專利名稱：一種可減小n型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵 極側墻制作方法。憾狄現(xiàn)有的柵極側墻的制作方法首先在已生成有多晶硅柵極、源極和漏極的晶 圓上制作由二氧化硅層、氮化硅層和又一二氧化硅層組成的絕緣介質層，然后 對該絕緣介質層進行干法刻蝕，利用干法刻蝕的各向異性特性來去除水平方向 上的絕緣介質層來形成側墻圖形，最后再對該絕緣介質層進行濕法刻蝕來形成 柵極側墻。但是在完成上述濕法刻蝕步驟后，多晶硅柵極頂端的二氧化硅層厚度仍可 達20埃以上。當在進行N型源漏區(qū)摻雜時，該厚度可達20埃的二氧化硅層將 會對后續(xù)在多晶硅柵極和源漏極上進行的離子注入(如注入砷離子或磷離子) 產(chǎn)生阻擋作用，如此會導致注入至柵極、漏極和源極中的離子數(shù)量減小，導致 多晶硅柵的電阻會相應增大。通過上述工藝制成的N溝道MOS管的電性能就會 受到不良影響，例如會造成MOS管反應速度慢、功耗增大等。上述因二氧化硅層的厚度過厚而導致多晶硅柵極電阻過大的問題，雖可通 過調節(jié)離子注入的參數(shù)來進行改善，但調節(jié)離子注入?yún)?shù)的過程非常麻煩；另 外，即便調整了離子注入的參數(shù)而使離子注入后多晶硅柵極的電阻在正常范圍， 也很難確保此種參數(shù)下使N溝道MOS的其他參數(shù)處于正常范圍。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法, 通過所述方法可避免多晶硅槺極電阻偏大而影響N溝道MOS性能。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的 一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，該方法首先在已生成有多晶硅柵極和有源區(qū)的晶圓上制作一絕緣介質 層，然后對該絕緣介質層進行干法刻蝕來形成側墻圖形，最后對該絕緣介質層 進行濕法刻蝕來形成柵極側墻，其中，在對該絕緣介質層進行濕法刻蝕形成柵 極側墻時，該濕法刻蝕使多晶硅柵極和有源區(qū)頂端的絕緣介質層的厚度減小到IO埃以下。在上述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法中，該絕緣介質層 從下至上依次包括第一二氧化硅層、氮化硅層以及第二二氧化硅層。在上述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法中，該第一二氧化 硅層的厚度為150埃。在上述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法中，該氮化硅層的 厚度為300埃。在上述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法中，該第二二氧化 硅層的厚度范圍為600至1000埃。在上述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法中，該濕法刻蝕通 過氫氟酸溶液來實現(xiàn)。在上述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法中，通過提高氫氟 酸溶液的濃度或延長刻蝕時間來減小多晶硅柵極和有源區(qū)頂端的絕緣介質層的 厚度。與現(xiàn)有的濕法刻蝕后多晶硅柵極和有源區(qū)頂端仍有20埃的二氧化硅層相 比，本發(fā)明的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，通過濕法刻蝕使 二氧化硅層的厚度降至IO埃以下，如此，可提高后續(xù)在多晶硅柵極和有源區(qū)上 進行離子注入時注入的離子劑量，使多晶硅柵極的電阻也相應的降低，又可大 大提升N溝道M0S的性能和良品率。


本發(fā)明的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法由以下的實施例及 附圖給出。圖1為本發(fā)明的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法的實施例的 流程圖。
具體實施方式
以下將對本發(fā)明的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法作進一步 的詳細描迷。如圖1所示，本發(fā)明的可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極側墻制作方法首 先進行步驟SIO，在已生成有多晶硅柵極和有源區(qū)的晶圓上制作一絕緣介質層。 在本實施例中，所述的有源區(qū)包括源極和漏極，所述的絕緣介質層從下至上依 次包括第一二氧化硅層、氮化硅層以及第二二氧化硅層，其厚度分別為150埃、 300埃和800埃。然后繼續(xù)步驟Sll。在步驟Sll中，對所述的絕緣介質層進行干法刻蝕來形成側墻圖形。在本 實施例中，通過利用干法刻蝕的各向異性的特性來刻蝕掉所述的絕緣介質層的 水平部分而形成側墻圖形。然后繼續(xù)步驟S12。在步驟S12中，對所述的絕緣介質層進行濕法刻蝕來形成柵極側墻，所述 的濕法刻蝕使所述的多晶硅柵極和有源區(qū)頂端的絕緣介質層的厚度減小到10埃 以下。在本實施例中，濕法刻蝕通過氫氟酸溶液來實現(xiàn)，可通過提高氫氟酸溶 液的濃度或延長刻蝕時間來確保多晶硅柵極頂端的絕緣介質層的厚度減小到10 埃以下。綜上所述，本發(fā)明的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，通過 濕法刻蝕使多晶硅柵極和有源區(qū)頂端的二氧化硅層的厚度降至10埃以下，如此， 可提高后續(xù)在有源區(qū)上進行離子注入時注入的離子劑量，使多晶硅柵極的電阻 也相應的降低，并可大大提升N溝道MOS的性能和良品率。
權利要求
1. 一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，該方法首先在已生成有多晶硅柵極和有源區(qū)的晶圓上制作一絕緣介質層，然后對該絕緣介質層進行干法刻蝕來形成側墻圖形，最后再對該絕緣介質層進行濕法刻蝕來形成柵極側墻，其特征在于，在對該絕緣介質層進行濕法刻蝕形成柵極側墻時，該濕法刻蝕使多晶硅柵極和有源區(qū)頂端的絕緣介質層的厚度減小到10埃以下。
2、 如權利要求1所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其 特征在于，該絕緣介質層從下至上依次包括第一二氧化硅層、氮化硅層以及第 二二氧化硅層。
3、 如權利要求2所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其 特征在于，該第一二氧化硅層的厚度為150埃。
4、 如權利要求2所述的可減小N型摻雜柵極電阻的槺極側墻制作方法，其 特征在于，該氮化硅層的厚度為300埃。
5、 如權利要求2所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其 特征在于，該第二二氧化'硅層的厚度范圍為600至1000埃。
6、 如權利要求1所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其 特征在于，該濕法刻蝕通過氫氟酸溶液來實現(xiàn)。
7、 如權利要求6所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其 特征在于，通過提高氫氟酸溶液的濃度或延長刻蝕時間來減小多晶硅柵極和有 源區(qū)頂端的絕緣介質層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法?，F(xiàn)有的柵極側墻制作方法在制成柵極側墻后，多晶硅柵極和有源區(qū)頂端仍留有厚度達20埃的二氧化硅層，如此將會阻擋后續(xù)在該多晶硅柵極和有源區(qū)上進行的離子注入，而使多晶硅柵極的電阻過高。本發(fā)明的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法首先在已生成有多晶硅柵極和有源區(qū)的晶圓上制作一絕緣介質層，然后對該絕緣介質層進行干法刻蝕來形成側墻圖形，最后對該絕緣介質層進行濕法刻蝕來形成柵極側墻，其中，該濕法刻蝕使多晶硅柵極和有源區(qū)頂端的絕緣介質層的厚度減小到10埃以下。采用本發(fā)明的方法可明顯降低N型MOS管的柵極電阻，大大提高了N溝道MOS管的性能和良品率。
文檔編號H01L21/335GK101241852SQ200710037150
公開日2008年8月13日 申請日期2007年2月6日 優(yōu)先權日2007年2月6日
發(fā)明者吳俊雄, 范生輝, 宬 賈 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司