專利名稱：在用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)中的第二材料中嵌入的第一材料的表面上形成層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)中的第二材料中嵌入的第 一材料的表面上形成層的方法。本發(fā)明尤其但不具有排他性地涉及在 嵌入互連結(jié)構(gòu)中的電介質(zhì)中的金屬線上形成擴(kuò)散阻擋層的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路裸片的標(biāo)準(zhǔn)銅互連集成方案中，在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟之后，在層間電介質(zhì)(ILD)和銅線的頂部整層沉積電 介質(zhì)阻擋層。該阻擋層有兩個(gè)作用，1)防止銅擴(kuò)散進(jìn)電介質(zhì)以及2) 起通孔蝕刻停止層的作用。在公知的SiN和SiC阻擋層的情況下，通常的一個(gè)問題是銅線 和覆在上面阻擋層的弱界面。這種弱界面導(dǎo)致早期的可靠性由于電子 遷移電阻降低而失效。而且，在銅線頂部附近的電場(chǎng)集中是最大的， 這增強(qiáng)了局部銅遷移和應(yīng)力導(dǎo)致的空洞。只在集成電路生產(chǎn)過程中在選擇的位置上沉積材料的能力是有 利的，這是因?yàn)樗藢?duì)限定沉積區(qū)域的昂貴的圖案成型步驟的需 求。例如，設(shè)想所謂的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層(self-aligned barrier, SAB)將 在先進(jìn)Cu雙面嵌入工藝中取代用于金屬線覆蓋的阻擋層薄膜。SAB(CoWP等)主要應(yīng)用于改善電遷移電阻和降低鄰近金屬線之間的電^孝禺^ o當(dāng)前的用于自對(duì)準(zhǔn)阻擋層的集成方案采用選擇性的無(wú)電工藝， 該工藝基于要被覆蓋的金屬表面的催化活化作用。首先，將催化劑(通 常為鈀)主導(dǎo)性地沉積在金屬線上，然后，在無(wú)電電鍍槽中，在線上 沉積阻擋層。鈀對(duì)線上的阻擋層的選擇性自對(duì)準(zhǔn)生長(zhǎng)進(jìn)行催化。必須 小心地去除沉積在金屬線之間的任何鈀，以避免在使用時(shí)線上的過量的電流泄漏。由于鈀活化不是100%針對(duì)銅而選擇的，在集成過程中， 活化和清洗步驟非常關(guān)鍵。在這種方法中，通過使表面的金屬化部分 發(fā)生催化反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)這種選擇性。這種方法的缺點(diǎn)是只有金屬化薄膜 可以被沉積在金屬化表面的頂部。公知的無(wú)電CoWP沉積工藝導(dǎo)致了線高度的增加，這會(huì)使電容 方面的任何收益部分地?fù)p失掉。另外，無(wú)電生長(zhǎng)的薄膜傾向于在橫向 生長(zhǎng)，從而減小了電介質(zhì)間隔。這導(dǎo)致了線間電容耦合的增大，并從 而降低了可靠性。這些工藝還可能導(dǎo)致金屬線間的金屬化沉積，這導(dǎo) 致了泄漏電流特性的下降。在本領(lǐng)域公知采用物理氣相沉積(Physical Vapour Deposition, PVD)來(lái)在銅線上沉積金屬化TaN/Ta阻擋層?，F(xiàn)在已知有兩種不同 的方法。簡(jiǎn)要地，第一種方法涉及金屬化阻擋層的光刻圖案成形，以 便去除銅線間的金屬化阻擋層。第二種方法涉及在銅線中生成凹槽， 并用阻擋層填充這些區(qū)域。在第一種方法中，需要一種昂貴的額外掩 模步驟。而且，任何未對(duì)準(zhǔn)誤差導(dǎo)致在線的一側(cè)上的阻擋層完全去除。 在第二種方法中，通過CMP過拋光或濕法化學(xué)蝕刻對(duì)銅線進(jìn)行凹進(jìn) 處理。然后，在電介質(zhì)和金屬線上沉積PVD阻擋層。在第二種CMP 步驟中，去除該區(qū)域的阻擋層，而在凹進(jìn)的銅線上留下TaN/Ta阻擋 覆蓋層。這種方法的缺點(diǎn)是1)難以控制銅凹進(jìn)，特別是對(duì)于不同 線寬的銅凹進(jìn)，2)銅的回蝕會(huì)消耗Cu的間隔，這增大了電阻率，3) 需要兩個(gè)昂貴的CMP步驟，4)回蝕步驟可能使金屬間電介質(zhì)的低k 特性擴(kuò)散/破壞。發(fā)明內(nèi)容希望提供新的選擇性沉積工藝，來(lái)在電介質(zhì)或金屬上選擇性地 生長(zhǎng)金屬化或非金屬化薄膜，這種方法至少會(huì)緩解一些上述問題。根據(jù)本發(fā)明，提供了在嵌入用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的第二材料 中的第一材料的表面上形成層的方法，在這種方法中，通過氣相沉積 步驟，將該層選擇性地沉積在第一材料的表面上，以及其中，在氣相 沉積步驟之前，對(duì)第二材料的表面進(jìn)行處理，以在氣相沉積過程中禁止在該層上進(jìn)行沉積。在優(yōu)選實(shí)施例中，氣相沉積步驟包括原子層沉積步驟。 處理步驟可以將第二材料的表面從親水表面轉(zhuǎn)化為疏水表面。 在一個(gè)實(shí)施例中，處理步驟可以將為電介質(zhì)的第二材料的表面從親水表面轉(zhuǎn)化為疏水表面。在處理步驟之前，第二材料的表面的端基基本上是羥基，在處理步驟之后，第二材料的表面的端基基本上是甲基。將第二材料的表面暴露于六甲基二硅胺垸(HMDS)蒸氣，可以實(shí)現(xiàn)這種處理。在一個(gè)可替換實(shí)施例中，用酸性清洗劑(例如，HF濕式清洗劑 或HF蒸氣清洗劑)處理第二材料的表面，以使該表面疏水。在一個(gè)可替換實(shí)施例中，處理步驟包括橫跨第一材料的表面 和橫跨第二材料的表面沉積抗蝕劑材料層，用光刻通量照射該抗蝕劑 材料層，以便第一材料反射的通量使基本上位于第一材料上的抗蝕劑 區(qū)域在基本上位于第二材料上的抗蝕劑材料的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域之前 顯影，在沒有去除基本上位于第二材料上的抗蝕劑材料的一個(gè)或多個(gè) 區(qū)域的情況下，去除基本上位于第一材料上的抗蝕劑材料區(qū)域。本發(fā)明對(duì)于在用于半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)中的金屬線上沉積擴(kuò) 散阻擋層是特別有用的。


現(xiàn)在，只參照附圖，通過示例，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行描 述，其中，圖la-圖lf是圖示說(shuō)明制造用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2圖示說(shuō)明了沉積在表面上的HMDS蒸氣；圖3圖示說(shuō)明了作為在不同的表面類型上用ALD沉積的周期數(shù) 的函數(shù)的Ta數(shù)量的圖；圖4圖示說(shuō)明了示出作為不同表面處理函數(shù)的ALD薄膜的表面 覆蓋的圖；圖5a-圖5k是圖示說(shuō)明了制造用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，原子層沉積(ALD)用于在半導(dǎo)體 基板中的金屬互連線上選擇性地沉積阻擋層。ALD是一種沉積技術(shù)， 其由于它的均勻性、保形性以及極易控制的沉積性能而廣為人知。 ALD技術(shù)包括每次一個(gè)地與晶片表面反應(yīng)的氣態(tài)反應(yīng)物(或前驅(qū)物) 的連續(xù)脈沖。由于在可用表面反應(yīng)位置上的反應(yīng)物的吸收，在前驅(qū)物 脈沖過程中，層的生長(zhǎng)是自約束的。ALD極其依賴晶片表面上的配 合基的密度、有效性和可達(dá)性以及他們與ALD反應(yīng)物的反應(yīng)性能。通過局部鈍化吸收表面，可以進(jìn)行選擇性原子層沉積，換句話 說(shuō)，使吸收表面的被選擇部分不與提供的前驅(qū)物化學(xué)物質(zhì)反應(yīng)。很多ALD前驅(qū)物對(duì)自然出現(xiàn)在電介質(zhì)層表面的諸如羥基和基于 胺的配合基之類的親水基有很強(qiáng)的反應(yīng)性。在實(shí)施ALD之前，在電 介質(zhì)表面的這些親水基被轉(zhuǎn)化為疏水基，這些疏水基不與ALD前驅(qū) 物反應(yīng)。因此，實(shí)施ALD時(shí)，局部生長(zhǎng)沒有出現(xiàn)在電介質(zhì)表面，只 出現(xiàn)在要被覆蓋的金屬表面。參照?qǐng)Dla-lf，雙嵌入結(jié)構(gòu)形成的部分1包括電介質(zhì)層2、在電 介質(zhì)層2中形成的金屬通孔3以及隔開電介質(zhì)層2和金屬通孔3的金 屬擴(kuò)散阻擋層4?？梢愿鶕?jù)標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程形成結(jié)構(gòu)1。在已經(jīng)沉積通孔3和已經(jīng)根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)之后，用等離子處理(例如，基于氫的等離子處理)去除 阻蝕劑5。等離子處理暴露了疏水基，例如羥基或基于胺的配合基，這是 電介質(zhì)層2的端基。在優(yōu)選實(shí)施例中，將電介質(zhì)層2暴露于六甲基二 硅胺烷(HMDS)蒸氣，對(duì)暴露的羥基進(jìn)行鈍化/去活性。如圖2所 示，HMDS蒸氣20用甲基硅配合基23代替電介質(zhì)表面的羥基21， 在ALD過程中通常采用的溫度下，甲基硅配合基23是不與各種ALD 前驅(qū)物反應(yīng)的。然后，采用PDMAT和NH3作為前驅(qū)物，在200-275攝氏度的 溫度范圍內(nèi)優(yōu)選地執(zhí)行原子層沉積。前驅(qū)物接觸時(shí)間通常長(zhǎng)于每個(gè)脈8沖0.5秒，以使所有反應(yīng)位置完全飽和。在大約40個(gè)周期的接觸之后，在金屬通孔上獲得大約2nm厚的Ta3N5阻擋層6，這對(duì)于覆蓋目 的足夠了。由于對(duì)金屬有很大的選擇性，用阻擋層6充分覆蓋金屬線。 只有很少量的阻擋層6a被沉積在電介質(zhì)上的金屬線之間(< lel5at/cm2)。阻擋層的生長(zhǎng)性能取決于表面上的活性基的密度。如圖3所示， 我們觀察到，在20-100個(gè)連續(xù)的前驅(qū)物接觸周期之后，沉積在Cu 表面上的Ta的數(shù)量比在甲基化(例如，CVD SiOC)類型材料上的 Ta的數(shù)量大15-20倍。對(duì)前驅(qū)物吸收的選擇性源于在SiOC表面上的少量活性表面基 (主要是未反應(yīng)的甲基的出現(xiàn))。因此，在最初的生長(zhǎng)階段中，少量 的前驅(qū)物分子被化學(xué)吸收在比擬于銅的甲基化表面，從而，解釋了 ALD工藝的選擇性。如果在SiOC上實(shí)施了大量的周期，沉積將主要 發(fā)生在已經(jīng)沉積的材料上，將出現(xiàn)島狀類型的生長(zhǎng)性能。如果活性表 面基的最初密度比較低，在這些島彼此接觸之前，需要大量的沉積周 期。在圖4中，示出了作為不同表面預(yù)處理函數(shù)的ALD薄膜的表面 覆蓋。氬或氫等離子的應(yīng)用可以增強(qiáng)最初吸收位置的數(shù)量。只要避免 了任何等離子表面處理，每個(gè)周期的生長(zhǎng)速率依然保持很小。返回參見圖le和lf，最后的HF浸泡用于去除沉積在電介質(zhì)層 的任何阻擋層6a，以避免形成潛在的泄漏通路。最后，以標(biāo)準(zhǔn)方式 在第一電介質(zhì)層2和阻擋層6上沉積另一個(gè)電介質(zhì)層7。在一個(gè)沒有采用HMDS的可替換實(shí)施例中，電介質(zhì)層2本質(zhì)上 是疏水的，但作為(例如)等離子處理的結(jié)果而具有親水表面。在該 實(shí)施例中，在沉積阻擋層6之前，用酸性(例如HF濕法清洗劑或蒸 氣清洗劑)對(duì)電介質(zhì)層2進(jìn)行處理，以使電介質(zhì)層2的表面疏水。然 后，可以如上所述地在金屬線上選擇性地沉積阻擋層6。用ALD阻擋層以這種方式覆蓋這些線具有很多優(yōu)點(diǎn)，尤其是比 擬于疏水表面的金屬化表面上的ALD阻擋層的良好的選擇性。ALD 的其他優(yōu)點(diǎn)包括它的生長(zhǎng)速率的原子級(jí)控制以及沉積過程的保形性。 另外，可以采用比擬于CoWP的非常薄的阻擋層，提供了最小的外9形，以及增大了電容。還提供了阻擋層的最小的向外生長(zhǎng)?，F(xiàn)在對(duì)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行描述，該實(shí)施例的工藝是基 于在反射金屬線上的局部的樹脂顯影，以生成用于沉積阻擋層的自對(duì) 準(zhǔn)開放區(qū)域。自對(duì)準(zhǔn)抗蝕劑顯影利用金屬線和金屬間電介質(zhì)層的反射 率差異。在掩模的低照明步驟中，由于在金屬-樹脂界面處的光反射 ("局部雙倍曝光")而在金屬線上局部達(dá)到了顯影的閾值。調(diào)整照明 劑量，以便在金屬線上獲得顯影的閾值劑量，而在光線被吸收的金屬線之間沒有達(dá)到該閾值劑量。優(yōu)選地抗蝕劑是標(biāo)準(zhǔn)的193nm負(fù)抗蝕 劑，以便可以去除達(dá)到顯影閾值的地方的抗蝕劑。在去除抗蝕劑之后， 優(yōu)選地采用ALD沉積方法，選擇性地沉積選擇的金屬化或電介質(zhì)阻 擋層。剩余的抗蝕劑不與ALD前驅(qū)物反應(yīng)，以便阻擋層生長(zhǎng)主要只 發(fā)生在金屬線上。對(duì)關(guān)于圖5a-圖5k的工藝進(jìn)行更詳細(xì)地描述。在形成互連結(jié)構(gòu) 的第一步驟中，在電介質(zhì)層100上沉積防反射電介質(zhì)材料層101，例 如，低k絕緣材料。防反射電介質(zhì)材料，例如，底部防反射涂層(BARC) 是公知的材料，其充分地吸收而不是反射光刻光通量。然后，以標(biāo)準(zhǔn) 方式，在防反射電介質(zhì)材料層101上沉積硬掩模102。在標(biāo)準(zhǔn)抗蝕劑旋轉(zhuǎn)步驟中采用掩模103，來(lái)在硬掩模102上沉積 負(fù)抗蝕劑104的圖案，執(zhí)行光刻曝光。以標(biāo)準(zhǔn)方式，通過硬掩模102轉(zhuǎn)印抗蝕劑圖案，形成一個(gè)或多 個(gè)通孔105，以及例如通過等離子蝕刻去除抗蝕劑圖案104。以標(biāo)準(zhǔn)方式在通孔105的側(cè)壁上和在硬掩模102上形成擴(kuò)散阻 擋層106。接下來(lái)，沉積金屬層107 (在該示例中為銅)來(lái)填充通孔 105。以標(biāo)準(zhǔn)方式，通過沉積最初的銅種子層，然后通過電化學(xué)電鍍 用銅填充通孔105來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。然后，以標(biāo)準(zhǔn)方式，通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除通孔105 上的任何過量的銅、阻擋層106在硬掩模102上的部分以及硬掩模自 身。此后，在防反射電介質(zhì)材料層101和銅107上沉積通常的193mn 的負(fù)抗蝕劑層108。接下來(lái)，在不采用掩模的情況下，將負(fù)抗蝕劑層108曝光于光刻光通量109。如圖5h所示，該通量基本上垂直入射層 108。已經(jīng)通過負(fù)抗蝕劑層108并入射在銅線107上的通量通過層108 反射回來(lái)。然而，已經(jīng)通過負(fù)抗蝕劑層108并入射在銅線107上的通 量被那種材料吸收。結(jié)果，負(fù)抗蝕劑層108的基本上直接在銅通孔 107上的區(qū)域比負(fù)抗蝕劑層108的基本上直接在防反射電介質(zhì)材料 101上的區(qū)域曝光于更多的光通量。選擇入射光通量109的強(qiáng)度和持 續(xù)時(shí)間，以便在基本上直接在銅線107上的部分中達(dá)到負(fù)抗蝕劑層 108的顯影閾值，但在基本上直接在防反射電介質(zhì)材料101上的那些 部分未達(dá)到該顯影閾值。接下來(lái)，以標(biāo)準(zhǔn)方式去除抗蝕劑層108的己被顯影的部分，來(lái) 顯露銅線107。然后，采用ALD在銅線107上選擇性地沉積阻擋層 110?？刮g劑層108的區(qū)域不與ALD前驅(qū)物反應(yīng)，在這些區(qū)域上出現(xiàn) 了很少生長(zhǎng)或者沒有出現(xiàn)生長(zhǎng)。用于實(shí)施ALD的條件可以與參照?qǐng)D 1-圖4所描述的實(shí)施例中的條件相同，也就是說(shuō)，在200-275攝氏度 的溫度范圍內(nèi)，采用PDMAT和NH3作為前驅(qū)物，前驅(qū)物接觸時(shí)間 通常長(zhǎng)于每個(gè)脈沖0.5秒。此后，例如，通過等離子蝕刻或濕法化學(xué)方法去除抗蝕劑層108 的剩余區(qū)域，使阻擋層110局部地位于銅線107上，這些阻擋層只具 有很少的橫向突出。最后，可以在第一電介質(zhì)層100和阻擋層110上以標(biāo)準(zhǔn)方式沉 積另一個(gè)電介質(zhì)層(未示出)。這種方法形成了對(duì)準(zhǔn)良好和限定良好的阻擋層，該阻擋層具有 很小的橫向生長(zhǎng)物。在選擇性阻擋層沉積之后，可以很容易地去除抗 蝕劑和任何殘余物，以避免形成潛在的泄漏通路。另外，由于沒有采 用已知方法中的SiC或SiCN覆蓋和/或蝕刻停止層和USG硬掩模， 所以減小了金屬通孔之間的電容。而且，由于線的完全金屬化密封， 這種方法導(dǎo)致了電介質(zhì)可靠性和電遷移壽命的顯著改善。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以在本發(fā)明的實(shí)施例中采用不是ALD的其他 氣相沉積技術(shù)，例如，CVD。雖然上述的實(shí)施例涉及互連結(jié)構(gòu)中的 擴(kuò)散阻擋層的沉積，但是，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以用于沉積用于半導(dǎo)體器件的各種結(jié)構(gòu)中的其他類型的層。己經(jīng)通過優(yōu)選實(shí)施例這樣描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)很容易理解的是， 討論的實(shí)施例只是示范性的，在不脫離由所附的權(quán)利要求及其等同物 所設(shè)定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行那些擁有適當(dāng)知識(shí) 和技術(shù)的人員可以能想到的變型和變種。在權(quán)利要求中，括號(hào)中的任 何參考標(biāo)號(hào)不應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)權(quán)利要求的限制。"包含"、"包括"以及 類似的詞不排除沒有在權(quán)利要求或說(shuō)明書中作為整體列出的元件或 步驟的出現(xiàn)。元件的單個(gè)參考不排除同樣元件的多個(gè)參考的出現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易認(rèn)識(shí)到，可以對(duì)描述中公開的多個(gè)參數(shù) 進(jìn)行修改，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以組合各種公開和/ 或主張的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種在用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)中的第二材料中嵌入的第一材料的表面上形成層的方法，在所述方法中，通過氣相沉積步驟在第一材料的表面上選擇性地沉積所述層，以及其中在氣相沉積步驟之前，對(duì)第二材料的表面進(jìn)行處理，以在氣相沉積過程中禁止在所述層上進(jìn)行沉積。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氣相沉積步驟包括原子層沉積步驟。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述處理步驟使第二材 料的表面基本上不與在氣相沉積步驟中采用的至少一種化學(xué)成分反 應(yīng)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法， 料的表面從親水表面轉(zhuǎn)化為疏水表面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 第二材料的表面基本上以羥基為端基，料的表面基本上以甲基為端基。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 二材料的表面與HMDS蒸氣接觸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 第二材料的表面。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法， 濕法清洗或酸性蒸氣清洗。其中，所述處理步驟將第二材其中，在所述處理步驟之前， 在所述處理步驟之后，第二材其中，所述處理步驟包括使第其中，所述處理步驟包括清洗其中，所述清洗步驟包括酸性
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其包括HF濕法清洗和HF蒸氣 清洗。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述處理步驟包括在第 二材料的表面上沉積第三材料，所述第三材料不與氣相沉積步驟中采 用的至少一種成分反應(yīng)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述處理步驟包括，橫 跨第一材料的表面和橫跨第二材料的表面沉積抗蝕劑材料層，用光刻 通量照射該抗蝕劑材料層，以便第一材料反射的通量使基本上位于第 一材料上的抗蝕劑區(qū)域在基本上位于第二材料上的抗蝕劑材料的一 個(gè)或多個(gè)區(qū)域之前顯影，在沒有去除基本上位于第二材料上的抗蝕劑 材料的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域的情況下，去除基本上位于第一材料上的抗蝕 劑材料區(qū)域。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，防反射材料層位于第 二材料和抗蝕劑材料層之間。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一材料是金屬。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述金屬是銅。
15. 根據(jù)之前任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中第二材料是電介質(zhì)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，第二材料是超低k材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述層是擴(kuò)散阻擋層。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在ALD過程中采用的 前驅(qū)物是PDMAT和NH3。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)是互連結(jié)構(gòu)。
全文摘要
描述了一種在銅線(3，107)的表面上形成阻擋層(6，110)的方法，該銅線嵌入在用于半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)中的電介質(zhì)材料(2，100)中。通過氣相沉積步驟將阻擋層(6，110)選擇性地沉積在銅線(3，107)的表面上，在氣相沉積步驟之前對(duì)電介質(zhì)材料(2，100)的表面進(jìn)行處理，以在氣相沉積步驟過程中抑制在阻擋層(6，110)上的沉積。優(yōu)選地，氣相沉積過程包括原子層沉積。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101326630SQ200680045917
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2006年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月7日
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