專利名稱：薄膜晶體管基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)裝置及其制造方法，更具體而言，涉及一種LCD裝置的薄膜晶體管(TFT)基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)裝置是最廣泛使用的平板顯示裝置之一，其包括具有多個電極的兩個基板和夾置在兩個基板之間的液晶層。LCD裝置通過將電壓施加到多個電極來調(diào)整通過其透射的光的量，從而液晶層的液晶分子可以被重排。
通常使用的LCD裝置包括薄膜晶體管(TFT)基板，其具有多個排列為矩陣的像素電極和具有單個公共電極的顯示基板。
為了滿足對寬屏的日益增加的需求，數(shù)據(jù)線或柵極線可以由低電阻導(dǎo)電材料形成，從而施加到TFT基板上的像素電極或開關(guān)元件的數(shù)據(jù)信號或柵極信號可以被適當(dāng)?shù)貍鬏數(shù)竭B接到數(shù)據(jù)線和柵極線的所有像素電極或開關(guān)元件，而無論信號必須沿所述線傳輸?shù)木嚯x如何。然而，這樣的低電阻導(dǎo)電材料可能惡化數(shù)據(jù)線或柵極線對于基板的粘接性能，或由于與其他層的相互作用而可能導(dǎo)致缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可以具有出色信號傳輸能力的薄膜晶體管(TFT)基板。
本發(fā)明還提供了一種具有出色信號傳輸能力的薄膜晶體管(TFT)基板的制造方法。
本發(fā)明的附加的特征將在隨后的說明書中闡述，且部分地將從說明書清楚見，或者可以通過實踐本發(fā)明來得知。
本發(fā)明公開了一種TFT基板。該TFT基板包括絕緣基板；形成于絕緣基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵極線相交且與柵極線絕緣，其中柵極線、數(shù)據(jù)線、或柵極線和數(shù)據(jù)線二者包括形成于絕緣基板上的基體圖案，形成于基體圖案上的低電阻導(dǎo)電圖案、和形成于低電阻導(dǎo)電圖案上的鈍化圖案。
本發(fā)明還公開了一種TFT基板的制造方法。該方法包括在絕緣基板上形成柵極線和數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線與柵極線相交且與柵極線絕緣。柵極線、數(shù)據(jù)線、或柵極線和數(shù)據(jù)線二者的形成包括利用無電鍍方法在基體圖案上形成低電阻導(dǎo)電圖案。
可以理解，前述的總體描述和隨后的詳細描述是示范性的和解釋性的，且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。


其中包括附圖以提供對于本發(fā)明的進一步的理解，且將其引入并構(gòu)成本說明書的一部分，圖中示出了本發(fā)明的實施方式，且與描述部分一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1、圖2、圖3和圖4是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的薄膜晶體管(TFT)基板的制造方法的剖面圖。
圖5是利用根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的TFT基板的制造方法所獲得的TFT基板的剖面圖。
圖6是利用根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的TFT基板的制造方法所獲得的TFT基板的剖面圖。
圖7和圖8是利用根據(jù)本發(fā)明的再一示范性實施方式的TFT基板的制造方法所獲得的TFT基板的剖面圖。
圖9是顯示相對于TFT基板浸入鍍液中的時間量的低電阻導(dǎo)電圖案的厚度變化的曲線圖。
圖10是顯示相對于低電阻導(dǎo)電圖案的厚度的TFT基板的電阻率的變化的曲線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將參考其中顯示本發(fā)明的實施方式的附圖在其后更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式以使得本公開充分和完整，且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達本發(fā)明的范圍。
在附圖中，為了圖示的清晰可能夸大了層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印跋隆睍r，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當(dāng)層或元件被稱為在兩層或兩個元件“之間”時，它可以為兩層或兩個元件之間惟一的層，或還可以存在一個以上的中間層或元件。通篇相似的參考標(biāo)記指示相似的元件。
可以理解，執(zhí)行本公開所披露的每個制造方法的操作步驟的順序不限于這里闡述的，除非具體地另外提及。因此，執(zhí)行本公開所披露的每個制造方法的操作步驟的順序可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)變化，且對于本發(fā)明相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員顯而易見的結(jié)果也將被認為在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
現(xiàn)將在以下詳細參考圖1、圖2、圖3和圖4來描述根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的薄膜晶體管(TFT)的制造方法，圖1-4為用于解釋該方法的剖面圖。
參考圖1，基體圖案21a形成于絕緣基板10上。具體而言，基體導(dǎo)電層(未示出)形成于絕緣基板10上，絕緣基板10可以由比如玻璃或石英的無機材料或比如聚合物樹脂的有機材料制成?；w導(dǎo)電層可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉭(Ta)和鎢(W)或這些材料的任何的合金形成。特別地，基體導(dǎo)電層可以由鉬(Mo)或氮化鉬(MoN)形成，其對于上層可以具有出色的粘接能力?；w材料層可以利用濺射方法形成為約200-1000的厚度。
其后，光致抗蝕劑層(未示出)可以形成于基體導(dǎo)電層上。光致抗蝕劑層可以利用光學(xué)掩模被選擇性地曝光。具有通過曝光而改變的光化學(xué)性能的光致抗蝕劑層被顯影，由此獲得具有期望形狀的光致抗蝕劑圖案(未示出)。
其后，通過利用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模蝕刻基體導(dǎo)電層，可以形成柵極線基體圖案。成為部分的TFT的柵電極的基體圖案21a從柵極線基體圖案突出。傳輸從外部源接收的信號的柵極焊盤基體圖案(未示出)可以形成于柵極線基體圖案的一端。
然后利用例如剝離器可以移除位于柵極線基體圖案上的光致抗蝕劑圖案。
其后，參考圖2，低電阻導(dǎo)電圖案21b形成于柵極線基體圖案上。低電阻導(dǎo)電圖案21b可以利用無電鍍方法形成，且其可以覆蓋柵極線基體圖案的上表面和側(cè)表面。如果柵極線基體圖案由鉬(Mo)形成，則低電阻導(dǎo)電圖案21b可以通過首先在包含比如鈀(Pd)鹽、鉑(Pt)鹽、或金(Au)鹽的金屬鹽的鍍覆溶液中浸漬(digest)柵極線基體圖案的表面來形成，從而柵極線基體圖案的表面可以用金屬鹽鍍覆。
其后，在包含低電阻材料的鍍覆溶液中浸漬該金屬鹽鍍覆的柵極線基體圖案，從而通過柵極線基體圖案上的金屬鹽導(dǎo)致還原工藝。作為還原工藝的結(jié)果，僅在柵極線基體圖案的表面上形成低電阻導(dǎo)電圖案21b。低電阻導(dǎo)電圖案21b可以包括銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)或它們的合金。特別地，低電阻導(dǎo)電圖案21b可以由銅(Cu)或銅合金形成。低電阻導(dǎo)電圖案21b可以形成為約600-3000的厚度。當(dāng)柵極線、柵電極21和柵極焊盤形成為包括基體圖案21a和低電阻導(dǎo)電圖案21b的雙層結(jié)構(gòu)時，信號可以被更均勻地傳輸跨過更大的距離，由此使得本發(fā)明可以應(yīng)用到寬屏顯示裝置。
如果柵極線基體圖案由氮化鉬(MoN)形成，則可以利用比如鈀(Pd)鹽、鉑(Pt)鹽或金(Au)鹽的金屬鹽在柵極線基體圖案的表面上進行可選的活化工藝。
具體而言，該可選的活化工藝可以在無電鍍工藝之前進行以有利于無電鍍工藝?；罨に嚳梢蕴岣叩碗娮鑼?dǎo)電圖案21b對于基體圖案21a的粘接且有助于在早期產(chǎn)生核。活化工藝包括將具有基體圖案21a的絕緣基板10浸入鈀(Pd)基溶液中。作為浸入的結(jié)果，在基體圖案21a上可以產(chǎn)生鈀核。鈀顆粒用作催化劑表面。
鈀基溶液可以維持0.003-0.3g/L的鈀濃度。形成于基體圖案21a上的鈀顆粒的密度可以為每平方厘米1×108-1×1012個鈀顆粒。
還可以可選地進行預(yù)處理工藝，從而促進低電阻導(dǎo)電圖案21b的表面的活化且加速低電阻導(dǎo)電圖案21b的形成。預(yù)處理工藝涉及將具有基體圖案21a的絕緣基板10浸入錫基溶液中。該錫基溶液可以維持0.1-10g/L的錫濃度。通過預(yù)處理工藝和活化工藝形成于基體圖案21a上的錫/鈀顆粒的密度為每平方厘米5×108-5×1012個錫/鈀顆粒。通過進行預(yù)處理和活化工藝獲得的催化劑顆粒的尺寸可以小于僅通過進行活化工藝所獲得的催化劑顆粒的尺寸。另外，通過進行預(yù)處理和活化工藝獲得的催化劑的密度可以高于僅通過進行活化工藝所獲得的催化劑的密度。
預(yù)處理工藝與活化工藝一起可以提供出色的結(jié)果。然而，用于吸附錫顆粒的預(yù)處理工藝和用于吸附鈀顆粒的活化工藝是可選的。
擴散防止層(未示出)可以在形成柵極線基體圖案之前形成于絕緣基板10上，由此防止低電阻導(dǎo)電圖案21b滲透絕緣基板10。擴散防止層可以由比如氮化硅(SiNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鈦(TiOx)或氧化鉭(TaOx)的典型絕緣材料形成。
利用無電鍍方法形成低電阻導(dǎo)電圖案不涉及使用真空濺射設(shè)備。由此，與利用濺射方法形成的具有低電阻導(dǎo)電圖案的TFT基板相比，可以減少TFT基板的制造成本和時間。利用無電鍍方法形成低電阻導(dǎo)電圖案還可以提供具有小的厚度變化的低電阻導(dǎo)電圖案且導(dǎo)致更少的互連缺陷。
參考圖3，可以退火具有柵電極21的絕緣基板10，柵電極21包括基體圖案21a和低電阻導(dǎo)電圖案21b。在退火之后，柵電極21可以具有約2.7μΩcm以下的電阻率。退火可以在氮(N2)或氬(Ar)氣氛中在約40-400℃的溫度下進行約15-120分鐘。
參考圖4，柵極絕緣層30形成于包括柵電極21的絕緣基板10的整個表面上。然后非晶硅半導(dǎo)體層(未示出)形成于柵極絕緣層30上，且摻雜的非晶硅層(未示出)形成于半導(dǎo)體層上。然后通過利用涉及使用掩模的光刻方法來構(gòu)圖半導(dǎo)體層和摻雜的非晶硅層，半導(dǎo)體層40和電阻接觸層51、52可以形成于與柵電極21相對應(yīng)的柵極絕緣層30的一部分上。
其后，單層或多層的導(dǎo)電層(未示出)可以在絕緣基板10的表面上由鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)或這些材料的任何的合金形成，且在該單層或多層導(dǎo)電層上進行涉及使用掩模的光刻，由此形成與柵極線(未示出)相交的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線且在柵電極21上方延伸的源電極61、連接到數(shù)據(jù)線的一端且傳輸從外部源接收的信號的數(shù)據(jù)焊盤(未示出)、與源電極61分開且與源電極61在柵電極21的相對側(cè)上的漏電極62。
其后，可以移除在源電極61和漏電極62之間的摻雜的非晶硅層(未示出)的暴露的部分以形成電阻接觸層51、52。
然后，鈍化層70形成于包括源電極61和漏電極62的絕緣基板10的整個表面上，且接觸孔71形成于鈍化層70中以暴露漏電極62的一部分。鈍化層70可以由有機絕緣層和包括氮化硅或氧化硅的無機絕緣層制成。
接下來，透明導(dǎo)電層(未示出)形成于絕緣基板10的整個表面上，且利用涉及使用掩模的光刻方法，形成經(jīng)由接觸孔71電連接到漏電極62的像素電極80，由此完成TFT基板的形成。透明導(dǎo)電層可以由比如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電材料形成。
現(xiàn)將參考圖2、圖3、圖4和圖5在以下詳細描述根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的TFT基板的制造方法。圖5是利用根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的TFT基板的制造方法所獲得的TFT基板的剖面圖。
圖5中所示的實施方式與圖1至4所示的實施方式相同，除了其還包括在作為柵極線形成的一部分的在低電阻導(dǎo)電圖案上形成鈍化圖案之外。因此，將更集中于描述圖5的實施方式與圖1到4所示的實施方式的差異。
首先參考圖5，利用光刻方法在絕緣基板10上形成基體圖案21a，且利用無電鍍方法在基體圖案21a上形成低電阻導(dǎo)電圖案21b，從而基體圖案21a可以被低電阻導(dǎo)電圖案21b覆蓋，如參考圖2在以上所述。然后基體圖案21a和低電阻導(dǎo)電圖案21b可以被退火，如參考圖3在以上所述。
接下來，在低電阻導(dǎo)電圖案21b上形成鈍化圖案21c，由此形成柵極線(未示出)、柵電極21’和柵極焊盤(未示出)。鈍化圖案21c防止低電阻導(dǎo)電圖案21b的材料滲透并擴散入其他材料層。鈍化圖案21c可以包括鎳(Ni)、金(Au)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鈦(Ti)或鉭(Ta)。特別地，鈍化圖案21c可以包括鎳(Ni)。鈍化圖案21c可以利用與用于形成低電阻導(dǎo)電圖案21b相同的方法形成，即利用無電鍍方法形成?？商鎿Q地，鈍化圖案21c可以通過順序利用無電鍍方法和電鍍方法形成。鈍化圖案21c可以形成為100-1000的厚度。
柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40、電阻接觸層51和52、數(shù)據(jù)線、鈍化層70和像素電極80可以例如實踐上與圖1至4所示的實施方式中相同的方法形成，由此將省略其詳細的描述。
現(xiàn)將參考圖6在下面詳細描述根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的TFT基板的制造方法，圖6為TFT基板的剖面圖。
圖6的實施方式與圖1至4的實施方式相同，除了其涉及利用無電鍍方法形成數(shù)據(jù)線之外。由此，將更集中于描述圖6的實施方式與圖1到4所示的實施方式的差異。
參考圖6，基體導(dǎo)電層(未示出)形成于絕緣基板10的整個表面上，且該絕緣基板10具有半導(dǎo)體層40和摻雜的非晶硅層(未示出)?；w導(dǎo)電層可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉭(Ta)和鎢(W)或它們的合金形成。特別地，基體導(dǎo)電層可以由鉬(Mo)或氮化鉬(MoN)形成，其可以展現(xiàn)出色的對于上層的粘接能力。基體導(dǎo)電層可以利用濺射方法形成為約200-1000的厚度。
其后，光致抗蝕劑層(未示出)形成于基體導(dǎo)電層上且利用光學(xué)掩模被選擇性地曝光。具有通過曝光改變的光化學(xué)性能的光致抗蝕劑層被顯影，由此獲得具有期望的形狀的光致抗蝕劑圖案(未示出)。
通過利用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模來蝕刻基體導(dǎo)電層，從而形成與柵極線(未示出)相交的數(shù)據(jù)線基體圖案、從數(shù)據(jù)線基體圖案突出的源電極基體圖案61a、連接到數(shù)據(jù)線基體圖案的一端且傳輸從外部源接收的信號的數(shù)據(jù)線焊盤基體圖案、和與源電極基體圖案61a分開且與源電極基體圖案61a在柵電極21的相對側(cè)上的漏電極基體圖案62a。
然后利用例如剝離器可以移除數(shù)據(jù)線基體圖案上的光致抗蝕劑圖案。
其后，低電阻導(dǎo)電圖案61b和62b形成于數(shù)據(jù)線基體圖案上。低電阻導(dǎo)電圖案61b和62b可以利用無電鍍方法形成，且它們覆蓋數(shù)據(jù)線基體圖案。低電阻導(dǎo)電圖案61b和62b可以利用實踐上與圖1到4的實施方式相同的方法形成，且由此將省略其詳細的描述。
其后，退火具有源電極61′和漏電極62′的絕緣基板10，源電極61′包括源電極基體圖案61a和低電阻導(dǎo)電圖案61b，漏電極62′包括漏電極基體圖案62a和低電阻導(dǎo)電圖案62b。在退火之后，源電極61′和漏電極62′具有約2.7μΩcm以下的電阻率。退火可以在氮(N2)或氬(Ar)氣氛中在約200-400℃的溫度進行約15-120分鐘。
其后，在源電極61′和漏電極62′之間的摻雜的非晶硅層(未示出)的曝光部分可以被移除以形成電阻接觸層51、52。
鈍化層70和像素電極80可以利用實踐上與圖1至圖4的實施方式相同的方法形成，且由此將省略其詳細描述。
現(xiàn)將參考圖7在下面詳細描述根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的TFT基板的制造方法，圖7為TFT基板的剖面圖。
圖7的實施方式與圖1至4的實施方式相同，除了其包括通過利用無電鍍方法形成鈍化圖案來形成柵電極21″，且通過利用光刻方法形成源電極基體圖案61a和漏電極基體圖案62a和利用無電鍍方法形成低電阻導(dǎo)電圖案61b和62b來形成源電極61′和漏電極62′之外。由此，將省略圖7的實施方式的詳細描述。
現(xiàn)將參考圖8在下面詳細描述根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的TFT基板的制造方法，圖8為TFT基板的剖面圖。
圖8的實施方式與圖1至4的實施方式相同，除了其包括通過利用無電鍍方法形成鈍化圖案來形成柵電極21″，且通過利用光刻方法形成源電極基體圖案61a和漏電極基體圖案62a，利用無電鍍方法形成低電阻導(dǎo)電圖案61b和62b以及利用無電鍍方法形成鈍化圖案61c和62c從而形成源電極61″和漏電極62″之外。由此，將省略圖8的實施方式的詳細描述。
根據(jù)上述的示范性實施方式，可以用于寬屏顯示裝置的低電阻互連可以通過利用無電鍍方法形成多層?xùn)艠O線或數(shù)據(jù)線來形成。
另外，通過利用無電鍍形成柵極線、數(shù)據(jù)線或柵極線和數(shù)據(jù)線二者可以形成低電阻金屬互連，而不需使用掩模。上述的示范性實施方式還可以應(yīng)用于形成與柵極線在一個水平上的維持電極線。
根據(jù)上述的示范性實施方式，TFT基板可以通過利用不同的掩模構(gòu)圖半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線來制造。然而，上述的實施方式還可以應(yīng)用于其中利用相同的掩模來構(gòu)圖半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線的情形。
上述的示范性實施方式還可以應(yīng)用于包括濾色器層的TFT基板的制造。
將參考圖9和圖10在下面詳細描述相對于低電阻導(dǎo)電圖案的厚度的TFT基板的性能的變化。圖9是顯示相對于TFT基板浸入鍍液中的時間量(“浸漬時間”)的低電阻導(dǎo)電圖案的厚度變化的曲線圖，圖10是顯示相對于低電阻導(dǎo)電圖案的厚度的TFT基板的電阻率的變化的曲線圖。
參考圖9，一旦浸漬時間超過3分鐘，利用根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的TFT基板的制造方法獲得的TFT基板的低電阻導(dǎo)電圖案21b、61b和62b的厚度急劇增加超過約600。
參考圖10，一旦低電阻導(dǎo)電圖案21b、61b和62b的厚度超過約600，TFT基板的電阻率顯著減小。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式，低電阻導(dǎo)電圖案21b、61b和62b可以利用無電鍍方法快速形成。如果低電阻導(dǎo)電圖案21b、61b和62b形成為約600-3000的厚度，則低電阻導(dǎo)電圖案21b、61b和62b的電阻率可以減小低至2.5-3.5μΩcm。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式，可以制造具有出色信號傳輸能力的TFT基板且通過利用無電鍍方法形成低電阻金屬互連來減小TFT基板的制造成本和時間。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在本發(fā)明中進行修改和變化。由此，本發(fā)明旨在覆蓋該本發(fā)明的修改和變化，只要它們落在權(quán)利要求和其等同特征的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，包括絕緣基板；形成于所述絕緣基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線相交且與所述柵極線絕緣，其中所述柵極線、數(shù)據(jù)線、或所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線二者包括形成于所述絕緣基板上的基體圖案，形成于所述基體圖案上的低電阻導(dǎo)電圖案、和形成于所述低電阻導(dǎo)電圖案上的鈍化圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述基體圖案包括鉬、鎳、銅、鋁、鈦、鉭、鎢和鉻中的至少一種。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述基體圖案包括鉬或氮化鉬。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述基體圖案具有200到1000的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述低電阻導(dǎo)電圖案包括銅、鋁、金、銀或它們合金中的至少一種。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述低電阻導(dǎo)電圖案具有600到3000的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述低電阻導(dǎo)電圖案覆蓋所述基體圖案。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中所述低電阻導(dǎo)電圖案覆蓋所述基體圖案的上表面和側(cè)表面。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述鈍化圖案包括鎳、金、錫、鋅、鈦或鉭中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述鈍化圖案具有100到1000的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，還包括防止所述低電阻導(dǎo)電圖案滲透所述絕緣基板的擴散防止層。
12.一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括在絕緣基板上形成柵極線和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線相交且與所述柵極線絕緣，其中形成所述柵極線、數(shù)據(jù)線、或所述柵極線和數(shù)據(jù)線二者包括利用無電鍍方法在基體圖案上形成低電阻導(dǎo)電圖案。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基體圖案包括鉬、鎳、銅、鋁、鈦、鉭、鎢和鉻中的至少一種。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述基體圖案包括鉬或氮化鉬。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基體圖案具有200到1000的厚度。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述低電阻導(dǎo)電圖案包括銅、鋁、金、銀或它們的合金中的至少一種。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述低電阻導(dǎo)電圖案具有600到3000的厚度。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括退火在其上形成有所述基體圖案和所述低電阻導(dǎo)電圖案的絕緣基板。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述退火包括在氮氣或氬氣氣氛中在40到400℃的溫度退火所述絕緣基板15到120分鐘。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述低電阻導(dǎo)電圖案上形成鈍化圖案。
21.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述鈍化圖案包括鎳、金、錫、鋅、鈦或鉭中的至少一種。
22.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述鈍化圖案具有100到1000的厚度。
23.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述基體圖案上進行活化工藝。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中進行所述活化工藝包括吸附鈀。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中進行所述活化工藝包括將所述基體圖案浸入含鈀的溶液中。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述溶液具有0.003-0.3g/L的鈀濃度。
27.如權(quán)利要求24所述的方法，其中進行所述活化工藝包括在所述基體圖案上形成每平方厘米1×108-1×1012個鈀顆粒的密度。
28.如權(quán)利要求23所述的方法，還包括進行預(yù)處理工藝。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述預(yù)處理包括在所述基體圖案上吸附錫顆粒。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括退火在其上形成有所述基體圖案和所述低電阻導(dǎo)電圖案的絕緣基板；和在所述低電阻導(dǎo)電圖案上形成鈍化圖案。
31.如權(quán)利要求29所述的方法，其中進行所述預(yù)處理包括將所述基體圖案浸入錫濃度為0.1-10g/L的溶液中。
32.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括形成防止所述低電阻導(dǎo)電圖案滲透所述絕緣基板的擴散防止層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT基板及其制造方法。該方法包括在絕緣基板上形成柵極線和數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線與柵極線相交且與柵極線絕緣。柵極線、數(shù)據(jù)線、或柵極線和數(shù)據(jù)線二者的形成包括利用無電鍍方法在基體圖案上形成低電阻導(dǎo)電圖案。
文檔編號H01L23/52GK101051644SQ20071009676
公開日2007年10月10日 申請日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月6日
發(fā)明者寧洪龍, 鄭敞午, 李制勛, 金度賢, 趙成憲, 宋基镕, 盧昌鎬 申請人:三星電子株式會社