專利名稱：：晶片分割方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及將表面格子狀地形成有多條分割預定線的晶片沿該分割預定線分割成單個芯片的晶片分割方法。
背景技術：
：在半導體器件的制造工序中，近似圓板形狀的半導體晶片的表面由排列成格子狀的被稱為“道(street)”的分割預定線劃分成多個區(qū)域，在該所劃分的區(qū)域內形成IC、LSI等器件。然后，通過沿分割預定線切斷半導體晶片，分割形成了器件的區(qū)域來制造單個半導體芯片。并且，在藍寶石基板的表面上層疊了氮化鎵類化合物半導體等的光器件晶片也通過沿規(guī)定的分割預定線切斷，分割成單個的發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，廣泛應用于電器設備中。作為沿分割預定線分割上述半導體晶片或光器件晶片等的方法，嘗試過使用波長對晶片具有透射性的脈沖激光光線，將聚光點匯聚在要分割的區(qū)域的內部來照射脈沖激光光線的激光加工方法。該使用了激光加工方法的分割法為從晶片的背面?zhèn)认騼炔繉示酃恻c照射對被加工物具有透射性的紅外光波段的脈沖激光光線，在晶片的內部沿分割預定線連續(xù)地形成變質層，通過沿因形成該變質層而強度下降的分割預定線施加外力來分割被加工物的方法(參照專利文獻1)。日本專利第3408805號公報因此，當從激光加工裝置的卡盤臺上搬出沿分割預定線形成了變質層的晶片時，存在晶片沿變質層斷裂、處理困難的問題。為了消除這樣的問題，用整面吸附墊吸引保持沿分割預定線形成了變質層的晶片的整個背面，將其從卡盤臺搬出，搬送到后工序。而如果沿形成了變質層的分割預定線將由吸附墊吸引保持整個背面而搬送來的晶片分割成單個器件(芯片)，則有耐折斷強度低(例如400MPa以下)的器件(芯片)增加的傾向，尤其是厚度在300μm以下的薄晶片中問題更嚴重。這樣的問題可以認為是因為由于上述吸附墊的吸引保持部由多孔質陶瓷形成，當將晶片的整個背面吸引保持在高度較高的多孔質陶瓷構成的吸引保持部件上時，在晶片的背面上生成細微的裂縫的緣故。
發(fā)明內容本發(fā)明就是鑒于上述事實，其主要技術問題是要提供一種能夠不降低分割成單個的芯片的耐折斷強度地分割晶片的晶片分割方法。為了解決上述主要技術問題，根據(jù)本發(fā)明，一種晶片分割方法，將表面形成有分割預定線的晶片沿該分割預定線分割，其特征在于，包括以下工序在該晶片的表面粘貼保護帶的保護帶粘貼工序；將晶片的保護帶側保持在激光加工裝置的保持被加工物的卡盤臺上的晶片保持工序；從晶片的背面?zhèn)妊卦摲指铑A定線向保持在該卡盤臺上的晶片照射波長對該晶片具有透射性的激光光線，在晶片的內部沿該分割預定線形成變質層的變質層形成工序；在實施了該變質層形成工序后，用吸附面具有多孔質樹脂層的吸附墊來吸引保持被保持在該卡盤臺上的晶片的背面，從該卡盤臺搬出晶片的晶片搬出工序；保持背面被吸引保持在該吸附墊上的晶片的表面，而且從晶片的背面取下該吸附墊，并將安裝在環(huán)形的框架上的粘接帶粘貼到晶片的背面上，通過該粘接帶將晶片支持在該環(huán)形的框架上的晶片支持工序；及使外力作用在通過該粘接帶而被支持在該環(huán)形的框架上的晶片上，由此使晶片沿形成了該變質層的該分割預定線斷裂的晶片斷裂工序。形成上述晶片搬出工序中使用的吸附墊的吸附面的多孔質樹脂層，由多孔質樹脂片構成。本發(fā)明的效果如下在本發(fā)明的晶片分割方法中，搬出被保持在激光加工裝置的卡盤臺上、實施了變質層形成工序的晶片的晶片搬出工序，用吸附面具有多孔質樹脂層的吸附墊來吸引保持晶片的背面，從卡盤臺上搬出晶片，因此晶片的背面不與高度較高的多孔質陶瓷等構成的吸引保持部件接觸，多孔質樹脂層與晶片的背面接觸，因此晶片的背面不會產(chǎn)生細微的裂縫。所以不會降低分割晶片形成的單個器件的耐折斷強度。圖1是用本發(fā)明的晶片分割方法分割成單個器件的半導體晶片的透視圖。圖2是表示在圖1所示的半導體晶片的表面上粘貼了保護部件的狀態(tài)的透視圖。圖3是用于實施本發(fā)明的晶片分割方法中的變質層形成工序的激光加工裝置的主要部分的透視圖。圖4是本發(fā)明的晶片分割方法中的變質層形成工序的說明圖。圖5是表示圖4所示的變質層形成工序中在半導體晶片的內部層疊形成了變質層的狀態(tài)的說明圖。圖6是用于實施本發(fā)明的晶片分割方法中的晶片搬出工序的吸附墊的剖視圖。圖7是表示本發(fā)明的晶片分割方法中的晶片搬出工序的說明圖。圖8是表示本發(fā)明的晶片分割方法中的晶片轉移工序的說明圖。圖9是表示本發(fā)明的晶片分割方法中的晶片支持工序的說明圖。圖10是表示實施本發(fā)明的晶片分割方法中的晶片斷裂工序的分割裝置的一個實施方式的透視圖。圖11是表示本發(fā)明的晶片分割方法中的晶片斷裂工序的說明圖。具體實施例方式下面參照附圖詳細說明本發(fā)明的晶片分割方法的優(yōu)選實施方式。圖1表示了作為按本發(fā)明的晶片分割方法分割的晶片的半導體晶片的透視圖。圖1所示的半導體晶片2由例如厚度為300μm的硅晶片構成，在表面2a呈格子狀地形成有多條分割預定線21。并且，在半導體晶片2的表面2a上，在由多條分割預定線21劃分成的多個區(qū)域內形成有IC、LSI等器件22。下面說明將該半導體晶片2分割成單個器件(芯片)的晶片分割方法。在上述半導體晶片2的表面2a上，為了保護器件22，而如圖2所示那樣粘貼保護帶3(保護帶粘貼工序)。若通過實施保護帶粘貼工序將保護帶3粘貼到半導體晶片2的表面2a上，則將晶片保持在激光加工裝置的保持被加工物的卡盤臺(chucktable)上(晶片保持工序)，實施從晶片的背面?zhèn)妊胤指铑A定線向保持在卡盤臺上的晶片照射波長對該晶片具有透射性的激光光線、在晶片的內部沿分割預定線形成變質層的變質層形成工序。該變質層形成工序在圖示實施方式中用圖3所示的激光加工裝置實施。圖3所示的激光加工裝置4具有保持被加工物的卡盤臺41、將激光光線照射到保持在該卡盤臺41上的被加工物上的激光光線照射構件42、以及對被保持在卡盤臺41上的被加工物進行拍攝的攝像構件43。卡盤臺41被構成為能吸引保持被加工物，通過圖未示出的移動機構而沿圖3中箭頭X表示的加工進給方向和箭頭Y表示的分度進給方向移動。上述激光光線照射構件42包括實質上水平配置的圓筒形狀的殼體421。殼體421內配設有圖未示出的由YAG激光振蕩器或YVO4激光振蕩器構成的脈沖激光光線振蕩器或具有重復頻率設定構件的脈沖激光光線振蕩構件。上述殼體421的頂端安裝有匯集脈沖激光光線振蕩構件發(fā)振的脈沖激光光線的聚光器422。安裝在構成上述激光光線照射構件42的殼體421頂端上的攝像構件43，在圖示實施方式中除了利用可見光線拍攝的普通的攝像元件(CCD)之外，還由向被加工物照射紅外線的紅外線照明構件、捕獲該紅外線照明構件照射的紅外線的光學系統(tǒng)、輸出與該光學系統(tǒng)捕獲的紅外線相對應的電信號的攝像元件(紅外線CCD)等構成，并將拍攝的圖像信號發(fā)送給圖未示出的控制構件。用上述激光加工裝置4實施變質層形成工序時，像圖3所示那樣將半導體晶片2的保護帶3一側放置在激光加工裝置4的卡盤臺41上。并且用圖未示出的吸引構件將半導體晶片2吸引保持在卡盤臺41上(晶片保持工序)。因此，被吸引保持在卡盤臺41上的半導體晶片2的背面2b為上側。在像上述那樣實施了晶片保持工序之后，從半導體晶片2的背面2b一側沿分割預定線21向形成半導體晶片2的硅晶片照射波長對該晶片具有透射性的脈沖激光光線，實施通過在半導體晶片2的內部沿分割預定線21形成變質層使強度沿分割預定線降低的變質層形成工序。首先，圖未示出的移動機構使吸引保持半導體晶片2的卡盤臺41位于攝像構件43的正下方。然后執(zhí)行用攝像構件43和圖未示出的控制構件檢測半導體晶片2的要加工的區(qū)域的校準作業(yè)。即，用攝像構件43和圖未示出的控制構件，執(zhí)行使半導體晶片2的規(guī)定方向上形成的分割預定線21、與沿分割預定線21照射激光光線的激光光線照射構件42的聚光器422的位置間的對準的圖形匹配等的圖像處理，完成激光光線照射位置的校準。并且，對半導體晶片2上形成的與上述規(guī)定方向正交延伸的分割預定線21也同樣進行激光光線照射位置的校準(校準工序)。此時，雖然半導體晶片2的形成了分割預定線21的表面2a位于下側，但由于攝像構件43像以上敘述過的那樣具有由紅外線照明構件和捕獲紅外線的光學系統(tǒng)以及輸出與紅外線相對應的電信號的攝像元件(紅外線CCD)等構成的攝像構件，因此能夠透過背面2b拍攝分割預定線21。在像上述那樣實施了校準工序之后，像圖4(a)所示那樣使卡盤臺41移動到照射激光光線的激光光線照射構件42的聚光器422所在的激光光線照射區(qū)域，使規(guī)定的分割預定線21的一端(圖4(a)的左端)位于激光光線照射構件42的聚光器422的正下方。然后從聚光器422向硅晶片照射對該晶片具有透射性的脈沖激光光線并使卡盤臺41以規(guī)定的進給速度沿圖4(a)中箭頭X1所示的方向移動。然后在像圖4(b)所示那樣聚光器422的照射位置到達分割預定線21的另一端的位置后，停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺41的移動。在該變質層形成工序中，通過使脈沖激光光線的聚光點P靠近半導體晶片2的表面2a(下表面)，在半導體晶片2中形成露出于表面2a(下表面)并從表面2a朝向內部的變質層210。該變質層210形成熔融再硬化層。上述變質層形成工序中的加工條件例如如下設定光源LD激勵Q開關Nd:YVO4激光器波長1064nm的脈沖激光重復頻率100kHz脈沖輸出10μJ聚光點直徑φ1μm加工進給速度100mm/秒另外，在半導體晶片2的厚度厚的情況下，通過像圖5所示那樣逐層改變聚光點P進行多次上述變質層形成工序，形成多層變質層210。例如，在上述加工條件下，由于一次形成的變質層的厚度約為50μm，因此進行例如3次上述變質層形成工序形成150μm厚的變質層210。并且，對于厚度為300μm的晶片2也可以形成6層變質層，在半導體晶片2的內部沿分割預定線21形成從表面2a到背面2b的變質層。并且，變質層210也可以僅形成在內部而不露出到表面2a和背面2b。在像上述那樣沿半導體晶片2的所有在規(guī)定方向上延伸的分割預定線21進行了上述變質層形成工序后，將卡盤臺41旋轉90°，沿與上述規(guī)定方向成直角延伸的各分割預定線進行上述變質層形成工序。在這樣沿半導體晶片2上形成的所有的分割預定線21進行了上述變質層形成工序后，用吸附面具有多孔質樹脂層的吸附墊來吸引保持被保持在卡盤臺41上的半導體晶片2的表面2a，實施從卡盤臺41上搬出半導體晶片2的晶片搬出工序。該晶片搬出工序用圖6所示的吸附墊實施。圖6所示的吸附墊5由圓盤狀的底座51和吸引保持部件52構成。底座51用合適的金屬材料構成，在其上表面中央部突出形成有支持軸511，該支持軸511安裝在作動臂53的頂端上。支持軸511的上端設置有卡止部511a，該卡止部511a與作動臂53上形成的卡合部531卡合。另外，在底座51的上表面與作動臂53之間配設有壓縮螺旋彈簧54，向下對底座51施力。構成吸附墊5的底座51具備下方開放的圓形凹部512。用多孔質陶瓷形成為圓盤形的吸引保持部件52嵌入該凹部512內。構成吸附墊5的底座51上形成的圓形凹部512通過支持軸511上設置的連通通路511b與作動臂53內配設的撓性管等管線54連接。另外，管線54與圖未示出的吸引構件連接。在構成吸附墊5的底座51和吸引保持部件52的圖6中的下表面(吸引面)上，安裝有形成多孔質樹脂層的多孔質樹脂片55。該多孔質樹脂片55的外周部分用粘接劑固定在底座51的外周面上。另外，多孔質樹脂片55可以使用例如由日東電工(股份)有限公司制造銷售的超高分子量聚乙烯多孔質片SUNMAP(サンマツプ，商標名)。下面參照圖7說明使用上述吸附墊5實施的晶片搬出工序。如圖7所示，使吸附墊5的底座51和吸引保持部件52的圖7中的下表面(吸附面)，與保持在卡盤臺41上的實施過變質層形成工序的半導體晶片2的上表面(背面2b)接觸。然后解除卡盤臺41對半導體晶片2的吸引保持，并使吸附墊5的吸引構件動作。結果負壓通過配設在作動臂53中的管線54、底座51中設置的連通通路511b和凹部512、吸引保持部件52作用于多孔質樹脂片55上。因此，半導體晶片2的上表面(背面2b)被吸引保持在多孔質樹脂片55的圖7中的下表面(吸附面)上。因此，圖未示出的動作機構使作動臂53動作，由此將保持在吸附墊5上的半導體晶片2從卡盤臺41上搬出。另外，由于吸引保持半導體晶片2的背面2b的吸附墊5的吸附面用多孔質樹脂片55形成，因此半導體晶片2的背面2b上不會產(chǎn)生細微的裂縫。在像上述那樣將半導體晶片2的背面2b吸引保持在吸附墊5上從卡盤臺41搬出后，實施保持背面2b被吸引保持在吸附墊5上的半導體晶片2的表面2a并從半導體晶片2的背面2b上取下吸附墊5的晶片轉移工序。實施該晶片轉移工序如圖8所示使用結構與上述吸附墊5相同的吸附墊50。圖8所示實施方式中的吸附墊50對于與吸附墊5的構成部件相同的部件添加相同的附圖標記，省略其說明。另外，在吸附墊50中，不需要吸附墊5的安裝在吸引保持部件52上的多孔質樹脂片55。晶片轉移工序如圖8所示使吸附墊50的吸引保持部件52與粘貼在背面2b被吸引保持在吸附墊5上的半導體晶片2的表面2a上的保護帶3接觸。然后解除吸附墊5對半導體晶片2的吸引保持，并使吸附墊50的吸引構件動作。結果，負壓作用在吸引保持部件52上，使半導體晶片2的表面2a一側通過保護帶3被吸引保持在吸引保持部件52上。這樣一來，由于半導體晶片2的表面2a通過保護帶3被吸引保持在吸引保持部件52上，因此不直接與吸引保持部件52接觸，所以不會損傷器件。接著實施粘貼將表面2a一側被吸引保持在吸附墊50上的半導體晶片2的背面2b安裝到環(huán)形的框架上的粘接帶，通過粘接帶將半導體晶片2支持在環(huán)形的框架上的晶片支持工序。晶片支持工序像圖9(a)所示那樣使吸引保持半導體晶片2的表面2a一側的吸附墊50翻轉，將表面2a一側被吸引保持在吸附墊50上的半導體晶片2的背面2b粘貼到安裝在支持臺6上配置的環(huán)形的框架7上的粘接帶70的表面上。然后解除吸附墊50對半導體晶片2的吸引保持。在這樣將半導體晶片2的背面2b粘貼到安裝在環(huán)形的框架7上的粘接帶70的表面上之后，像圖9(b)所示那樣剝離粘貼在半導體晶片2的表面2a上的保護帶3。另外，雖然上述實施方式中的晶片支持工序以將半導體晶片2的背面2b粘貼到安裝在環(huán)形的框架7上的粘接帶70上為例，但也可以在將粘接帶70安裝到環(huán)形的框架7上時將粘接帶70粘貼到半導體晶片2的背面2b上。即，設置保持環(huán)形的框架的保持構件，由該保持構件保持環(huán)形的框架。然后使背面朝上地將晶片設置到環(huán)形的框架內，在將粘接帶粘貼到環(huán)形的框架和晶片背面上后，沿環(huán)形的框架切斷粘接帶。在實施了上述晶片支持工序之后，在通過粘接帶70支持在環(huán)形的框架7上的半導體晶片2上作用外力，由此實施使半導體晶片2沿形成了變質層210的分割預定線21斷裂的晶片斷裂工序。該晶片斷裂工序使用圖10所示的分割裝置8。圖10所示的分割裝置8具備底座81和可以沿用箭頭Y表示的方向移動地配設在該底座81上的移動臺82。底座81形成為矩形形狀，在其兩側部上表面沿箭頭Y表示的方向互相平行地配設有2根導軌811、812。移動臺82可以移動地配設在這2根導軌811、812上。移動構件83使移動臺82沿箭頭Y表示的方向移動。移動臺82上配設有保持上述環(huán)形的框架7的框架保持構件84?？蚣鼙３謽嫾?4由圓筒狀的主體841、設置在該主體841上端的環(huán)形的框架保持構件842、以及配設在該框架保持構件842的外周作為固定構件的夾持器843構成。這種結構的框架保持構件84用夾持器843固定被放置在框架保持構件842上的環(huán)形的框架7。并且，圖10所示的分割裝置8具備使上述框架保持構件84旋轉的旋轉構件85。該旋轉構件85由配設在上述移動臺82上的脈沖電動機851、安裝在該脈沖電動機851的旋轉軸上的皮帶輪852、以及卷繞在該皮帶輪852和圓筒狀的主體841上的環(huán)形傳動帶853構成。這種結構的旋轉構件85通過驅動脈沖電動機851利用皮帶輪852和環(huán)形傳動帶853使框架保持構件84旋轉。圖10所示的分割裝置8具備張力施加構件86，張力施加構件86向通過粘接帶70支持在被保持于上述環(huán)形的框架保持構件842上的環(huán)形的框架7上的半導體晶片2，沿著與分割預定線正交方向施加張力。該張力施加構件86配置在環(huán)形的框架保持構件84的主體841內。該張力施加構件86具備具有沿與箭頭Y方向正交的方向長的長方形保持面的第1吸引保持構件861和第2吸引保持構件862。第1吸引保持構件861上形成有多個吸引孔861a，第2吸引保持構件862上形成有多個吸引孔862a。多個吸引孔861a和吸引孔862a與圖未示出的吸引構件連通。并且，第1吸引保持構件861和第2吸引保持構件862通過圖未示出的移動構件分別沿箭頭Y方向移動。圖10所示的分割裝置8具備檢測構件87，該檢測構件87用于檢測通過粘接帶70支持在被保持于上述環(huán)形的框架保持構件842上的環(huán)形的框架7上的半導體晶片2的分割預定線。檢測構件87安裝在底座81上配設的L字形狀的支柱871上。該檢測構件87由光學系統(tǒng)和攝像元件(CCD)等構成，配置在上述張力施加構件86的上方位置上。這種結構的檢測構件87拍攝通過粘接帶70支持在被保持于上述環(huán)形的框架保持構件842上的環(huán)形的框架7上的半導體晶片2的分割預定線，將其變換成電信號輸出給圖未示出的控制構件。下面參照圖10和圖11說明用上述分割裝置8實施的晶片斷裂工序。像圖11(a)所示那樣將通過粘接帶70對實施了上述變質層形成工序的半導體晶片2進行支持的環(huán)形的框架7安放到框架保持構件842上，用夾持器843將其固定在框架保持構件842上。接著使移動構件83動作，使移動臺82沿箭頭Y表示的方向(參照圖10)移動，像圖11(a)所示那樣使半導體晶片2的沿規(guī)定方向形成的1條分割預定線21(在圖示實施方式中為最左端的分割預定線)位于構成張力施加構件86的第1吸引保持構件861的保持面與第2吸引保持構件862的保持面之間。此時，用檢測構件87拍攝分割預定線21，進行第1吸引保持構件861的保持面與第2吸引保持構件862的保持面的位置對準。在這樣使1條分割預定線21位于第1吸引保持構件861的保持面與第2吸引保持構件862的保持面之間后，使圖未示出的吸引構件工作，在吸引孔861a和862a上作用負壓，由此將半導體晶片2通過粘接帶70吸引保持到第1吸引保持構件861的保持面和第2吸引保持構件862的保持面上(保持工序)。在實施了上述保持工序后，使構成張力施加構件86的圖未示出的移動構件動作，使第1吸引保持構件861和第2吸引保持構件862像圖11(b)所示那樣向互相相反的方向移動。結果在位于第1吸引保持構件861的保持面與第2吸引保持構件862的保持面之間的分割預定線21上，拉力作用于與分割預定線21正交的方向，使半導體晶片2沿分割預定線21斷裂。由于實施該晶片斷裂工序，粘接帶70稍微伸長。在該晶片斷裂工序中，由于半導體晶片2沿分割預定線21形成變質層210且強度降低，因此通過使第1吸引保持構件861和第2吸引保持構件862向彼此相反的方向移動0.5mm左右，能夠使半導體晶片2沿分割預定線21斷裂。在像上述那樣實施了沿在規(guī)定方向上形成的1條分割預定線21斷裂的晶片斷裂工序之后，解除上述第1吸引保持構件861和第2吸引保持構件862對半導體晶片2的吸引保持。接著使移動構件83動作，使移動臺82沿箭頭Y表示的方向(參照圖10)移動相當于分割預定線21的間隔的量，使與實施了上述晶片斷裂工序的分割預定線21相鄰的分割預定線21，位于構成張力施加構件86的第1吸引保持構件861的保持面與第2吸引保持構件862的保持面之間。然后實施上述保持工序和晶片斷裂工序。在這樣對在規(guī)定方向上形成的所有的分割預定線21實施了上述保持工序和分割工序之后，使旋轉構件85動作，使框架保持構件84旋轉90°。結果保持在框架保持構件84的吸引保持構件862上的半導體晶片2也旋轉90°，規(guī)定方向上形成的、沿與實施了上述晶片斷裂工序的分割預定線21正交的方向上形成的分割預定線21，位于與第1吸引保持構件861的保持面和第2吸引保持構件862的保持面處于平行狀態(tài)的位置上。接著對與實施了上述分割工序的分割預定線21正交的方向上形成的所有的分割預定線21實施上述保持工序和晶片斷裂工序，由此使半導體晶片2沿分割預定線21分割成單個器件(芯片)。由于這樣分割成的單個器件(芯片)在上述晶片搬出工序中如上所述不會在背面產(chǎn)生細微的裂縫，因此不會降低耐折斷強度。另外，晶片斷裂工序除上述斷裂方法外還可以使用下述分割方法。即可以使用將粘貼在吸附墊50上的半導體晶片2(沿分割預定線21形成有變質層210)放置在柔軟的橡膠片上，用輥按壓其上表面，由此沿形成了變質層210且強度降低的分割預定線21割斷半導體晶片2的方法。并且可以使用沿形成了變質層且強度降低的分割預定線21作用由例如頻率為28kHz左右的縱波(疏密波)構成的超聲波的方法，或者使用沿形成了變質層210且強度降低的分割預定線21作用按壓部件的方法，或者使用沿形成了變質層210且強度降低的分割預定線21照射激光光線施加熱沖擊的方法等。雖然在上述實施方式中敘述的是將形成了IC、LSI等器件的半導體晶片分割成單個器件(芯片)的例子，但本發(fā)明的晶片分割方法也可以用于石英玻璃之類的沒有形成器件的晶片的分割。權利要求1.一種晶片分割方法，將表面形成有分割預定線的晶片沿該分割預定線分割，其特征在于，包括以下工序保護帶粘貼工序，在該晶片的表面粘貼保護帶；晶片保持工序，將晶片的保護帶側保持在激光加工裝置的保持被加工物的卡盤臺上；變質層形成工序，從晶片的背面?zhèn)妊卦摲指铑A定線向保持在該卡盤臺上的晶片照射波長對該晶片具有透射性的激光光線，在晶片的內部沿該分割預定線形成變質層；晶片搬出工序，在實施了該變質層形成工序后，用吸附面具有多孔質樹脂層的吸附墊來吸引保持被保持在該卡盤臺上的晶片的背面，從該卡盤臺搬出晶片；晶片支持工序，保持背面被吸引保持在該吸附墊上的晶片的表面，而且從晶片的背面取下該吸附墊，并將安裝在環(huán)形的框架上的粘接帶粘貼到晶片的背面上，通過該粘接帶將晶片支持在該環(huán)形的框架上；以及晶片斷裂工序，使外力作用在通過該粘接帶而被支持在該環(huán)形的框架上的晶片上，由此使晶片沿形成了該變質層的該分割預定線斷裂。2.如權利要求1所述的晶片分割方法，形成該晶片搬出工序中使用的該吸附墊的吸附面的多孔質樹脂層，由多孔質樹脂片構成。全文摘要本發(fā)明提供不降低分割成單個的芯片的耐折斷強度地分割晶片的晶片分割方法。一種沿分割預定線分割在表面形成有分割預定線的晶片的晶片分割方法，包括以下工序在晶片的表面粘貼保護帶；將晶片的保護帶側保持在激光加工裝置的保持被加工物的卡盤臺上；從晶片的背面?zhèn)妊胤指铑A定線照射波長對保持在卡盤臺上的晶片具有透射性的激光光線，在晶片的內部形成變質層；用吸附面具有多孔質樹脂層的吸附墊吸引保持晶片的背面，從卡盤臺搬出晶片；保持背面被吸引保持在吸附墊上的晶片的表面，而且從晶片的背面上取下吸附墊，并將安裝在環(huán)形的框架上的粘接帶粘貼到晶片的背面上；使外力作用在晶片上，由此使晶片沿分割預定線斷裂。文檔編號H01L21/02GK101032843SQ200710085658公開日2007年9月12日申請日期2007年3月6日優(yōu)先權日2006年3月7日發(fā)明者小林賢史,飯塚健太呂,大宮直樹申請人:株式會社迪斯科