包括襯底20、像素電極區(qū)(未圖示)、源極線(圖6中未圖示)、像素區(qū)3 (布置在圖6點(diǎn)劃線指示的區(qū)域中)，其中襯底20由電絕緣材料構(gòu)成；在 像素電極區(qū)，連接到開(kāi)關(guān)TFT (圖6中未圖示)的像素電極排列成矩陣模 式；源極線布置在像素電極區(qū)周?chē)?，并連接到像素電極；從平面圖看，像 素區(qū)3形成為矩形，并且布置在至少所述像素電極區(qū)上。
像素區(qū)3分成兩個(gè)區(qū)，其中之一是實(shí)際顯示區(qū)4，顯示區(qū)4布置在中 間部分(布置在圖6雙點(diǎn)劃線指示的區(qū)域中)，另一個(gè)是虛擬區(qū)5，布置 在實(shí)際顯示區(qū)4的周?chē)?也就是點(diǎn)劃線和雙點(diǎn)劃線之間的區(qū)域)。
如圖6中所示，在實(shí)際顯示區(qū)4中，以矩陣模式排列矩形子像素R、 G和B，以便子像素R、 G和B在"A-B"和"C-D"方向上彼此分開(kāi)，每個(gè) 子像素包括像素電極。
而且，如圖6中所示，在實(shí)際顯示區(qū)4的右側(cè)和左側(cè)，提供掃描線驅(qū) 動(dòng)電路80。掃描線驅(qū)動(dòng)電路80布置在虛擬區(qū)5之下。
此外，如圖6中所示，在實(shí)際顯示區(qū)4上方，設(shè)置測(cè)試電路90。測(cè) 試電路90設(shè)置成可檢驗(yàn)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1的運(yùn)行狀態(tài)，測(cè)試電路90包 括例如測(cè)試信息輸出單元(未圖示)，用于將測(cè)試結(jié)果輸出給外部單元， 以便可以檢驗(yàn)和檢測(cè)制造工藝期間和運(yùn)輸時(shí)顯示裝置的質(zhì)量和故障。測(cè)試 電路90也布置在虛擬區(qū)5之下。
掃描線驅(qū)動(dòng)電路80和測(cè)試電路90構(gòu)造成這樣，即驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)由驅(qū)動(dòng) 電壓供應(yīng)路徑310 (參見(jiàn)圖7)等從電源感應(yīng)到其上。而且，經(jīng)由驅(qū)動(dòng)控 制信號(hào)供應(yīng)路徑320 (參見(jiàn)圖7)等從主驅(qū)動(dòng)器中發(fā)送和提供用于掃描線 驅(qū)動(dòng)電路80和測(cè)試電路90的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電壓，主驅(qū)動(dòng)器控制有 機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1的運(yùn)行。在這種情況下，來(lái)自主驅(qū)動(dòng)器等的驅(qū)動(dòng)控制信 號(hào)定義為命令信號(hào)，當(dāng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路80和測(cè)試電路90發(fā)送信號(hào)時(shí)，主 驅(qū)動(dòng)器等有助于控制操作。
如圖7中所示，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1包括基體200、許多發(fā)光元件(機(jī) 場(chǎng)致發(fā)光元件)，每個(gè)發(fā)光元件包括形成在基體200上的像素電極23、發(fā) 光層60和陰極電極50。
當(dāng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1是所謂的頂發(fā)射類(lèi)型時(shí)，因?yàn)榇┻^(guò)與襯底20 相對(duì)的密封部分(未圖示)發(fā)光，作為形成基體200部分的襯底20，可 以使用透明襯底或不透明襯底。作為不透明襯底的實(shí)例，可以使用由諸如 氧化鋁的陶瓷制造的襯底、諸如不銹鋼片制成的金屬片襯底、用熱固性樹(shù) 脂或熱塑性樹(shù)脂制造的襯底、用熱固性樹(shù)脂或熱塑性樹(shù)脂制造的膜(塑料 膜)等等，其中金屬片襯底帶有通過(guò)例如氧化其表面而在其上形成的電絕 緣層。
當(dāng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1是所謂的背發(fā)射類(lèi)型時(shí)，因?yàn)榇┻^(guò)襯底20發(fā) 光，因此必須使用透明襯底或半透明襯底之一作為襯底20。作為透明襯 底或半透明襯底的實(shí)例，可以使用由玻璃、石英或樹(shù)脂(塑料或塑料膜) 等等制造的襯底，尤其是，優(yōu)選使用玻璃襯底。在本實(shí)施例中，有機(jī)場(chǎng)致 發(fā)光裝置1是頂發(fā)射類(lèi)型的，其中穿過(guò)保護(hù)層30發(fā)光；因此，使用諸如 不透明塑料膜的不透明襯底作為襯底20。
在襯底20上形成電路部分11，該電路部分11包括用于驅(qū)動(dòng)像素電 極23的驅(qū)動(dòng)TFT 123，在電路部分11上形成許多發(fā)光元件(有機(jī)場(chǎng)致發(fā) 光元件)。如圖8中所示，每個(gè)發(fā)光元件依次包括像素電極23、空穴傳輸 層70、發(fā)光層60和陰極電極50，其中像素電極23作為陽(yáng)極；空穴從像 素電極23注入空穴傳輸層70，并通過(guò)空穴傳輸層70傳輸空穴；發(fā)光層 60包括作為電光物質(zhì)之一的有機(jī)發(fā)光物質(zhì)。
在發(fā)光層中，從空穴傳輸層70噴射的空穴與從陰極電極50噴射的電
子結(jié)合時(shí)，如上所述構(gòu)造的每個(gè)發(fā)光元件發(fā)光。
因?yàn)橛袡C(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1是頂發(fā)射型，像素電極23不必是透明的；
因此，可以用適當(dāng)導(dǎo)電材料制造像素電極23。
作為形成空穴傳輸層70的材料實(shí)例，可以使用聚噻吩衍生物、聚吡 咯衍生物或用它們摻雜的混合物。更具體地，例如，可以使用通過(guò)分散 3, 4-聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT / PSS)和進(jìn)一步分散到水中 而獲取的分散液體(產(chǎn)品名稱(chēng).* Bayer AG生產(chǎn)的Bytron-p)，也就是3, 4-聚乙烯二噻吩分散在作為分散介質(zhì)的聚苯乙烯磺酸中。
作為形成發(fā)光層60的材料，可以使用能夠發(fā)射熒光或磷光的公知發(fā) 光材料。更具體地，可以?xún)?yōu)選使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)對(duì)亞苯次 亞乙烯衍生物(PPV)、聚亞苯衍生物(PP)、聚對(duì)亞苯衍生物(PPP)、乙 烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物或諸如聚甲苯硅烷(PMPS)的聚硅烷類(lèi)。
而且，在這些高分子材料中，可以摻雜其它高分子材料，例如二萘嵌 苯類(lèi)的色素、香豆素類(lèi)的色素、堿性蕊香紅類(lèi)的色素，或摻雜低分子材料， 例如紅熒烯、二萘嵌苯、9, 10-二苯蒽、四苯丁二烯、尼羅紅、香豆素6 和二羥基喹啉并吖啶。
另外，也可以使用公知的低分子材料取代上述高分子材料。 必要時(shí)，電子注射層可以形成在如上所述構(gòu)造的發(fā)光層60上。 如圖7和8所示，在本實(shí)施例中，空穴傳輸層70和發(fā)光層60被液體 親合控制層25和有機(jī)圍堰層221包圍，每個(gè)有機(jī)圍堰層221形成為網(wǎng)格 狀。因此，平面圖中具有矩形形狀的空穴傳輸層70和發(fā)光層60的每部分 構(gòu)成元件層，也就是單發(fā)光元件(有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件)。
如圖7和8所示，陰極電極50的區(qū)域比實(shí)際顯示區(qū)4和虛擬顯示區(qū) 5的總區(qū)域更寬，陰極電極50覆蓋實(shí)際顯示區(qū)4和虛擬顯示區(qū)5。陰極電 極50形成在基體200上，以便覆蓋發(fā)光層60、有機(jī)圍堰層221、環(huán)繞元 件201的上表面和環(huán)繞元件201的外圍表面201a。
在本實(shí)施例中，用于形成陰極電極50的材料必須是光學(xué)透明的，以 便形成頂發(fā)射型顯示器，并因此使用透明導(dǎo)電材料。通常，ITO (氧化錫 銦)優(yōu)選作為所述透明導(dǎo)電材料；然而，也可以使用例如氧化銦和氧化鋅 非晶形透明導(dǎo)電膜(氧化鋅銦:IZO (IdemitsuKosan有限公司制造))。
在本實(shí)施例中使用IT0。
在陰極電極50上形成保護(hù)層30，以便覆蓋形成在基體200上的陰極 電極50的暴露部分。提供保護(hù)層30來(lái)防止氧氣和水侵入陰極電極50和 發(fā)光層60，以便避免由于氧氣和水而造成的陰極電極50和發(fā)光層60老 化。
如圖8中所示，電路部分ll形成在上述發(fā)光元件之下。電路部分ll 形成在襯底20上，以便構(gòu)成基體200部分。更具體地，主要由Si02構(gòu)成 的第一層保護(hù)層281形成在襯底20的表面上，硅層241形成在第一層保 護(hù)層281上。在硅層241表面上形成主要由Si02和/或SIN構(gòu)成的柵極絕 緣層282。
部分硅層241是溝道區(qū)241a，這部分硅層241與柵極242重疊以便 將柵極絕緣層282夾在它們之間。柵極242形成部分掃描線101 (圖8中 未圖示)。另一方面，主要由Si02構(gòu)成的第一夾層絕緣層283形成在柵極 絕緣層282的表面上，柵極絕緣層282覆蓋硅層241而形成柵極242。
另外，低濃度源區(qū)241b和高濃度源區(qū)241S形成在關(guān)于溝道區(qū)241a 的硅層241源極側(cè)部分中。低濃度漏區(qū)241c和高濃度漏區(qū)241D形成在關(guān) 于溝道區(qū)241a的硅層241漏極側(cè)部分中，構(gòu)成所謂的LDD (摻光漏極) 結(jié)構(gòu)。在這些區(qū)域中，高濃度源區(qū)241S經(jīng)由接觸孔243a連接到源極243， 穿過(guò)柵極絕緣層282和第一夾層絕緣層283形成接觸孔243a。源極243 形成部分上述源極線103 (參見(jiàn)圖5，源極線103在源極243的位置上， 垂直于圖8平面延伸)。另一方面，高濃度漏區(qū)241D經(jīng)由接觸孔244a連 接到漏極244，漏極244形成在與源極243相同的層內(nèi)，穿過(guò)柵極絕緣層 282和第一夾層絕緣層283形成接觸孔244a。
源極243和漏極244所在的第一夾層絕緣層283的上層由第二夾層絕 緣層284覆蓋，第二夾層絕緣層284主要由例如丙烯酸樹(shù)脂構(gòu)成。第二夾 層絕緣層284可以由不同于丙烯酸絕緣樹(shù)脂、SiN、 Si02等的材料構(gòu)成。 由ITO構(gòu)成的像素電極23形成在第二夾層絕緣層284的表面上，并經(jīng)由 接觸孔23a連接到漏極244，接觸孔23a形成在第二夾層絕緣層284內(nèi)。 更具體地，像素電極23經(jīng)由漏極244連接到硅層241中的高濃度漏區(qū) 241D。
除了未連接到像素電極23之外，包括在掃描線驅(qū)動(dòng)電路80和測(cè)試電 路90中的TFT (即驅(qū)動(dòng)TFT)，也就是用于形成反相器的N溝道型TFT或 P溝道型TFT，具有類(lèi)似于上述驅(qū)動(dòng)TFT 123的結(jié)構(gòu)，所述反相器包括在 驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器中。
在具有像素電極23的第二夾層絕緣層284的表面上，布置像素電極 23、上述液體親合控制層25和有機(jī)圍堰層221。液體親合控制層25主要 由諸如Si02的液體親合材料構(gòu)成，有機(jī)圍堰層221主要由丙烯、聚酰亞胺 等構(gòu)成。
當(dāng)在形成于液體親合控制層25中的孔25a內(nèi)進(jìn)行沉積時(shí)，空穴傳輸 層70沉積在每個(gè)像素電極23上，當(dāng)在孔221a內(nèi)進(jìn)行沉積時(shí)，發(fā)光層60 沉積在空穴傳輸層70上，有機(jī)圍堰層221包圍孔221a。要說(shuō)明的是，在 本實(shí)施例中，關(guān)于液體親合控制層25的術(shù)語(yǔ)"液體親合"意思是材料具 有液體親合性，液體親合性至少顯著大于形成有機(jī)圍堰層221所使用的丙 烯或聚酰亞胺的親合性。
電路部分11由直到第二夾層絕緣層284的這些層構(gòu)成，這些層形成 在上述襯底20上。
在本實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1中，發(fā)光層60包括其光波長(zhǎng)與三 種基本顏色光之一相對(duì)應(yīng)的發(fā)光層，也就是，發(fā)光層60包括發(fā)紅光層60R、 發(fā)綠光層60G和發(fā)藍(lán)光層60B，它們各個(gè)都與子像素R、 G和B之一相對(duì) 應(yīng)。在本實(shí)施例中，如圖2A-2E中所示，六個(gè)子像素形成用于色彩顯示的 單元像素L (理論像素)。
其次，下文中將參考圖9A-90說(shuō)明本實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1的 制造方法實(shí)例。在本實(shí)施例中，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1是頂發(fā)射型。圖9A-90 中所示的橫截面是沿圖6線A-B剖開(kāi)的。
首先，如圖9A中所示，在襯底20上形成第一層保護(hù)層281。其次， 使用ICVD方法、等離子CVD (化學(xué)氣相沉積)方法等等，在第一層保護(hù) 層281上形成非晶硅層501，然后，使用激光退火方法或快速加熱方法， 通過(guò)晶體成長(zhǎng)非晶硅層501轉(zhuǎn)換成多晶硅層。
接著，如圖9B中所示，采用光刻法修整多晶硅層以便形成硅厚241、 251和261，每個(gè)硅層具有島狀。硅層241形成在顯示區(qū)，并形成連接到
像素電極23的部分驅(qū)動(dòng)TFT 123。硅層251和261分別形成P溝道型TFT 和N溝道型TFT (用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT)，它們包括在掃描線驅(qū)動(dòng)電路80 中。
接著，使用等離子CVD方法、加熱氧化法等等，在硅層241、 251、 261和第一層保護(hù)層281的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層282，該柵極絕緣 層282是厚度約為30-200nm的二氧化硅層。當(dāng)使用加熱氧化法形成柵極 絕緣層282時(shí)，可以使硅層241、 251、 261結(jié)晶以便轉(zhuǎn)換成多晶硅層。
當(dāng)需要對(duì)硅層241、 251、 261進(jìn)行溝道摻雜時(shí)，此時(shí)以約lxl07cm2 的劑量將硼離子轟入硅層241、 251、 261。因此，硅層241、 251、 261轉(zhuǎn) 換成低濃度P型硅層，它的雜質(zhì)濃度約為lxl07cm3 (根據(jù)活化退火之后 的雜質(zhì)計(jì)算雜質(zhì)濃度)。
接著，在P溝道型TFT和N溝道型TFT的部分溝道層上形成離子注入 覆蓋掩模，在這種情況下，以約lxl07cm2的劑量注入磷離子。因此，以 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)方式將高濃度雜質(zhì)引入圖像掩模，如圖9C中所示，在硅層241 和261中形成高濃度源區(qū)241S、 261S和高濃度漏區(qū)241D、 261D。
接著，如圖9C中所示，用金屬膜例如摻雜硅膜或硅化物膜、鋁膜或 鉻膜構(gòu)成的柵極成型導(dǎo)電層502，形成在柵極絕緣層282的整個(gè)表面上。 導(dǎo)電層502的厚度約為500nm。然后，如圖9D中所示，使用圖案化工藝， 構(gòu)成用于形成P溝道型驅(qū)動(dòng)TFT的柵極252、用于形成像素TFT的柵極242、 用于形成N溝道型驅(qū)動(dòng)TFT的柵極262。另外，同時(shí)也形成驅(qū)動(dòng)控制信號(hào) 供應(yīng)路徑320和用于陰極源極線的第一層121 。驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)供應(yīng)路徑320 形成在虛擬區(qū)5中。
因此，如圖9D中所示，使用柵極242、 252、 262作為覆蓋掩模時(shí)， 以約4xl07cm2的劑量將磷離子注入硅層241、 251、 261。因此，以自動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方式將低濃度雜質(zhì)引入柵極242、 252、 262,如圖9D中所示，在硅 層241和261中形成低濃度源區(qū)241b、 261b和低濃度漏區(qū)241c、 261c。 另外，低濃度雜質(zhì)區(qū)251S和251D形成在硅層251中。
接著，如圖犯中所示，形成離子注入覆蓋掩模503，它覆蓋除P溝 道型驅(qū)動(dòng)電路的TFT之外的區(qū)域。使用離子注入覆蓋掩模503時(shí)，以約 1.5xl07cm2的劑量將硼離子注入硅層251。因此，用于形成P溝道型驅(qū)動(dòng)
電路TFT的柵極252也用作掩模，并以自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)方式將高濃度雜質(zhì)摻入硅 層252。因此，低濃度雜質(zhì)區(qū)251S和251D得到相反摻雜，并形成用于驅(qū) 動(dòng)電路的TFT的源區(qū)和漏區(qū)。
接著，如圖9F中所示，第一夾層絕緣層283形成在整個(gè)襯底20上， 通過(guò)使用光刻法將第一夾層絕緣層283形成圖案，在與TFT的源極和漏極 相應(yīng)的位置上，在第一夾層絕緣層283中形成接觸孔C。
接著，如圖9G中所示，形成由例如鋁、鉻或鉅之類(lèi)的金屬構(gòu)成的導(dǎo) 電層504，以便覆蓋第一夾層絕緣層283。導(dǎo)電層504的厚度約為 200mn-800nni。然后，形成圖案化掩模505，以便覆蓋其內(nèi)將形成TFT的 源極和漏極的區(qū)域240a、其內(nèi)將形成驅(qū)動(dòng)電壓供應(yīng)路徑310的區(qū)域310a、 以及其內(nèi)將形成用于陰極源極線的第二層的區(qū)域122a，并且如圖9H中所 示，通過(guò)將導(dǎo)電層504形成圖案，而形成源極243、 253、 263和漏極244、 254和264。
接著，如圖9I中所示，使用諸如丙烯酸的高分子材料形成第二夾層 絕緣層284，第二夾層絕緣層284用于覆蓋在其上形成上述元件的第一夾 層絕緣層283。第二夾層絕緣層284的厚度優(yōu)選約為l-2um?？梢杂肧iN 和Si02制造第二夾層絕緣層284。當(dāng)用SiN制造第二夾層絕緣層284時(shí)， 其厚度優(yōu)選為200nm，而當(dāng)用Si02制造第二夾層絕緣層284時(shí)，其厚度優(yōu) 選為800nm。
接著，如圖9J中所示，通過(guò)蝕刻去除與驅(qū)動(dòng)TFT的漏極244相應(yīng)的 部分第二夾層絕緣層284，形成接觸孔23a。
然后，形成用于構(gòu)成像素電極23的導(dǎo)電膜，以便覆蓋整個(gè)襯底20。 如圖9K中所示，通過(guò)將透明導(dǎo)電膜形成圖案而形成經(jīng)由接觸孔23a電連 接到漏極244的像素電極23，還有虛擬區(qū)中的虛擬圖案26。要說(shuō)明的是， 圖7中的像素電極23包括像素電極23和虛擬圖案26。
虛擬圖案26并未通過(guò)第二夾層絕緣層284連接到下層中的金屬線。 更具體地，以島狀模式排列虛擬圖案26，每一虛擬圖案26具有與形成在 實(shí)際顯示區(qū)中的像素電極23基本上相同的形狀。每個(gè)虛擬圖案26的形狀 可以不同于形成在實(shí)際顯示區(qū)中的像素電極23的形狀。至少在驅(qū)動(dòng)電壓 供應(yīng)路徑310之上必須排列虛擬圖案26。 1
接著，如圖9L中所示，在像素電極23、虛擬圖案26和第二夾層絕 緣層284上形成作為電絕緣層的液體親合控制層25。形成液體親合控制 層25使得在像素電極23附近具有孔25a (也參考圖7)，以便傳輸所述空 穴。相反，在虛擬圖案26附近未形成孔25a以便不能傳輸所述空穴，因 為絕緣層25 (液體親合控制層)阻止空穴移動(dòng)。
接著，如圖9M中所示，在液體親合控制層25的預(yù)定部分上形成有機(jī) 圍堰層221。在形成有機(jī)圍堰層221的實(shí)際方法中，使用旋涂法、浸涂法 等等覆蓋溶液，在所述溶液中，諸如丙烯酸樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂之類(lèi)的抗 蝕劑溶解在溶劑中。形成有機(jī)圍堰層的材料可以是不能溶解在油墨溶劑中 的任何材料，下文中將要說(shuō)明所述材料，通過(guò)蝕刻等很容易將所述材料修 整為圖案。
因此，使用光刻法或蝕刻法修整(或模制)有機(jī)層，以便形成底孔 221a，由此形成其內(nèi)帶有圍堰孔221a的有機(jī)圍堰層221。
接著，在有機(jī)圍堰層221的表面上形成具有液體親合性的區(qū)域和具有 液體排斥性的區(qū)域。在本實(shí)施例中，通過(guò)等離子處理工藝形成這些區(qū)域。 更具體地，等離子處理工藝包括預(yù)加熱工藝、油墨親合處理工藝、油墨排 斥處理工藝和冷卻工藝，在油墨親合處理工藝中，使有機(jī)圍堰層221的上 表面、環(huán)繞圍堰孔221a的外周壁、像素電極23的電極表面和液體親合控 制層25的上表面具有液體親合性，在油墨排斥處理過(guò)程中，使有機(jī)圍堰 層221的上表面和環(huán)繞底孔221a的外周壁具有油墨排斥性。
更具體地，將襯底(帶有圍堰層的襯底20)加熱到例如70-80'C，然 后，在大氣壓狀態(tài)下將作為油墨親合處理工藝的等離子處理(02等離子處 理)應(yīng)用到襯底上，在02等離子處理中使用氧氣作為反應(yīng)氣。接著，在大 氣壓狀態(tài)下將作為油墨排斥處理工藝的另一等離子處理(CF4等離子處理) 應(yīng)用到襯底上，在CF4等離子處理中使用四氟化碳作為反應(yīng)氣。然后，將 由于等離子處理而已經(jīng)被加熱的襯底冷卻到室溫，獲得具有液體親合性的 區(qū)域和具有液體排斥性的區(qū)域。
CF,等離子處理期間，像素電極23的電極表面和液體親合控制層25 或多或少受到影響；然而，因?yàn)樾纬上袼仉姌O23的IT0和形成液體親合 控制層25的Si02、 Ti02對(duì)于氟幾乎不具有親合性，并因?yàn)橥ㄟ^(guò)油墨親合
處理過(guò)程而施加到它們上的羥基未被氟基取代，因此保持了它們的液體親 合性。
接著，通過(guò)空穴傳輸層形成工藝來(lái)形成空穴傳輸層70。在像素電極 23上形成空穴傳輸層70的工藝包括涂層工藝、干燥工藝和熱處理工藝， 在涂層過(guò)程中，使用諸如噴墨法或旋涂法之類(lèi)的液滴噴射法，在像素電極 23上涂覆空穴傳輸層材料。用于有選擇地應(yīng)用空穴傳輸層材料的噴墨法 包括步驟用空穴傳輸層材料填充噴墨頭(未圖示)，排列噴墨頭以便它 們的噴嘴面對(duì)像素電極23的電極表面，所述像素電極23位于形成在液體 親合控制層25內(nèi)的孔25a中，相互相對(duì)移動(dòng)噴墨頭和襯底(襯底20)時(shí)， 從噴嘴將液滴噴射到電極表面上，控制每個(gè)液滴以便都具有預(yù)定的量。接 著，干燥已經(jīng)噴射的液滴，以便蒸發(fā)包含在空穴傳輸層材料中的分散介質(zhì) 和溶劑，由此形成空穴傳輸層70。
從噴嘴噴射的液滴涂覆在已施加液體親合處理工藝的電極表面上，并 填充液體親合控制層25內(nèi)的孔25a。另一方面，液滴受到排斥，并不留 在已施加液體排斥處理工藝的有機(jī)圍堰層221上表面。因此，即使當(dāng)液滴 未噴在預(yù)定位置但噴在有機(jī)圍堰層221上表面時(shí)，由于液滴和被排斥的液 滴移到液體親合控制層25內(nèi)的孔25a中，所以上表面將不是濕的。
為了避免空穴傳輸層70和發(fā)光層60的氧化，優(yōu)選地，在惰性氣體氣 氛下，例如氮?dú)夥栈驓鍤夥障拢瑘?zhí)行空穴傳輸層形成工藝之后的工藝。
接著，通過(guò)發(fā)光層形成工藝來(lái)形成發(fā)光層60。用于在形成于有機(jī)圍 堰層221內(nèi)的孔221a中形成發(fā)光層60的工藝包括噴射工藝、干燥工藝 和熱處理工藝，在噴射工藝中，使用例如上述噴墨法將發(fā)光材料噴射在空 穴傳輸層70上。在發(fā)光層形成工藝中，為了避免空穴傳輸層70的溶解， 使用不分解空穴傳輸層70的非極性溶劑作為發(fā)光層材料。
在發(fā)光層形成工藝中，使用噴墨法將發(fā)藍(lán)光層材料有選擇地涂覆在藍(lán) 光顯示區(qū)，并干燥，然后，類(lèi)似地，將發(fā)綠光層材料和發(fā)紅光層材料分別 有選擇地涂覆在綠光和紅光顯示區(qū)，并干燥。
必要時(shí)，在上述發(fā)光層60上形成電子注入層。
接著，如圖9N中所示，通過(guò)陰極電極形成工藝形成陰極電極50。在 陰極電極形成工藝中，通過(guò)使用諸如蒸鍍法之類(lèi)的物理氣相沉積法而形成IT0膜，進(jìn)而形成陰極電極50。
接著，如圖90中所示，形成保護(hù)層30以便覆蓋陰極電極50，也就 是覆蓋暴露在基體200上的整個(gè)陰極電極50，然后，按照傳統(tǒng)方法，通 過(guò)密封襯底或密封外殼而進(jìn)行密封(未圖示)，獲得本發(fā)明所述的有機(jī)場(chǎng) 致發(fā)光裝置(電光裝置)。
在有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1中，因?yàn)橐詧D1中所示的布置圖案P排列子像 素S (R、 G和B)，而且每個(gè)像素L (理論像素)包括六個(gè)子像素，因此即 使將子像素密度(也就是TFT密度)設(shè)定為基本上與傳統(tǒng)顯示器相同，也 可以提高由于實(shí)際察覺(jué)的光強(qiáng)而引起的清晰度。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有高分 辨率的優(yōu)質(zhì)圖像顯示器，可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和穩(wěn)定質(zhì)量的顯示，可以增加顯 示器生產(chǎn)能力。而且，當(dāng)形成有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1使其具有與傳統(tǒng)顯示器 相同的分辨率時(shí)，可以降低耗電量和生產(chǎn)成本。
另外，當(dāng)以圖1中所示的布置圖案P排列子像素S (R、 G和B)時(shí)， 使用色條圖或鑲嵌圖顯示器的制造工藝，可以制造有機(jī)圍堰層221等；因 此，可以很容易形成彩色子像素。
在上述實(shí)施例中，以圖1中所示的布置圖案P排列子像素S (R、 G和 B);然而，本發(fā)明不局限于此，可以使用圖10A中所示的布置圖案P1或 圖10B中所示的布置圖案P2。圖10A中所示的布置圖案Pl與圖1中所示 的布置圖案P的區(qū)別在于，與圖1所示的圖案P中的中心圖案C相比，所 述中心圖案C僅僅由一個(gè)大藍(lán)色子像素Bl構(gòu)成，而圖案P中的中心圖案 C由兩個(gè)藍(lán)色子像素B構(gòu)成。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，像在圖案P的情況下，通過(guò)使用色條圖或鑲嵌圖顯示 器的制造工藝，可以形成子像素；因此，可以容易形成彩色子像素。另外， 因?yàn)榇笞酉袼谺l相當(dāng)于圖1所示的布置圖案P中的兩個(gè)藍(lán)色子像素B， 因此可以減少驅(qū)動(dòng)元件的數(shù)量，例如開(kāi)關(guān)元件；因此，可以實(shí)現(xiàn)制造成本 降低和尺寸縮小。
圖10B中所示的布置圖案P2完全不同于布置圖案P和Pl。布置圖案 P2包括一個(gè)作為中心圖案C的正方形藍(lán)色子像素B2、關(guān)于中心圖案C成 對(duì)稱(chēng)布置的兩個(gè)五邊形紅色子像素Rl、以及關(guān)于中心圖案C成對(duì)稱(chēng)布置 的兩個(gè)五邊形綠色子像素G1。與正方形子像素B2的側(cè)邊之一相鄰，布置每個(gè)五邊形紅色子像素Rl和五邊形綠色子像素Gl。全部以大致正方形形 狀形成布置圖案P2，該布置圖案P2包括正方形藍(lán)色子像素B2、兩個(gè)五邊 形紅色子像素Rl和兩個(gè)五邊形綠色子像素Gl。
如圖10B中所示，在具有布置圖案P2的發(fā)光層中，彩色顯示器的每 個(gè)單位像素L (理論像素)包括一個(gè)藍(lán)色子像素B2、 一個(gè)與藍(lán)色子像素 B2相鄰的綠色子像素Gl、以及四個(gè)與綠色子像素Gl相鄰的紅色子像素 Rl。如圖2中所示的情況下，通過(guò)相互交換紅色子像素Rl和綠色子像素 Gl，可以形成單位像素L (理論像素)。
如在圖1中所示的布置圖案P中，通過(guò)使用各自包括四個(gè)紅色子像素 Rl的理論像素L和各自包括四個(gè)綠色子像素Gl的理論像素L，即使將子 像素密度(也就是TFT密度)設(shè)定為基本上與傳統(tǒng)顯示器相同，也可以顯 著提高由于實(shí)際察覺(jué)的光強(qiáng)而引起的清晰度。
有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1由有源矩陣型組成，在有源矩陣中，使用薄膜晶 體管(TFT)作為開(kāi)關(guān)元件；然而，當(dāng)子像素S (R、 G和B)形成為圖10B 中所示的復(fù)雜形狀時(shí)，用于制造TFT電路和發(fā)光層的膜形成工藝變得復(fù) 雜，并且可能增加工藝的數(shù)量。通過(guò)使用無(wú)源驅(qū)動(dòng)方法代替有源驅(qū)動(dòng)方法， 可以克服這個(gè)缺點(diǎn)。
在上述說(shuō)明中，將有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置l解釋為頂發(fā)射型顯示器；然而， 本發(fā)明不局限于此，本發(fā)明可以應(yīng)用到背發(fā)射型顯示器或具有面向相對(duì)方 向的雙顯示表面的顯示器。
在背發(fā)射型或雙顯示表面型的情況下，優(yōu)選地，在液體親合控制層 25和有機(jī)圍堰層221之下，而不是直接在發(fā)光元件之下，形成開(kāi)關(guān)TFT 和驅(qū)動(dòng)TFT，開(kāi)關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT形成在基體200上，由此可以增加孔徑 比。
接著，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明所述的電子設(shè)備。如圖11所示，根據(jù)本發(fā) 明所述的電子設(shè)備包括作為顯示部分的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置1。
圖11是表示便攜式電話的透視圖。在圖11中，附圖標(biāo)記1000表示 便攜式電話機(jī)身，而附圖標(biāo)記1001表示使用上述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝，的顯 示部分。 《
因?yàn)楸銛y式電話(電子設(shè)備)包括有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置l，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)
質(zhì)顯示性能。
根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備不局限于便攜式電話，本發(fā)明也可以應(yīng)用到便 攜式信息處理設(shè)備，例如手表型電子設(shè)備、字處理器、個(gè)人計(jì)算機(jī)等。
雖然上文中己經(jīng)描述和圖解了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解，這些 只是本發(fā)明的實(shí)例，而不是作為限定?？梢赃M(jìn)行附加、省略、代替和其它 修改而不脫離本發(fā)明的本質(zhì)和范圍。因此，可以認(rèn)為并不是通過(guò)上述說(shuō)明 對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限定，而只是通過(guò)附屬權(quán)利要求書(shū)的范圍對(duì)其進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括像素電極；陰極電極；和發(fā)光層，其夾在所述像素電極和陰極電極之間，包括由子像素構(gòu)成的點(diǎn)；其中子像素至少包含紅色子像素、藍(lán)色子像素和綠色子像素順次重復(fù)設(shè)置的第一行；接著第一行并按照綠色子像素、藍(lán)色子像素和紅色子像素順次重復(fù)設(shè)置的第二行；接著第二行并按照紅色子像素、藍(lán)色子像素和綠色子像素順次重復(fù)設(shè)置的第三行；接著第三行并按照綠色子像素、藍(lán)色子像素和紅色子像素順次重復(fù)設(shè)置的第四行；其中；第一行的一個(gè)紅色子像素和第三行的一個(gè)紅色子像素接著第二行的一個(gè)綠色子像素設(shè)置；第一行的一個(gè)藍(lán)色子像素和第三行的一個(gè)藍(lán)色子像素接著第二行的一個(gè)藍(lán)色子像素設(shè)置；第一行的一個(gè)綠色子像素和第三行的一個(gè)綠色子像素接著第二行的一個(gè)紅色子像素設(shè)置；第二行的一個(gè)綠色子像素和第四行的一個(gè)綠色子像素接著第三行的一個(gè)紅色子像素設(shè)置；第二行的一個(gè)藍(lán)色子像素和第四行的一個(gè)藍(lán)色子像素接著第三行的一個(gè)藍(lán)色子像素設(shè)置；第二行的一個(gè)紅色子像素和第四行的一個(gè)紅色子像素接著第三行的一個(gè)綠色子像素設(shè)置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中第一行的一個(gè)藍(lán) 色子像素和第二行的一個(gè)藍(lán)色子像素彼此結(jié)合，第三行的一個(gè)藍(lán)色子像素 和第四行的一個(gè)藍(lán)色子像素彼此結(jié)合，
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中每個(gè)子像素 為長(zhǎng)方形形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中紅色子像素和綠色子像素共同用在多個(gè)理論像素中。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中在其中的一個(gè)理論像素中紅色子像素或綠色子像素的數(shù)目多于藍(lán)色子像素的數(shù)目。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中紅色子像素和綠 色子像素共同用在至少五個(gè)理論像素中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中理論像素具有四 個(gè)水平設(shè)置的子像素并具有設(shè)置在四個(gè)子像素兩端的兩個(gè)紅色子像素；在四個(gè)水平設(shè)置的子像素中，另外兩個(gè)紅色子像素分別相對(duì)另外一個(gè) 綠色子像素垂直設(shè)置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中理論像素具有四 個(gè)水平設(shè)置的子像素并具有兩個(gè)設(shè)置在四個(gè)子像素兩端的綠色子像素；以 及四個(gè)水平設(shè)置的子像素中的另外兩個(gè)綠色子像素分別相對(duì)另外一個(gè) 紅色子像素垂直設(shè)置。
9. 一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括 像素電極；陰極電極；禾口發(fā)光層，其夾在所述像素電極和陰極電極之間，包括由子像素構(gòu)成的點(diǎn)；其中子像素以預(yù)定的圖案設(shè)置，通過(guò)形成每個(gè)預(yù)定的圖案從而至少一個(gè)藍(lán) 色子像素設(shè)置為中心圖案，其中的兩個(gè)紅色子像素圍繞中心圖案的中心點(diǎn) 對(duì)稱(chēng)設(shè)置，其中的兩個(gè)綠色子像素同樣圍繞中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置；藍(lán)色子像素形成為正方形，中心圖案由一個(gè)藍(lán)色子像素構(gòu)成；以及 每個(gè)預(yù)定圖案形成為大致的正方形，從而兩個(gè)紅色子像素中的每個(gè)和 兩個(gè)綠色子像素中的每個(gè)形成為五角形并分別與正方形藍(lán)色子像素的其 中一個(gè)邊相鄰設(shè)置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中紅色子像素和綠 色子像素共同用在多個(gè)理論像素中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中在其中的一個(gè) 理論像素中紅色子像素或綠色子像素的數(shù)目大于藍(lán)色子像素的數(shù)目。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中紅色子像 素和綠色子像素共同用在至少五個(gè)理論像素中。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中理論像素 具有四個(gè)水平設(shè)置的子像素并具有設(shè)置在四個(gè)子像素兩端的兩個(gè)紅色子 像素；在四個(gè)水平設(shè)置的子像素中，另外兩個(gè)紅色子像素分別相對(duì)另外一個(gè) 綠色子像素垂直設(shè)置。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中理論像素 具有四個(gè)水平設(shè)置的子像素并具有兩個(gè)設(shè)置在四個(gè)子像素兩端的綠色子 像素；以及四個(gè)水平設(shè)置的子像素中的另外兩個(gè)綠色子像素分別相對(duì)另外一個(gè) 紅色子像素垂直設(shè)置。
15. —種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括 像素電極；陰極電極；禾口發(fā)光層，其夾在所述像素電極和陰極電極之間，包括由紅色子像素、 綠色子像素和藍(lán)色子像素構(gòu)成的點(diǎn)； 其中-子像素以預(yù)定的圖案設(shè)置，通過(guò)形成每個(gè)預(yù)定的圖案從而至少一個(gè)藍(lán) 色子像素設(shè)置為中心圖案，其中的兩個(gè)紅色子像素圍繞中心圖案的中心點(diǎn) 對(duì)稱(chēng)設(shè)置，其中的兩個(gè)綠色子像素同樣圍繞中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置； 其中紅色子像素和綠色子像素共同使用在多個(gè)理論像素中； 在一個(gè)理論像素中紅色子像素或綠色子像素的數(shù)目大于藍(lán)色子像素 的數(shù)目。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中每個(gè)子像素為長(zhǎng)方形形狀，且子像素至少包含紅色子像素、藍(lán)色子像素和綠色子像素順次重復(fù)設(shè)置的第一行； 接著第一行且綠色子像素、藍(lán)色子像素和紅色子像素順次重復(fù)設(shè)置的 第二行；接著第二行且紅色子像素、藍(lán)色子像素和綠色子像素順次重復(fù)設(shè)置的 第三行；接著第三行且綠色子像素、藍(lán)色子像素和紅色子像素順次重復(fù)設(shè)置的 第四行。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中 每個(gè)子像素具有長(zhǎng)方形形狀；及其中的一個(gè)藍(lán)色子像素構(gòu)成中心圖案，其比紅色和綠色子像素長(zhǎng)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中藍(lán)色子像素形 成為正方形，其中的一個(gè)藍(lán)色子像素構(gòu)成中心圖案，每個(gè)預(yù)定圖案形成為 大致的正方形，且兩個(gè)紅色子像素中的每個(gè)和兩個(gè)綠色子像素中的每個(gè)形 成為五角形并分別與正方形藍(lán)色子像素的一個(gè)邊相鄰設(shè)置。
19. 一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括 像素電極；陰極電極；禾B發(fā)光層，其夾在所述像素電極和陰極電極之間，包括由紅色子像素、 綠色子像素和藍(lán)色子像素構(gòu)成的點(diǎn)； 其中-子像素以預(yù)定的圖案設(shè)置，通過(guò)形成每個(gè)預(yù)定的圖案從而至少一個(gè)藍(lán) 色子像素設(shè)置為中心圖案，其中的兩個(gè)紅色子像素圍繞中心圖案的中心點(diǎn) 對(duì)稱(chēng)設(shè)置，其中的兩個(gè)綠色子像素同樣圍繞中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置；其中紅色子像素和綠色子像素共同使用在多個(gè)理論像素中；其中理論像素具有四個(gè)水平設(shè)置的子像素并具有兩個(gè)設(shè)置在四個(gè)子 像素的兩端的兩個(gè)紅色子像素；以及在四個(gè)水平設(shè)置的子像素中，另外的兩個(gè)紅色子像素分別相對(duì)另外一 個(gè)綠色子像素垂直設(shè)置。
20. —種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括像素電極；陰極電極；禾B發(fā)光層，其夾在所述像素電極和陰極電極之間，包括由紅色子像素、 綠色子像素和藍(lán)色子像素構(gòu)成的點(diǎn)； 其中子像素以預(yù)定的圖案設(shè)置，通過(guò)形成每個(gè)預(yù)定的圖案從而至少一個(gè)藍(lán) 色子像素設(shè)置為中心圖案，其中的兩個(gè)紅色子像素圍繞中心圖案的中心點(diǎn) 對(duì)稱(chēng)設(shè)置，其中的兩個(gè)綠色子像素同樣圍繞中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置；其中紅色子像素和綠色子像素共同使用在多個(gè)理論像素中；其中理論像素具有四個(gè)水平設(shè)置的子像素并具有兩個(gè)設(shè)置在四個(gè)子 像素的兩端的兩個(gè)綠色子像素；以及在四個(gè)水平設(shè)置的子像素中，另外的兩個(gè)綠色子像素分別相對(duì)另外一 個(gè)紅色子像素垂直設(shè)置。
全文摘要
一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置包括像素電極和陰極電極和發(fā)光層，發(fā)光層夾在所述像素電極和陰極電極之間，并由紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素構(gòu)成的點(diǎn)。以預(yù)定圖案排列所述子像素，這樣形成每個(gè)預(yù)定圖案，即布置至少一個(gè)藍(lán)色子像素作為中心圖案，圍繞中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)布置紅色子像素，同樣圍繞中心圖案的中心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)布置綠色子像素。
文檔編號(hào)H01L51/56GK101110444SQ200710142408
公開(kāi)日2008年1月23日 申請(qǐng)日期2004年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月1日
發(fā)明者木口浩史 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社