專利名稱：發(fā)光二極管封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種二極管封裝及其制造方法，特別是關(guān)于一種發(fā)光二極管 封裝及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode， LED)是一種由半導(dǎo)體材料制作而成 的發(fā)光元件。由于發(fā)光二極管屬冷發(fā)光，具有耗電量低、元件壽命長(zhǎng)、反應(yīng) 速度快等優(yōu)點(diǎn)，再加上體積小容易制成極小或陣列式的元件，因此近年來(lái)， 隨著技術(shù)不斷地進(jìn)步，其應(yīng)用范圍涵蓋了電腦或家電產(chǎn)品的指示燈、液晶顯 示器的背光源乃至交通號(hào)志或是車用指示燈，甚至將來(lái)亦有機(jī)會(huì)作為照明用 的光源。然而，發(fā)光二極管仍然存在著一些待改善的問(wèn)題，例如散熱、發(fā)光功率 不足及發(fā)光效率不佳等問(wèn)題，皆是現(xiàn)今發(fā)光二極管尚無(wú)法全面取代光源用途的在夬點(diǎn)。除上述缺點(diǎn)之外，請(qǐng)參照?qǐng)D1A所示，常規(guī)的一種發(fā)光二極管封裝1所 發(fā)出的光線主要是集中于其光軸0S1附近，意即，越接近光軸0S1的區(qū)域， 光線的強(qiáng)度越強(qiáng)。因此，發(fā)光二極管封裝1適用于小角度、能量集中的照明 器材，例如手電筒、臺(tái)燈或交通號(hào)志。倘若應(yīng)用于液晶顯示器的背光源時(shí)， 則必須搭配導(dǎo)光板及擴(kuò)散板的使用，以提供液晶顯示面板均勻的背光源。另外，請(qǐng)參照?qǐng)D1B所示，常規(guī)的一種發(fā)光二極管封裝2為了能提供均 勻且具有大范圍的發(fā)光面積，其利用透鏡21以覆蓋發(fā)光二極管元件22。透 鏡21在靠近光軸OS2的周圍具有凹部211，并通過(guò)凹部211將發(fā)光二極管 22所產(chǎn)生的光線予以有效地折射，使其遠(yuǎn)離光軸OS2的后再射出透鏡21， 由此增加其發(fā)光面積。承上所述，雖然上述方式增加了發(fā)光二極管的發(fā)光面積，然而一般的發(fā) 光二極管所造成的光場(chǎng)形狀為圓形，如圖1C所示，當(dāng)多個(gè)發(fā)光二極管3同 時(shí)排列在一起并發(fā)光時(shí)，其光場(chǎng)形狀將會(huì)有重疊區(qū)域A01的產(chǎn)生，如此一來(lái)，光強(qiáng)度不均勻的現(xiàn)象仍然無(wú)法改善。援因于此，如何提供一種能夠調(diào)整光場(chǎng)形狀及光場(chǎng)強(qiáng)度分布的發(fā)光二極 管封裝及其制造方法，實(shí)屬當(dāng)前重要課題之一。發(fā)明內(nèi)容有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種能夠產(chǎn)生均勻的光強(qiáng)度分布 的發(fā)光二極管封裝及其制造方法。緣是，為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光二極管封裝包括導(dǎo)熱基板、 發(fā)光二極管元件及封裝體。發(fā)光二極管元件形成于導(dǎo)熱基板上，且發(fā)光二極 管元件產(chǎn)生一光束。封裝體形成于發(fā)光二極管元件及導(dǎo)熱基板上，其中封裝 體的出光面具有多個(gè)臺(tái)階凸塊，以調(diào)整光束的光場(chǎng)形狀。為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝包括導(dǎo)熱基板、發(fā) 光二極管元件、封裝體及光調(diào)變?cè)?。發(fā)光二極管元件形成于導(dǎo)熱基板上， 并產(chǎn)生一光束。封裝體形成于發(fā)光二極管元件及導(dǎo)熱基板上，而光調(diào)變?cè)?設(shè)置于封裝體的出光面上，且光調(diào)變?cè){(diào)整光束的光場(chǎng)形狀。另外，為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光二極管封裝的制造方法包括以下步驟形成發(fā)光二極管元件于導(dǎo)熱基板上；以及形成封裝體于發(fā)光二 極管元件及導(dǎo)熱基板上，其中封裝體的一出光面具有多個(gè)臺(tái)階凸塊。為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝的制造方法包括以 下步驟形成發(fā)光二極管元件于導(dǎo)熱基板上，發(fā)光二極管元件產(chǎn)生一光束； 形成封裝體于發(fā)光二極管元件及導(dǎo)熱基板上；以及形成具有多個(gè)臺(tái)階凸塊的 光調(diào)變?cè)?，并將其設(shè)置于封裝體上，以調(diào)整光束的光場(chǎng)形狀。承上所述，因依據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝及其制造方法，在封裝體的 出光面上形成臺(tái)階凸塊，而臺(tái)階凸塊可為二元光學(xué)(Binary optical)凸塊， 因此可通過(guò)臺(tái)階凸塊將發(fā)光二極管所射出的光束的光場(chǎng)形狀，調(diào)整為所需要 的三角形、四邊形或其他形狀，并且可調(diào)整各臺(tái)階凸塊的設(shè)計(jì)，以達(dá)到光線 均勻分布的目的。


圖1A為常規(guī)的發(fā)光二極管封裝的示意圖。圖1B為常規(guī)的另一種發(fā)光二極管封裝的一意圖。圖1C為常規(guī)的發(fā)光二極管所造成的光場(chǎng)形狀的示意圖。 圖2為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的示意圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的制造方法的流程圖。 圖4A至圖4C為圖3中步驟S02的詳細(xì)步驟的示意圖。 圖4D至圖4F為圖4C中虛線圓部分的各種臺(tái)階凸塊的剖面示意圖。 圖5A至圖5D為圖3中步驟S02的詳細(xì)步驟的另一示意圖。 圖6為依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的示意圖。 圖7A至圖7D為依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的變化狀態(tài) 的示意圖。圖8為依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的制造方法的流程圖。 圖9A至圖9C為與圖8的流程配合的發(fā)光二極管封裝的制造方法的示意圖。圖IOA及圖10B為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管所造成的光場(chǎng) 形狀的示意圖。圖11為依據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝的另一示意圖。 圖12A及圖12B本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝的又一示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1、 2、 3、 4、 5、 6、 7:發(fā)光二極管封裝 21:透鏡 211:凹部22:發(fā)光二極管元件41、 51、 61、 71:導(dǎo)熱基板42、 52、 62、 72:發(fā)光二極管元件43、 53、 63、 73:封裝體 431、 531:出光面54、 64、 74:光調(diào)變?cè)?5:支撐架81、 91:模仁811、 911:反向圖案812:注入孔82、 92:封裝材料 A01:重疊區(qū)域 Cll、 C12:臺(tái)階凸塊 OSl、 OS2:光軸具體實(shí)施方式
以下將參照相關(guān)圖示，說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝及 其制造方法。其中，以第一實(shí)施例及第二實(shí)施例來(lái)分別說(shuō)明發(fā)光二極管封裝 及其制造方法。[第一實(shí)施例]請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝4包括導(dǎo)熱基板 41 、發(fā)光二極管元件42以及封裝體43。發(fā)光二極管元件42形成于導(dǎo)熱基板41上，且發(fā)光二極管元件42產(chǎn)生 一光束。在本實(shí)施例中，導(dǎo)熱基板41的材料可選自硅、砷化鎵、磷化鎵、 碳化硅、氮化硼、鉛、氮化鋁、銅及其組合所構(gòu)成的組。封裝體43的材料 可選自透光樹(shù)脂、高分子材料、光學(xué)玻璃(opticalglass)及其組合所構(gòu)成的組。封裝體43形成于導(dǎo)熱基板41及發(fā)光二極管元件42上，且封裝體43的 出光面431上具有多個(gè)臺(tái)階凸塊Cll。其中，發(fā)光二極管元件42所產(chǎn)生的 光束射向出光面431，并由出光面431發(fā)射出。上述的封裝體43的這些臺(tái)階凸塊Cll依據(jù)所需要的光場(chǎng)形狀及光場(chǎng)強(qiáng) 度的不同，其可為軸對(duì)稱排列、非軸對(duì)稱排列或不規(guī)則排列，在此，以不規(guī) 則排列為例。另外，這些臺(tái)階凸塊Cll形成二元光學(xué)(binary optical)凸塊， 換言之，這些臺(tái)階凸塊Cll具有2N個(gè)階層，其中N為例如1、 2、 3...等的 正整數(shù)。且這些臺(tái)階凸塊Cll分別具有平坦表面。以下，請(qǐng)參照?qǐng)D3并搭配上述所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封 裝4的制造方法包括步驟S01及步驟S02。其中，步驟S01形成發(fā)光二極管 元件42于導(dǎo)熱基板41上。步驟S02形成封裝體43于發(fā)光二極管元件42及 導(dǎo)熱基板41上，其中封裝體43的出光面431具有多個(gè)臺(tái)階凸塊Cll。承上所述，封裝體43搭配模仁以灌注的方式所形成。詳而言之，請(qǐng)參 照4A至圖4C所示，形成封裝體43的步驟還包括步驟S021至步驟S023。如圖4A所示，步驟S021設(shè)置模仁81于導(dǎo)熱基板41及發(fā)光二極管元件 42上，其中模仁81具有與這些臺(tái)階凸塊Cll的反向圖案811及注入孔812。 如圖4B所示，步驟S022將封裝材料82由注入孔812注入模仁81中，使封 裝材料82充滿于模仁81中。如圖4C所示，步驟S023待封裝材料82成型 后，移除模仁81,以形成具有臺(tái)階凸塊Cll的封裝體43。需注意者，在封 裝材料82注入模仁81后，其可利加熱固化或紫外線固化的方式固化封裝材 料82,使其形成封裝體43。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖4C,需注意的是，上述的封裝體43上的這些臺(tái)階 凸塊Cll以分別具有平坦表面的二元光學(xué)凸塊為例，然本發(fā)明并不限制于 此。例如，這些臺(tái)階凸塊Cll除了可為具有平坦表面的二元光學(xué)凸塊之外， 亦可為具有曲形表面的凸塊，其剖面可為凸?fàn)?如圖4D所示)、凹狀(如圖 4E所示)、波浪狀(如圖4F所示)或其他形狀。又，為清楚顯示，圖4D至 圖4F僅繪出圖4C中虛線圓部分的各種臺(tái)階凸塊塊的剖面示意圖，然實(shí)際應(yīng) 用時(shí)則是代表封裝體43上所有臺(tái)階凸塊Cll的形式。另夕卜，請(qǐng)參照5A至圖5D,封裝體43亦可搭配模仁91以壓合的方式所 形成。詳而言之，形成封裝體43的步驟還包括如下所述。如圖5A所示，將封裝材料92覆蓋導(dǎo)熱基板41及發(fā)光二極管元件42。 如圖5B及圖5C所示，將具有與這些臺(tái)階凸塊Cll反向圖案911的模仁91 壓合于封裝材料92上，以將這些臺(tái)階凸塊Cll的反向圖案911轉(zhuǎn)置于封裝 材料92上。再如圖5D所示，移除模仁91,以形成具有這些臺(tái)階凸塊Cll 的封裝體43。需注意者，在將模仁91壓合于封裝材料92上后，其亦可利用 加熱固化或紫外線固化的方式固化封裝材料92,以形成封裝體43。[第二實(shí)施例]請(qǐng)參照?qǐng)D6,本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝5包括導(dǎo)熱基板51、 發(fā)光二極管元件52、封裝體53以及光調(diào)變?cè)?4。發(fā)光二極管元件52形成于導(dǎo)熱基板51上，且發(fā)光二極管元件52產(chǎn)生 一光束。封裝體53形成于導(dǎo)熱基板51及發(fā)光二極管元件52上。而光調(diào)變 元件54設(shè)置于封裝體53的出光面531上，且具有多個(gè)臺(tái)階凸塊C12。在本 實(shí)施例中，導(dǎo)熱基板51的材料可選自硅、砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化 硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構(gòu)成的組。且封裝體53的材料可選自透光樹(shù)脂、高分子材料、光學(xué)玻璃(opticalglass)及其組合所構(gòu)成的組。另外，在本實(shí)施例中，這些臺(tái)階凸塊C12與第一實(shí)施例的臺(tái)階凸塊C11 的功能相同，其已于上文說(shuō)明，故于此不再贅述。在此要特別說(shuō)明的是，如圖7A所示，封裝體53的出光面531可為一曲 面，且出光面531為可具有折射光學(xué)元件的曲面(圖未顯示)。其中，折射 光學(xué)元件的曲面可具有降低色差與熱差的功能。另外，出光面531可根據(jù)所 需要的光學(xué)系統(tǒng)的不同，其可為外凸曲面(如圖7A、 7B所示)、內(nèi)凹曲面 (如圖7C、 7D所示)或?yàn)槿我饨M合型的曲面。再者，上述的光調(diào)變?cè)?4更可依所需要的光場(chǎng)形狀及光場(chǎng)強(qiáng)度的不 同，其可具有外凸型(如圖7A所示)、內(nèi)凹型(如圖7C所示)、平面型(如 圖7B、 7D所示)或?yàn)槿我饨M合型的曲面，并設(shè)置于封裝體53上。然而， 封裝體53的出光面531及光調(diào)變?cè)?4的形狀眾多，而依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需 求，其可任意組合搭配，并不限于上述的組合狀態(tài)。以下，請(qǐng)參照?qǐng)D8同時(shí)搭配圖9A至圖9C所示，以說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí) 施例的發(fā)光二極管封裝5的制造方法。其中，發(fā)光二極管封裝5的制造方法 包括步驟Sll至步驟S13。如圖9A所示，步驟S11形成發(fā)光二極管元件52于導(dǎo)熱基板51上。如 圖9B所示，步驟S12形成封裝體53于發(fā)光二極管元件52及導(dǎo)熱基板51 上，其中封裝體53具有出光面531。步驟S13形成具有多個(gè)臺(tái)階凸塊C12 的光調(diào)變?cè)?4，并將其設(shè)置于封裝體53上。在本實(shí)施例中，光調(diào)變?cè)?54可以為粘貼于封裝體53上的透光粘著層(圖未顯示)。承上所述，其中，形成光調(diào)變?cè)?4的步驟還可包括步驟S131至步驟 S133。步驟S131為在透光材料上，將這些臺(tái)階凸塊C12的反向圖案轉(zhuǎn)置于透 光材料上。步驟S132利用加熱固化或紫外線固化的方式固化透光材料，以 形成光調(diào)變?cè)?4。步驟S133移除模仁以形成具有這些臺(tái)階凸塊C12的光 調(diào)變?cè)?4。承上，第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝4、 5,其光束經(jīng)由臺(tái) 階凸塊所造成一光場(chǎng)形狀，如圖IOA所示，通過(guò)本實(shí)施例中的這些臺(tái)階凸塊 CU、 C12的調(diào)整，發(fā)光二極管封裝4、 5的光場(chǎng)強(qiáng)度分布可任意調(diào)整，且其 光場(chǎng)形狀以四邊形為例。當(dāng)然依據(jù)階層凸塊Cll、 C12設(shè)計(jì)的不同，其所造成的光場(chǎng)形狀亦可為三角形、六邊形或八邊形的多邊形，在此并不加以限制。再如圖10B所示，當(dāng)多個(gè)發(fā)光二極管封裝4或多個(gè)發(fā)光二極管封裝5 以并列或陣列方式設(shè)置時(shí)，其所造成的光場(chǎng)形狀可緊密排列而不會(huì)相互重 疊，再加上其光場(chǎng)強(qiáng)度均勻的分布，將可提供一均勻的面光源。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝除上述狀態(tài)之外，請(qǐng)參照?qǐng)D11，以第二 實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝5為例，其還可包括支撐架55，其連結(jié)于光調(diào)變?cè)?件54及導(dǎo)熱基板51之間，以支撐光調(diào)變?cè)?4。另外，請(qǐng)參照?qǐng)D12A,在本實(shí)施例中，亦可在導(dǎo)熱基板61上設(shè)置多個(gè) 發(fā)光二極管元件62,并在導(dǎo)熱基板61及多個(gè)發(fā)光二極管元件62上形成封裝 體63,并在封裝體63上設(shè)置光調(diào)變?cè)?4。另外，亦可如圖12B所示，其 可先分別在導(dǎo)熱基板71上設(shè)置發(fā)光二極管元件72,并分別形成封裝體73 后，在其上再設(shè)置光調(diào)變?cè)?4。換言之，其可由多個(gè)發(fā)光二極管元件共用 同一光調(diào)變?cè)?，以彈性地適用于各種不同的設(shè)計(jì)。綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝及其制造方法透過(guò)在封裝體 的出光面上形成臺(tái)階凸塊，而臺(tái)階凸塊可為二元光學(xué)(Binary optical)凸塊， 因此可通過(guò)臺(tái)階凸塊將發(fā)光二極管所射出的光線的光場(chǎng)形狀，調(diào)整為所需要 的三角形、四邊形或其他形狀，并且可調(diào)整各臺(tái)階凸塊的設(shè)計(jì)，調(diào)整發(fā)光二 極管元件所產(chǎn)生的光束的光場(chǎng)強(qiáng)度，以達(dá)到光線均勻分布的目的。以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇， 而對(duì)其進(jìn)行的等同修改或變更，均應(yīng)包含于后附的權(quán)利要求范圍中。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管封裝，包括導(dǎo)熱基板；發(fā)光二極管元件，形成于該導(dǎo)熱基板上，并產(chǎn)生一光束；以及封裝體，形成于該發(fā)光二極管元件及該導(dǎo)熱基板上，其中該封裝體的一出光面具有多個(gè)臺(tái)階凸塊，以調(diào)整該光束的光場(chǎng)形狀。
2、 一種發(fā)光二極管封裝，包括 導(dǎo)熱基板；發(fā)光二極管元件，形成于該導(dǎo)熱基板上，并產(chǎn)生一光束； 封裝體，形成于該發(fā)光二極管元件及該導(dǎo)熱基板上；以及光調(diào)變?cè)?，設(shè)置于該封裝體的出光面上，該光調(diào)變?cè)哂卸鄠€(gè)臺(tái)階 凸塊，以調(diào)整該光束的光場(chǎng)形狀。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝，其中這些臺(tái)階凸塊分別 為二元光學(xué)臺(tái)階凸塊。
4、 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝，這些臺(tái)階凸塊具有2N個(gè)階層， N為正整數(shù)。
5、 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝，其中這些臺(tái)階狀凸塊分別具 有平坦表面。
6、 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝，其中這些臺(tái)階狀凸塊分 別具有曲形表面。
7、 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝，其中這些臺(tái)階凸塊為軸 對(duì)稱排列、非軸對(duì)稱排列或不規(guī)則排列。
8、 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝，其中該光場(chǎng)形狀為三角 形、四邊形或多邊形。
9、 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝，其中該導(dǎo)熱基板的材料 選自硅、砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化硼、鉛、氮化鋁、銅及其組合所構(gòu) 成的組。
10、 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝，其中該封裝體的材料選 自透光樹(shù)脂、高分子材料、光學(xué)玻璃及其組合所構(gòu)成的組。
11、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝，其中該封裝體的該出光面為曲面。
12、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝，其中該曲面為外凸曲面、 內(nèi)凹曲面或^壬意組合型的曲面。
13、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝，其中該光調(diào)變?cè)哂性O(shè)置 于該封裝體上的外凸型、內(nèi)凹型、平面型或任意組合型的曲面。
14、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝，還包括支撐架，連結(jié)于該光調(diào)變?cè)霸搶?dǎo)熱基板之間，以支撐該光調(diào)變?cè)?br> 15、 一種發(fā)光二極管封裝的制造方法，包括 形成發(fā)光二極管元件于導(dǎo)熱基板上；以及形成封裝體于該發(fā)光二極管元件及該導(dǎo)熱基板上，其中該封裝體的出光 面具有多個(gè)臺(tái)階凸塊。
16、 如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中形成該封裝體的步驟包括 設(shè)置模仁于該導(dǎo)熱基板及該發(fā)光二極管元件上，其中該模仁具有這些臺(tái)階凸塊的反向圖案及注入孔；將封裝材料由該注入孔注入該模仁中；以及 移除該模仁，以形成具有這些臺(tái)階凸塊的該封裝體。
17、 如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中于將該封裝材料注入該模仁 后，還包括一步驟固化該封裝材料以形成該封裝體。
18、 如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中形成該封裝體的步驟包括 將封裝材料覆蓋該導(dǎo)熱基板及該發(fā)光二極管元件； 將具有這些臺(tái)階凸塊的反向圖案的模仁壓合于該封裝材料上，以將這些臺(tái)階凸塊的反向圖案轉(zhuǎn)置于該封裝材料上；以及移除該模仁，以形成具有這些臺(tái)階凸塊的封裝體。
19、 如權(quán)利要求18所述的制造方法，其中于將該模仁壓合于封裝材料 上后，還包括一步驟固化該封裝材料以形成該封裝體。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝包括有導(dǎo)熱基板、發(fā)光二極管元件、及封裝體。發(fā)光二極管元件形成于導(dǎo)熱基板上；封裝體形成于發(fā)光二極管元件及導(dǎo)熱基板上，其中封裝體的一出光面具有多個(gè)臺(tái)階凸塊。另外，本發(fā)明亦揭露一種發(fā)光二極管封裝的制造方法。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101241960SQ200710005499
公開(kāi)日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2007年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月8日
發(fā)明者王宏洲, 陳煌坤, 高旗宏 申請(qǐng)人:臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司