專利名稱：一種大面積有機(jī)二級管器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)二極管器件，包括具有陽極層、陰極層以及位于陽極 層和陰極層之間的至少一個(gè)有W1的有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明i^^及一種形成有機(jī)二極管器件的方法。
技術(shù)背景有機(jī)二極管包摘列如有機(jī)發(fā)光二極管和有機(jī)光電二極管，有機(jī)光電二極管也稱為光伏二極管。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)在用于顯示器和發(fā)光目的方面弓 越多的關(guān)注。OLED包括位于兩薄電，及之間的發(fā)光有機(jī)化^層。有機(jī)光電二極 管除了吸收光，光轉(zhuǎn)換為電流以外，主要的設(shè)計(jì)與OLED相同，并在太陽能電 池、光傳感等中得到了應(yīng)用。OLED的--^遍問題是由于電極的小的厚度導(dǎo)致 電極具有大的電阻率。在大面積的OLED中這意味著在這一面積上有很大的電壓 降并且在這一面積上發(fā)光不均勻。多大面積足以弓跑電壓P輙決于采用的材料的 M，采用的電極的厚度，顯示的亮度等?？傊?，目前的技術(shù)中，大于幾個(gè)平方 厘米的OLED顯示將數(shù)曉度不均勻的困擾。相似M的電壓降問題也出現(xiàn)在大 面積光電二極管中。US 2004/0121508 Al描述了一種解決上面魁啲問題的嘗試。根據(jù)這一嘗 試， 一金屬網(wǎng)格被瓶入薄的透明電極中的一個(gè)內(nèi)以增加其導(dǎo)電性能。為了在大面 積OLED的情況下也itf共均勻的電壓分布，金屬網(wǎng)格M導(dǎo)E^，氧被連接至 電弓踐以艘屬網(wǎng)格可以連接至電壓源。US 2004/0121508 Al中的OLED的一個(gè)問題是制造，，這歸因于具有非絕 緣末端部分的隔離電引線，所述電弓踐必須S31導(dǎo)制交連接至金屬網(wǎng)格。從美學(xué) 的觀點(diǎn)來看，大量的電弓l線纏繞在有機(jī)發(fā)光二極管表面上也是沒有吸弓l力的。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種有機(jī)二極管器件，其適合于大面積的應(yīng)用，以 及其避免了4頓現(xiàn)有技術(shù)中的電弓踐并因此為制造容易并形卜形穀見作準(zhǔn)備。 這一目的ffi31—種有機(jī)二極管器件實(shí)現(xiàn)，i賄機(jī)二極管器l袍括 具有陽極層、陰極層以及位于陽極層禾,極層之間的至少一有機(jī)層的有機(jī)二4極管結(jié)構(gòu)，陽極層和陰極層的其中之一具有分布舒萬述結(jié)構(gòu)第1面上的第一組 接,蟲區(qū)域，位于所述第-嚷面上以氣密性地SMJ^述結(jié)構(gòu)的阻擋層，所述阻擋層樹共有 與第一組接觸區(qū)域?qū)?zhǔn)的第一組開口 ，以及至少- 個(gè)第一金屬導(dǎo)體，被電鍍i^斤述阻擋層上并通M^述阻擋層中的第一 組開口與第一組，凝蟲區(qū)域 數(shù)蟲。這種有機(jī)二極管器件的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在大的有機(jī)二極管器件面積上提供了均 勻的電壓分布從而在所述區(qū)域上提供了均勻的亮度或電流(在太陽能電池盼瞎況 下)。阻擋層^i戶有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)并^f共長的壽命。根據(jù)權(quán)禾腰求2的方法的一w尤點(diǎn)是網(wǎng)槲賄機(jī)二極管器件的表面分成小片(tiles)成為可能，如同可能的情況，其中每一小片具有均勻的亮度或者均勻的電流。 權(quán)利要求3的方法的一館點(diǎn)是其樹共了高電導(dǎo)率可是制誠本卻很低。 權(quán)利要求4的方法的一^f尤點(diǎn)是^E第一金屬導(dǎo)體和與之相連的陽f媳或陰極層之間撒共了改善的電纟魏蟲。根據(jù)權(quán)利要求5的方法的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其在有機(jī)二極管器件區(qū)現(xiàn)上提供了最優(yōu)的電壓分布和非常均勻的亮度或電流，這是由于陽極層和陰極層都被提供了金屬導(dǎo)體。這職陽極層中或在陰極層中將沒有不希望的電壓降。本發(fā)明的另一目的是提供制造一種適用于大面積的應(yīng)用的有機(jī)二極管器件的有效方法。這一 目的iiil形成一種有機(jī)二極管器件的方法而實(shí)現(xiàn)，該方 跑1^驟.-Sil在陽極層和陰極層之間撤共至少一個(gè)有機(jī)層而形成有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)，該陽極層和陰極層的其中之一被樹共分布在J^述結(jié)構(gòu)的第1面上的第一組撤蟲區(qū)域，lE^述第i面上形成阻擋層以氣密性s^;f述結(jié)構(gòu)，所述阻擋層i^賄與所述第一組撤蟲區(qū):W準(zhǔn)的第一組開口，以及使f炒;f述阻擋層覆蓋的所述結(jié)構(gòu)經(jīng)受電鍍工藝，在電,rc藝中所述陽極層和 陰極層的其中之一連接至電鍍槽中的終端之一以便導(dǎo)電金屬被電鍍在第一組擬蟲區(qū)域上以i5^ 述第1面上形成至少第一金屬導(dǎo)體。這個(gè)方法的優(yōu)點(diǎn)是其提供了基于有機(jī)發(fā)光二極管或光電二極管技術(shù)的大面 積有機(jī)二極管器件非常有效的制造方法。由于所述阻擋層的早期運(yùn)用，在形成有機(jī)二極管器件的所需的進(jìn)一步工藝步驟期間所述有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)被保護(hù)免受7]^口 氧氣的侵害。這使在基于水的電角鞭中〗OT電鍍形^^屬導(dǎo)體而沒有損害有機(jī)二 極管結(jié)構(gòu)的功能的問題成為可能。權(quán)利要求7的實(shí)施例的一館點(diǎn)是這層隔離體樹共了一種保持金屬導(dǎo)體離開需要發(fā)光或吸收光的區(qū)域的有效方法。在給陽極層和陰極層都設(shè)置金屬導(dǎo)體的情 況下，根據(jù)權(quán)利要求7的方法提供了保持這^^屬導(dǎo)j材目互隔離。權(quán)禾腰求8的一^尤點(diǎn)是在電!紅藝之后對這層隔離體的去除樹共了纟劍施 加有隔離體的表面的增大的亮度^吸收。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是使位于隔離層下面的 部件的招可后續(xù)處理變得容易。根據(jù)權(quán)利要求9的方法的一刊尤點(diǎn)是 電鍍工藝中提供了陽極和/或陰極 層的改善的電導(dǎo)率。這一改善的電導(dǎo)率大力曾加了電IM率，因?yàn)榕c薄陽極層和 陰極層有關(guān)的電壓降，首先作為形卿萬述金屬導(dǎo)體的主要原因的低電導(dǎo)率，借助 于電鍍基底 免。根據(jù)權(quán)利要求10的方法的一iM尤點(diǎn)是去除電鍍基層(platingbase)的多余部 分提供了使位于第一表面并連接至陽極層的第一金屬導(dǎo)體與也位于第1面但連 接至陰極層的第二金屬導(dǎo)體隔離。本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)在下面的描述和附加的權(quán)利要求中將更力口清楚。


現(xiàn)在，將參照附圖更具體地描述本發(fā)明其中圖1為一頂辦見圖并且示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)二極管器件。圖2為一示意性的截面圖并且示出了如圖i中所示部分n-n中所見的根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)二極管器件。圖3為一截面圖并腸出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第一步驟。 圖4為一截面圖并且示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第二步驟。 圖5為一截面圖并，出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第三步驟。 圖6為一截面圖并且示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第四步驟。 圖7為一截面圖并且示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第五步驟。 圖8為一截面圖并且示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第六步驟。 圖9為一截面圖并且示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的第七步驟。圖10為一截面圖并S/示出了根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例的有機(jī)二極管器件。
具體實(shí)施方式
圖1示出了以發(fā)光^l件1為形式的有機(jī)二極管tl件。發(fā)光器件1包括發(fā)光結(jié)構(gòu)2，，圖2被更詳細(xì)地示出。發(fā)光器件1有大的表面3，被分成小片4。 M 如將在下面描述的電纟，成的第一金屬導(dǎo)體5在表面3上形成一第一網(wǎng)格。如圖 1中可以看到的，第一金屬導(dǎo)體5包括主干6和分支7以便^m—金屬導(dǎo)體5和 所有小片4接觸。ilii如將在下面描述的電鍍形成的第二金屬導(dǎo)體8在表面3上 形成第二網(wǎng)辨。如圖1中可以看到的，第二金屬導(dǎo)體8包括主干9和分支10以便 ^m二金屬導(dǎo)體8和所有小片4 ，効蟲。第一金屬導(dǎo)體5和第二金屬導(dǎo)體8彼此相 互隔離。金屬導(dǎo)體5，8中每一個(gè)由高電導(dǎo)率金屬，^fe屬混^l組成，并且, 地包括銅(Cu)、銀(Ag)、敘Au)、或IKM)，或它們的混，。圖2示意性地示出了沿著圖i的n-n方向看的發(fā)光器件1 。發(fā)光結(jié)構(gòu)2包括 陽極層12和陰極層13 。陽極層12由至少部分半透明的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如rro(銦錫氧化物)。陽極層12由薄膜構(gòu)成，這意歸陽t媳12的厚度小于lum。典型地， 陽極層12在由ITO構(gòu)成時(shí)，厚度為50-200nm。如M明度是不作要求的，所述陽極層可以由rro層和金屬層的組合構(gòu)成。陰極層13由至少部分半透明的材料的薄薄膜構(gòu)成。例如，陰極13可由例如3ran厚的薄Al(鋁)薄膜上的0.5nm的薄LiF(鋰 氟化鄉(xiāng)或5mn的Ba(卿薄膜，與10nm厚的Ag(銀)薄膜一起構(gòu)成，Jlf共小于100nm 的總厚度，ttit為15-50nm。如驗(yàn)明度是不作要求的，那么所述陰極層可以例 如，由在300nm厚的鋁層上的5nm厚的鋇薄膜的組合構(gòu)成。發(fā)光有機(jī)層14位于 陽豐跟12和陰極層13之間。發(fā)光有機(jī)層14可以是樹可鄉(xiāng)的有機(jī)材料，例如聚 ，，其可^ET勧啲偏壓下發(fā)光的并且其本身在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的現(xiàn)有技 術(shù)中是已知的。有機(jī)層14的厚度iM為和陽極層12在同一范圍。層14,可選他， 可以包括多個(gè)在彼lt讓面堆疊的有機(jī)層。阻擋層16位于在發(fā)光結(jié)構(gòu)2的第-嚷面15上。阻擋層16氣密性地覆蓋結(jié) 構(gòu)2的第一表面15，保護(hù)CT受水，7K蒸汽和氧氣的侵害。阻擋層16由介電材 料構(gòu)成，例如，可以包括氮化硅-氧化硅-氮化硅的層狀結(jié)構(gòu)，也叫做NON。進(jìn)一 步己知的阻擋層描述在H.Li&a和E.Haskal的WO 2003/050894中。阻擋層16的 可選材料例如是碳化硅(silicon carbide), SiC，和氧化fg(alumina)， A12C>3。進(jìn)一步可 選地，這些材料的疊層和與有機(jī)材料的組合可以用作阻擋層。玻璃板18位于結(jié)構(gòu)2的第二表面17上。玻璃板18形礙寸底，其上形成結(jié)構(gòu)2，如下面將示出的。陽極12被掛共第一組，數(shù)蟲區(qū)域，其中兩個(gè)接觸區(qū)域19,20 在圖2中示出。陰*賜13被衛(wèi)共一第二組接觸區(qū)域，其中撤蟲區(qū)域22在圖2中 示出。在f爐實(shí)施例中陰極材料采用例如沉積的方法也施加至鵬t媳12的將形成 ，數(shù)蟲區(qū)域19,20的那些部分。該陰極材料和陰極層13本身沒有電撤蟲。這一實(shí)施 例的優(yōu)點(diǎn)是陽極層12的撤蟲區(qū)域19,20和陰極層13的撤蟲區(qū)域22都由一種同樣 ，的材料形成。，免了在形成陽極層12和陰極層13的撤蟲時(shí)必須4OT(work with)兩種不同鄉(xiāng)的材料的問題，如下面將進(jìn)行,孕鵬的。P且擋層16被Mf共第一組開口，其中如圖2所示的兩個(gè)開口 23,24和第一組接 觸區(qū)域例如19,20對準(zhǔn)，以麟二組開口 ，其中如圖2所示的一銷口 25和第二 組撤蟲區(qū)域例如22對準(zhǔn)。由沉積的導(dǎo)電材料形成的撤蟲片26位于開口 23,24,25 的每一個(gè)中，并且保證陽極層12的撤蟲區(qū)域19,22和第一金屬導(dǎo)體5之間以及陰 極13的，魏蟲區(qū)域22和第二金屬導(dǎo)體8之間適當(dāng)?shù)碾姵废x?？椣x片26優(yōu)選由氮化 鈦CnN)或氮化鈦和銅(Cu怖ftf蕓或鉤Cr)和銅的fiJl構(gòu)成。應(yīng)注意到阻擋層16中 的開口 23，24,25被撤蟲片26和金屬導(dǎo)體5,8完全覆蓋，這保證了發(fā)光結(jié)構(gòu)2徹底 的氣密性覆蓋。第一和第二金屬導(dǎo)體5,8的厚度T優(yōu)選在范圍0.5-100um以內(nèi)，更1 的是 在范圍10-50um以內(nèi)。這樣金屬導(dǎo)體5,8的厚度比陽極層和陰極層的厚度大約大 20-100倍。另外，金屬導(dǎo)體5,8由戰(zhàn)的高電導(dǎo)率的材料形成。由于如下事實(shí) 第一金屬導(dǎo)體5形成的網(wǎng)格內(nèi)和第二金屬導(dǎo)體8形成的網(wǎng)格內(nèi)的電壓降數(shù)艦大 限制，如圖1所示，從而發(fā)光器件1的所有的小片4 IMS加同樣的偏置電壓，該 同樣的偏置電壓在工作中 ^區(qū)#^共均勻的亮度。應(yīng)注意到每一小片4的 大小按照陽極層，陰極層，有機(jī)層等的類型和厚度進(jìn)纟，計(jì)，以便單個(gè)小片4的 區(qū)域上的電壓降受到很大限制。因此本發(fā)明克服了其中電壓降弓l織光器件區(qū)域 發(fā)光不均勻的現(xiàn)有技術(shù)中的問題。制造發(fā)光器件1的方法將參照圖3至圖9進(jìn)行描述。圖3示出了第一步，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)2 MM將陽極層12施加在作為襯底的玻 璃板18上而形成。其它的材料，例如塑料和金屬，也可以用作襯底。有機(jī)發(fā)光層 14施加到陽極層12頂部，最終陰極層13施加在有機(jī)層14頂部，從而完成結(jié)構(gòu)2。 結(jié)構(gòu)2被這樣設(shè)計(jì)給陽極層12掛共第一組撤蟲區(qū)域，標(biāo)為撤蟲區(qū)域19和20，以及給陰極層14 ^f共第二組，劍蟲區(qū)域，te^為撤蟲區(qū)域22。有機(jī)發(fā)光層14作為隔離體而形成，使得第一組撤蟲區(qū)鄉(xiāng)嗨二組，數(shù)蟲區(qū)域者阿以出現(xiàn)^E^述第1面15。圖3示出的第一步，可ftMil形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的本身已知的方法實(shí)現(xiàn)。圖4示出了第二步，其中阻擋層16施加在結(jié)構(gòu)2的第^面15上。阻擋層 16 tt^采用等離子^^積的方法被沉積。阻擋層16中的材料ite采用前述的 NON。如圖4所示，阻擋層16具有第一組開口，表示為與所述第一組撤蟲區(qū) 域,19，20對準(zhǔn)的開口 23,24，以及第二組開口，恭示為與所述第二組^f蟲區(qū)域,22 對準(zhǔn)的開口 25。阻擋層16中的開口 23,24，25可以由fflil在沉積過程中在結(jié)構(gòu)2 上保，魏蔽掩模的光亥訴口后續(xù)的亥U蝕而形成，或^M51其它在薄層中形成開口的 本身已知的技術(shù)而形成。圖5示出了第三步，其中電鍍基層27形成為在第--表面15處的阻擋層6 的頂部上的層。電鍍基層27的目的是提高電鍍效率，下面將進(jìn)行描述。因而電鍍 基層27 M31阻擋層16中的開口 23,24和25與，効蟲區(qū)域19,20和22 t數(shù)蟲是重要的。 根據(jù)一啊寺別優(yōu)選的實(shí)施例，電鍍基層27分兩步進(jìn)行沉積。第一步，沉積TiN。 TiN具有和iJti^作為阻擋層16中的材料的NON結(jié)合牢固的優(yōu)點(diǎn)，以及和iti^作 為陽極層12中的材料的ITO結(jié)合牢固的優(yōu)點(diǎn)。然后，金屬，例如銅，沉積在TiN 上以提供良好的電導(dǎo)率和用于電鍍工藝的良好的基層，這在下面將進(jìn)行描述。沉 積的TiN和Cu共同形成了電鍍基層27。電鍍基層27的厚度典型地在50-800nm 范圍內(nèi)。圖6示出了第四步，其中抗蝕劑層28施加在電鍍基層27上?？刮g劑層28 被圖案化以提供第一組通孔(hole),表示為與第一組撤蟲區(qū)域即撤蟲區(qū)域19,20 對準(zhǔn)的孔29和30，以及提供一第二組通孔，表示為與第二組，劍蟲區(qū)域即f魏蟲區(qū) 域22對準(zhǔn)的通孔32?？刮g齊喔28的圖案化可以M31本身已知的技術(shù)實(shí)現(xiàn)，例如 光刻。簡言之，光刻包括施加液體聚合物，M光照凍用掩^^僅僅固化圖案中 需要保留的部分，并清洗去除未固化的聚^以在希望的^S得至腿孔。圖7示出了第五步，其中金屬被電鍍以形，一和第二金屬導(dǎo)體。 接電鍍基層27禾口/或陽極層12和陰極層]3至第一終端33，電化學(xué)單元的陰極， 而完成。圖7中，陽極層12和陰t媳13艦電鍍基層27連接至第一終端33。 然后，具有阻擋層16，電鍍基層27和抗蝕劑層28的結(jié)構(gòu)2被陶氏到包含諸如銅離子之類的^g金屬離子以及以陽極35為形式的第二終端的電鍍槽34中，并且經(jīng)歷電ITi:藝，如圖7示意性所示。在電f度工藝中，由于電鍍基層27良好的電導(dǎo) 率，第一和第二金屬導(dǎo)體5,8將從電鍍基層27刑臺向上快速生長，如圖7所示。 如圖所示抗蝕劑層28將Pllh除剛^31撤蟲區(qū)域19,20,22以夕卜的招可生長。第四步 中，為了i撥^31第1面15和第1面(phase)17，抗蝕劑層28的應(yīng)用被設(shè) 計(jì)使得由金屬導(dǎo)體5,8引起第^面15的屏蔽最小，如將在下面進(jìn)行f鵬的。另 外，抗蝕劑層28保證了第一金屬導(dǎo)體5和第二金屬導(dǎo)體8相互隔離。阻擋層16 和電鍍基層27有效地卩l(xiāng)ih電鍍槽34中的液^(主要是水)和結(jié)構(gòu)2之間的招可接 觸，并朋旨詢對柳獻(xiàn)紅藝是必需的，因?yàn)槿缟纤?，結(jié)構(gòu)2本身對水非常敏 感。電,紅藝被一直執(zhí)行直到第一禾嗨二金屬導(dǎo)體5，8超晞望的厚度。圖8示出了第六步，其中抗蝕劑層28被去除。抗蝕劑層28的去除可以采用 任何已知的方法，如iM:魏的纟豁鵬解抗蝕劑層。從圖8可以看出，當(dāng)抗蝕劑 層28被去除后電鍍基層27被露出。圖9示出了第七步也是最后一步，其中為避免第一金屬導(dǎo)體5和第二金屬導(dǎo) 體8之間的短路，電鍍基層27未被第一和第二金屬導(dǎo)體5,8覆蓋的那些部分被刻 蝕一直超鵬擋層16。由于存在阻擋層16，亥卿可以采用濕法亥IMI藝，i^身 在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。電鍍基層27被第一和第二金屬導(dǎo)體5,8 SM的那些部分 將不被刻蝕并將形成前述的，數(shù)蟲片26。第一金屬導(dǎo)體5和第二金屬導(dǎo)體8現(xiàn)在可 以連接至^S的電源(未示出)，發(fā)光器件l已可以使用?？蛇x他，為了^f共增強(qiáng) 的保護(hù)，第二玻璃板(未示出)可以通過例如粘合附加至第一表面15，也就是金屬導(dǎo)體5,8的頂部。其它材料，例如塑料薄片，金屬和金屬薄片，也可用于《斜戶。 在施加電壓的瞎況下，光ffl31第1面15和第二表面17射出，如圖9中箭頭所 示。這樣發(fā)光器件1可以從兩個(gè)方向發(fā)光并可被看作皿明的。圖10以發(fā)光器件101的形式示出了本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例。發(fā)光器件101包 括和前述結(jié)構(gòu)2對以的并且沉積在玻璃板118上的發(fā)光結(jié)構(gòu)102。結(jié)構(gòu)102被阻擋 層116氣密性地 。發(fā)光器件101和發(fā)光器件1主要的不同在于發(fā)光器件101 不^it明的，而^ig于僅僅M其第二表面117發(fā)光。由于沒有光劃寸要M:第 -i面115，寬的第一金屬導(dǎo)體板105和寬的第二金屬導(dǎo)體108可以電鍍在阻擋層 U6上。如圖10所示，第一和第二金屬導(dǎo)體105,108之間只剤艮小的間隙121以 便于相互隔離。發(fā)光器件101的一4M尤點(diǎn)是由于金屬導(dǎo)體105,108足夠?qū)捯灾劣谶m當(dāng)?shù)暮穸萾審?fù)纫詷涔沧銐虻碾妼?dǎo)率。 一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是金屬導(dǎo)體105,108覆蓋了幾乎^t第-嚷面115，有助于阻擋層16氣密性地覆蓋結(jié)構(gòu)102并使其與氧氣和水蒸汽屏蔽。這種屏蔽在有機(jī)層未被陰極層覆蓋的區(qū)域尤為重要，例如和第 一組接觸區(qū)域鄰近的區(qū)域，即禾口陽極層相關(guān)的擲蟲區(qū)域。應(yīng)該指出的^M實(shí)施例的多種^^均落入所附的專禾敗利要求的范圍內(nèi)。前面參考以O(shè)LED為形式的有機(jī)二極管描述了本發(fā)明。應(yīng)該指出的是本發(fā) 明也可用于其它類型的有機(jī)二極管。 一個(gè)這樣的例子魏括沉積在兩個(gè)電fet間 并且適于根據(jù)光的吸收提供電流的有機(jī)層或有機(jī)層疊層的光電二極管。這種光電 二極管可以用作光電池，尤其是大面積太陽能電池。至于光電二極管的基本設(shè)計(jì) 和串隨方法，貝訴口前述的OLED對以。前面描述了電鍍基層27先于赫紅藝沉積在阻擋層16的頂部。應(yīng)該指出的 是金屬導(dǎo)體5,8的電鍍也可以在沒有電鍍基層27的瞎況下進(jìn)行。然而在這種情況 下，因?yàn)殛枠O層和陰極層的高電阻率，電,紅藝變得很慢。電鍍基層可以伏選在電鍍步mt前進(jìn)行構(gòu)造。電鍍基層的構(gòu)造可以M多種 方法完成，例如M電鍍基層的遮蔽撤敏積或者光亥iJ/印刷掩模，隨后進(jìn)行亥收蟲 和刻蝕保護(hù)的去除來完成。構(gòu)造電鍍基層另一方法是〗頓附胃剝離或者其中抗蝕 劑以希望的結(jié)構(gòu)沉積并固化的類似的本身已知的方法。電鍍基層隨后沉積在結(jié)構(gòu) 化的抗蝕劑的頂部。例如根據(jù)J^方法之一對電鍍基層進(jìn)行構(gòu)造這一事實(shí)的優(yōu)點(diǎn) 在于在通過電鍍步驟形成導(dǎo)體的過程中，電鍍基層位于抗蝕劑(resist)頂部的那 一部分由于沒有電連接將不會被電l^屬覆蓋。這樣導(dǎo)懶各僅僅形皿希望的位 置上。在電鍍步驟之后，電鍍基簡立于抗蝕齊順部的那一部分可以，鵬擇性地刻 蝕到電鍍材料，這樣可以用簡單的方法以希望的形狀形^^屬導(dǎo)體。這樣為了在 電鍍步驟之前形成結(jié)構(gòu)化電鍍基層而進(jìn)行的電鍍基層的構(gòu)造使得在希望的位置電 辛臉屬導(dǎo)體和在電鍍步m^后去除電鍍基層的多余部分變得更簡單。另外，前面描述了為了定義金屬導(dǎo)體5,8的4體和使它們相互隔離，抗蝕劑 層28被圖案化。應(yīng)該指出的是也可以不4頓抗蝕劑層而直接在電鍍基層頂部或沒 有電鍍基層的阻擋層頂部電鍍同質(zhì)的金屬層，例如銅層。在附加的步驟中，該同 質(zhì)的銅層將被亥鵬以提供具有需要的糊犬和圖案的金屬導(dǎo)體并使它們相互隔離。 然而，應(yīng)優(yōu)先采用前述j頓抗蝕劑層的方法，因?yàn)楹i比^媳的電f臉屬層可能 損害下層結(jié)構(gòu)的^性。在參照圖1和2描述的實(shí)施例中，所述陽極和陰極都是由透明材料構(gòu)成。應(yīng) 該指出的是在可選性實(shí)施例中，如果齡有機(jī)二極管器件的透明度是不作要求的， 可以只有陽極或只有陰極是透明的。根據(jù)前面的敘述，陽極層12布置在玻璃板18上，有機(jī)層14和陰極層13位于陽極層12的頂部。也可以按照相反的jl,形成陽^il和陰極層，即陰1SJ1首先 沉積玻璃IO:,然后是有機(jī)層，最后是陽極層。前述發(fā)光器件1,101中的每一個(gè)被提供了與陽極層12連接的第一金屬導(dǎo)體 5,105，以及與陰極層13連接的第二金屬導(dǎo)體8,108。應(yīng)該指出的是也可以設(shè)計(jì)只 有一個(gè)連接至陽極層或陰l服的金屬導(dǎo)體的發(fā)光器件。一W列子是，不透明的發(fā) 光器件。在這種情況下，陰極可以做得十分厚以樹共足夠的電導(dǎo)率。陽極， <雄 為采用rro制作，將{說術(shù)是薄的，并且這稱每需要第一金屬導(dǎo)體以避免頓降。下翻每總結(jié)包括具有陽極層12，陰豐跟13和有機(jī)層14的有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)2 的有機(jī)二極管器件1。陽極層12和陰極層13其中之一具有分布S^述結(jié)構(gòu)2的 表面15上的一組，數(shù)蟲區(qū)域19，20。阻擋層16氣密性地S^f述結(jié)構(gòu)2并被掛共和 所述iMa接觸區(qū)域19,20對準(zhǔn)的一組開口 23,24。金屬導(dǎo)體5被電鍍在所述阻擋層 16上并i!31該組開口 23,24和該組撤蟲區(qū)域19,20撤蟲。形成這種器件的方 ^括 形成結(jié)構(gòu)2，形成帶有該組開口 23,24的阻擋層16，以及^M述結(jié)構(gòu)2經(jīng)受電鍍 工藝以形i^屬導(dǎo)體5。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)二極管器件，包括具有陽極層(12)、陰極層(13)以及位于陽極層(12)和陰極層(13)之間的至少一有機(jī)層(14)的有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)(2)，陽極層(12)和陰極層(13)其中之一具有分布在所述結(jié)構(gòu)(2)的第一表面(15)上的第一組接觸區(qū)域(19，20)，阻擋層(16)，位于所述第一表面(15)上以氣密性地覆蓋所述結(jié)構(gòu)(2)，所述阻擋層(16)具有與所述第一組接觸區(qū)域(19，20)對準(zhǔn)的第一組開口(23，24)，以及至少一個(gè)第一金屬導(dǎo)體(5)，被電鍍在所述阻擋層(16)上并通過所述阻擋層(16)中的所述第一組開口(23，24)與所述第一組接觸區(qū)域(19，20)接觸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)二極管器件，其中所避少一個(gè)第一金屬導(dǎo) 僻5)^/^述第^^面(15)上形成網(wǎng)格。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l-2任一項(xiàng)所述的有機(jī)二極管器件，其中所超少一個(gè)第一 金屬導(dǎo)辨5)有0.5-100 u m的厚度(T)。
4、 根據(jù)權(quán)禾腰求1-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)二極管器件，其中電鍍基嵐27)沉積 在所述阻擋嵐16)上以在每一所述第一組撤蟲區(qū)敏19, 20)和所述至少一個(gè)第一金 屬導(dǎo)俠5)之間形成接觸片(26)。
5、 根據(jù)權(quán)禾腰求14任一項(xiàng)所述的有機(jī)二極管器件，其中所蹈少一個(gè)第一 金屬導(dǎo)^(5)ffiM^述阻擋嵐16)中的所述第一組開口(23,24)與陽l職12)^M，所 述第一組開口(23,24)與陽豐職12)的所述第一組t數(shù)蟲區(qū)織19,20)對準(zhǔn)，至少一個(gè)第 二金屬導(dǎo)晰8)被電鍍在所述阻擋嵐16)上以M31阻擋嵐1Q中的第二組開口(M)與 陰極嵐13)!劍蟲，所述第二組開口(25)與陰極嵐13)的第二組撤蟲區(qū)戮22)對準(zhǔn)，第 二組接觸區(qū)塽22)分布i^;M第"^面(15)上，所述第一和第二金屬導(dǎo)^(5,8)相互 隔離。
6、 一種形成有機(jī)二極管器件的方法，包f涉驟-ilil在陽極離12)和陰極貫13)之間掛共至少一個(gè)有機(jī)嵐14)形成有機(jī)二極管 結(jié)構(gòu)(2),陽極層(12)禾,極層(13)其中之一被掛^^布1^萬述結(jié)構(gòu)(2)的第1面(15) 上的第一組織蟲區(qū)壞19，20)，i5^f述第-,歐15)上形成阻擋JKl6)以氣密性地aM^述結(jié)構(gòu)(2)，所述阻擋 嵐16)被撒共與所述第一組織蟲區(qū)織1^0)對準(zhǔn)的第一組開口(23,24)，以及使被所述阻擋嵐16)覆蓋的所述結(jié)構(gòu)(2)經(jīng)受電鍍工藝，其中所述陽*職12)和陰極層(13)其中之一被連接至電鍍槽(34)中的終端(33)之一以便導(dǎo)電金屬被電鍍 在第一組接觸區(qū)域(19,20)上，從而在所述第一表風(fēng)15)上形成至少第一金屬導(dǎo)體(5)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包職驟在4妙萬述結(jié)構(gòu)(2)經(jīng)受電 4紅藝之前，樹共隔離嵐28)以g^/f述第1面(15)上不希望電鍍的那些區(qū)域。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包鄉(xiāng)驟所述4妙萬述結(jié)構(gòu)(2)經(jīng)受 電鍍工藝的步mt后去除所述隔離貫28)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包^^驟在形i^^述阻擋 嵐16)的步驟和{妙萬述結(jié)構(gòu)(2)經(jīng)受電鍍工藝的步驟之間，為改善所述第一組t數(shù)蟲 區(qū)敏19,20)和電鍍槽(34)中的電鵬te間的電，凝蟲，i^/f述阻擋嵐16)頂部沉積一 層導(dǎo)電材料的電鍍基貫27)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包鄉(xiāng)驟^M述4妙萬述結(jié)構(gòu)(2) 經(jīng)受電鍍工藝的步驟之后，去除電鍍基層(27沐被所蹈少一個(gè)第一金屬導(dǎo)晰5)覆蓋的那些部分的至少一部分。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其中沉積電鍍基層的步驟包括沉積電鍍基層作為結(jié)構(gòu)化層。
全文摘要
一種有機(jī)二極管器件(1)，包括具有陽極層(12)，陰極層(13)和有機(jī)層(14)的有機(jī)二極管結(jié)構(gòu)(2)。陽極層(12)和陰極層(13)其中之一具有分布在所述結(jié)構(gòu)(2)的面(15)上的一組接觸區(qū)域(19，20)。阻擋層(16)氣密性地覆蓋所述結(jié)構(gòu)(2)并被提供與所述的一組接觸區(qū)域(19，20)對準(zhǔn)的一組開口(23，24)。金屬導(dǎo)體(5)被電鍍在所述阻擋層(16)上并通過該組開口(23，24)與該組接觸區(qū)域(19，20)接觸。一種形成這種器件的方法包括形成結(jié)構(gòu)(2)，形成帶有該組開口(23，24)的阻擋層(16)，使所述結(jié)構(gòu)(2)經(jīng)受電鍍工藝以形成金屬導(dǎo)體(5)。
文檔編號H01L51/00GK101326655SQ200680035924
公開日2008年12月17日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月28日
發(fā)明者E·W·A·揚(yáng), H·利夫卡 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司