專利名稱：用于清潔離子注入機(jī)的靜電吸盤的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種離子注入機(jī)，更具體地講，涉及一種能夠去除吸入到靜電吸盤中的顆粒的靜電吸盤清潔裝置，用于防止在半導(dǎo)體制造設(shè)備的離子注入工藝中的晶片降落。
背景技術(shù)：
通常，離子注入工藝包括在半導(dǎo)體晶體的表面將諸如具有三個(gè)價(jià)電子的P型雜質(zhì)(如，硼、鋁、銦)或具有五個(gè)價(jià)電子的N型雜質(zhì)(如，銻、磷、砷)引入到半導(dǎo)體晶體中，以使其電子特性改性。
在第5,475,618號(hào)美國專利中描述了用于執(zhí)行上述離子注入工藝的離子注入機(jī)。因?yàn)樵谥圃旄叨燃傻陌雽?dǎo)體裝置過程中，可以將雜質(zhì)的密度控制在大約10E14至大約10E18原子/cm3的范圍內(nèi)，所以上面提到的離子注入機(jī)廣泛地用于這些半導(dǎo)體裝置。此外，與采用其它的雜質(zhì)注入技術(shù)(例如擴(kuò)散技術(shù))時(shí)相比，采用離子注入比較容易控制雜質(zhì)的密度。因此，與其它的注入技術(shù)相比，采用離子注入得到的離子注入的深度會(huì)更為精確。
圖1是傳統(tǒng)離子注入機(jī)的框圖。
參照?qǐng)D1，下面將描述傳統(tǒng)離子注入機(jī)的構(gòu)造。
在圖1中，離子源室10產(chǎn)生離子束。束線室12由產(chǎn)生的離子形成注入離子束。端站14執(zhí)行離子束對(duì)晶片的離子注入。第一真空進(jìn)片室(loadlockchamber)22和第二真空進(jìn)片室24將用于離子注入的晶片傳送到端站14，或者從端站14中取出完成離子注入的晶片。第一隔離閥18和第二隔離閥20分別使端站14與第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24隔離。第一渦輪泵30和第二渦輪泵31抽氣，以保持第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24內(nèi)的高真空。第三隔離閥23安裝在第一真空進(jìn)片室22和第一渦輪泵30之間，以使第一真空進(jìn)片室22與第一渦輪泵30隔離，第四隔離閥25安裝在第二真空進(jìn)片室24和第二渦輪泵31之間，以使第二真空進(jìn)片室24與第二渦輪泵31隔離。真空泵38對(duì)第一渦輪泵30和第二渦輪泵31的抽真空操作起輔助作用，并執(zhí)行抽氣操作，以保持第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24內(nèi)的真空。第一初級(jí)閥(roughing valve)26和第二初級(jí)閥28安裝在連接到第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24的真空管路上，切換第一初級(jí)閥26和第二初級(jí)閥28以使第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24從常壓狀態(tài)形成為真空狀態(tài)。第三初級(jí)閥32和第四初級(jí)閥34接通或斷開第一渦輪泵30和第二渦輪泵31的真空管路。低溫泵(cyro-pump)16執(zhí)行抽氣操作，以均勻地保持端站14內(nèi)的高真空的壓力。第五初級(jí)閥36連接到真空泵38，切換第五初級(jí)閥36以使其能夠?qū)Φ谝粶u輪泵30、第二渦輪泵31和低溫泵16的真空管路進(jìn)行初步抽氣。
下面將參照?qǐng)D1描述傳統(tǒng)離子注入機(jī)的操作。
為了將加載在第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24內(nèi)的晶片傳送到具有高真空狀態(tài)的端站14，應(yīng)當(dāng)將具有常壓狀態(tài)的第一真空進(jìn)片室22和第二真空進(jìn)片室24改變成與端站14相同的高真空狀態(tài)。
首先，為了使第一真空進(jìn)片室22能夠處于高真空狀態(tài)，控制器(未示出)打開安裝在真空管路上的第一初級(jí)閥26，并關(guān)閉第二初級(jí)閥28和關(guān)閉第五初級(jí)閥36。接著，控制器驅(qū)動(dòng)真空泵38以將具有常壓狀態(tài)的第一真空進(jìn)片室22的壓力降低至例如10-3托。真空泵38不能將第一真空進(jìn)片室22的壓力降低到與端站14的壓力相同的壓力，因此，利用第一渦輪泵30保持第一真空進(jìn)片室22的高真空。當(dāng)?shù)谝徽婵者M(jìn)片室22的壓力降至10-3托時(shí)，控制器關(guān)閉第一初級(jí)閥26，并打開第三隔離閥23、第三初級(jí)閥32和第五初級(jí)閥36。控制器驅(qū)動(dòng)第一渦輪泵30，并執(zhí)行抽氣操作，使得第一真空進(jìn)片室22的壓力變?yōu)槔?0-4托。然后，當(dāng)?shù)谝徽婵者M(jìn)片室22的壓力變得與端站14的壓力相同時(shí)，第一隔離閥18打開，這樣加載在第一真空進(jìn)片室22內(nèi)的晶片被傳送到端站14內(nèi)。當(dāng)在端站14內(nèi)執(zhí)行對(duì)晶片的離子注入的同時(shí)，驅(qū)動(dòng)低溫泵16以均勻地保持端站14的壓力。
此外，為了使第二真空進(jìn)片室24能夠處于高真空狀態(tài)，控制器(未示出)打開安裝在真空管路上的第二初級(jí)閥28，并關(guān)閉第一初級(jí)閥26和關(guān)閉第五初級(jí)閥36。接著，控制器驅(qū)動(dòng)真空泵38以將具有常壓狀態(tài)的第二真空進(jìn)片室24的壓力降低至例如10-3托。真空泵38不能將第二真空進(jìn)片室24的壓力降低到與端站14的壓力相同的壓力，因此，利用第二渦輪泵31保持第二真空進(jìn)片室24的高真空。當(dāng)?shù)诙婵者M(jìn)片室24的壓力降至10-3托時(shí)，控制器關(guān)閉第二初級(jí)閥28，并打開第四隔離閥25、第四初級(jí)閥34和第五初級(jí)閥36?？刂破黩?qū)動(dòng)第二渦輪泵31，并執(zhí)行抽氣操作，使得第二真空進(jìn)片室24的壓力變?yōu)槔?0-4托。然后，當(dāng)?shù)诙婵者M(jìn)片室24的壓力變得與端站14的壓力相同時(shí)，第二隔離閥20打開，這樣加載在第二真空進(jìn)片室24內(nèi)的晶片被傳送到端站14內(nèi)。當(dāng)在端站14內(nèi)執(zhí)行對(duì)晶片的離子注入的同時(shí)，驅(qū)動(dòng)低溫泵16以均勻地保持端站14的壓力。第一初級(jí)閥26、第二初級(jí)閥28、第三初級(jí)閥32、第四初級(jí)閥34和第五初級(jí)閥36可以是電磁閥。
圖2A和圖2B是安裝在端站14內(nèi)的靜電吸盤的透視圖。參照?qǐng)D2A和圖2B，靜電吸盤40被構(gòu)造成夾住晶片，靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器42被構(gòu)造成向上和向下移動(dòng)靜電吸盤40，并且還將靜電吸盤40水平地放下或?qū)㈧o電吸盤40垂直地立起。
圖3示出了圖2A和圖2B中示出的靜電吸盤40夾住晶片的方案。
參照?qǐng)D3，電源50提供不同的正功率(positive power)和負(fù)功率，晶片平壓扇區(qū)(wafer platen sector)52單獨(dú)接收由電源50提供的正功率和負(fù)功率，并吸入晶片。
當(dāng)晶片安放在靜電吸盤40時(shí)，靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器42水平地放下靜電吸盤，如圖2A中所示，當(dāng)通過機(jī)械手將晶片安放在靜電吸盤40上時(shí)，圖5中的電源60分別向晶片平壓扇區(qū)52施加不同的正功率A+、B+、C+和負(fù)功率A-、B-、C-。靜電吸盤40吸入晶片并將其固定。然后，靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器42垂直地立起靜電吸盤40，如圖2B中所示，并將靜電吸盤40移到離子注入位置，以開始離子注入工藝。
在上述傳統(tǒng)的離子注入機(jī)中，離子注入工藝中產(chǎn)生的顆粒會(huì)殘留在晶片的后表面上和靜電吸盤40的表面上，靜電吸盤40的表面在工藝期間會(huì)變涼，因此產(chǎn)生的顆粒會(huì)被吸到靜電吸盤40的表面上。當(dāng)顆粒被吸到靜電吸盤40的表面上時(shí)，由于這些顆粒會(huì)導(dǎo)致粘附力下降。然而，需要這種粘附力將下一晶片吸入到靜電吸盤40上并將其固定到靜電吸盤40上。因此，由于上面的因這些顆粒造成的粘附力下降，所以當(dāng)靜電吸盤40移到離子注入工藝位置時(shí)，晶片會(huì)落下來。
因此，需要用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置，以防止上面提到的傳統(tǒng)離子注入裝置中出現(xiàn)的晶片降落難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例提供了一種用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置，用于在沒有執(zhí)行離子注入工藝時(shí)的備用狀態(tài)下去除靜電吸盤的表面上產(chǎn)生的顆粒。當(dāng)去除用于離子注入的靜電吸盤的晶片時(shí)，由于離子注入機(jī)的靜電吸盤表面上產(chǎn)生的顆粒導(dǎo)致粘附力減弱，而造成晶片降落，該裝置可以防止這種晶片降落。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，提供了一種用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置。所述裝置包括電源，用于產(chǎn)生熱絲電壓；靜電吸盤，用于吸入晶片；熱絲，安裝在所述靜電吸盤的內(nèi)部，通過由所述電源提供的熱絲電壓驅(qū)動(dòng)所述熱絲，用于從所述靜電吸盤發(fā)熱。
所述用于清潔靜電吸盤的裝置還可包括開關(guān)，接通/斷開所述開關(guān)以向所述熱絲提供所述熱絲電壓。
所述用于清潔靜電吸盤的裝置還可包括電壓控制器，用于控制由所述電源提供的電壓。
所述熱絲可以起到通過利用熱使吸到所述靜電吸盤表面的顆粒漂浮的作用。
所述用于清潔靜電吸盤的裝置還可包括低溫泵，用于執(zhí)行抽氣操作，以排放當(dāng)吸到所述靜電吸盤時(shí)由于熱絲而漂浮的顆粒。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，提供了一種用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置。所述裝置包括電源，用于產(chǎn)生熱絲電壓；靜電吸盤，用于吸入晶片；熱絲，安裝在所述靜電吸盤的內(nèi)部，通過由所述電源提供的熱絲電壓驅(qū)動(dòng)所述熱絲，用于從所述靜電吸盤發(fā)熱，以使吸到所述靜電吸盤表面的顆粒漂??；開關(guān)，用來向所述熱絲提供所述熱絲電壓；低溫泵，用于執(zhí)行抽氣操作，以排放已吸到所述靜電吸盤后由于熱絲而漂浮的顆粒。


通過以下結(jié)合附圖的描述，可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在附圖中
圖1是傳統(tǒng)離子注入機(jī)的框圖；圖2A和圖2B是示出了安裝在端站中的靜電吸盤的透視圖；圖3是圖2A和圖2B中示出的靜電吸盤內(nèi)夾住晶片的方案的框圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的離子注入機(jī)的框圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的靜電吸盤夾住晶片的方案的框圖；圖6示出了吸到靜電吸盤的表面的顆粒；圖7示出了顆粒通過熱能從靜電吸盤的表面漂浮。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，在下文將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被理解為局限于這里闡述的示例性實(shí)施例。
下面，將參照?qǐng)D4至圖7詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，本發(fā)明可以以多種不同的類型實(shí)施，而不限于下面描述的示例性實(shí)施例。
圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的離子注入機(jī)的框圖。
參照?qǐng)D4，離子注入機(jī)的構(gòu)造將描述如下。
在圖4中，離子源室110產(chǎn)生離子束。束線室112以產(chǎn)生的離子形成注入離子束。端站114包括具有安放在其內(nèi)的熱絲的靜電吸盤62，端站114通過利用離子束對(duì)放置在靜電吸盤62上的晶片執(zhí)行離子注入。在端站114內(nèi)，在完成離子注入之后，離子注入機(jī)放置在備用狀態(tài)，即，在靜電吸盤62上沒有放置晶片。在備用狀態(tài)時(shí)，通過熱絲將靜電吸盤62加熱到預(yù)定溫度，使得吸到靜電吸盤62的顆粒由于熱絲的熱能而漂浮。第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124將用于離子注入的晶片傳送到端站114，或者從端站114取出完成離子注入的晶片。第一隔離閥118和第二隔離閥120分別將端站114與第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124隔離。第一渦輪泵130和第二渦輪泵131抽氣，以保持第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124內(nèi)的高真空。第三隔離閥123安裝在第一真空進(jìn)片室122和第一渦輪泵130之間，以使第一真空進(jìn)片室122與第一渦輪泵130隔離；第四隔離閥125安裝在第二真空進(jìn)片室124和第二渦輪泵131之間，以使第二真空進(jìn)片室124與第二渦輪泵131隔離。真空泵138對(duì)第一渦輪泵130和第二渦輪泵131的抽真空操作起輔助作用，并執(zhí)行抽氣操作，以形成第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124內(nèi)的真空狀態(tài)。第一初級(jí)閥126和第二初級(jí)閥128安裝在連接到第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124的真空管路上，切換第一初級(jí)閥126和第二初級(jí)閥128以使第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124從常壓狀態(tài)形成為真空狀態(tài)。第三初級(jí)閥132和第四初級(jí)閥134接通或斷開第一渦輪泵130和第二渦輪泵131的真空管路。低溫泵116執(zhí)行抽氣操作，以均勻地保持端站114內(nèi)的高真空的壓力，當(dāng)吸到端站114的靜電吸盤62的顆粒由于熱絲而漂浮時(shí)，低溫泵116執(zhí)行抽氣操作而排放顆粒。第五初級(jí)閥136連接到真空泵138，切換第五初級(jí)閥136能夠?qū)Φ谝粶u輪泵130、第二渦輪泵131和低溫泵116的真空管路進(jìn)行初步抽氣。
下面，將參照?qǐng)D4詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的離子注入機(jī)的操作。
為了將加載在第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124內(nèi)的晶片傳送到具有高真空狀態(tài)的端站114，應(yīng)當(dāng)將具有常壓狀態(tài)的第一真空進(jìn)片室122和第二真空進(jìn)片室124改變成與端站114相同的高真空狀態(tài)。首先，為了使第一真空進(jìn)片室122能夠處于高真空狀態(tài)，控制器打開安裝在真空管路上的第一初級(jí)閥126，并關(guān)閉第二初級(jí)閥128和關(guān)閉第五初級(jí)閥136。接著，控制器驅(qū)動(dòng)真空泵138以將具有常壓狀態(tài)的第一真空進(jìn)片室122的壓力降低至例如大約10-3托。真空泵138不能將第一真空進(jìn)片室122的壓力降低到與端站114的壓力相同的壓力，因此，利用第一渦輪泵130保持第一真空進(jìn)片室122的高真空。當(dāng)?shù)谝徽婵者M(jìn)片室122的壓力降至大約10-3托時(shí)，控制器關(guān)閉第一初級(jí)閥126，并打開第三隔離閥123、第三初級(jí)閥132和第五初級(jí)閥136?？刂破黩?qū)動(dòng)第一渦輪泵130，并執(zhí)行抽氣操作，使得第一真空進(jìn)片室122的壓力變?yōu)槔绱蠹s10-4托。然后，當(dāng)?shù)谝徽婵者M(jìn)片室122的壓力變得與端站114的壓力相同時(shí)，第一隔離閥118打開，這樣加載在第一真空進(jìn)片室122內(nèi)的晶片被傳送到端站114內(nèi)。當(dāng)在端站114內(nèi)執(zhí)行對(duì)晶片的離子注入的同時(shí)，驅(qū)動(dòng)低溫泵116以均勻地保持端站114的壓力。
此外，為了使第二真空進(jìn)片室124能夠處于高真空狀態(tài)，控制器打開安裝在真空管路上的第二初級(jí)閥128，并關(guān)閉第一初級(jí)閥126和關(guān)閉第五初級(jí)閥136。接著，控制器驅(qū)動(dòng)真空泵138以將具有常壓狀態(tài)的第二真空進(jìn)片室124的壓力降低至例如大約10-3托。真空泵138不能將第二真空進(jìn)片室124的壓力降低到與端站114的壓力相同的壓力，因此，利用第二渦輪泵131保持第二真空進(jìn)片室124的高真空。當(dāng)?shù)诙婵者M(jìn)片室124的壓力降至大約10-3托時(shí)，控制器關(guān)閉第二初級(jí)閥128，并打開第四隔離閥125、第四初級(jí)閥134和第五初級(jí)閥136。控制器驅(qū)動(dòng)第二渦輪泵131，并執(zhí)行抽氣操作，使得第二真空進(jìn)片室124的壓力變?yōu)槔绱蠹s10-4托。然后，當(dāng)?shù)诙婵者M(jìn)片室124的壓力變得與端站114的壓力相同時(shí)，第二隔離閥120打開，這樣加載在第二真空進(jìn)片室124內(nèi)的晶片被傳送到端站114內(nèi)。當(dāng)在端站114內(nèi)執(zhí)行對(duì)晶片的離子注入的同時(shí)，驅(qū)動(dòng)低溫泵116以均勻地保持端站114的壓力。第一初級(jí)閥126、第二初級(jí)閥128、第三初級(jí)閥132、第四初級(jí)閥134和第五初級(jí)閥136可以是電磁閥。均勻地保持端站114的壓力，靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器向上提起其上安放有晶片的靜電吸盤62，然后，垂直地立起靜電吸盤62。然后，固定到并立在靜電吸盤62上的晶片用于通過由束線室112提供的束的離子注入。
當(dāng)在端站114內(nèi)完成離子注入時(shí)，由靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器降下靜電吸盤62，然后由機(jī)械手將晶片水平放置，并返回至第一真空進(jìn)片室122或第二真空進(jìn)片室124。然后，當(dāng)用戶操縱開關(guān)68時(shí)，開關(guān)68接通，向靜電吸盤62的熱絲提供熱絲電壓。當(dāng)向靜電吸盤62提供熱絲電壓時(shí)，吸到靜電吸盤62的表面的顆粒在端站114內(nèi)漂浮，通過低溫泵116的抽氣將漂浮的顆粒排放到外面。
圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明一些示例性實(shí)施例的靜電吸盤夾住的晶片的方案的框圖。
參照?qǐng)D5，該方案包括電源60，產(chǎn)生并提供不同的正功率、負(fù)功率和熱絲電壓；靜電吸盤62，用于單獨(dú)接收由電源60提供的不同的正功率和負(fù)功率，并用于吸入晶片；熱絲64，安裝在靜電吸盤62的內(nèi)部，通過由電源60提供的熱絲電壓驅(qū)動(dòng)，以從靜電吸盤發(fā)熱；電壓控制器66，用于控制由電源60提供的電壓；開關(guān)68，接通/斷開以提供熱絲電壓。
電源60可包括第一電源70、第二電源72、第三電源74和熱絲電壓提供裝置76。第一電源70提供第一正功率A+和第一負(fù)功率A-。第二電源72提供第二正功率B+和第二負(fù)功率B-。第三電源74提供第三正功率C+和第三負(fù)功率C-。熱絲電壓提供裝置76向熱絲64提供熱絲電壓。
圖6示出了吸到靜電吸盤62的表面的顆粒。
圖7示出了顆粒通過熱能從靜電吸盤62的表面漂浮。
參照?qǐng)D5至圖7，下面將描述本發(fā)明示例性實(shí)施例的操作。
在將晶片安放在靜電吸盤62上時(shí)，圖2A中示出的靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器42水平地放下靜電吸盤62，當(dāng)通過機(jī)械手將晶片安放在靜電吸盤62上時(shí)，圖5中的電源60向靜電吸盤62單獨(dú)地提供不同的正功率A+、B+、C+和負(fù)功率A-、B-、C-。然后，靜電吸盤62吸入晶片以將晶片固定到其上。此后，靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器42垂直地立起靜電吸盤62，如圖2B中所示，并將靜電吸盤62移到離子注入位置，以開始離子注入工藝。
當(dāng)在端站114內(nèi)完成離子注入時(shí)，通過靜電吸盤驅(qū)動(dòng)器42降下靜電吸盤62，然后，通過機(jī)械手將晶片水平放置并返回至第一真空進(jìn)片室122或第二真空進(jìn)片室124。然后，當(dāng)用戶操縱開關(guān)68時(shí)，開關(guān)68接通，向靜電吸盤62的熱絲64提供熱絲電壓。當(dāng)向靜電吸盤62提供熱絲電壓時(shí)，如圖6中所示的吸到靜電吸盤62的表面的顆粒在端站114內(nèi)漂浮，如圖7中所示，通過低溫泵116的抽氣將漂浮的顆粒排放到外面。此時(shí)，電壓控制器66通過控制鈕改變電阻值，從而控制由熱絲電壓提供裝置76提供的熱絲電壓，并將該電壓提供給熱絲64。當(dāng)向熱絲64提供熱絲電壓時(shí)，應(yīng)當(dāng)能夠在靜電吸盤62的內(nèi)部停止冷卻水循環(huán)。即，關(guān)閉冷卻閥，靜電吸盤62應(yīng)當(dāng)處于非冷卻狀態(tài)。
在沒有清潔靜電吸盤62的狀態(tài)下，在大約60℃的烘箱內(nèi)對(duì)靜電吸盤62除氣兩個(gè)小時(shí)。接下來，將靜電吸盤62放置在裝置中，此時(shí)，存在大約10811個(gè)顆粒，但是通過加熱靜電吸盤62的熱絲64去除來自靜電吸盤62的表面的顆粒之后所得的測試結(jié)果中，確定的是，上述數(shù)量的顆粒相當(dāng)大得減少到大約3023的水平。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，在離子注入機(jī)內(nèi)完成晶片的離子注入，并將晶片返回至真空進(jìn)片室，隨后，離子注入機(jī)處于備用狀態(tài)。在備用狀態(tài)時(shí)，通過熱絲將靜電吸盤加熱到預(yù)定溫度，以使吸到靜電吸盤表面的顆粒漂浮。然后，通過低溫泵的驅(qū)動(dòng)將漂浮的顆粒排放到外面，從而防止了在離子注入過程中由于顆粒導(dǎo)致工藝方面的誤差或靜電吸盤的晶片吸入失效。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，還要注意的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易地明白，在不脫離由權(quán)利要求的界限和范圍限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種更改。
權(quán)利要求
1.一種用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置，所述裝置包括電源，用于產(chǎn)生熱絲電壓；靜電吸盤，用于吸入晶片；熱絲，安裝在所述靜電吸盤的內(nèi)部，通過由所述電源提供的熱絲電壓驅(qū)動(dòng)所述熱絲，用于從所述靜電吸盤發(fā)熱。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括開關(guān)，接通/斷開所述開關(guān)以向所述熱絲提供所述熱絲電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括電壓控制器，用于控制由所述電源提供的電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述熱絲通過熱使吸到所述靜電吸盤的表面的顆粒漂浮。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，還包括低溫泵，用于執(zhí)行抽氣操作，以排放吸到所述靜電吸盤的由于所述熱絲而漂浮的顆粒。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電源包括第一電源、第二電源、第三電源和熱絲電壓提供裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述第一電源向所述靜電吸盤提供第一正功率和第一負(fù)功率，所述第二電源向所述靜電吸盤提供第二正功率和第二負(fù)功率，所述第三電源向所述靜電吸盤提供第三正功率和第三負(fù)功率。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述熱絲電壓提供裝置向所述熱絲提供所述熱絲電壓。
9.一種用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置，所述裝置包括電源，用于產(chǎn)生熱絲電壓；靜電吸盤，用于吸入晶片；熱絲，安裝在所述靜電吸盤的內(nèi)部，通過由所述電源提供的熱絲電壓驅(qū)動(dòng)所述熱絲，用于從所述靜電吸盤發(fā)熱，以使吸到所述靜電吸盤表面的顆粒漂??；開關(guān)，用來向所述熱絲提供所述熱絲電壓；低溫泵，用于執(zhí)行抽氣操作，以排放已吸到所述靜電吸盤后由于所述熱絲而漂浮的顆粒。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述電源包括第一電源、第二電源、第三電源和熱絲電壓提供裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述第一電源向所述靜電吸盤提供第一正功率和第一負(fù)功率，所述第二電源向所述靜電吸盤提供第二正功率和第二負(fù)功率，所述第三電源向所述靜電吸盤提供第三正功率和第三負(fù)功率。
12.如權(quán)利要求9所述的裝置，還包括電壓控制器，用于控制由所述電源提供的電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于清潔離子注入機(jī)中的靜電吸盤的裝置。該裝置包括電源，用于產(chǎn)生熱絲電壓；靜電吸盤，用于吸入晶片；熱絲，安裝在靜電吸盤的內(nèi)部，通過由電源提供的熱絲電壓驅(qū)動(dòng)熱絲，用于從靜電吸盤發(fā)熱。
文檔編號(hào)H01L21/265GK101075545SQ200710005560
公開日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2007年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月16日
發(fā)明者文景泰 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社