專利名稱：高壓晶體管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體管制造方法，尤其涉及一種高壓晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在制造高壓晶體管時(shí)， 一般都是在生長(zhǎng)柵多晶硅后，使 用光刻技術(shù)對(duì)所述柵多晶硅進(jìn)行刻蝕形成晶體管的柵極，然后再在所述柵 極的兩側(cè)形成側(cè)墻，接著再進(jìn)行高濃度源漏離子注入等后續(xù)工藝。
例如，在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中一般通過以下方法 來制造高壓晶體管
第一步，在硅襯底上進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)，然后對(duì)硅片進(jìn)行阱區(qū) 退火；其中，對(duì)于麗OS晶體管而言，所注入的離子可以為硼離子等；而 對(duì)于PMOS晶體管而言，所注入的離子可以為磷離子等；這時(shí)的剖面如圖
2a所示。
第二步，在所述硅襯底上阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性離子注入，形成源漏
區(qū)，然后對(duì)硅片進(jìn)行延伸源漏退火；在該步驟中，對(duì)于NMOS晶體管而言， 所注入的離子可以為磷離子或者砷離子等；而對(duì)于PMOS晶體管而言，所 注入的離子可以為硼離子或者二氟化硼等；這時(shí)的剖面如圖2b所示。 第三步，在硅襯底的頂部生長(zhǎng)一層?xùn)叛趸瘜?。第四步，在所述柵氧化層上面再淀積一層多晶硅柵，然后使用公知的 光刻技術(shù)，對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕，形成柵極，這時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)如圖 2c所示。
第五步，在所述柵極兩側(cè)形成晶體管的氧化物側(cè)墻。
第六步，進(jìn)行高濃度源漏離子注入，從而最終形成如圖2d所示的高
壓晶體管。
在這個(gè)制造過程中，如果想要增加高壓器件的擊穿電壓， 一般需要把 高壓阱做淡，同時(shí)把低摻雜源漏做得比較緩，但在高壓器件制作過程中， 由于晶體管飽和電流，及開啟電壓的限制，要提高器件的擊穿電壓就不是 一件容易的事。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓晶體管制造方法，可在不影 響晶體管飽和電流、開啟電壓等特性的情況下，提高其擊穿電壓。 為解決上述技術(shù)問題，在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種高壓晶體
管制造方法，包括
在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；
在硅襯底頂部生長(zhǎng)柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工
序；
對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極，同時(shí)對(duì)所述柵極兩側(cè)的硅襯底進(jìn) 行過刻蝕的工序
在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻的工序。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明還提供了一種高壓晶體管制造方法，包括:在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；
在硅襯底頂部生長(zhǎng)柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工
序；
對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極的工序；
在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻的工序；
對(duì)所述側(cè)墻兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕的工序。
本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案，具有這樣的有益效果，即通過在淀 積了多晶硅柵以后，對(duì)硅襯底上的源漏區(qū)域進(jìn)行過刻蝕，從而改變了晶體 管的電力線分布，進(jìn)而提高了晶體管的擊穿電壓。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制造高壓晶體管的一個(gè)實(shí)施例的流程圖； 圖2a-2d為依據(jù)圖l所述方法制造高壓晶體管過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖； 圖3為根據(jù)本發(fā)明所述高壓晶體管制造方法的一個(gè)實(shí)施例的流程
圖4a-4b為依據(jù)圖3所述方法制造高壓晶體管過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖； 圖5為根據(jù)本發(fā)明所述高壓晶體管制造方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程
圖6a-6b為依據(jù)圖5所述方法制造高壓晶體管過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖； 圖7a為依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所制造的高壓晶體管的電力線方向示意圖； 圖7b為依據(jù)本發(fā)明所制造的高壓晶體管的電力線方向示意圖。
具體實(shí)施例方式
在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，本發(fā)明所述高壓晶體管的制造過程如
下
第一步，在硅襯底上進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)，然后對(duì)硅片進(jìn)行阱區(qū)
退火；其中，對(duì)于麗OS晶體管而言，所注入的離子可以為硼離子等；而 對(duì)于PMOS晶體管而言，所注入的離子可以為磷離子等；這時(shí)的剖面如圖 2a所示o
第二步，在所述硅襯底上阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性低劑量離子注入(所 注入離子的劑量范圍為E12 5E14cm—2)，形成晶體管的源漏區(qū)域，然后對(duì) 硅片進(jìn)行延伸源漏退火；在該步驟中，對(duì)于麗OS晶體管而言，所注入的 離子可以為磷離子或者砷離子等；而對(duì)于PMOS晶體管而言，所注入的離 子可以為硼離子或者二氟化硼等；這時(shí)的剖面如圖2b所示。 第三步，在硅襯.底的頂部生長(zhǎng)一層?xùn)叛趸瘜印?第四步，在所述柵氧化層上面再淀積一層多晶硅柵。 第五步，使用公知的光刻技術(shù)，對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極， 同時(shí)對(duì)所述柵極兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕，該過刻蝕的深度應(yīng)確保不超過 所述硅襯底上源漏區(qū)域的深度，這時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)如圖4a所示。
第六步，在上述刻蝕出的溝槽內(nèi)且位于所述柵極兩側(cè)的位置形成側(cè)
+血%!。
第七步，進(jìn)行高濃度源漏離子注入(所注入離子的劑量范圍為E14 E16cm—2)等其他后續(xù)步驟，最終如圖4b所示的高壓晶體管。
在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖5所示，本發(fā)明所述高壓晶體管的制造過程也可如下
第一步，在硅襯底上進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)，然后對(duì)硅片進(jìn)行退火; 其中，對(duì)于麗0S晶體管而言，所注入的離子可以為硼離子等；而對(duì)于PM0S 晶體管而言，所注入的離子可以為磷離子等；這時(shí)的剖面如圖2a所示。
第二步，在所述硅襯底上阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性離子注入，形成源漏 區(qū)域，然后對(duì)硅片再一次進(jìn)行退火；在該步驟中，對(duì)于麗OS晶體管而言， 所注入的離子可以為磷離子或者砷離子等；而對(duì)于PM0S晶體管而言，所 注入的離子可以為硼離子或者二氟化硼等；這時(shí)的剖面如圖2b所示。
第三步，在硅襯底的頂部生長(zhǎng)一層?xùn)叛趸瘜印?br> 第四步，在所述柵氧化層上面再淀積一層多晶硅柵。
第五步，使用公知的光刻技術(shù)，對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極。
第六步，在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻。
第七步，使用公知的光刻技術(shù)，對(duì)所述側(cè)墻兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕， 該過刻蝕的深度應(yīng)確保不超過硅襯底上源漏區(qū)域的深度，這時(shí)的剖面結(jié)構(gòu) 如圖6a所示。
第八步，進(jìn)行高濃度源漏離子注入(所注入離子的劑量范圍為E14 E16cm—2)等其他后續(xù)步驟，最終如圖6b所示的高壓晶體管。
通過上述方法可知，本發(fā)明由于對(duì)源漏區(qū)域進(jìn)行了過刻蝕，由此有效 增加了晶體管的等效電阻，特別是源漏區(qū)域靠近晶體管溝道表面部分的等 效電阻，從而改變了源漏端電力線方向，通過對(duì)照?qǐng)D7a和7b可以看出， 本發(fā)明所述晶體管溝道表面結(jié)比較弱的區(qū)域電力線變少了，且表面橫向密 集電力線變?yōu)樽韵露系姆较?，由此提高了晶體管的擊穿電壓。但是，本發(fā)明的范圍并不限于上述兩個(gè)實(shí)施例，因?yàn)閷?duì)于本領(lǐng)域的一 般技術(shù)人員而言，基于上述對(duì)硅襯底上的源漏區(qū)域進(jìn)行過刻蝕，從而改變 晶體管電力線方向，以提高晶體管擊穿電壓的原理，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人 員應(yīng)該也可以想到其他制造高壓晶體管的方法，如源漏區(qū)域的摻雜也可以
采用其他方法來實(shí)現(xiàn)，如形成為L(zhǎng)DD結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域等。由于這些對(duì)于本
領(lǐng)域的技術(shù)人員來說都是熟悉的，因此在此不作詳細(xì)描述。
權(quán)利要求
1、一種高壓晶體管制造方法，其特征在于，包括在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；在硅襯底頂部生長(zhǎng)柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工序；對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極，同時(shí)對(duì)所述柵極兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕的工序；在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻的工序。
2、 一種高壓晶體管制造方法，其特征在于，包括 在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；在硅襯底頂部生長(zhǎng)柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工序；對(duì)所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極的工序；在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻的工序；對(duì)所述側(cè)墻兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕的工序。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述高壓晶體管制造方法，其特征在于，所述過 刻蝕的深度應(yīng)確保不超過所述硅襯底上源漏區(qū)域的深度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高壓晶體管制造方法，通過在淀積了多晶硅柵以后，對(duì)硅襯底上的源漏區(qū)域進(jìn)行過刻蝕，從而改變了晶體管的電力線分布，進(jìn)而提高了晶體管的擊穿電壓。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101452850SQ20071009438
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者君 胡, 錢文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司