專利名稱：Mosfet功率封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種MOSFET功率封裝。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于同步電壓轉(zhuǎn)換器(synchronous buck converter)的5-引線TO-252功率MOSFET封裝。
背景技術(shù)：
同步電壓轉(zhuǎn)換器在包括筆記本電腦在內(nèi)的便攜式電池供電的應(yīng)用中占有較小的體積，但提供較高的性能。圖2顯示了一種常規(guī)的同步電壓轉(zhuǎn)換器，它通常以200表示。第一個N-通道增強(qiáng)型MOSFET 210與第二個N-通道增強(qiáng)型MOSFET 220以常規(guī)方式連接在一起，其中，第一個MOSFET 210的源極與第二個MOSFET 220的漏極相連。
盡管在圖1和圖1A所示常用漏極結(jié)構(gòu)中的TO-252封裝具有兩個功率MOSFET，同步電壓轉(zhuǎn)換器200仍是用常規(guī)方式以周密安排的元件實現(xiàn)的，因為它需要大量的空間供印刷電路板(PCB)使用。正如圖3所示，一個上橋MOSFET 300和一個下橋MOSFET 310表面安裝在PCB上，并與包括電感器333在內(nèi)的其它元件相連。
由于電子器件不斷小型化，迫切要求更小尺寸的封裝和最佳的器件引線布局，以便節(jié)省PCB空間。因此，在這技術(shù)領(lǐng)域，存在著將功率MOSFET封裝應(yīng)用于同步電壓轉(zhuǎn)換器的需要，使這種轉(zhuǎn)換器的器件引線布局最佳化，而且PCB空間得到節(jié)省。同時，也存在著將5-引線TO-252功率MOSFET封裝應(yīng)用于同步電壓轉(zhuǎn)換器的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于同步電壓轉(zhuǎn)換器的5-引線TO-252功率MOSFET封裝，使這種轉(zhuǎn)換器的器件引線布局最佳化，而且PCB空間得到節(jié)省。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，功率MOSFET封裝包括一個引線框架，其第一和第二模墊片相互絕緣，且第一模墊片與第一漏引線、第二模墊片與第二漏引線連接；第一MOSFET器件的漏接觸與第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與第二模墊片連接；第二MOSFET器件的漏接觸與第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接；一種密封劑基本上將引線框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二柵引線、第一和第二漏引線以及源引線密封。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，為同步電壓轉(zhuǎn)換器電路提供電源和同步轉(zhuǎn)接的功率MOSFET封裝包括一個引線框架，其第一和第二模墊片相互絕緣，且第一模墊片與第一漏引線、第二模墊片與第二漏引線連接。第一MOSFET器件的漏接觸與第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與第二模墊片連接；第二MOSFET器件的漏接觸與第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接。一種密封劑基本上將引線框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二柵引線、第一和第二漏引線以及源引線密封。
本發(fā)明提供的應(yīng)用于同步電壓轉(zhuǎn)換器的5-引線TO-252功率MOSFET封裝，可使這種轉(zhuǎn)換器的器件引線布局最佳化，而且PCB空間得到節(jié)省。
我們對本發(fā)明中比較重要的特征進(jìn)行了簡要的概述，以便能更好地理解下面的詳細(xì)說明，也更加容易了解本發(fā)明對這一技術(shù)所做出的貢獻(xiàn)。當(dāng)然，下面還對本發(fā)明的其它一些特征進(jìn)行了介紹。
連同以下附圖和說明，能夠更好地理解本發(fā)明的這些以及其它一些特征、方面和優(yōu)點。


圖1是早期技術(shù)TO-252封裝的引線框架的示意圖；圖1A是早期技術(shù)TO-252封裝的頂視圖；圖2是一種同步電壓轉(zhuǎn)換器的電路圖；圖3是早期技術(shù)同步電壓轉(zhuǎn)換器的PCB布局；圖4是根據(jù)本發(fā)明的同步電壓轉(zhuǎn)換器的PCB布局；圖5是根據(jù)本發(fā)明的TO-252封裝引線框架的示意圖；
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的TO-252封裝的頂視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于同步電壓轉(zhuǎn)換器的TO-252功率MOSFET封裝。根據(jù)圖5所示，TO-252封裝引線框架500包括一對分別位于此處的MOSFET 515和525之上的漏極墊片510和520。在封裝過程結(jié)束時連接部分505通過沿短劃線A-A修剪后，漏極墊片510和520相互絕緣，MOSFET515和525優(yōu)選分別焊接到漏極墊片510和520，或者是使用環(huán)氧樹脂分別與漏極墊片510和520連接。
引線結(jié)合器530將MOSFET 515的源極與漏極墊片520連接，MOSFET515的柵極通過引線結(jié)合器517絲焊在柵引線G1上，MOSFET 525的源極通過引線結(jié)合器540絲焊在源引線S2上，引線D1與漏極墊片510連接，而引線D2/S1則與漏極墊片520連接。
圖5A顯示了根據(jù)本發(fā)明的TO-252封裝550，它包括管座560和塑料壓制件570。如圖4所示，工作時封裝550用來幫助實現(xiàn)同步電壓轉(zhuǎn)換器400的功能。與圖3中所示的常規(guī)PCB布局比較，使用封裝550的同步電壓轉(zhuǎn)換器400占用較少的PCB空間，封裝550有利地提供了一個最佳化的引線布局，包括5-引線TO-252的封裝配置。
當(dāng)然，也必須認(rèn)識到，上述介紹是有關(guān)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的情況。只要不偏離以下權(quán)利要求中所提出的本發(fā)明精神和范圍，對本發(fā)明還可以進(jìn)行多種修改。
本發(fā)明決不僅局限于在上述介紹中所陳述的或附圖中所顯示的方法中的應(yīng)用細(xì)節(jié)，本發(fā)明能夠具有其它的實施例，也能夠以其它的方式實施或?qū)崿F(xiàn)。此外，還必須認(rèn)識到，這里所使用的措辭、術(shù)語以及文摘僅是為了敘述的目的，決不要認(rèn)為僅限于此。
正因為如此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認(rèn)識到，此次公開所基于的觀點可隨時用來作為設(shè)計實施本發(fā)明多種目標(biāo)的其它結(jié)構(gòu)、方法和系統(tǒng)的基礎(chǔ)。所以，至關(guān)重要的是只要不偏離本發(fā)明的精神和范圍，所附的權(quán)利要求將視為包括了這些同等的構(gòu)想。
權(quán)利要求
1.一種功率MOSFET封裝，其包括一個引線框架，所述引線框架的第一和第二模墊片相互絕緣，且所述第一模墊片與第一漏引線、所述第二模墊片與第二漏引線連接；一個第一MOSFET器件，所述第一MOSFET器件的漏接觸與所述第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與所述第二模墊片連接；一個第二MOSFET器件，所述第二MOSFET器件的漏接觸與所述第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接；和一種密封劑，所述密封劑基本上將所述引線框架、所述第一和第二MOSFET器件、部分所述第一和第二柵引線、所述第一和第二漏引線以及所述源引線密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率MOSFET封裝，其特征在于，所述封裝是TO-252封裝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率MOSFET封裝，其特征在于，所述封裝工作時可為同步電壓轉(zhuǎn)換器電路提供電源和同步轉(zhuǎn)接。
4.一種為同步電壓轉(zhuǎn)換器電路提供電源和同步轉(zhuǎn)接的功率MOSFET封裝，其包括一個引線框架，所述引線框架的第一和第二模墊片相互絕緣，且所述第一模墊片與第一漏引線、所述第二模墊片與第二漏引線連接；一個第一MOSFET器件，所述第一MOSFET器件的漏接觸與所述第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與所述第二模墊片連接；一個第二MOSFET器件，所述第二MOSFET器件的漏接觸與所述第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接；和一種密封劑，所述密封劑基本上將所述引線框架、所述第一和第二MOSFET器件、部分所述第一和第二柵引線、所述第一和第二漏引線以及所述源引線密封。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率MOSFET封裝，其特征在于，所述封裝是TO-252封裝。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種功率MOSFET封裝。該功率MOSFET封裝包括一個引線框架，其第一和第二模墊片相互絕緣，且所述第一模墊片與第一漏引線、所述第二模墊片與第二漏引線連接；一個第一MOSFET器件，其漏接觸與第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與第二模墊片連接；一個第二MOSFET器件，其漏接觸與第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接；和一種密封劑，它基本上將引線框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二柵引線、第一和第二漏引線以及源引線密封。
文檔編號H01L23/495GK101064300SQ20071008967
公開日2007年10月31日 申請日期2007年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者李文清, 駱建仁, 龔德梅 申請人:萬國半導(dǎo)體股份有限公司