專利名稱：：電極構(gòu)造體、電容器和電極構(gòu)造體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及電極構(gòu)造體、電容器和電極構(gòu)造體的制造方法，特別涉及作為電容器等的電極材料來使用的電極構(gòu)造體、具有該電極構(gòu)造體的電容器和電極構(gòu)造體的制造方法。
背景技術(shù)：
：例如特開昭62-222512號公報(專利文獻(xiàn)1)所記載的，具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料在電容器、半導(dǎo)體元件和發(fā)光元件等的電子材料中得到廣泛利用。電容器具有兩個電極，即陽極和陰極。作為電解電容器的陽極材料，使用可在表面生成絕緣氧化膜的鋁、鉭等閥金屬(也稱Valve金屬)。在此，所謂閥金屬，是指經(jīng)陽極氧化而被氧化膜覆蓋的金屬，可列舉鋁、鉭、鈮、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍和銻等。作為陰極材料，使用電解液、無機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)電性物質(zhì)或金屬薄膜中的任意一種。當(dāng)陰極材料為電解液時，作為陰極端子，多使用擴(kuò)大了表面積的鋁箔。為了增加電容器的靜電容量，以前提出了幾種方法。例如，在特開2004-259932號公報(專利文獻(xiàn)2)中，作為擴(kuò)大陽極和陰極端子的表面積的方法，記載了以下的方法在鋁箔的表面形成含Pb的結(jié)晶性氧化物，使之均勻地分布，抑制蝕刻時的表面溶解，從而在蝕刻后獲得擴(kuò)大了的表面積。另外，例如在特開2003-55796號公報(專利文獻(xiàn)3)中，作為形成高密著性的厚的皮膜的方法，記載了使鈦-磷類復(fù)合氧化物皮膜附著在鋁基材的表面的方法。而且，例如在特開平10-182221號公報(專利文獻(xiàn)4)中，作為可用于構(gòu)成容量性元件的東西，記載了介電常數(shù)的溫度系數(shù)更小的物品。還有，例如在特開平11-317331號公報(專利文獻(xiàn)5)中，作為增大電解電容器的箔片電極的表面積的方法，記載了一種方法，該方法包括將基材配置在具有約1(^Torr約l(T2T0rr的壓力的惰性氛圍氣內(nèi)的步驟；和為了在基材上形成表面構(gòu)造體，在惰性氛圍氣下使閥金屬蒸鍍在基材上的步驟。但是，在借助蒸鍍而形成含有閥金屬的電介質(zhì)層的方法中，不僅需要保持高真空，而且難以工業(yè)性地形成均勻厚度的電介質(zhì)層。而如果使用溶膠凝膠法，和蒸鍍法相比，容易形成含有閥金屬的電介質(zhì)層，并能夠工業(yè)性地形成均勻厚度的電介質(zhì)層。但是，用溶膠凝膠法得到的電介質(zhì)層，因為在對電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)進(jìn)行加熱而形成電介質(zhì)層的工序中容易產(chǎn)生裂紋等缺陷，所以存在與作為基材的鋁的密著性變差、不能得到預(yù)期的耐電壓等問題。作為解決上述問題的方法，例如在國際公開第02/062569號小冊子(專利文獻(xiàn)6)中，記載了在基體上具有氧化物層的構(gòu)造體的制造方法。該方法具有涂敷液調(diào)制工序，調(diào)制氧化物層用涂敷液；基體表面預(yù)處理工序，和涂敷液調(diào)制工序分開而對基體表面進(jìn)行預(yù)處理，得到預(yù)處理完的基體；涂敷工序，在預(yù)處理完的基體上涂敷氧化物層用涂敷液，得到涂敷基體；和燒制工序，對涂敷基體進(jìn)行燒制，在基體上形成氧化物層，基體表面預(yù)處理工序包含第一處理，該第一處理使基體的表面成為具有一維或二維的規(guī)則構(gòu)造的面。但是，即使是借助該方法，還是難以在保持預(yù)期的耐電壓的基礎(chǔ)上，得到密著性優(yōu)異、可獲得高靜電容量的電極構(gòu)造體。專利文獻(xiàn)1:特開昭62-222512號公報專利文獻(xiàn)2:特開2004-259932號公報專利文獻(xiàn)3:特開2003-55796號公報專利文獻(xiàn)4:特開平10-182221號公報專利文獻(xiàn)5:特開平11-317331號公報專利文獻(xiàn)6:國際公開第02/062569號小冊子
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題因此，本發(fā)明的目的在于解決上述的問題，提供一種電極構(gòu)造體、其制造方法和具有該電極構(gòu)造體的電容器，在該電極構(gòu)造體中，作為基材的鋁材和電介質(zhì)層的密著性優(yōu)異，可保持預(yù)期的耐電壓，并且獲得高的靜電容量。本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q現(xiàn)有技術(shù)的問題點而經(jīng)過反復(fù)銳意研究，結(jié)果，發(fā)現(xiàn)將具有含有閥金屬的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材在特定條件下進(jìn)行加熱，即可獲得可實現(xiàn)上述目的的電極構(gòu)造體。本發(fā)明正是基于發(fā)明者的這種見解而進(jìn)行的。基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體具有鋁材；電介質(zhì)層，在鋁材的表面上形成，含有閥金屬；和中介層，形成于鋁材和電介質(zhì)層之間，含有鋁和碳。在基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體中，閥金屬優(yōu)選的是選自由鈦、鉭、鉿、鋯和鈮構(gòu)成的組中的任意一種以上。在基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體中，電介質(zhì)層也可以含有硅氧化物(二氧化硅)。另外，在基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體中，中介層優(yōu)選的是含有結(jié)晶化了的鋁的碳化物。而且，在基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體中，中介層優(yōu)選的是含有鋁氧化物?；诒景l(fā)明的電極構(gòu)造體的制造方法，具有在鋁材的表面上形成含有閥金屬的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的工序；將其上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的工序；和在將其上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序。在基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體的制造方法中，在將其上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序，優(yōu)選的是在45(TC以上、不到66(TC的溫度范圍進(jìn)行。另外，基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體的制造方法，優(yōu)選的是，在將其上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序之后，還具有對鋁材進(jìn)行陽極氧化的工序?；诒景l(fā)明的電容器，具有上述特征中的至少任意一個特征。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在用于電容器等的電極構(gòu)造體中，作為基材的鋁材和電介質(zhì)層的密著性優(yōu)異，可在保持預(yù)期的耐電壓的基礎(chǔ)上，獲得高的靜電容量。圖1表示在實施例5中得到的電極構(gòu)造體試料的掃描型電子顯微鏡照片。具體實施方式(鋁材)在本發(fā)明的一種實施方式中，作為其上形成含有閥金屬的電介質(zhì)層的基材的鋁材，沒有特別限定，可使用純鋁或鋁合金的箔。該鋁材優(yōu)選的是，鋁純度為依據(jù)"JISH2111"中記載的方法而測定的值在98質(zhì)量％以上。本發(fā)明中使用的鋁材，作為其組成，包含在必要范圍內(nèi)添加了鉛(Pb)、硅(Si)、鐵(Fe)、銅(Cu)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、釩(V)、鎵(Ga)、鎳(Ni)和硼(B)中的至少一種合金元素的鋁合金；或限定了上述不可避免的雜質(zhì)元素含量的鋁。鋁材的厚度沒有特別限定，但是一般優(yōu)選的是設(shè)定為5"m以上、200ym以下的范圍內(nèi)。所述鋁材可使用借助公知的方法所制造的鋁材。例如，調(diào)制具有上述預(yù)定組成的鋁或鋁合金的溶液，對將其進(jìn)行鑄造而得到的鑄塊適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行均質(zhì)化處理。之后，對該鑄塊施行熱軋和冷軋，即可得到成為基材的鋁材。另外，在上述冷軋工序的過程中，還可以在15(TC以上、40(TC以下的溫度范圍內(nèi)施行中間退火處理。另外，在形成電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的工序之前，還可以對鋁施行適當(dāng)?shù)念A(yù)處理。(電介質(zhì)層)作為閥金屬，沒有特別限定，可列舉鎂、釷、鎘、鎢、錫、鐵、銀、硅、鉭、鈦、鉿、鋁、鋯和鈮等，特別是鈦、鉭、鉿、鋯或鈮適于使用。在作為基材的鋁材的表面上形成含有閥金屬的電介質(zhì)層的方法沒有特別限定，但是適合采用溶膠凝膠法。例如，利用含有閥金屬的烷氧化物的有機(jī)化合物或金屬鹽的加水分解及聚縮合，調(diào)制由含有氧化物前驅(qū)體粒子的溶液(溶膠)凝膠化而成的涂敷液，將其涂敷在鋁的表面上即可?；蛘?，調(diào)制使閥金屬氧化物在溶液中乳膠化而成的涂敷液，將其涂敷在鋁的表面上即可。涂敷的方法沒有特別限定，可適當(dāng)?shù)夭捎眯糠?、棒涂法、淋涂法或浸涂法。?jīng)涂敷而形成的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的膜厚可通過涂敷次數(shù)、涂敷液的組成和濃度進(jìn)行控制。另外，如果使溶液(溶膠)或涂敷液中含有碳纖維、碳粒子或碳前驅(qū)體等碳成分，則可進(jìn)一步提高為基材的鋁材與電介質(zhì)層的密著性。如果使溶液(溶膠)或涂敷液中含有硅氧化物(二氧化硅)粒子，則可提高電介質(zhì)層的耐電壓，從而不施行陽極氧化工序即可對電介質(zhì)層賦予耐電壓。根據(jù)需要，對如此所得到的在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行干燥，然后，在含有含烴物質(zhì)的氛圍氣中施行熱處理。(含有鋁和碳的中介層)本發(fā)明的電極構(gòu)造體還具有中介層，該中介層在作為基材的鋁材和電介質(zhì)層之間形成，含有鋁和碳。含有鋁和碳的中介層是對在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材在含有含烴物質(zhì)的氛圍氣中施行熱處理而得到。含有鋁和碳的中介層可提高作為基材的鋁材和電介質(zhì)層的密著性，并且抑制在作為基材的鋁材和電介質(zhì)層之間形成的、含有鋁和氧的中介層的生成，降低基材和電介質(zhì)層之間的電阻值，因此能夠提供具有高靜電容量的電極構(gòu)造體。而且，含有鋁和碳的中介層優(yōu)選的是含有結(jié)晶化了鋁的碳化物。結(jié)晶化了鋁的碳化物具有進(jìn)一步提高密著性的效果。另外，含有鋁和碳的中介層還可以含有鋁氧化物。鋁氧化物具有填補在電介質(zhì)層產(chǎn)生的裂紋等缺陷部、防止漏電流增加的效果。但是，因為過度的氧化物的形成會增加基材和電介質(zhì)層之間的電阻值，所以有可能降低容量。(電極構(gòu)造體的制造方法)本發(fā)明的電極構(gòu)造體的制造方法具有在鋁材的表面上形成含有閥金屬的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的工序；然后，將鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的工序；進(jìn)而，在將鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序。另外，如果在形成了使電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)上或電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)間含有了碳纖維、碳粒子或碳前驅(qū)體等碳成分的組合物層后，將鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間進(jìn)行加熱，就能夠進(jìn)一步提高作為基材的鋁材和電介質(zhì)層的密著性、及電極的靜電容量。如果在形成了使電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)上或電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)間含有了硅氧化物(二氧化硅)粒子的組合物層后，將鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間進(jìn)行加熱，就能夠進(jìn)一步提高電極構(gòu)造體的耐電壓。在本發(fā)明的電極構(gòu)造體的制造方法的一種實施方式中，在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材的熱處理中使用的含烴物質(zhì)的種類沒有特別限定。作為含烴物質(zhì)的種類，可列舉例如甲垸、乙垸、丙烷、正丁烷、異丁烷及戊烷等烷烴類烴；乙烯、丙烯、丁烯及丁二烯等烯烴類烴；乙炔等乙炔類烴等，或這些烴的衍生物。在這些烴中，優(yōu)選的是甲烷、乙烷、丙烷等烷烴類烴，因為它們在對表面上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行加熱的工序中會成為氣體狀。更優(yōu)選的是甲烷、乙烷和丙烷之中的任意一種烴。最優(yōu)選的烴是甲垸。另外，含烴物質(zhì)在本發(fā)明的制造方法中在液體、氣體等狀態(tài)下均可使用。只要含烴物質(zhì)存在于帶電介質(zhì)被膜預(yù)備層的鋁存在的空間即可，以任何方法導(dǎo)入到在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置的空間均可。例如，當(dāng)含烴物質(zhì)為氣體狀時(甲烷、乙烷、丙烷等)，將含烴物質(zhì)單獨、或與惰性氣體一起、或者與氫氣等還原性氣體一起填充到在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行加熱處理的密閉空間中即可。另外，當(dāng)含烴物質(zhì)為液體時，也可以將含烴物質(zhì)單獨、或與惰性氣體一起、或者與氫氣等還原性氣體一起進(jìn)行填充在該密閉空間中使之氣化。在對表面上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行加熱的工序中，加熱氛圍氣的壓力沒有特別限定，可以是在常壓、減壓或加壓下。另外，壓力的調(diào)整在保持在某一定的加熱溫度的期間、升溫到某一定的加熱溫度的過程中、或者從某一定的加熱溫度降溫的過程中的任何時點均可進(jìn)行。導(dǎo)入到在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置的空間的含烴物質(zhì)的重量比例沒有特別限定，但是通常優(yōu)選的是設(shè)定為相對于鋁箔100重量份，按碳換算值為0.1重量份以上、50重量份以下的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選的是在0.5重量份以上、30重量份以下的范圍內(nèi)。在對表面上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行加熱的工序中，加熱溫度與作為加熱對象物的鋁箔的組成等相應(yīng)地進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)定即可，通常優(yōu)選的是450。C以上、不到66(TC的范圍內(nèi)，更優(yōu)選的是在530。C以上、62(TC以下的范圍內(nèi)進(jìn)行。使加熱溫度在45(TC以上，從而可以在含有鋁和碳的中介層中含有結(jié)晶化了的鋁的碳化物。但是，在本發(fā)明的制造方法中，也不排除在不到45(TC的溫度下對表面上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行加熱的情況，至少在超過30(TC的溫度下對表面上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材進(jìn)行加熱即可。加熱時間雖然也取決于加熱溫度等，但是一般在l小時以上、100小時以下的范圍內(nèi)。當(dāng)加熱溫度為40(TC以上時，優(yōu)選的是使加熱氛圍氣中的氧濃度在1.0體積％以下。如果加熱溫度在400。C以上、加熱氛圍氣中的氧濃度超過1.0體積％，則鋁材表面的熱氧化膜有可能肥大，鋁材表面的界面電阻增加，從而使電極構(gòu)造體的內(nèi)部電阻值增大。另外，本發(fā)明的電極構(gòu)造體也可以是在將鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序之后，進(jìn)行陽極氧化的工序。借助該工序，可以在含有鋁和碳的中介層中含有鋁氧化物。陽極氧化工序沒有特別限定，例如可在己二酸銨或硼酸銨等溶液中，以2V以上、1000V以下的電壓進(jìn)行。另外，本發(fā)明的電極構(gòu)造體，不僅可適用于陽極材料，也可以適用于陰極材料。實施例按照以下的實施例122和比較例17，制作了電極構(gòu)造體。(實施例15、比較例12)將厚度為30um的鋁硬質(zhì)箔(JISA1070-H18)浸漬在鈦垸氧化合物溶液中，在兩面形成了厚度為0.15um的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。然后，將在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材以表1所示的氛圍氣和溫度的條件，加熱12小時，得到了電極構(gòu)造體。鈦垸氧化合物溶液的組成為，Ti(n-OC4H9)4:0.15摩爾；CH3COCH2COCH3:0.45摩爾；C2H5OH:18摩爾；H20:0.3摩爾。在濕度為40%以下的環(huán)境下，將上述鋁材在上述鈦烷氧化合物溶液中浸漬3秒鐘后，在空氣中以IO(TC的溫度加熱IO分鐘，使之干燥。重復(fù)上述的浸漬處理和加熱處理三次，形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。在實施例5中得到的電極構(gòu)造體中，用溴-甲醇混合溶液將鋁材溶解而取得試料，并用掃描型電子顯微鏡(SEM)從背面對試料進(jìn)行了觀察。如圖1所示，在鋁材和電介質(zhì)層之間，確認(rèn)到了板狀的結(jié)晶化物。另外，借助X射線電子微探分析儀(EPMA)和X射線衍射，確認(rèn)了上述板狀結(jié)晶化物為碳化鋁。(實施例68、比較例34)將厚度為50nm的鋁硬質(zhì)箔(JISA1030-H18)浸漬在氧化鈦分散水溶液中，在兩面形成了表2所示厚度的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。然后，將在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材，在實施例68中是在甲烷氣體氛圍氣中，在比較例3中是在空氣中，在比較例4中是在氬氣氛圍氣中，分別以55(TC的溫度加熱12小時，得到了電極構(gòu)造體。氧化鈦分散水溶液是將對硫酸鈦加水分解所得到的氫氧化鈦在氧氛圍氣中進(jìn)行加熱，得到硫化鈦，并在其中加入少量的硝酸進(jìn)行調(diào)制而成的。并且，該氧化鈦經(jīng)X射線衍射確認(rèn)，其具有銳鈦礦型結(jié)晶構(gòu)造。在濕度為40%以下的環(huán)境下，將上述鋁材于上述氧化鈦分散水溶液中浸漬3秒鐘后，在空氣中以IO(TC的溫度加熱IO分鐘，使之干燥。重復(fù)上述的浸漬處理和加熱處理13次，形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。(實施例913)將厚度為80^n的鋁硬質(zhì)箔浸漬在含有鈦、鉭、鉿、鋯或鈮的烷氧化合物溶液或溶膠溶液中，在兩面形成了厚度為0.4um的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。然后，將在表面形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材在乙炔氣體氛圍氣中，以55(TC的溫度加熱12小時，得到了電極構(gòu)造體。鋁箔的標(biāo)稱純度為99.9質(zhì)量％，組成的質(zhì)量分析值為硅75ppm、鐵72ppm。實施例9中使用的鉭烷氧化合物溶液的組成為，Ta(OC2H5)5:0.15摩爾；CH3COCH2COCH3:0.45摩爾；C2H5OH:18摩爾；H20:0.3摩爾。實施例10中使用的鈦垸氧化合物溶液的組成和實施例15中使用的溶液相同，為Ti(n-OC4H9)4:0.15摩爾；CH3COCH2COCH3:0.45摩爾；C2H5OH:IS摩爾；H20:0.3摩爾。實施例11中使用的鈮垸氧化合物溶液的組成為，Nb(OC2H5)5:0.15摩爾；CH3COCH2COCH3:0.45摩爾；C2H5OH:18摩爾；H20:0.3摩爾。實施例12中使用的鋯垸氧化合物溶液的組成為，Zr(C4H90)4:0.15摩爾；CH3COCH2COCH3:0.45摩爾；C2H5OH:18摩爾；H20:0.3摩爾。實施例13中使用的鉿溶膠溶液如下進(jìn)行制作將2.0g的HfC14在99.5%乙醇溶液15ml中溶解后，在該溶液中添加0.51g的&0和3.32g的60。/。HNO3，以5(TC的溫度進(jìn)行加熱。在濕度為40%以下的環(huán)境下，將上述鋁材于上述各垸氧化合物溶液中浸漬3秒鐘后，在空氣中以100。C的溫度加熱IO分鐘，使之干燥。重復(fù)上述浸漬處理和加熱處理6次，形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。(實施例1419)將在實施例911中得到的電極構(gòu)造體分別以5V和10V進(jìn)行陽極氧化，得到了新的電極構(gòu)造體(實施例1416和實施例1719)。對得到的電極構(gòu)造體的表面用EPMA進(jìn)行分析，在電介質(zhì)層的裂紋部確認(rèn)到了鋁氧化物。陽極氧化條件是在85。C的15質(zhì)量。/。己二酸銨溶液中，通入50mA/cn^的直流電流，在電壓達(dá)到IOV后保持IO分鐘。另外，把保持IO分鐘后的電流值作為漏電流。(實施例2022)將厚度為80wm的鋁硬質(zhì)箔浸漬在如下制作的二氧化硅溶膠溶液中，在兩面形成了厚度為0.4um的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)。然后，將表面上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材在乙炔氣體氛圍氣中，以55(TC的溫度加熱12小時，得到了電極構(gòu)造體。鋁箔的標(biāo)稱純度為99.9質(zhì)量％，組成的質(zhì)量分析值為硅75ppm、鐵72ppm。二氧化硅溶膠溶液如下進(jìn)行制作在用硅垸氧化合物[Si(OC2H5)4]加水分解而得到的二氧化硅(Si02)溶膠中，添加預(yù)先調(diào)整為金紅石型的鈦氧化物(Ti02)粒子。此時，在實施例2022中，使Ti02粒子和Si02溶膠的配合比例(重量比)按表5所示的方式改變。(比較例57)對厚度為80nm的鋁硬質(zhì)箔進(jìn)行交流蝕刻而得到了電極構(gòu)造體(比較例5)。另外，和實施例1419同樣地以5V和IOV進(jìn)行陽極氧化，得到了新的電極構(gòu)造體(比較例6和比較例7)。鋁箔的標(biāo)稱純度為99.9質(zhì)量％，組成的質(zhì)量分析值為硅75ppm、鐵72ppm。交流蝕刻的方法是順次進(jìn)行了下列條件的一次電解蝕刻、化學(xué)蝕刻和二次電解蝕刻?！匆淮坞娊馕g刻〉電解液組成12wty。鹽酸+iwty。硫酸+ioog氯化鋁/升溫度50°C電流波形正弦波交流頻率60Hz電流密度200mA/cm2時間60秒〈化學(xué)蝕刻〉電解液組成20wty。鹽酸+3wt。/。硫酸+100g氯化鋁/升溫度60°C時間120秒〈二次電解蝕刻〉電解液組成12wty。鹽酸+lwt。/。硫酸+100g氯化鋁/升溫度30°C電流波形正弦波交流頻率60Hz電流密度160mA/cm2時間300秒對實施例122和比較例16中得到的電極構(gòu)造體評價了靜電容量；對實施例113和比較例15中得到的電極構(gòu)造體評價了含有鋁和碳的中介層形成量；另外，對實施例1419和比較例67中得到的電極構(gòu)造體評價了漏電流；并對實施例2022和比較例67中得到的電極構(gòu)造體評價了耐電壓。評價條件如下所示。評價結(jié)果在表l5中表示。各試料的靜電容量，在己二酸銨水溶液中以測定頻率為120Hz進(jìn)行了測定。中介層的形成量通過鋁碳化物的定量分析進(jìn)行了評價。收集通過使電極構(gòu)造體的試料在20%氫氧化鈉水溶液中全部溶解而產(chǎn)生的氣體，用帶火焰離子化檢出器的高靈敏度氣相色譜儀對收集氣體進(jìn)行定量分析，并將其換算成鋁碳化物(A14C3)含有量。將鋁碳化物含有量相對于溶解了的鋁質(zhì)量的質(zhì)量比作為中介層形成量的目標(biāo)值進(jìn)行了評價。從而確認(rèn)了在電極構(gòu)造體中是否形成了含有鋁和碳的中介層。以在15重量％己二酸銨水溶液中通入lmA/cn^的定電流5分鐘后的電壓作為耐電壓進(jìn)行了評價。而且，在該電壓的測定中，電極構(gòu)造體的配極使用了鋁箔。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>由此可知，根據(jù)本發(fā)明的實施例122中所得到的電極構(gòu)造體，與比較例17中所得到的電極構(gòu)造體相比，呈現(xiàn)高的靜電容量。可以認(rèn)為，以上公開的實施方式和實施例在所有的方面都是例示，并非限制性的。本發(fā)明的范圍不是以上實施方式和實施例，而是由權(quán)利要求的范圍來表示，旨在包含在與權(quán)利要求的范圍等同的含義和范圍內(nèi)的所有的修改和變形。工業(yè)實用性在電容器等中使用基于本發(fā)明的電極構(gòu)造體，可使得作為基材的鋁材和電介質(zhì)曾的密著性優(yōu)異，在保持預(yù)期的耐電壓的基礎(chǔ)上，獲得高的靜電容量。權(quán)利要求1.一種電極構(gòu)造體，具有鋁材；電介質(zhì)層，在所述鋁材的表面上形成，含有閥金屬；和中介層，形成于所述鋁材和所述電介質(zhì)層之間，含有鋁和碳。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電極構(gòu)造體，其中，所述閥金屬是選自由鈦、鉭、鉿、鋯和鈮構(gòu)成的組中的任意一種以上。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電極構(gòu)造體，其中，所述電介質(zhì)層含有硅氧化物。4.根據(jù)權(quán)利l所述的電極構(gòu)造體，其中，所述中介層含有結(jié)晶化了的鋁的碳化物。5.根據(jù)權(quán)利l所述的電極構(gòu)造體，其中，所述中介層含有鋁氧化物。6.—種電極構(gòu)造體的制造方法，其中具有在鋁材的表面上形成含有閥金屬的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的工序；將其上形成了所述電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的所述鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的工序；和在將其上形成了所述電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的所述鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下迸行加熱的工序。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極構(gòu)造體的制造方法，其中，所述在將其上形成了所述電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的所述鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序是在450'C以上、不到660'C的溫度范圍進(jìn)行。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極構(gòu)造體的制造方法，其中，在所述在將其上形成了所述電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的所述鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序之后，還具有對所述鋁材進(jìn)行陽極氧化的工序。9.一種電容器，其中具有權(quán)利要求l所述的電極構(gòu)造體。全文摘要本發(fā)明提供一種電極構(gòu)造體、其制造方法和具有該電極構(gòu)造體的電容器，在該電極構(gòu)造體中，作為基材的鋁材和電介質(zhì)層的密著性優(yōu)異，可保持預(yù)期的耐電壓，并且獲得高的靜電容量。電極構(gòu)造體具有鋁材；電介質(zhì)層，在該鋁材的表面上形成，含有閥金屬；和中介層，形成于鋁材和電介質(zhì)層之間，含有鋁和碳。電極構(gòu)造體的制造方法具有在鋁材的表面上形成含有閥金屬的電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的工序；將其上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的工序；和在將其上形成了電介質(zhì)前驅(qū)物質(zhì)的鋁材配置在含有含烴物質(zhì)的空間的狀態(tài)下進(jìn)行加熱的工序。文檔編號H01G9/00GK101292309SQ20068003878公開日2008年10月22日申請日期2006年10月30日優(yōu)先權(quán)日2005年11月10日發(fā)明者井上英俊,足高善也申請人:東洋鋁株式會社