專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)致力研發(fā)能夠在短時間內(nèi)處理大量數(shù)據(jù)的信息處理器件以及 能夠顯示經(jīng)過處理的數(shù)據(jù)的顯示器件。
顯示器件被分為模擬顯示器件與數(shù)字顯示器件。模擬顯示器件包括陰極射
線管(CRT)等，數(shù)字顯示器件包括液晶顯示器件(LCD)、有機(jī)發(fā)光器件 (OLED)、等離子體顯示面板(PDP)等。
由于與模擬顯示器件相比數(shù)字顯示器件纖薄且輕質(zhì)，因此數(shù)字顯示器件被 廣泛應(yīng)用。
在各種數(shù)字顯示器件中，OLED的技術(shù)發(fā)展過程較快。
當(dāng)在平面圖中看時，相關(guān)技術(shù)的OLED包括在公共電極上排列成柵格形 的隔離體，該公共電極形成在基板中。當(dāng)在截面圖中看時，該隔離體具有倒錐 形的形狀(reversely tapered shape)。
在相關(guān)技術(shù)的OLED中，通過對有機(jī)層構(gòu)圖形成隔離體，該有機(jī)層包括 光敏有機(jī)物質(zhì)以及溶解光敏有機(jī)物質(zhì)的溶劑。
在形成隔離體的公共電極上進(jìn)行真空沉積工序以形成有機(jī)發(fā)光層。然后， 在有機(jī)發(fā)光層上形成像素電極。倒錐形的隔離體電分隔有機(jī)發(fā)光層和像素電 極，而不需任何另外的構(gòu)圖工序。
然而相關(guān)技術(shù)的OLED存在有機(jī)發(fā)光層容易由于各種氣體、氧氣、氫氣 及^S氣的作用而發(fā)生退化的問題。為了解決該問題，OLED包括阻擋層，該阻 擋層用于防止有機(jī)發(fā)光層與有害物質(zhì)，例如各種氣體、氧氣、氫氣、混合物等 接觸。該阻擋層密封有機(jī)發(fā)光層。
阻擋層也密封由有機(jī)材料形成的隔離體，以及有機(jī)發(fā)光層。
當(dāng)阻擋層密封隔離體以及有機(jī)發(fā)光層時，從隔離體中揮發(fā)的溶劑使阻擋層
密封的有機(jī)發(fā)光層的特性嚴(yán)重地退化。從而，顯著地?fù)p害有^l發(fā)光層，并由此
顯著地縮短OLED的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于提供一種OLED及其制造方法，其基本上避免了由 相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)帶來的一種或更多問題。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種OLED，其能夠電分隔有機(jī)發(fā)光層和像素 電極，而不需任何另外的構(gòu)圖工序，并防止隔離體產(chǎn)生引起有機(jī)發(fā)光層退化的 氣體，由此提供改進(jìn)性能且延長壽命的OLED。
本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在后面的描述中得以闡明，部分 地通過檢驗(yàn)以下描述將對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見，或者可通過實(shí)踐本 發(fā)明來認(rèn)識它們。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過書面描述及其權(quán)利要求以及 附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和得到。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描 述，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，包括第一電極，設(shè)置在基板上；隔離 體，以柵格形設(shè)置在第一電極上，并具有凹槽形的孤立部分，該孤立部分從入 口向孤立部分的內(nèi)部逐漸擴(kuò)大；有機(jī)發(fā)光圖案，設(shè)置在被隔離體包圍的第一電 極上，該有機(jī)發(fā)光圖案通過孤立部分分隔開；以及第二電極，設(shè)置在有機(jī)發(fā)光 圖案上，并通過孤立部分分隔開。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施方式中，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光器^^的方法，包 括在基板上形成第一電極；在第一電極上形成柵格形的隔離體，以暴露出像 素區(qū)，該隔離體具有凹槽形的孤立部分；在被隔離體包圍的第一電極上形成有 機(jī)發(fā)光圖案，該有機(jī)發(fā)光圖案通過孤立部分彼此分隔開；以及在分隔開的有機(jī) 發(fā)光圖案上形成第二電極，該第二電極通過孤立部分分隔。
應(yīng)該理解，本發(fā)明上面的概述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的， 意欲對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。


所包括的用于提供對本發(fā)明進(jìn)一步解釋并引入構(gòu)成本申請一部分的附圖 說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的OLED的局部平面圖； 圖2為沿圖1的線I-I'線提取的橫截面圖3為示出制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的OLED的方法的流程圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的形成在基板上的第一電極的橫截面圖5至9為在示出如圖4所示的第一電極上形成隔離體的工序的橫截面 圖；以及
圖10為如圖9所示形成在基板上的有機(jī)發(fā)光圖案和第二電極的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖中所示的實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。盡可能的， 在整個附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。在附圖中，為了表 示清楚，第一電極、隔離體、有機(jī)發(fā)光圖案、第二電極、以及其它結(jié)構(gòu)的尺寸 均被放大。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及第一電極、隔離體、有機(jī)發(fā)光圖案、第二電極、 以及其它結(jié)構(gòu)在層或者基板之"上"或者之"下"時，它們能夠直接在層或者 基板之上，或者可以進(jìn)一步形成另外的插入層(interveninglayer)。此外，還 應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)用例如"第一"、"第二"、以及"第三"的術(shù)語描述電極、隔
離體、以及其它結(jié)構(gòu)時，這些術(shù)語不能限定這些元件。這些術(shù)語僅用作將元件 彼此區(qū)分。因此，對于這些元件，能夠選擇使用或者交換使用術(shù)語"第一"和
"第一 "
有機(jī)發(fā)光器件
圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)的局部平面圖，圖
2為沿圖1的線I-I'線提取的橫截面圖。
參照圖1和圖2， OLED 100包括基板1、第一電極10、無機(jī)隔離體20、
有^l發(fā)光圖案30、以及第二電極40。
基板1包括平板形透明基板?；?可以為玻璃基板或者透明樹脂基板。 第一電極10設(shè)置在基板1上。第一電極10可以為透明的且導(dǎo)電的。 可以用作第一電極10的材料的例子包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、
本tiE氧化銦錫(a-ITO)，等等。
第一電極10設(shè)置在基板1的整個區(qū)域的上方。同時，總線5可以設(shè)置在
基板1和第一電極10之間，以向第一電極10提供驅(qū)動信號。作為選擇，電阻
比第一電極10低的輔助電極可以設(shè)置在基板1和第一電極10之間，以降低第 一電極10的電阻。
隔離體20設(shè)置在第一電極10上。隔離體20電分隔有機(jī)發(fā)光圖案30和第 二電極40，而不需另外的構(gòu)圖工序。以下將描述有機(jī)發(fā)光圖案30。有機(jī)發(fā)光 圖案30和第二電極40通過隔離體20在基板10上自對準(zhǔn)。
隔離體20以柵格形設(shè)置在第一電極10上。在平面圖中，柵格形隔離體 20形成閉合環(huán)形。孤立部分25設(shè)置在隔離體20上。孤立部分25可以具有凹 槽形，該凹槽形限定從隔離體的上部到下部逐漸向下擴(kuò)大的空間。
隔離體20可以包括第一無機(jī)圖案22和第二無機(jī)圖案24。
第一無機(jī)圖案22接觸第一電極10，并防止隨后描述的有機(jī)發(fā)光圖案30 沉積在第一電極10上。第二無機(jī)圖案24設(shè)置在第一無機(jī)圖案22上，并具有 從第二無機(jī)圖案24的入口向下逐漸擴(kuò)大的空間。為了形成孤立部分25，第二 無豐幾圖案24的邊緣部分接觸第一無機(jī)圖案22，并且第二無機(jī)圖案24的中心 部分與第一無機(jī)圖案22分隔開。
在平面圖中，由于第二無機(jī)圖案24，孤立部分25的入口具有柵格形。
可以用作第一無機(jī)圖案22和第二無機(jī)圖案24的材料的例子包括硅的氧化 物(SiOx)或者硅的氮化物(SiNx)等。
有機(jī)發(fā)光圖案30可以包括與暴露出的第一電極10接觸的有機(jī)發(fā)光層(未 示出)。當(dāng)從外部提供的空穴和電子在其中復(fù)合時，有機(jī)發(fā)光層30發(fā)光。有 機(jī)發(fā)光層30可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層 (EIL)、以及電子傳輸層(ETL)?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭▊鬏攲犹峁┛昭?，電 子注入層和電子傳輸層提供電子。
有機(jī)發(fā)光圖案30設(shè)置在排列在像素區(qū)域中的第一電極10上，該像素區(qū)是 通過隔離體20、第二無機(jī)圖案24的上表面、以及在孤立部分25內(nèi)設(shè)置的第 一無機(jī)圖案22的包圍而限定的。
由于一些有機(jī)發(fā)光圖案30通過孤立部分25設(shè)置在第二無機(jī)圖案24上， 因此有機(jī)發(fā)光圖案30彼此電分離，而不需任何構(gòu)圖工序。
第二電極40設(shè)置在第一電極10上提供的有機(jī)發(fā)光圖案30上，并且有機(jī) 發(fā)光圖案設(shè)置在孤立部分25內(nèi)。在這點(diǎn)上，由于一些第二電極40設(shè)置在孤立 部分25內(nèi)，因此第二電極40彼此電分離，而不需任何另外的構(gòu)圖工序。第二
電極40是由具有低功函的金屬形成。可以用作第二電極40的金屬的例子包括 招 超厶仝楚
如上所述，隔離體20形成在第一電極10上。隔離體20是由無機(jī)材料形 成，并且當(dāng)在平面圖中看時具有閉合環(huán)形。隔離體20具有凹槽形的孤立部分 25，以形成有機(jī)發(fā)光圖案30和第二電極40，而不需任何構(gòu)圖工序，且不需另 外的構(gòu)圖工序。相應(yīng)地，能夠抑制如從隔離體20中產(chǎn)生的溶劑的氣體，由此 防止有機(jī)發(fā)光圖案30的退化。
制造OLED的方法
圖3為示出制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的OLED的方法的流程圖，圖4為 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的形成在基板上的第一電極的橫截面圖。
參照圖3和圖4，導(dǎo)電總線5形成在例如透明玻璃基板的基板1上。 為了形成總線5，在基板l上形成金屬層(未示出)。可以用化學(xué)氣相沉 積(CVD)工序或者濺射工序形成金屬層?？梢杂米鹘饘賹拥牟牧系睦影?to 、 口血tn守o
在基板上形成金屬層之后，在金屬層的整個區(qū)域的上方形成光刻膠膜(未
示出)?？梢酝ㄟ^旋轉(zhuǎn)涂布工序或者狹縫涂布工序(slit coating process)等形 成光刻膠膜。
通過具有曝光工序和顯影工序的感光工序，對光刻膠膜構(gòu)圖，以在金屬層 上形成光刻膠圖案(未示出)。
用光刻膠膜作為蝕刻掩模對金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，以在基板1上形成總線5。
同時，還可以使用蔭罩通過真空沉積工序形成總線5?？偩€5向第一電極 IO提供驅(qū)動信號，這將隨后描述。
在步驟S10中，可以在基板1上形成第一電極10。第一電極10為透明的 且導(dǎo)電的。第一電極10可以通過濺射工序、CVD工序、或者真空沉積工序等 形成在基板l上?？梢杂米鞯谝浑姌O10的材料的例子包括ITO、 IZO、或者 a-ITO等。此外，形成在基板1上的第一電極10可以包括低電阻金屬。
圖5至9為示出在如圖4所示的第一電極上形成隔離體的工序的橫截面圖。
參照圖5，在步驟S20中，在第一電極10上形成第一無機(jī)層22a，以形成 具有孤立部分的隔離體。在該實(shí)施方式中，第一無機(jī)層22a可以通過CVD工
序或者真空沉積工序等形成在第一電極10上?？梢杂米鞯谝粺o機(jī)層22a的材 料的例子包括硅的氧化物、硅的氮化物等。
參照圖6，在第一電極10上形成第一無機(jī)層22a后，在第一無機(jī)層22a 上形成犧牲圖案23(sacrificial pattern)。
具體地說，有機(jī)層(未示出)通過旋轉(zhuǎn)涂布工序或者狹縫涂布工序等形成 在第一無機(jī)層22a上。通過具有曝光工序和顯影工序的感光工序?qū)τ袡C(jī)層構(gòu) 圖，以在第一無機(jī)層22a上形成犧牲圖案23。在該實(shí)施方式中，可以用作犧 牲圖案23的金屬的例子包括光刻膠物質(zhì)、聚酰亞胺、壓克力基樹脂等。
在平面圖中，犧牲圖案23可以設(shè)置在正方形或者矩形的像素區(qū)周圍。例 如，犧牲圖案23具有帶形并圍繞像素區(qū)形成閉合環(huán)形。
參照圖7，在第一無機(jī)層22a上形成犧牲圖案23后，在第一無機(jī)層22a 上形成第二無機(jī)層24a。第二無機(jī)層24a覆蓋第一無機(jī)層22a和犧牲圖案23。 第二無機(jī)層24a可以通過CVD工序或者真空沉積工序等形成在第一無機(jī)層 22a上。第二無機(jī)層24a可以是由氧化物或者氮化物形成。
參照圖8,在第一無機(jī)層22a上形成第二無機(jī)層24a后，在第二無機(jī)層24a 的整個區(qū)域上形成含有光敏物質(zhì)的光刻膠膜(未示出)。
用具有曝光工序和顯影工序的感光工序?qū)饪棠z膜構(gòu)圖，以在第二無機(jī)層 24a上形成光刻膠圖案25。在該實(shí)施方式中，光刻膠圖案25具有暴露出與像 素區(qū)對應(yīng)的部分第二無機(jī)層24a的開口 25a和暴露出與犧牲圖案23對應(yīng)的部 分第二無機(jī)層24a的狹縫形的開口 25b。暴露出部分第二無機(jī)層24a的裂縫形 的開口25a具有閉合環(huán)形。當(dāng)犧牲圖案23的寬度為W,時，暴露出與犧牲圖 案23對應(yīng)的第二無機(jī)層24a的光刻膠圖案25的開口 25b的寬度Wz可以小于 犧牲圖案23的寬度Wlc>
參照圖9，在第二無機(jī)層24a上形成光刻膠圖案25后，用光刻膠圖案25 作為蝕刻掩模對第二無機(jī)層24a和第一無機(jī)層22a蝕刻。
可以用與無機(jī)材料反應(yīng)的蝕刻劑對與開口 25a對應(yīng)的第二無機(jī)層24a和第 以無機(jī)層22a以及與開口25b對應(yīng)的第二無機(jī)層24a進(jìn)行濕刻。作為選擇，可 以用等離子體對與開口 25a對應(yīng)的第二無機(jī)層24a和第一無機(jī)層22a以及與開 口 25b對應(yīng)的第二無機(jī)層24a進(jìn)行干刻。
對第二無機(jī)層24a和第一無機(jī)層22a蝕刻時，暴露出像素區(qū)的第一無機(jī)圖
案22形成在與開口 25a對應(yīng)的部分第一電極10上，并且形成暴露出犧牲圖案 23的第二無機(jī)圖案24。
第一無機(jī)圖案22暴露出與像素區(qū)對應(yīng)的部分第一電極10，并且第二無機(jī) 圖案22暴露出犧牲圖案23的部分上表面。
通過第二無機(jī)圖案24暴露出部分犧牲圖案23之后，用蝕刻劑或者等離子 體從第一無機(jī)圖案22上去除經(jīng)暴露出的犧牲圖案23。
具體地說，用針對第一無機(jī)圖案22和第二無機(jī)圖案24具有高蝕刻選擇性 的蝕刻劑從第一無機(jī)圖案22上去除犧牲圖案23。作為選擇，可以用氧等離子 體從第一無機(jī)圖案22上去除犧牲圖案23。
去除犧牲圖案23時，環(huán)形形狀的空的空間形成在第一無機(jī)圖案22和第二 無機(jī)圖案24之間。由于該空間，有機(jī)發(fā)光圖案和第二電極將被電分隔，而不 需任何構(gòu)圖工序，這將隨后描述。以下，空的空間將被提及為孤立部分25。
圖10為在如圖9所示的基板上形成的有機(jī)發(fā)光圖案和第二電極的橫截面圖。
參照圖3和圖10，在步驟S30中，有機(jī)發(fā)光圖案30形成在形成有第一無 機(jī)圖案22和第二無機(jī)圖案24的基板1上。
有機(jī)發(fā)光圖案30可以用真空沉積工序形成。有機(jī)發(fā)光圖案30可以是由具 有空穴注入材料的空穴注入層(HIL)、具有空穴傳輸材料的空穴傳輸層(HTL)、 具有有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光層、具有電子注入材料的電子注入層(EIL)、 以及具有電子傳輸材料的電子傳輸層(ETL)形成。
空穴注入材料、空穴傳輸材料、有機(jī)發(fā)光材料、電子注入材料、以及電子 傳輸材料沉積在隔離體20和暴露出的第一電極10上，該隔離體20具有第一 無機(jī)圖案22和第二無機(jī)圖案24。從而，有機(jī)發(fā)光圖案30通過隔離體20的孤 立部分25電分離，而不需任何另外的構(gòu)圖工序。
在步驟S40中，在基板上形成有機(jī)發(fā)光圖案30之后，具有低功函的金屬 材辛斗，例如鋁或者鋁合金，通過濺射工序或者真空沉積工序等沉積在有機(jī)發(fā)光 圖案30上。經(jīng)電分離的第二電極40形成在有機(jī)發(fā)光圖案30上。通過這些工 序，完成制造OLED100的工序。
如上所述，有機(jī)發(fā)光層和像素電極能夠被電分隔，而不需任何另外的構(gòu)圖 工序。此外，隔離體是由不產(chǎn)生例如溶劑的氣體的無機(jī)材料形成，由此提高了OLED的性能和壽命。
很顯然，本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情 況下可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改進(jìn)。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所有落入所附 權(quán)利要求及其等效物范圍內(nèi)的對本發(fā)明進(jìn)行的修改和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光器件，包括第一電極，設(shè)置在基板上；隔離體，以柵格形設(shè)置在第一電極上，并具有凹槽形的孤立部分；有機(jī)發(fā)光圖案，設(shè)置在通過隔離體暴露出的第一電極上；以及第二電極，設(shè)置在有機(jī)發(fā)光圖案上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述隔離體包括: 第一無機(jī)圖案，設(shè)置在第一電極上；以及第二無機(jī)圖案，設(shè)置在第一無機(jī)圖案上，以形成孤立部分。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機(jī)圖 案和第二無機(jī)圖案是由無機(jī)材料形成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)材料包括氮化物或者氧化物。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極是 由透明導(dǎo)電層形成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極是 由金屬形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，在平面圖中看時， 所述孤立部分具有閉合環(huán)形的狹縫。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述孤立部分從 隔離體的上部到下部逐漸擴(kuò)大。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，進(jìn)一步包括總線， 該總線設(shè)置在第一電極和基板之間，以提供驅(qū)動信號。
10、 一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，該方法包括 在基板上形成第一電極；在第一電極上形成柵格形的隔離體，以暴露出像素區(qū)，該隔離體具有凹槽 形的孤立部分；在被隔離體包圍的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光圖案，該有機(jī)發(fā)光圖案通過孤 立部分彼此分隔開；以及 在分隔開的有機(jī)發(fā)光圖案上形成第二電極，該第二電極通過孤立部分彼此 分隔開。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成隔離體的歩驟 包括在第一電極上形成第一層；用有機(jī)材料圍繞像素區(qū)在第一層上形成閉合環(huán)形的犧牲圖案； 形成覆蓋犧牲圖案的第二層；形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案暴露出與像素區(qū)對應(yīng)的部分第二層以及與 犧牲圖案對應(yīng)的部分第二層；用光刻膠圖案作為蝕刻掩模去除與像素區(qū)對應(yīng)的部分第一層和第二層并 暴露出犧牲圖案；以及去除暴露出的犧牲圖案，以形成孤立部分。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，所述第一層和第二層是 由無機(jī)材料形成。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述無機(jī)材料包括氧化 物和氮化物之一。
14、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，所述形成犧牲圖案的步 驟包括在第一層上形成有機(jī)層；以及 用曝光工序?qū)τ袡C(jī)層進(jìn)行構(gòu)圖。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)層是由壓克力 和聚酰亞胺之一形成。
16、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，所述犧牲圖案是通過蝕 刻齊lj選擇性地去除的。
17、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，所述暴露出的犧牲圖案 是用氧等離子體去除的。
18、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，所述第二電極是由鋁和 鋁合金之一形成。
19、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，在形成第 一電極之前，在基板上形成總線以施加驅(qū)動信號。
20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述總線具有第一電阻， 并且第一電極具有低于第一電阻的第二電阻。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極，設(shè)置在基板上；隔離體，以柵格形設(shè)置在第一電極上，并具有凹槽形的孤立部分，該孤立部分從入口到孤立部分的內(nèi)部逐漸擴(kuò)大；有機(jī)發(fā)光圖案，設(shè)置在被隔離體包圍的第一電極上，該有機(jī)發(fā)光圖案通過孤立部分分隔開；以及第二電極，設(shè)置在有機(jī)發(fā)光圖案上，并且通過孤立部分分隔開。相應(yīng)地，有機(jī)發(fā)光層和像素電極能夠被電分隔，而不需任何另外的構(gòu)圖工序。此外，隔離體是由不產(chǎn)生例如溶劑的氣體的無機(jī)材料形成，由此提高了有機(jī)發(fā)光器件的性能和壽命。
文檔編號H01L21/82GK101097945SQ20071012755
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者崔熙東, 李在允, 李晙碩, 趙興烈, 金廷炫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社