專利名稱：熔斷后不會(huì)造成非線性電流的反熔絲及存儲(chǔ)單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種反熔絲，尤指 一種熔斷后不會(huì)造成非線性電流的反熔絲。
背景技術(shù)：
反熔絲(anti-ftise)相對(duì)于熔絲是一種在熔斷后兩端短路的元件。 一般 反熔絲的兩端是通過氧化硅的類的絕緣層加以隔開，在斷開狀態(tài)中，反熔絲 的兩端之間具有很高的電阻值，通過施加高電壓來?yè)舸┙^緣層使得反熔絲的 兩端形成短路，約為5-25K歐姆的低電阻值，因此反熔絲很適合應(yīng)用于編程 存儲(chǔ)器中。使用反熔絲的編程存儲(chǔ)器由于具有一次式編程(One-Time Programming, OTP )的特性，可在保密性上提供4交佳的保護(hù)。目前常用的反 熔絲是利用互補(bǔ)型金屬氧化半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS )晶體管的結(jié)構(gòu)，將p型晶體管或n型晶體管的源極 與漏極短路作為反熔絲的一端，反熔絲的另一端為晶體管的柵極，通過晶體 管的柵極氧化層隔絕反熔絲的兩端。 一般作為反熔絲的晶體管的柵極氧化層 厚度小于操作電路中的晶體管的柵極氧化層厚，編程時(shí)施加約7伏特的跨壓 于反熔絲的兩端，使晶體管的柵極氧化層受損，也就是將反熔絲熔斷形成短 路。請(qǐng)參考圖1，圖1為先前技術(shù)使用n型晶體管作為反熔絲12的一次式編 程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元IO的示意圖。 一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元10包含反 熔絲12、 p型晶體管14以及n型晶體管16。反熔絲12由源極與漏極短路的 n型晶體管所形成，反熔絲12的第一端為該n型晶體管的柵極，反熔絲12 的第二端為該n型晶體管的短路的源極與漏極。p型晶體管14的漏極以及n 型晶體管16的漏極皆耦接于反熔絲12的第一端，反熔絲12的第二端耦接 于接地端GND, p型晶體管14的源極輸入編程電壓VPH, n型晶體管16的 源極輸入低電壓VL。 p型晶體管14以及n型晶體管16的運(yùn)作類似于反相 器，存儲(chǔ)單元10于編程時(shí)，p型晶體管14以及n型晶體管16的柵極接收低電平信號(hào)，則p型晶體管14開啟，n型晶體管16關(guān)閉，編程電壓VPH由反 炫絲12的第一端輸入，使反熔絲12的氧化層崩潰。相對(duì)的，存儲(chǔ)單元10 的非編程操作，p型晶體管14以及n型晶體管16的柵極接收高電平信號(hào)， 則p型晶體管14關(guān)閉，n型晶體管16開啟，反熔絲12的第一端輸入低電壓 VL,所以反熔絲12不會(huì)被熔斷。請(qǐng)參考圖2,圖2為先前技術(shù)使用p型晶體管作為反熔絲18的一次式編 程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元20的示意圖。反熔絲18的第一端為該p型晶體管的柵 極，反熔絲18的第二端為該p型晶體管的短路的源極與漏極。p型晶體管 14的漏極以及n型晶體管16的漏極皆耦接于反熔絲18的第一端，反熔絲 18的第二端輸入編程電壓VPH， p型晶體管14的源極輸入高電壓VH， n 型晶體管16的源極輸入低電壓VL。存儲(chǔ)單元20于編程時(shí)，p型晶體管14 以及n型晶體管16的柵極接收該高電平信號(hào)，則p型晶體管14關(guān)閉，n型 晶體管16開啟，低電壓VL由反熔絲18的第一端輸入，反熔絲18的兩端 電壓差將使柵極氧化層崩潰。相對(duì)的，存儲(chǔ)單元20的非編程操作，p型晶體 管14以及n型晶體管16的柵極接收該低電平信號(hào)，則p型晶體管14開啟， n型晶體管16關(guān)閉，高電壓VH由反熔絲18的第一端輸入，所以反熔絲18 不會(huì)被熔斷。請(qǐng)參考圖3,圖3為圖1的n型晶體管的反熔絲12的截面圖。反熔絲 12包含p型基底21、兩個(gè)n+摻雜區(qū)22、介電層23、傳導(dǎo)層24、絕緣層25 以及導(dǎo)線26。反熔絲12的第一端為傳導(dǎo)層24,反熔絲的第二端為導(dǎo)線26， 導(dǎo)線26耦接兩個(gè)n+摻雜區(qū)22。當(dāng)反熔絲12被編程時(shí)，反熔絲12的兩端受 到很大的電壓差，使介電層23崩潰，也就是介電層23會(huì)被編程電壓擊穿而 具有小孔，降低介電層23的電阻值，此時(shí)反熔絲12的第一端與第二端形成 短路，編程后的反熔絲12大約為5-25K歐姆的低電阻值。編程電壓在介電 層23上擊穿的小孔，可能位于鄰近兩個(gè)n+摻雜區(qū)22的位置，也可能位于 兩個(gè)n+摻雜區(qū)22之間，當(dāng)該小孔的位置鄰近于n+摻雜區(qū)22,電流很容易 在傳導(dǎo)層24與n+摻雜區(qū)22之間流動(dòng)，但若是該小孔的位置在兩個(gè)n+摻雜 區(qū)22之間，電流必須經(jīng)過p型基底21才能夠在傳導(dǎo)層24與n+摻雜區(qū)22 之間流動(dòng)，但是n+摻雜區(qū)22與p型基底21之間為p/n結(jié)，會(huì)造成非線性電 流。反熔絲12兩端之間的p/n結(jié)就好比熔絲未被完全熔斷，而仍有電流可通 過，會(huì)造成不良的影響，對(duì)于一次式編程存儲(chǔ)器而言，反熔絲12被熔斷后的非線性電流會(huì)使得一次式編程存儲(chǔ)器的感測(cè)電^各不能正確地偵測(cè)存儲(chǔ)單 元10是否被編程。此外，在圖2中，使用p型晶體管作為反熔絲18也會(huì)有 相同的情形發(fā)生，編程后若擊穿介電層的小孔位在兩個(gè)p+摻雜區(qū)之間，電流必須經(jīng)過n型基底才能夠在傳導(dǎo)層與p+摻雜區(qū)之間流動(dòng)，p+摻雜區(qū)與n 型基底也會(huì)形成p/n結(jié)，造成反熔絲18被熔斷后的非線性電流。綜上所述，先前技術(shù)使用互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管作為反熔絲的 一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，具有較佳的保密性。在一次式編程存儲(chǔ)器的 存儲(chǔ)單元中，利用p型晶體管或n型晶體管的源極與漏極短路作為反熔絲， 以及一對(duì)互補(bǔ)型晶體管作控制，編程時(shí)，施加高電壓將晶體管的柵極氧化層 擊穿使反熔絲兩端短路。然而，編程電壓將晶體管的柵極氧化層擊穿形成的 小孔，有時(shí)候會(huì)鄰近于晶體管的源極或漏極，有時(shí)候則會(huì)位于晶體管的源極 與漏極之間。當(dāng)小孔位于晶體管的源極與漏極之間時(shí)，晶體管的柵極與基底 便形成p/n結(jié)。p/n結(jié)會(huì)造成反熔絲被熔斷后的非線性電流，而非線性電流 會(huì)使得一次式編程存儲(chǔ)器的感測(cè)電路不能正確地偵測(cè)存儲(chǔ)單元是否被編程， 對(duì)于一次式編程存4諸器的可靠性有很大的影響。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種熔斷后不會(huì)造成非線性電流的反熔絲，包含基底；介電 層，形成于該基底上；傳導(dǎo)層，形成于該介電層上； 一個(gè)第一摻雜區(qū)，形成 于該介電層下方的基底中；兩個(gè)第二摻雜區(qū)，形成于該基底中，位于該第一 摻雜區(qū)的兩側(cè)，該兩個(gè)第二摻雜區(qū)之上方未被該介電層覆蓋；以及導(dǎo)線，耦 接該兩個(gè)第二摻雜區(qū)。本發(fā)明另提供一種使用反熔絲的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，包含反 炫絲，由具有摻雜載流子的溝道的晶體管形成，該晶體管的柵極為該反熔絲 的第一端，該晶體管的源極與漏極相耦接為該反熔絲的第二端；第一晶體管， 該第一晶體管的漏極耦接于該反熔絲的第一端；以及第二晶體管，該第二晶 體管的漏極耦接于該反熔絲的第 一端。


圖1為先前技術(shù)使用n型晶體管作為反熔絲的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ) 單元的示意圖。圖2為先前技術(shù)使用p型晶體管作為反熔絲的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ) 單元的示意圖。圖3為圖1的n型晶體管的反熔絲的截面圖。 圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的反熔絲的截面圖。 圖5本發(fā)明第二實(shí)施例的反熔絲的截面圖。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的示意圖。 圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的示意圖。 附圖標(biāo)記說明10存卞者單元12反熔絲14p型晶體管16n型晶體管18反熔絲20存4渚單元21p型基底22n+4參雜區(qū)23介電層24傳導(dǎo)層25絕緣層26導(dǎo)線30反熔絲31n型基底32p+4參雜區(qū)33介電層34傳導(dǎo)層35絕緣層36導(dǎo)線37p型溝道40反溶絲41p型基底42n+4參雜區(qū)43介電層44傳導(dǎo)層45絕緣層46導(dǎo)線47n型溝道50存儲(chǔ)單元52p型晶體管54n型晶體管60存儲(chǔ)單元具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的反熔絲30的截面圖。反熔絲 30包含n型基底31、兩個(gè)p+摻雜區(qū)32、 p型溝道37、介電層33、傳導(dǎo)層 34、絕緣層35以及導(dǎo)線36。兩個(gè)p+摻雜區(qū)32以及p型溝道37由n型基底 31上方注入，形成于n型基底31中。介電層33為二氧化硅，形成于n型基 底31上，用來隔絕n型基底31與傳導(dǎo)層34。傳導(dǎo)層34為多晶硅，形成于介電層33上。絕緣層35為二氧化硅，用來隔絕傳導(dǎo)層34與導(dǎo)線36。導(dǎo)線 36為金屬線，透過接觸窗與兩個(gè)p+摻雜區(qū)32耦接。反熔絲30的第一端為 傳導(dǎo)層34，反熔絲30的第二端為導(dǎo)線36,導(dǎo)線36耦接兩個(gè)p+摻雜區(qū)32。 p型溝道37為半導(dǎo)體工藝中在兩個(gè)p+摻雜區(qū)32之間的n型基底31中摻雜 濃度較低的p型載流子，由n型基底31上方注入，p型溝道37的深度小于 兩個(gè)p+摻雜區(qū)32的深度，在不施加電壓的狀態(tài)下，p型溝道37仍然存在。 當(dāng)反熔絲30被編程時(shí)，編程電壓由反熔絲30的第一端輸入，反熔絲30的 兩端受到很大的電壓差，使介電層33崩潰，也就是介電層33會(huì)被編程電壓 擊穿而具有小孔，如此電流可經(jīng)由被編程電壓擊穿的小孔通過介電層33，此 時(shí)反熔絲30的第一端與第二端形成短路。編程電壓在介電層33上擊穿的小 孔，可能位于鄰近兩個(gè)p+摻雜區(qū)32的位置，也可能位于兩個(gè)p+摻雜區(qū)32 之間。當(dāng)小孔的位置鄰近于p+摻雜區(qū)32時(shí)，電流可直接在傳導(dǎo)層34與p+ 摻雜區(qū)32之間流動(dòng)；當(dāng)該小孔的位置在兩個(gè)n+摻雜區(qū)32之間時(shí)，電流可 透過p型溝道37在傳導(dǎo)層34與p+摻雜區(qū)32之間流動(dòng)。因此，不論編程電 壓擊穿介電層33的小孔位于介電層33的任何位置，電流都很容易在傳導(dǎo)層 34.與n+摻雜區(qū)32之間流動(dòng)。通過p型溝道37，反熔絲30被熔斷后就不會(huì) 因?yàn)閜+摻雜區(qū)32與n型基底31的p/n結(jié)而造成非線性電流。請(qǐng)參考圖5,圖5本發(fā)明第二實(shí)施例的反熔絲40的截面圖。反熔絲40 包含p型基底41、兩個(gè)n+摻雜區(qū)42、 n型溝道47、介電層43、傳導(dǎo)層44、 絕緣層45以及導(dǎo)線46。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于第一實(shí)施例 的反熔絲30中為p型溝道，第二實(shí)施例的反熔絲40中為n型溝道。反熔絲 40的第一端為傳導(dǎo)層44,反熔絲的第二端為導(dǎo)線46，導(dǎo)線46耦接兩個(gè)11+ 摻雜區(qū)42。 n型溝道47為半導(dǎo)體工藝中在兩個(gè)n+摻雜區(qū)之間的p型基底41 中摻雜濃度較低的n型載流子，由p型基底41上方注入，n型溝道47的深 度小于兩個(gè)n+摻雜區(qū)42的深度，在不施加電壓的狀態(tài)下，n型溝道47仍然 存在。當(dāng)反熔絲40被編程時(shí)，編程電壓由反熔絲40的第二端輸入，反熔絲 40的兩端受到很大的電壓差，使介電層43崩潰，也就是介電層43會(huì)被編程 電壓擊穿而具有小孔，如此電流可經(jīng)由被編程電壓擊穿的小孔通過介電層 43，此時(shí)反熔絲40的第一端與第二端形成短路。與第一實(shí)施例類似，編程 電壓在介電層43上擊穿的小孔，可能位于鄰近兩個(gè)n+摻雜區(qū)42的位置， 也可能位于兩個(gè)n+摻雜區(qū)42之間，但由于n型溝道47的存在，不論編程電壓擊穿介電層42的小孔位于介電層43的任何位置，電流都很容易在傳導(dǎo) 層44與n+摻雜區(qū)42之間流動(dòng)。通過n型溝道47,反熔絲40被熔斷后就不 會(huì)因?yàn)閚+摻雜區(qū)42與p型基底41的p/n結(jié)而造成非線性電流。由第一實(shí)施 例以及第二實(shí)施例可知，具有摻雜載流子的溝道的反熔絲，不論是p型溝道 或n型溝道，反熔絲的第一端與第二端之間不會(huì)有p/n結(jié)的情形，因此反熔 絲被熔斷后不會(huì)造成非線性電流。請(qǐng)參考圖6,圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元 50的示意圖。 一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元50包含p型晶體管52、 n型晶 體管54以及反熔絲40。反熔絲40由源極與漏極短路的n型晶體管所形成， 反熔絲40的第 一端為該n型晶體管的柵極，反熔絲40的第二端為該n型晶 體管的短路的源極與漏極，而在不施加電壓的狀態(tài)下，該n型晶體管的源極 與漏極之間具有n型溝道。此外，反熔絲40的柵極氧化層厚度小于p型晶 體管52以及n型晶體管54的柵極氧化層厚度，所以p型晶體管52以及n 型晶體管54較反熔絲40可承受更大的電壓以及電流。p型晶體管52的漏極 以及n型晶體管54的漏極皆耦接于反熔絲40的第一端，反熔絲40的第二 端耦接于接地端GND, p型晶體管52的源極輸入編程電壓VPH,編程電壓 VPH的大小約為4-7伏特，n型晶體管54的源;f及輸入低電壓VL。 p型晶體 管52以及n型晶體管54的運(yùn)作類似于反相器，當(dāng)p型晶體管52以及n型 晶體管54的柵極接收一高電平信號(hào)時(shí)，p型晶體管52關(guān)閉，n型晶體管54 開啟，反熔絲40的第一端接輸入低電壓VL,反熔絲40兩端的電壓差很小， 所以反熔絲40不會(huì)被熔斷；當(dāng)存儲(chǔ)單元50被編禾呈時(shí)，p型晶體管52以及n 型晶體管54的柵極接收低電平信號(hào)，p型晶體管52開啟，n型晶體管54關(guān) 閉，編程電壓VPH由反熔絲50的第一端輸入，將反熔絲50熔斷。反熔絲 50熔斷的過程如第二實(shí)施例所述，編程電壓VPH在介電層上擊穿的小孔， 可能位于介電層的任何位置，但由于反熔絲40具有n型溝道，所以反熔絲 40被熔斷后不會(huì)因?yàn)閜/n結(jié)造成非線性電流，因此存儲(chǔ)單元50可被正確地 編程。請(qǐng)參考圖7，圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元 60的示意圖。第四實(shí)施例與第三實(shí)施例的不同處在于第四實(shí)施例的反熔絲 30由一源極與漏極短路的p型晶體管所形成，反熔絲30的第一端為該p型 晶體管的柵極，反熔絲30的第二端為該p型晶體管的短路的源極與漏極，而在不施加電壓的情況下，該p型晶體管的源極與漏極之間具有p型溝道。此外，反熔絲30的柵極氧化層厚度小于p型晶體管52以及n型晶體管54 的柵極氧化層厚度，所以p型晶體管52以及n型晶體管54較反熔絲30可 承受更大的電壓以及電流。p型晶體管52的漏極以及n型晶體管54的漏極 皆耦接于反熔絲30的第一端，反熔絲30的第二端專俞入編程電壓VPH，編程 電壓VPH的大小約為4-7伏特，p型晶體管52的源極輸入高電壓VH, n型 晶體管54的源極輸入低電壓VL。 p型晶體管52以及n型晶體管54的運(yùn)作 類似于反相器，當(dāng)p型晶體管52以及n型晶體管54的柵極接收一低電平信 號(hào)時(shí)，p型晶體管52開啟，n型晶體管54關(guān)閉，反熔絲30的第一端接輸入 高電壓VH,反熔絲30兩端的電壓差很小，所以反熔絲30不會(huì)被熔斷；當(dāng) 存儲(chǔ)單元60被編程時(shí)，p型晶體管52以及n型晶體管54的柵極接收一高電 平信號(hào)，p型晶體管52關(guān)閉，n型晶體管54開啟，編程電壓VPH由反熔絲 30的第二端輸入，將反熔絲30熔斷。反熔絲30熔斷的過程如第一實(shí)施例所 述，編程電壓VPH在介電層上擊穿的小孔，可能位于介電層的任何位置， 但由于反熔絲30具有p型溝道，所以反熔絲30 一皮熔斷后不會(huì)因?yàn)閜/n結(jié)造 成非線性電流，因此存儲(chǔ)單元60可被正確地編,呈。由第三實(shí)施例以及第四 實(shí)施例可知，使用具有摻雜載流子的溝道的晶體管作為一次式編程存儲(chǔ)器的 存儲(chǔ)單元的反熔絲，不論是具有p型溝道的晶體管或具有n型溝道的晶體管， 在存儲(chǔ)單元被編程之后，反熔絲不會(huì)有非線性電流，提高了一次式編程存儲(chǔ) 器的可靠性。綜上所述，本發(fā)明反熔絲被熔斷后不會(huì)造成非線性電流，應(yīng)用于一次式 編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，可提高一次式編程存儲(chǔ)器的可靠性。本發(fā)明反熔絲 使用具有摻雜載流子的溝道的晶體管，將晶體管的二摻雜區(qū)以導(dǎo)線短路作為 反熔絲的一端，反熔絲的另一端為晶體管的柵極。本發(fā)明一次式編程存儲(chǔ)器 的存儲(chǔ)單元由互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管組成，包含p型晶體管、n型 晶體管以及反熔絲。反熔絲為源極與漏極短路的晶體管，在不施加電壓的情 況下，反熔絲的源極與漏極之間具有摻雜載流子的溝道，而反熔絲的柵極氧 化層厚度小于p型晶體管以及n型晶體管的柵極氧化層厚度。存儲(chǔ)單元利用 p型晶體管以及n型晶體管施加編程電壓將反熔絲熔斷，編程電壓將反熔絲 的柵極氧化層擊穿使反熔絲兩端短路。編程電壓可能在反熔絲的柵極氧化層 的任何位置擊穿形成小孔，但由于反熔絲具有摻雜載流子的溝道，所以不管編程電壓擊穿的小孔形成于反熔絲的柵極氧化層的任何位置，電流都很容易 在反熔絲的柵極與#^雜區(qū)之間流動(dòng)，不會(huì)通過反熔絲的基底與摻雜區(qū)之間產(chǎn) 生的p/n結(jié)，所以反熔絲被熔斷后不會(huì)造成非線性電流，如此存儲(chǔ)單元可被 正確地編程。因此.應(yīng)用本發(fā)明的反熔絲于一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元具 有高度的可靠性。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變 化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種熔斷后不會(huì)造成非線性電流的反熔絲，包含基底；介電層，形成于該基底上；傳導(dǎo)層，形成于該介電層上；一個(gè)第一摻雜區(qū)，形成于該介電層下方的基底中；兩個(gè)第二摻雜區(qū)，形成于該基底中，位于該第一摻雜區(qū)的兩側(cè)，該兩個(gè)第二摻雜區(qū)之上方未被該介電層覆蓋；以及導(dǎo)線，耦接該兩個(gè)第二摻雜區(qū)。
2. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區(qū)由該基底表面注入， 具有第一深度，該第二摻雜區(qū)由該基底表面注入，具有大于該第一深度的第 二深度。
3. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區(qū)的濃度小于該第二 摻雜區(qū)的濃度。
4. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其另包含絕緣層，覆蓋于該基底以及 該傳導(dǎo)層的表面，該導(dǎo)線通過接觸窗耦接該兩個(gè)第二摻雜區(qū)。
5. 如權(quán)利要求4所述的反熔絲，其中該絕緣層為二氧化硅。
6. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該第一4參雜區(qū)以及該兩個(gè)第二摻 雜區(qū)為n型摻雜區(qū)，該基底為p型基底。
7. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區(qū)以及該兩個(gè)第二摻 雜區(qū)為p型摻雜區(qū)，該基底為n型基底。
8. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該傳導(dǎo)層為多晶硅。
9. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該介電層為二氧化硅。
10. 如權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中該導(dǎo)線為金屬線。
11. 一種使用反熔絲的一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，包含 反熔絲，由具有摻雜載流子的溝道的晶體管形成，該晶體管的柵極為該反熔絲的第一端，該晶體管的源極與漏極相耦接為該反熔絲的第二端； p型晶體管，該p型晶體管的漏極耦接于該反熔絲的第一端；以及 n型晶體管，該n型晶體管的漏極耦接于該反熔絲的第 一端。
12. 如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)單元，其中該反熔絲、該p型晶體管以及該n型晶體管為互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
13. 如權(quán)利要求U所述的存儲(chǔ)單元，其中該具有摻雜載流子的溝道的晶體管為具有摻雜p型載流子的溝道的晶體管。
14. 如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)單元，其中該反熔絲的第二端耦接于高 電壓端。
15. 如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)單元，其中該具有摻雜載流子的溝道的 晶體管為具有摻雜n型載流子的溝道的晶體管。
16. 如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)單元，其中該反熔絲的第二端耦接于接 地端。
全文摘要
反熔絲由具有摻雜載流子的溝道的晶體管形成，熔斷后不會(huì)造成非線性電流，可應(yīng)用于一次式編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元。一次式編程存儲(chǔ)器使用p型晶體管以及n型晶體管對(duì)反熔絲進(jìn)行編程。由于反熔絲具有摻雜載流子的溝道，因此在反熔絲被熔斷后電流不會(huì)流經(jīng)兩個(gè)摻雜區(qū)與基底之間的p/n結(jié)而形成非線性電流，使得存儲(chǔ)單元可被正確地編程。
文檔編號(hào)H01L27/112GK101271881SQ20071008819
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2007年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月20日
發(fā)明者何仲仁, 張光曄, 許興仁 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司