專(zhuān)利名稱(chēng)：一種防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造工藝，尤其涉及晶圓的刻蝕工藝。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造工藝中，需要對(duì)曝有電路圖形的晶圓進(jìn)行刻蝕，該刻蝕 制程在反應(yīng)腔中執(zhí)行，通過(guò)采用不同的氣體與晶圓表面的薄膜進(jìn)行反應(yīng)，以將 薄膜去除至特定的厚度。反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物大部分被真空系統(tǒng)抽走，少 部分會(huì)淀積在反應(yīng)腔的側(cè)壁上，當(dāng)大量的晶圓在反應(yīng)腔中反應(yīng)完畢后(例如連
錄反應(yīng)80小時(shí))，需要更換一個(gè)新的側(cè)壁。
在某些刻蝕制程，例如電容孔刻蝕(C1-ETCH)制程中，包括如下兩個(gè)步 驟第一步采用含碳量高的氣體與晶圓表面的薄膜進(jìn)行反應(yīng)，可在反應(yīng)腔側(cè)壁 上形成緊密的聚合物淀積，而且反應(yīng)時(shí)間越久，聚合物淀積得越緊密；第二步 采用含碳量低的氣體進(jìn)行反應(yīng)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成疏松的聚合物淀積，這 些淀積物容易在反應(yīng)過(guò)程中從側(cè)壁上脫落，掉在晶圓上形成表面缺陷(surface defect )。
由于制造部的工作人員是隨機(jī)選取一批晶圓在反應(yīng)腔內(nèi)運(yùn)行的，如果正好 連續(xù)拿到幾批需要執(zhí)行第二步反應(yīng)的晶圓，則由于聚合物淀積疏松，在反應(yīng)過(guò) 程中很可能發(fā)生淀積物脫落的情況，造成晶圓的表面缺陷，影響產(chǎn)品的良率。
為了防止表面缺陷的問(wèn)題， 一種方法是在執(zhí)行第二步之前先采用其它的工 程晶圓運(yùn)行一下，來(lái)加固反應(yīng)腔側(cè)壁的聚合物淀積程度。然而，采用此方法， 不僅浪費(fèi)工程晶圓，也占用反應(yīng)時(shí)間，不利于產(chǎn)能的提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法，以有效 防止表面缺陷問(wèn)題的產(chǎn)生，從而提升產(chǎn)能。為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方
法，所述的刻蝕制程包括在反應(yīng)腔中分別執(zhí)行的步驟一和步驟二；執(zhí)行步驟一 時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成緊密的聚合物淀積；執(zhí)行步驟二時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè) 壁上形成疏松的聚合物淀積，其實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)在于，本方法在同一個(gè)反應(yīng)腔內(nèi)運(yùn) 行數(shù)批不同的晶圓時(shí)，每運(yùn)行一批需要執(zhí)行步驟二的晶圓之前，都要先運(yùn)行至 少兩批需要執(zhí)行步驟一 的晶圓。
在上述的方法中，步驟一采用含碳量高的氣體進(jìn)行反應(yīng)，步驟二采用含碳 量低的氣體進(jìn)行反應(yīng)。
本發(fā)明的防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法，通過(guò)合理安排晶圓在反應(yīng) 腔內(nèi)的運(yùn)行順序，可有效提高反應(yīng)腔側(cè)壁上聚合物淀積的緊密程度，從而防止 表面缺陷的產(chǎn)生，同時(shí)，無(wú)需借助額外的工程晶圓，節(jié)約了反應(yīng)時(shí)間，提高了 產(chǎn)能。
具體實(shí)施例方式
下面將對(duì)本發(fā)明的防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
本發(fā)明的方法主要用于刻蝕制程，所述的刻蝕制程包括在反應(yīng)腔中分別執(zhí) 行的步驟一和步驟二。由于使用不同的工藝氣體，在執(zhí)行步驟一時(shí)，會(huì)在反應(yīng) 腔的側(cè)壁上形成緊密的聚合物淀積，而在執(zhí)行步驟二時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔的側(cè)壁上 形成疏松的聚合物淀積。
于本發(fā)明的具體實(shí)施例中，該刻蝕制程為C1-ETCH制程，步驟一采用C4F8、 CH2F2、 CF4、 CO、 Ar和02的混合氣體，其含碳量較高，故可在反應(yīng)腔側(cè)壁上 形成緊密的聚合物淀積，而且反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng)，淀積得越牢固。步驟二采用CHF3、 Ar和02的混合氣體，其含碳量較低，因此在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成的聚合物淀積較 疏松，容易脫落。
為了防止在反應(yīng)過(guò)程中發(fā)生淀積物脫落造成晶圓的表面缺陷，本發(fā)明對(duì)晶 圓的運(yùn)行順序作出了優(yōu)化在同一個(gè)反應(yīng)腔內(nèi)運(yùn)行數(shù)批不同的晶圓時(shí)，每運(yùn)行 一批需要執(zhí)行步驟二的晶圓之前，都要先運(yùn)行至少兩批需要執(zhí)行步驟一的晶圓。
通過(guò)先在反應(yīng)腔中對(duì)兩批晶圓執(zhí)行步驟一，可在反應(yīng)腔的側(cè)壁上形成緊密牢固的聚合物淀積，從而在對(duì)后一批晶圓執(zhí)行步驟二的過(guò)程中，即使形成的聚 合物淀積較為疏松，也不至于脫落。然后再對(duì)兩批晶圓執(zhí)行步驟一，以進(jìn)一步 加固淀積程度，才能運(yùn)行下一批需要執(zhí)行步驟二的晶圓。如此反復(fù)，即可確保 在側(cè)壁的使用期內(nèi)，不會(huì)發(fā)生淀積物脫落的現(xiàn)象，有效解決了表面缺陷的問(wèn)題。 采用本發(fā)明的方法，無(wú)需對(duì)原有的工藝進(jìn)行改動(dòng)，只需合理安排晶圓的運(yùn) 行順序，即可防止表面缺陷的產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1、一種防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法，所述的刻蝕制程包括在反應(yīng)腔中分別執(zhí)行的步驟一和步驟二；執(zhí)行步驟一時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成緊密的聚合物淀積；執(zhí)行步驟二時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成疏松的聚合物淀積，其特征在于所述方法在同一個(gè)反應(yīng)腔內(nèi)運(yùn)行數(shù)批不同的晶圓時(shí)，每運(yùn)行一批需要執(zhí)行步驟二的晶圓之前，都要先運(yùn)行至少兩批需要執(zhí)行步驟一的晶圓。
2、 如權(quán)利要求1所述的防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法，其特征在于 步驟一 中采用含碳量高的氣體進(jìn)行反應(yīng)。
3、 如權(quán)利要求1所述的防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法，其特征在于 步驟二中采用含碳量低的氣體進(jìn)行反應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種防止刻蝕制程中產(chǎn)生表面缺陷的方法，涉及晶圓的刻蝕工藝?，F(xiàn)有的刻蝕制程中，由于反應(yīng)腔側(cè)壁上聚合物淀積不夠緊密，容易出現(xiàn)淀積物脫落，造成晶圓表面缺陷的問(wèn)題。本發(fā)明的方法主要用于解決刻蝕制程中的表面缺陷問(wèn)題，該刻蝕制程包括在反應(yīng)腔中分別執(zhí)行步驟一和步驟二；執(zhí)行步驟一時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成緊密的聚合物淀積；執(zhí)行步驟二時(shí)，會(huì)在反應(yīng)腔側(cè)壁上形成疏松的聚合物淀積，所述方法在同一反應(yīng)腔內(nèi)運(yùn)行數(shù)批不同的晶圓時(shí)，每運(yùn)行一批需要執(zhí)行步驟二的晶圓之前，都要先運(yùn)行至少兩批需要執(zhí)行步驟一的晶圓。本發(fā)明的方法通過(guò)合理安排晶圓在反應(yīng)腔內(nèi)的運(yùn)行順序，可有效改善反應(yīng)腔側(cè)壁的聚合物淀積程度，防止表面缺陷的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101290865SQ200710039788
公開(kāi)日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2007年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月20日
發(fā)明者瑛 劉, 徐艷博, 王宏玲 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司