專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種 對其提供共電壓的顯示裝置和該顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近來，作為一種類型的平板顯示器，因為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具 有所需驅(qū)動電壓低、重量相對輕且相對薄、具有寬視角、像素響應(yīng)速度快和 其它積極的性質(zhì)等優(yōu)點，所以O(shè)LED已經(jīng)變得流行。OLED顯示器包括形成在絕緣基底上的有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光層從共電 極接收電子并且從像素電極接收空穴，從而發(fā)光。在形成有機(jī)發(fā)光層之后， 共電極形成在整個顯示區(qū)上方。由于有機(jī)發(fā)光層容易受熱損壞，所以在限定 條件下形成共電極。在頂部發(fā)射型顯示器中，共電極應(yīng)該是透明的。因此， 難以形成電阻小的共電^L。為了有效地向電阻相對大的共電極提供共電壓，應(yīng)該在各個方向上提供 共電壓。因此，用于提供共電壓的構(gòu)造變得復(fù)雜，并且增加絕緣基底的尺寸 來提供共電壓。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的 一 方面在于提供一種采用相對小尺寸的絕緣基底來提供 共電壓的顯示裝置。另外，本發(fā)明的 一方面在于提供一種采用相對小尺寸的絕緣基底來提供 共電壓的顯示裝置的制造方法。可以通過提供一種顯示裝置的示例性實施例來實現(xiàn)本發(fā)明的前述和/或 其它方面、特征及優(yōu)點，所述顯示裝置包括絕緣基底，包括顯示區(qū)；線部 分，包括數(shù)據(jù)線和柵極線，所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線交叉，所述數(shù)據(jù)線和所 述柵極線彼此絕緣；共電壓提供部分，形成在所述顯示區(qū)的外圍的外部；絕 緣層，形成在所述共電壓提供部分上，并且包括在所述線部分的一些線基本
上彼此平行地延伸的區(qū)域上形成的接觸孔；共電極，與通過所述接觸孔暴露 的所述共電壓提供部分電連接。所述顯示裝置還可以包括連接到所述絕緣基底的與所述柵極線的延伸方 向基本平行的第一側(cè)的電路基底，所述電路基底可向所述共電壓提供部分提之間的第一子共電壓提供部分，并且所述第一子共電壓提供部分可以基本上 與所述4冊極線平4亍地延伸。所述第一子共電壓提供部分和所述數(shù)據(jù)線可以形成在所述顯示裝置的不 同的層中。所述數(shù)據(jù)線可以包括主體部分和扇開部分，所述主體部分包含多條平行 線，所述扇開部分包括從所述主體部分向所述電路基底延伸的多條線，所述 第一子共電壓提供部分可以與所述數(shù)據(jù)線的所述主體部分基本垂直地延伸并 交叉。所述顯示裝置還可以包括設(shè)置在所述絕緣基底的與所述數(shù)據(jù)線的延伸方 向平行的第二側(cè)上的柵極驅(qū)動部分，所述柵極驅(qū)動部分可以與所述柵極線連區(qū)之間并且可以與所述數(shù)據(jù)線基本平行延伸的第二子共電壓提供部分。同層中。所述柵極線可以包括具有多條平行線的主體部分和具有從所述主體部分 向所述柵極驅(qū)動部分延伸的線的扇開部分，第二子共電壓提供部分可以與所 述柵極線的主體部分基本垂直地延伸并交叉。所述顯示裝置還可以包括與所述數(shù)據(jù)線基本平行的電源線和設(shè)置在所述 顯示區(qū)和所述電路基底之間的驅(qū)動電壓提供部分，所述驅(qū)動電壓提供部分可 以與所述柵極線基本平行地延伸，以向所述電源線提供驅(qū)動電壓。所述絕緣基底可以包括矩形形狀，所述共電壓提供部分可以位于所述絕 緣基底的四個側(cè)邊上。所述顯示裝置還可以包括電源線，與所述數(shù)據(jù)線基本平行；驅(qū)動電壓 提供部分，鄰近所述絕緣基底的面向所述第一側(cè)的第三側(cè)延伸，并且與所述 電源線連接；驅(qū)動電壓傳輸部分，可以將所述驅(qū)動電壓提供部分和所述電路 基底連接。 一對驅(qū)動電壓傳輸部分可以彼此面對，以將所述顯示區(qū)置于所述一對驅(qū) 動電壓傳輸部分之間。所述顯示裝置還可以包括與通過所述接觸孔暴露的所述共電壓提供部分 接觸的接觸構(gòu)件，所述接觸構(gòu)件可以由透明導(dǎo)電材料形成。還可以通過^是供一種顯示裝置的示例性實施例來實現(xiàn)本發(fā)明的前述和/ 或其它方面、特征及優(yōu)點，所述顯示裝置包括線部分，包括具有彼此基本平行的線的主體部分和從所述主體部分延伸的扇開部分；共電壓提供部分， 所述共電壓提供部分與所述主體部分交叉并且與被絕緣的所述主體部分絕 緣；絕緣層，形成在所述共電壓提供部分上，并且包括暴露所述共電壓提供 部分的接觸孔；共電極，與通過所述接觸孔暴露的所述共電壓提供部分電連 接。所述主體部分和所述共電壓提供部分可以基本上4皮此垂直地延伸并彼此 交叉。另外，所述主體部分和所述共電壓提供部分可以形成在所述顯示裝置 的不同的層中。所述線部分可以包括柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線中的至少一條。 所述接觸孔可以以復(fù)數(shù)形式設(shè)置在所述主體部分的相鄰的線之間。 還可以通過提供一種顯示裝置的制造方法來實現(xiàn)本發(fā)明的上述和/或其 它方面、特征及優(yōu)點，所述方法包括以下步驟形成線部分，所述線部分包形成與所述主體部分交叉并與所述主體部分絕緣的共電壓^:供部分；在所述 共電壓提供部分上形成絕緣層，所述絕緣層包括暴露所述絕緣層下面的所述 共電壓提供部分的接觸孔；形成與通過所述接觸孔暴露的所述共電壓提供部 分電連接的共電極。


通過參照附圖對本發(fā)明示例性實施例進(jìn)行更詳細(xì)地描述，本發(fā)明的上述 和其它方面、特征及優(yōu)點將變得更加清楚，其中圖1是對根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的第一示例性實施例提供的示例性像素的 等效電路圖；圖2和圖3是才艮據(jù)本發(fā)明顯示裝置的第一示例性實施例的示意性俯視平 面布局圖； 圖4是示出圖2中的部分"A"的放大的示意性俯視平面圖；圖5是沿著圖4中的線V-V截取的放大的示意性剖視圖；圖6是沿著圖4中的線VI-VI截取的放大的示意性剖視圖；圖7是示出圖2中的部分"B"的放大的示意性俯視平面圖；圖8是沿著圖7中的線麗-\1截取的放大的示意性剖視圖；圖9是沿著圖2中的線IX-IX截取的放大的示意性剖視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的第二示例性實施例的示意性俯視平面布局圖；圖ll是示出圖10中的部分"E"的放大的示意性俯視平面布局圖； 圖12是根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的第三示例性實施例的示意性俯視平面布 局圖。
具體實施方式
在下文中，現(xiàn)在將參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā) 明的實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為 限于這里提到的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完 全的，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。相同的標(biāo)號始終表示 相同的元件。應(yīng)該理解，當(dāng)元件凈皮稱作"在另一個元件上"時，該元件可以直接在所 述另一個元件上，或者在這兩個元件之間可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件 被稱作"直接在另一個元件上"時，不存在中間元件。如這里使用的，術(shù)語 "和/或"包括相關(guān)列出項的一個或多個中的任意和所有組合。應(yīng)該理解，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元 件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不 應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部 分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo) 的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被定義為第二 元件、組件、區(qū)域、層或部分。這里采用的術(shù)語僅是為了描述特定實施例的目的，而不意圖成為本發(fā)明 的限制。如這里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式也意 圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包括"和/或"包 含"時，說明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操:作、元件和/或組件，但 不排除存在或添加一個或多個其它的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、 組件和/或它們的組。另夕卜，這里可以使用相對術(shù)語，例如，"下面，，或"底部，，和"上面，，或"頂部"來描述如圖中所示的一個元件與其它元件的關(guān)系。應(yīng)該理解，相對 術(shù)語意圖包括除了圖中描述的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一幅 圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為"在其它元件下側(cè)"的元件隨后會被定位為"在所述其它元件的上側(cè)"。因此，才艮據(jù)圖中的特定方位，示例性術(shù)語"下面" 可以包括"下面"和"上面"兩個方位。相似地，如果一幅圖中的裝置,皮翻 轉(zhuǎn)，則被描述為"在其它元件下面或下方"的元件隨后會被定位為"在所述 其它元件上方"。因此，示例性術(shù)語"下面"或"下方"可以包括上面和下面 兩個方位。除非另外定義，否則這里采用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語) 具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還應(yīng) 該理解，除非這里明確地定義，否則術(shù)語(例如，通用字典中定義的術(shù)語) 應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的語境中和本公開中它們的意思一致的意思， 而不應(yīng)該被解釋為理想的或過度正式的意思。這里參照作為本發(fā)明理想實施例的示意性圖示的剖視圖來描述本發(fā)明的 示例性實施例。這樣，由例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的圖示的形狀的變化是 在預(yù)料之中的。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該被理解為限于這里示出的區(qū)域 的具體形狀，而是將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出或描述 為平坦的區(qū)域通?？梢跃哂写植诤?或非線性的特征。另外，示出的銳角可以 被倒圓。因此，圖中示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示 出區(qū)域的準(zhǔn)確形狀，并且不意圖限制本發(fā)明的范圍。以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的第一示例性實施例的示例性像素的等 效電^各圖。一個像素設(shè)置有多條信號線。信號線包括傳輸掃描信號的柵極線、傳輸 數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線和傳輸驅(qū)動電壓的電源線。數(shù)據(jù)線與電源線相鄰并且基本 平行地布置，柵極線基本上與數(shù)據(jù)線和電源線垂直地延伸并與數(shù)據(jù)線和電源 線交叉。
參照圖1,每個像素包括有機(jī)發(fā)光元件LD、開關(guān)薄膜晶體管(TFT)Tsw、 驅(qū)動TFTTdr和電容器C。驅(qū)動TFTTdr包4舌控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B4^到開關(guān)TFTTsw 和電容器C的一側(cè)，輸入端連接到電源線和電容器C的另一側(cè)，輸出端連接 到有機(jī)發(fā)光元件LD。有機(jī)發(fā)光元件LD包括連接到驅(qū)動TFT Tdr的輸出端的陽極和連接到共 電壓Vcom的陰極。有機(jī)發(fā)光元件LD根據(jù)驅(qū)動TFT Tdr的輸出電流發(fā)射不 同強(qiáng)度的光，從而顯示圖像。來自驅(qū)動TFTTdr的電流的量根據(jù)驅(qū)動TFTTdr 的控制端和輸出端之間提供的電壓而改變。多個有機(jī)發(fā)光元件LD可以一起 工作來顯示圖像。仍然參照圖1，開關(guān)TFT Tsw也包括控制端、輸入端和輸出端。控制端 連接到柵極線，輸入端連接到數(shù)據(jù)線、輸出端連接到驅(qū)動TFT Tdr的控制端 和電容器C的一側(cè)。開關(guān)TFTTsw根據(jù)從柵極線提供的掃描信號向驅(qū)動TFT Tdr傳輸從數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號。電容器C連接在驅(qū)動TFT Tdr的控制端和輸入端之間。電容器C充有輸 入到驅(qū)動TFTTdr的控制端的數(shù)據(jù)信號，并且電容器C保持該數(shù)據(jù)信號。圖2和圖3是根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的第一示例性實施例的示意性俯視平 面布局圖。圖2示出了省略了電^各基底303、驅(qū)動部分(驅(qū)動芯片)和電源 (power)傳輸膜的狀態(tài)，但是圖3示出了電路基底303、驅(qū)動部分(驅(qū)動芯 片)和電源傳輸膜。如圖2中所示，絕緣基底110包括具有矩形形狀的顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū) 的非顯示區(qū)。共電壓提供部分210圍繞顯示區(qū)的外圍形成，共電極190從共 電壓提供部分210接收共電壓。絕緣基底110具有基本為矩形的形狀，并且 包括第 一側(cè)110a、第二側(cè)110b、第三側(cè)110c和第四側(cè)110d。首先將描述非顯示區(qū)。與數(shù)據(jù)驅(qū)動部分301連接的數(shù)據(jù)焊盤144設(shè)置在顯示區(qū)下面的非顯示區(qū) 中，即，設(shè)置在與絕緣基底110的第一側(cè)U0a鄰近的非顯示區(qū)中。數(shù)據(jù)焊盤 144與向著顯示區(qū)延伸的數(shù)據(jù)線141連接。數(shù)據(jù)焊盤144作為多個均勻距離的組提供，電源焊盤125位于數(shù)據(jù)焊盤 144的組之間的每個位置，如圖2中所示。電源焊盤125通過驅(qū)動電壓傳輸 膜401接收驅(qū)動電壓，如圖3中所示。 參照圖2，每個電源焊盤125連接到基本上與柵極線121平行設(shè)置的驅(qū) 動電壓提供部分126。與數(shù)據(jù)線141基本上平行延伸的電源線145連接到驅(qū) 動電壓提供部分126。第一子共電壓提供部分210a基本上與柵極線121平行地設(shè)置在驅(qū)動電壓 提供部分126和顯示區(qū)之間，如圖2所示。在下文中，現(xiàn)在將參照圖4至圖6來更詳細(xì)地描述驅(qū)動電壓提供部分126 和第一子共電壓提供部分210a。驅(qū)動電壓提供部分126、第一子共電壓提供部分210a和柵極線121彼此 形成在同一層中，但是形成在與數(shù)據(jù)線141和電源線145對應(yīng)的層不同的層 中。數(shù)據(jù)線141包括主體部分141a，與數(shù)據(jù)線141基本平行；扇開(fanout) 部分141b，不與數(shù)據(jù)線141平行，向著數(shù)據(jù)焊盤144延伸。驅(qū)動電壓提供部 分126和第一子共電壓4是供部分210a與主體部分141a基本上垂直地延伸。 在可選示例性實施例中，第一子共電壓提供部分210a的一部分可以向著扇開 部分14lb的下部延伸。參照圖5，去除第一子共電壓提供部分210a上方的柵極絕緣層131和鈍 化層151的一部分，從而形成接觸孔155。用由透明導(dǎo)電材料形成的接觸構(gòu) 件163來覆蓋通過接觸孔155暴露的第一子共電壓纟是供部分210a。共電極190 與接觸構(gòu)件163連接，以從第一子共電壓提供部分210a接收共電壓。參照圖6，驅(qū)動電壓提供部分126和電源線145形成在不同的層中，驅(qū) 動電壓提供部分126通過由透明導(dǎo)電材料形成的橋部分164連接到電源線 145。分別形成電源線145和驅(qū)動電壓提供部分126,使得接觸孔156和157 分別暴露電源線145和驅(qū)動電壓提供部分126的部分，電源線145和驅(qū)動電 壓提供部分126經(jīng)過孔156、 157通過橋部分164 ;f皮此連4妄。參照圖7，與柵極驅(qū)動部分302 (圖3 )連接的柵極焊盤124設(shè)置在顯示 區(qū)左側(cè)的非顯示區(qū)中，即，設(shè)置在與絕緣基底IIO的第二側(cè)110b鄰近的非顯 示區(qū)中。柵極焊盤124與向著顯示區(qū)延伸的柵極線121連接。參照圖3, 4冊^l驅(qū)動部分302通過形成在絕纟彖基底110上的連4妄線(未 示出)從電路基底303接收驅(qū)動信號。參照圖3，驅(qū)動部分301和302通過玻璃覆晶(COG)型工藝作為安裝 在數(shù)據(jù)焊盤144和柵極焊盤124上的芯片提供。在可選示例性實施例中，驅(qū)
動部分301和302可以安裝在膜上，所述膜可以連接到柵極焊盤124和數(shù)據(jù) 焊盤144。第二子共電壓提供部分210b與數(shù)據(jù)線141基本平行地設(shè)置在柵極焊盤 124和顯示區(qū)之間，如圖2中所示。在下文中，現(xiàn)在將參照圖7和圖8來更詳細(xì)地描述第二子共電壓提供部 分210b。第二子共電壓提供部分210b形成在與柵極線121和第一子共電壓提供部 分210a對應(yīng)的層不同的層中。第二子共電壓提供部分210b形成在與數(shù)據(jù)線 141的層相同的層中。第二子共電壓提供部分210b的端部C(如圖2中所示) 與共電壓傳輸膜402連接，以從電路基底303接收共電壓，如圖3中所示。參照圖7，柵極線121包括主體部分121a，包括平行的柵極線121; 扇開部分121b,包括柵極線121的向著柵極焊盤124延伸并且彼此不平行的 部分。第二子共電壓提供部分210b基本上垂直于主體部分121a延伸。在可 選示例性實施例中，第二子共電壓提供部分210b的一部分可以向著扇開部分 121b的下部延伸，或者向著扇開部分121b的遠(yuǎn)離顯示區(qū)的邊緣的部分延伸。參照圖8，去除第二子共電壓提供部分210b上方的鈍化層151的一部分， 從而形成接觸孔154。用由透明導(dǎo)電材料形成的接觸構(gòu)件162來覆蓋通過接 觸孔154暴露的第二子共電壓提供部分210b。共電極190與接觸構(gòu)件162連 接，以從第二子共電壓提供部分210b接收共電壓。第三子共電壓提供部分210c在顯示區(qū)上方的非顯示區(qū)中與柵極線121 基本平行地延伸，即，在鄰近絕緣基底110的第三側(cè)110c的非顯示區(qū)中延伸， 如圖2中所示。第三子共電壓提供部分210c與第二子共電壓提供部分210b—體地形成。 第三子共電壓提供部分210c形成有接觸孔(未示出)和"^妄觸構(gòu)件(未示出)， 共電極190與接觸構(gòu)件連接，以從第三子共電壓提供部分210c接收共電壓， 如圖2中所示。仍然參照圖2，第四子共電壓提供部分210d在顯示區(qū)右側(cè)的非顯示區(qū)中 與數(shù)據(jù)線141基本平行地延伸，即，在鄰近絕緣基底110的第四側(cè)110d的非 顯示區(qū)中延伸。第四子共電壓提供部分210d與第一子共電壓提供部分210a 一體地形成。第四子共電壓提供部分210d的端部D (圖2)與共電壓傳輸膜 402連接，以從電路基底303接收共電壓，如圖3中所示。 現(xiàn)在，將參照圖9來更詳細(xì)地描述第四子共電壓提供部分210d。從第四子共電壓提供部分210d中去除鈍化層151的一部分，以形成接觸 孔158。通過接觸孔158暴露的第四子共電壓提供部分210d被由透明導(dǎo)電材 料形成的接觸構(gòu)件165覆蓋。共電極190與接觸構(gòu)件165連接，以從第四子 共電壓提供部分21 Od接收共電壓。參照圖3,在#>據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的顯示裝置1中，電路基底 303附于絕緣基底110的一側(cè)。即，顯示裝置1不需要用于驅(qū)動?xùn)艠O驅(qū)動部 分302或者提供共電壓的另外的電路基底。因此，根據(jù)基于本發(fā)明第一示例 性實施例的顯示裝置1的構(gòu)造減小了對另外組件的需要。第一子共電壓提供部分210a和第二子共電壓提供部分210b向共電極 190傳輸共電壓，而不占據(jù)單獨的區(qū)域。共電壓提供部分210通過絕緣基底 110的全部的四個側(cè)邊與共電極190連接，從而有效地提供共電壓。因此，由于共電壓提供部分210連接到絕緣基底100的所有的四個側(cè)邊， 以向顯示區(qū)傳輸共電壓，所以減少了與制造工藝中的對準(zhǔn)(alignment)誤差 有關(guān)的連接問題。共電極l卯可以與共電壓提供部分210的至少一面部分地 接觸。在下文中，現(xiàn)在將參照圖2和圖9來更詳細(xì)地描述顯示區(qū)。 柵極線121和柵電極122形成在由絕緣材料形成的絕緣基底110上方。 絕緣材料的示例性實施例包括例如，玻璃、石英、陶瓷、塑料的材料或者其 它類似的材料。如示例性實施例中所示，柵極線121連接到柵極焊盤124 (圖 7)。由氮化硅(SiNx)等形成的柵極絕緣層131形成在4冊極線121和柵電極 122上方，也形成在絕纟彖基底110的暴露部分上。在下面設(shè)置有柵電極122的柵極絕緣層131的上方，依次形成由非晶硅 (a-Si)形成的半導(dǎo)體層132和由用高密度11型雜質(zhì)摻雜的氫化11+ a-Si形成 的歐姆接觸層133。如示例性實施例中所示，歐姆接觸層133相對于柵電極 122分開，以暴露半導(dǎo)體層132的一部分，如圖9中所示。源電極142和漏電極143形成在歐姆接觸層133和柵極絕緣層131上。 源電極142和漏電極143相對于柵電極122分開，柵電極122位于源電極142 和漏電極143之間。源電極142可以從電源線145延伸。鈍化層151形成在源電極142、漏電極143和半導(dǎo)體層132的沒有被源 電極142和漏電極143覆蓋的部分以及柵極絕緣層131的暴露部分上。鈍化層151可以由氮化石圭(SiNx)形成。平面化層152形成在鈍化層151上方。平面化層152可以由苯并環(huán)丁烯樹脂系列(BCB)、聚烯烴系列、丙烯酸(acrylic)樹脂系列、聚酰亞胺系列和氟塑料系列中的一種形成。氟塑料系列包括聚四氟乙烯(PTFE)、過氟化環(huán)丁烷(PFCB )、氟化乙烯丙烯(FEP )、多氟烷氧(polyfluoroalkoxy， PFA )、乙烯聚四氟乙烯(ETFE)和聚偏1,1-二氟乙烯(PVDF)。氟塑料系列還包括由日本的Asahi Glass制造的"Cytop", "Cytop"的結(jié)構(gòu)式如下結(jié)構(gòu)式1CF2—CU0~CF2參照圖9，像素電極161形成在平面化層152上。像素電極161向有機(jī) 層180 4是供空穴。像素電極161可以由透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO)、 氧化銦鋅(IZO)或者其它類似的材料形成，并且通過接觸孔153與漏電極 143連接。非顯示區(qū)的接觸構(gòu)件162、 163和165以及橋部分164形成在顯示裝置1 的與^f象素電才及161的層相同的層上。圍繞像素電極161的壁171形成在像素電極161和平面化層152上。壁 171將像素電極161分開，以限定像素區(qū)。壁171防止TFTTdr的源電極142 和漏電極143與共電極190短路。壁171可以由具有耐熱性和耐溶劑性的光 致抗蝕劑材料，例如，丙烯酸樹脂、聚酰亞胺或者其它類似的材料形成。另仍然參照圖9,有機(jī)層180在由壁171限定的像素區(qū)中形成在像素電極 161上，并且包括空穴注入層181和發(fā)光層182。
空穴注入層181可以由聚噻吩衍生物例如聚(3，4-亞乙二氧基。塞吩) (PEDOT)或其它類似的材料以及聚苯乙烯磺酸酯(PSS)或其它類似的材 料的混合物形成。每個像素區(qū)內(nèi)的發(fā)光層182包括紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層 中的一個，像素區(qū)的矩陣包括重復(fù)形成的不同顏色的發(fā)光層182。發(fā)光層182可以由聚芴衍生物、聚對苯乙炔衍生物、聚苯撐衍生物、聚 乙烯基^唑、聚噻吩衍生物或者用芘系列顏料、羅丹明系列顏料、紅熒烯、 茈、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮或者其它 類似材料摻雜的這些高分子物質(zhì)形成。從像素電極161傳輸?shù)目昭ê蛷墓搽姌O190傳輸?shù)碾娮咏Y(jié)合，從而在發(fā) 光層182中形成激子。當(dāng)激子去激發(fā)時，例如，當(dāng)激子從較高能態(tài)降至較低 能態(tài)時，發(fā)射光子。如圖9中所示，共電極190位于壁171和發(fā)光層182上方。共電極190 向發(fā)光層182提供電子。共電極190可以包括氟化鋰層和氟化鋁層。在底部 發(fā)射型顯示器中，共電極190由不透明材料，例如鋁、《艮和其它類似物質(zhì)形 成，從發(fā)光層182產(chǎn)生的光向著絕緣基底IIO發(fā)射。由于有機(jī)層180容易受潮氣和氧的影響，所以顯示裝置1包括包封基底 (未示出)。包封基底可以由玻璃或者不銹鋼形成，并且可以通過采用密封劑 (未示出)結(jié)合到絕緣基底110。在下文中，現(xiàn)在將參照圖10來更詳細(xì)地描述才艮據(jù)本發(fā)明第二示例性實施 例的顯示裝置。如圖IO中所示，共電壓提供部分210僅形成在顯示區(qū)下面，而不形成在 其它區(qū)域上。另一方面，驅(qū)動電壓提供部分126形成在顯示區(qū)上方。電源線 145連接到驅(qū)動電壓提供部分126，并且不與共電壓提供部分210疊置。在下文中，現(xiàn)在將參照圖11來更詳細(xì)地描述才艮據(jù)第二示例性實施例的共 電壓提供部分210。如這里所示，共電壓提供部分210形成在與數(shù)據(jù)線141對應(yīng)的層不同的 層中。共電壓提供部分210基本上垂直于數(shù)據(jù)線141的主體部分141a延伸。 共電極190通過形成在共電壓提供部分210上方的接觸孔212接收共電壓。參照圖10，共電壓焊盤211位于數(shù)據(jù)驅(qū)動部分301 (如前面在圖3中所 示)之間，并且從電路基底303 (圖3)接收共電壓。共電壓焊盤211和共電
壓提供部分210 —體地形成。再次參照圖10，驅(qū)動電壓提供部分126通過驅(qū)動電壓傳輸部分127與電 路基底303電連接。驅(qū)動電壓提供部分126形成在與數(shù)據(jù)線141的層相同的 層中。驅(qū)動電壓4是供部分126與驅(qū)動電壓傳輸部分127和電源線145 —體地 形成。驅(qū)動電壓提供部分126的端部F和G從電^各基底303接收驅(qū)動電壓。在下文中，現(xiàn)在將參照圖12來更加詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施 例的示例性顯示裝置。如圖12中所示，共電壓提供部分210形成在顯示區(qū)的下面和左側(cè)。共電 壓提供部分210包括位于顯示區(qū)的下面的第一子共電壓提供部分210a和位于 顯示區(qū)的左側(cè)的第二子共電壓提供部分210b。第一子共電壓提供部分210a 和第二子共電壓提供部分210b形成在不同的層中。驅(qū)動電壓提供部分126形成在顯示區(qū)上面。驅(qū)動電壓提供部分126通過 位于顯示區(qū)右側(cè)的驅(qū)動電壓傳輸部分127接收驅(qū)動電壓。如上所述，本發(fā)明提供了一種采用相對小尺寸的絕緣基底來提供共電壓 的顯示裝置。另外，根據(jù)上述顯示裝置，本發(fā)明還提供了一種采用相對小尺寸的絕緣 基底來提供共電壓的顯示裝置的制造方法。例如，該顯示裝置的制造方法可 以包括以下步驟形成線部分，所述線部分包括具有基本上彼此平行的線的 主體部分和從主體部分延伸的扇開部分；形成與主體部分交叉并且與主體部分絕緣的共電壓提供部分；在共電壓提供部分上形成絕緣層，并且該絕緣層 具有暴露絕緣層下面的共電壓提供部分的接觸孔；形成與通過接觸孔暴露的 共電壓提供部分電連接的共電極。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范 圍的情況下，可以對此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1、 一種顯示裝置，包括 絕緣基底，包括顯示區(qū)；線部分，包括數(shù)據(jù)線和柵極線，所述數(shù)據(jù)線和所述4冊極線交叉，所述數(shù) 據(jù)線和所述柵極線彼此絕緣；共電壓提供部分，形成在所述顯示區(qū)的外圍的外部；絕緣層，形成在所述共電壓提供部分上，并且包括在所述線部分的一些 線基本上彼此平行地延伸的區(qū)域上形成的接觸孔；共電極，與通過所述接觸孔暴露的所述共電壓提供部分電連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括連接到所述絕緣基底的與所 述柵極線的延伸方向基本平行的第一側(cè)的電路基底，所述電路基底向所述共 電壓提供部分提供共電壓，其中，所述共電壓提供部分包括位于所述顯示區(qū)和所述電路基底之間的 第一子共電壓提供部分，并且所述第一子共電壓提供部分基本上與所述柵極 線平行地延伸。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第一子共電壓提供部分 和所述凝:據(jù)線形成在所述顯示裝置的不同的層中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的顯示裝置，其中，所述數(shù)據(jù)線包括主體部 分和扇開部分，所述主體部分具有多條平行線，所述扇開部分包括從所述主 體部分向所述電路基底延伸的多條線，所述第一子共電壓提供部分與所述數(shù)據(jù)線的所述主體部分基本垂直并交叉。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的顯示裝置，還包括與通過所述接觸孔 暴露的共電壓提供部分接觸的接觸構(gòu)件，所述接觸構(gòu)件由透明導(dǎo)電材料形成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括設(shè)置在所述絕緣基底的與所 述數(shù)據(jù)線的延伸方向基本平行的第二側(cè)的柵極驅(qū)動部分，所述柵極驅(qū)動部分 與所述柵極線連接，間并且與所述數(shù)據(jù)線基本平行延伸的第二子共電壓才是供部分。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述第二子共電壓提供部分 和所述4冊極線形成在所述顯示裝置的不同層中。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置，其中，所述柵極線包括主體部 分和扇開部分，所述主體部分包括多條平行線，所述扇開部分從所述主體部 分向所述柵極驅(qū)動部分延伸的線，第二子共電壓提供部分與所述柵極線的主體部分基本垂直地延伸并交叉。
9、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括電源線，與所述數(shù)據(jù)線基 本平行；驅(qū)動電壓提供部分，位于所述顯示區(qū)和所述電路基底之間，所述驅(qū) 動電壓提供部分與所述^JH及線基本平行地延伸，以向所述電源線^是供驅(qū)動電 壓。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述絕緣基底包括矩形形 狀，所述共電壓提供部分設(shè)置在所述絕緣基底的四個側(cè)邊上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括 電源線，與所述數(shù)據(jù)線基本平行；驅(qū)動電壓提供部分，鄰近所述絕緣基底的面向所述第 一側(cè)的第三側(cè)延伸， 并且與所述電源線連>^妄；驅(qū)動電壓傳輸部分，將所述驅(qū)動電壓提供部分和所述電路基底連接。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中， 一對驅(qū)動電壓傳輸部分彼 此面對，以將所述顯示區(qū)置于所述一對驅(qū)動電壓傳輸部分之間。
13、 一種顯示裝置，包括線部分，包括具有彼此基本平行的線的主體部分和具有從所述主體部分 延伸的線的扇開部分；共電壓提供部分，所述共電壓提供部分與所述主體部分交叉并且與所述 主體部分絕緣；絕緣層，形成在所述共電壓提供部分上，并且包括暴露所述共電壓提供 部分的接觸孔；共電極，與通過所述接觸孔暴露的所述共電壓提供部分電連接。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述主體部分和所述共電 壓提供部分基本上彼此垂直地延伸并彼此交叉。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述主體部分和所述共電 壓提供部分形成在所述顯示裝置的不同的層中。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述線部分包括柵極線、 數(shù)據(jù)線和電源線中的至少 一條。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述接觸孔以復(fù)數(shù)形式設(shè) 置在所述主體部分的相鄰的線之間。
18、 一種顯示裝置的制造方法，所述方法包括以下步驟所述主體部分延伸的扇開部分；形成與所述主體部分交叉并與所述主體部分絕緣的共電壓提供部分； 在所述共電壓提供部分上形成絕緣層，所述絕緣層包括暴露所述絕緣層下面的所述共電壓提供部分的接觸孔；形成與通過所述接觸孔暴露的所述共電壓提供部分電連接的共電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括絕緣基底，具有顯示區(qū)；線部分，包括彼此絕緣并彼此交叉的數(shù)據(jù)線和柵極線；共電壓提供部分，形成在顯示區(qū)的外圍的外部；絕緣層，形成在共電壓提供部分上，并且包括在線部分的一些線基本上彼此平行地延伸的區(qū)域上形成的接觸孔；共電極，與通過接觸孔暴露的共電壓提供部分電連接。
文檔編號H01L21/768GK101123268SQ20071014022
公開日2008年2月13日 申請日期2007年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日
發(fā)明者崔凡洛, 鄭光哲, 高俊哲 申請人:三星電子株式會社