專利名稱：以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明諸實施例涉及與功率管理系統(tǒng)相關(guān)的集成電路器件和封裝的 領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
市場上可得到許多種集成電路來幫助進行功率管理任務(wù)，例如控制 DC到DC電壓轉(zhuǎn)換或作為恒流控制器。DC/DC轉(zhuǎn)換器電路常用作負載點(POL)功率源，以從路由于例如 中間總線架構(gòu)(IBA)的系統(tǒng)周圍的單"塊"電壓中驅(qū)動許多種半導(dǎo)體器 件。通常，POL轉(zhuǎn)換器電路放置在每個半導(dǎo)體器件旁邊，并且將單個IBA 電壓偏移到每個集成電路所需要的不同電壓電平。典型地，DC/DC轉(zhuǎn)換 器驅(qū)動諸如FPGA、；縱處理器、DSP、 ADC、 SDRAM、上/下轉(zhuǎn)換器等的 器件。DC/DC轉(zhuǎn)換器電路還常用在包括可再充電電池的系統(tǒng)中。這些應(yīng)用 的特點是便攜性(大小、重量等)和從單次充電開始的服務(wù)期限。例如， DC/DC轉(zhuǎn)換器電路的效率直接影響電池充電之間的從蜂窩電話可得到的 待機和通話時間。電流控制產(chǎn)品通?？蓺w為兩類恒流控制器和恒流源。恒流控制器接 受恒定DC電壓并將其轉(zhuǎn)換為恒流輸出。當(dāng)輸入電壓遭受變化或不穩(wěn)定 時，首先使用DC/DC轉(zhuǎn)換器來穩(wěn)定DC電壓，然后恒流控制器接受該穩(wěn) 定電壓并輸出恒定電流。恒流源通常包括DC/DC轉(zhuǎn)換器和恒流控制器。許多集成電路(IC )制造商提供的DC/DC轉(zhuǎn)換器和電流控制器是僅 提供電路功能基本工作的硅芯片。于是最終用戶必須選擇圍繞集成電路的 多達約22個其它部件以便創(chuàng)建完整的電路方案。電路板布局和這些部件 的選擇影響諸如效率、紋波電壓、可靠性等的關(guān)鍵領(lǐng)域的最終性能。遺憾 的是，集成電路制造商所限定的這些關(guān)鍵特征與用戶添加外部部件而完成 板上電路時實現(xiàn)的性能特征可能并不相同。因此，由于直到所有部件第一 次聚集在例如印刷電路板上時用戶的部件集合才成為完整的電路功能，所 以該功能必須作為該板上的子系統(tǒng)功能而被測試。賓夕法尼亞州Malvern的Vishay Intertechnology 7>司當(dāng)前提供若干 版本的FunctionPAK DC/DC轉(zhuǎn)換器和電流控制模塊。FunctionPAK^產(chǎn) 品是單個貼裝(例如BGA)封裝的完整功率管理系統(tǒng)。有利地，這種產(chǎn) 品是單個模塊的完整功率管理功能。該單個封裝包含所有電路部件，并且裝進行全面測試。FunctionPAI^功率管理產(chǎn)品通常包括多芯片模塊(MCM )電路封裝。 通常，術(shù)語MCM指一種包括兩個或更多電路元件的封裝，通常包括至少 一個集成電路以及耦合電路元件與封裝接觸件的互連襯底。MCM器件傳 統(tǒng)上包括例如疊層襯底(例如FR4印刷電路板)、薄膜沉積、表面層合電 路(SLC)和/或陶瓷襯底。圖1A圖示了包括安裝在多層印刷電路板(PCB)上的許多單獨芯片 器件、無源部件和其它零件的示例MCM的頂視圖。例如，該示例MCM 包括集成電路器件l、電感器2、多個無源部件(例如電阻器和/或電容器) 3以及多層印刷電路板(PCB) 4。這些器件和印刷電路板可被模制于塑 料中從而產(chǎn)生單個封裝。圖1A還示出了被才莫制于塑料包封5中的部件的 側(cè)截面圖。圖IB圖示了示例MCM的另一頂視圖。圖1C圖示了供利用 陣列(BGA)封裝技術(shù)的多芯片模塊中使用 的示例PCB的底視圖。圖1C圖示了示例艱鼢陣列球6， ^陣列球6用作將多芯片模塊的電路與下一電子組件(例如安裝到處理器"母"板的其它部件)耦合的封裝接觸件。圖1C圖示了用于耦合MCM的各部件與封 裝接觸件(例如"球")的示例跡線7。FunctionPAI^或MCM提供了完整方案并且提供了許多優(yōu)點，例如， MCM節(jié)省了空間和重量，簡化了最終產(chǎn)品設(shè)計/開發(fā)，減少了部件數(shù)， 減少了組裝成本并節(jié)省了測試時間，而且加速了上市時間?；贛CM設(shè)計的當(dāng)前FunctionPAK^功率管理產(chǎn)品在某些情況下可 能具有如下若干電和熱局限1)薄銅層所導(dǎo)致的非期望寄生電阻；2)封 裝引腳所導(dǎo)致的非期望寄生電感；有限的載流能力；3)寄生和不良熱性 能的組合效應(yīng)所導(dǎo)致的非期望的降低的效率；4)由于使用包封在導(dǎo)熱性 不良的才莫料中的經(jīng)封裝珪器件(控制驅(qū)動器和功率MOSFET)而導(dǎo)致的 非期望功率密度；5 )(限制了額定工作溫度和電流的)高開關(guān)損耗所導(dǎo)致 的非期望開關(guān)頻率；以及6)所用材料的不良導(dǎo)熱性所導(dǎo)致的非期望熱性 能。此外，使用多層PCB作為具有BGA重路由連接的襯底的 FunctionPAK MCM的設(shè)計可能提供不良的熱效率和不良的熱沉。因此， 電路和有源器件的工作和可靠性可能會受影響。如上所述，當(dāng)MCM被模 制于塑料中時，每個獨立部件的熱耗散元件變得低效。圖2A圖示了另一設(shè)計，該設(shè)計針對MOSFET器件(高邊11和低邊 12 )使用貼裝部件(安裝在銅上)，且針對DC到DC轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)使用驅(qū) 動器/控制器10。然而，此方案不是完整功率管理系統(tǒng)，因為其不包括這 種系統(tǒng)中所需要的無源部件。圖2B圖示了圖2A中的設(shè)計的經(jīng)封裝頂邊20以及同一視角的x射 線圖30。圖2C圖示了圖2A和2B中的設(shè)計的封裝機喊圖。封裝底視圖34圖 示了用作熱沉(31、 32和33)的引線框或金屬底。遺憾的是，由于完整 設(shè)計所需要的無源部件未被包括，所以此設(shè)計未提供完整系統(tǒng)方案。發(fā)明內(nèi)容因此，在此描述并^^用貼裝封裝來實現(xiàn)一種完整功率管理系統(tǒng)。該系 統(tǒng)可被引入DC到DC轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，且該系統(tǒng)在貼裝封裝中包括驅(qū)動器 /控制器、MOSFET晶體管、無源部件(例如電感器、電容器、電阻器) 和任選的二極管。在各種實施例中，MOSFET晶體管可替換為絕,雙極晶體管IGBT。該系統(tǒng)還可以是功率管理系統(tǒng)、智能功率模塊、電流控 制器或運動控制系統(tǒng)。無源部件可連接在引線框連接之間?？墒褂媒饘賷A 接合技術(shù)將有源部件與引線框耦合。在一個實施例中，暴露的金屬底可充 當(dāng)有效熱沉。使用貼裝封裝的優(yōu)點包括較高的額定電流、減小的寄生效應(yīng)和較高的 效率。此外，本發(fā)明諸實施例提供較高的功率耗散、較低的熱阻以及下一 級組件上較小的占地面積。諸實施例還提供較低的組裝成本。根據(jù)本發(fā)明諸實施例，標準貼裝封裝(SMP)與暴露的金屬底一起 使用。該封裝可采用銅引線框來替代多層FR4襯底材料(PCB )和BGA 連接。因此，筒化了組裝過程并降低了產(chǎn)品成本。此夕卜，大大增強了 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能和可靠性。使用SMP具有許多優(yōu)點。該封裝中的銅引線框比MCM FunctionPAK^中所使用的銅引線框厚得多。因此，與傳統(tǒng)FunctionPAK 相比，寄生電阻顯著降低。另一優(yōu)點是在MOSFET的源極和漏極上使用 金屬(例如銅)夾，其改善了 MOSFET的熱和電性能。還可在二極管上 使用金屬夾。而且，與MCMFunctionPAK^相比，SMP可處理大得多的 電流，這是因為較高電流造成較大功率損耗，其不能借助MCM FunctionPAK^構(gòu)造的高熱阻率來耗散。此外，SMP可產(chǎn)生較高的效率，這是因為其顯著降低了寄生電感和 相關(guān)的開關(guān)損耗，并且其具有良好的熱性能。而且，SMP具有較高的功 率密度，這是因為其良好的熱性能可耗散較大功率，并且其由于硅片無封 裝而是較緊湊的。而且，SMP可使電路在較高的開關(guān)頻率下工作，這是 因為其降低了開關(guān)損耗并且其具有低得多的熱阻率。SMP消除了電部件的內(nèi)部封裝要求。沒有內(nèi)部封裝，棵露的電路部 件由于引線框的高熱導(dǎo)率而將具有較好的熱性能，并且由于較小的寄生電 感而將具有較好的電性能。此外，因為無需內(nèi)部封裝，所以SMP可導(dǎo)致 較少的成本?？梢詳U展SMP實施例以為功率MOSFET應(yīng)用(在一些示例應(yīng)用中 諸如功率管理、智能(智慧型)功率模塊、DC-DC轉(zhuǎn)換器和運動控制系 統(tǒng))提供新的集成平臺。


圖1A是現(xiàn)有技術(shù)的MCM的未經(jīng)模制的視圖。圖IB是現(xiàn)有技術(shù)的MCM的未經(jīng)模制的視圖。圖1C是現(xiàn)有技術(shù)的MCM的BGA的底視圖。圖2A是現(xiàn)有技術(shù)的使用貼裝技術(shù)的不完整系統(tǒng)的頂視圖。圖2B是圖2A中的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計的頂視圖。圖2C是圖2A中的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計的頂視圖和底視圖。圖3A和圖3B圖示了利用了具有金屬底的無引線貼裝封裝的完整功 率管理系統(tǒng)的本發(fā)明諸實施例。圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例對有源部件使用金屬夾接合以改善系 統(tǒng)的電和熱特性。圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明的器件的制造過程。圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例使用電隔離襯底來利用內(nèi)部連接將無 源部件組合。圖7A和圖7B圖示了本發(fā)明諸實施例的平面圖。圖8圖示了根據(jù)本發(fā)明的器件的底視圖，并且圖示了暴露的引線框構(gòu)造。圖9A圖示了本發(fā)明的經(jīng)模制的示例實施例的透視圖。圖9B圖示了本發(fā)明的未經(jīng)模制的示例實施例的透視圖。圖10A圖示了本發(fā)明的示例實施例的平面圖。圖10B圖示了本發(fā)明的未經(jīng)模制的示例實施例的透視圖。圖11A圖示了本發(fā)明的示例實施例的透^L圖。圖11B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構(gòu)造的透視圖。圖12A圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構(gòu)造的透視圖。圖12B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構(gòu)造的平面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在詳細參考本發(fā)明(以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng))的 優(yōu)選實施例，其例子在附圖中示出。盡管將結(jié)合優(yōu)選實施例描述本發(fā)明但應(yīng)理解，它們并非旨在將本發(fā)明局限于這些實施例。相反，本發(fā)明旨在 覆蓋可被包括在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的替選方案、 修改和等同設(shè)置。此外，在下面的本發(fā)明詳細描述中，闡明了許多特定細 節(jié)以便提供本發(fā)明的全面理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，可以 無需這些特定細節(jié)而實踐本發(fā)明。在其它情況下，沒有詳細描述公知方法、 過程、部件和電路以免不必要地使本發(fā)明諸方面模糊不清。圖3A和圖3B圖示了利用了具有金屬底的無引線貼裝封裝的完整功 率管理系統(tǒng)100的本發(fā)明諸實施例。該系統(tǒng)可以是任何功率管理應(yīng)用，例 如DC到DC轉(zhuǎn)換器、恒流控制器、運動控制系統(tǒng)或智能功率模塊等。根 據(jù)圖3中的實施例，該系統(tǒng)包括控制器/驅(qū)動器集成電路101(例如Vishay Siliconix的集成電路部分Si91966 "高頻可編程拓樸控制器")、MOSFET 晶體管(HiMOS 103和LoMOS 102 )、以及多個無源部件(其中Cn是電 容器，Ln是電感器，Rn是電阻器)。有利地，如Ll等所示，無源部件 連接在金屬引線框構(gòu)造的引線柱之間。例如，示出電感器Ll設(shè)置在引線框部分105和引線框部分106之間。 應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明諸實施例，電感器L1可與引線框部分105和引線框 部分106電耦合。任選地，可用類似方式連接二極管Dl。引線框可包括 銅或適用于引線框的其它材料，例如鋁、金以及其它金屬和合金。根據(jù)本 發(fā)明諸實施例，引線框可以是多層的。應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明的諸實施例很適合于對部件使用工業(yè)標準貼裝封 裝。例如，可以以美國電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(JEDEC)標準封裝 (例如"0201"或"01005")提供電阻器和/或電容器。標準部件的這種 使用提供了許多優(yōu)點，包括例如多個源和容易獲得的拾放技術(shù)。根據(jù)Tsui等人的于2000年5月23日授權(quán)的標題為"Separate Circuit Devices in an Intra-Package Configuration and Assembly Techniques"的 美國專利號6,066,8卯(其通過引用結(jié)合于此)中所描述的技術(shù)，本發(fā)明 諸實施例可將無源部件連接到引線框。無源部件可連接在引線框的元件之 間，以便減小寄生效應(yīng)(例如電感和/或電容)并且節(jié)省器件空間(例如 允許減小系統(tǒng)尺寸)。根據(jù)本發(fā)明的諸實施例可利用金屬(例如銅)夾掩^ 110來將有源部 件連接到引線框。這改善了系統(tǒng)的熱和電特性。所述有源部件包括驅(qū)動器 /控制器和MOSFET驅(qū)動器。應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明諸實施例，使用具有金屬底的無引線貼裝封裝來安裝圖3A和圖3B中的完整功率管理系統(tǒng)100。如下面進一步所述，金 屬底可提儉使系統(tǒng)100的熱量耗散的有效熱沉。應(yīng)進一步理解，MOSFET 晶體管可替換為可用于移動控制系統(tǒng)的絕,雙極晶體管(IGBT )。圖4圖示了系統(tǒng)的頂視圖，并且圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例使用金屬夾 接合以改善系統(tǒng)的電和熱特性。如上所述，系統(tǒng)的有源部件例如驅(qū)動器/ 控制器(例如圖3B中的驅(qū)動器/控制器101)和MOSFET晶體管(例如 圖3B中的LoMOS 102和/或圖3B中的HiMOS 103 )可使用金屬(例如 銅)夾齡連接到引線框以便改善器件的電和熱特性。圖4圖示了金屬夾 111、 112、 113、 114、 115和116的頂部。應(yīng)理解，被圖示為經(jīng)由金屬夾 接合連接的部件被模糊。圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明的器件的制造的示例過程120。過程120開始 于在121形成引線框。引線框可通過傳統(tǒng)手段形成，例如沖壓并彎曲。在 122，放置包括集成電路和無源部件的部件。根據(jù)本發(fā)明諸實施例， 一些部件(例如集成電路)可利用線M耦合 到引線框和/或其它部件。在123，貼，合例如通過汽相或紅外工藝進行回流。在124,器件 和引線框被外模制有塑料包封，形成單個封裝。在125，對該封裝進行激 光打標以便標識。在126，去除例如模制縫的"飛邊(flash)"或注塑機 澆口的"口 (gate)"的模制過程的過多塑料。在127，對引線框的暴露部分進行電鍍，以獲得環(huán)境穩(wěn)定性并提高它 們對于下一級組件的可焊接性。在128,單切(singulate)封裝。在129， 測試器件。然后將通過測試的那些器件封裝在例如帶和巻軸中130。圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例使用電隔離襯底來利用內(nèi)部連接將無 源部件組合。在此實施例中，電隔離襯底131 (例如陶瓷)可利用內(nèi)部連 接將若干無源部件組合。然后這種隔離襯底可與引線框的部分和/或其它 部件耦合。圖7A和圖7B圖示了根據(jù)本發(fā)明諸實施例的完整功率管理系統(tǒng)700 的平面圖。示出MOSFET 701在右上角。示出電感器702直接安裝到引 線框的"跨越"部分。在本例中，還使用了二極管Dl 703?？墒褂媒饘?(例如銅)夾接合技術(shù)將該二極管連接到引線框。圖7B圖示了具有示例 尺寸的示例設(shè)計。圖8圖示了根據(jù)本發(fā)明的完整系統(tǒng)(其使用無引線貼裝封裝)的底視 圖，并且圖示了暴露的引線框構(gòu)造140。在本發(fā)明的此實施例中，位于器 件底上的暴露的引線框充當(dāng)熱耗散的有效熱沉。圖9A圖示了本發(fā)明的經(jīng)模制的示例實施例的透視圖。在本實施例中， 器件300包括具有覆蓋模制塑料封裝的系統(tǒng)100。示出了該塑料模的略圖， 圖示了內(nèi)部部件。圖9B圖示了本發(fā)明的未經(jīng)模制的示例實施例的透視圖。示出完整系 統(tǒng)100具有驅(qū)動器/控制器50、 MOSFET晶體管以及無源部件R， L和C。 示出驅(qū)動器/控制器50與電感器Ll耦合。示出其它無源部件與引線框連 接。圖10A圖示了本發(fā)明的示例實施例的平面圖。如圖所示，完整系統(tǒng) 100包括跨引線框而連接的無源部件(Cn、 Ln、 Rii )，并且還包括驅(qū)動器 /控制器50和MOSFET晶體管。圖10B圖示了本發(fā)明的未經(jīng)模制的示例實施例的透視圖。如圖所示， 完整系統(tǒng)100包括跨引線框而連接的無源部件(Cn、 Ln、 Rn )，并且還 包括驅(qū)動器/控制器50和MOSFET晶體管。圖11A圖示了本發(fā)明的示例實施例的透^L圖。如圖所示，完整系統(tǒng) 100包括跨引線框而連接的無源部件(Cn、 Ln、 Rn ),并且還包括驅(qū)動器 /控制器50和MOSFET晶體管。圖11B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構(gòu)造的透視圖。這圖示 了系統(tǒng)的底部。引線框是金屬。引線框被用作熱耗散的有效熱沉。圖12A圖示了部件 露的本發(fā)明的示例實施例的引線框構(gòu)造的透 視圖。圖12B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構(gòu)造的平面圖。這圖示 了系統(tǒng)的底部。引線框是金屬。引線框被用作熱耗散的有效熱沉。為了說明和描述的目的而提供了本發(fā)明(以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整 功率管理系統(tǒng))特定實施例的以上描述。其并非旨在為窮舉性的或?qū)⒈景l(fā) 明局限于所公開的精確形式，顯然根據(jù)上述教導(dǎo)可以作出許多修改和變 化。選擇并描述實施例以便最佳地解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而 使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠最佳地利用本發(fā)明以及適合于所考慮的特定應(yīng) 用的帶有各種修改的各種實施例。本發(fā)明的范圍旨在由所附權(quán)利要求及其 等同設(shè)置來限定。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括控制器集成電路；與所述控制器集成電路耦合的功率MOSFET晶體管；多個無源部件，其中包括至少一個電感器；其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件在功能上耦合以實現(xiàn)完整功率管理系統(tǒng)；其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被安裝到金屬引線框；并且其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被包封在塑料中以形成單個封裝。
2. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，所述金屬引線框的一部分暴露 于所述封裝的背面。
3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述金屬引線框的所述部分被 設(shè)置成與印刷電路板熱耦合。
4. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，所述金屬引線框包括銅。
5. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，進一步包括金屬夾接合。
6. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，進一步包括金屬夾接合。
7. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，所述多個無源部件包括二極管。
8. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，所述至少一個電感器的端子直 接安裝到并且電連接到所述引線框的部分。
9. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，所述控制器集成電路、所述功 率MOSFET晶體管和所述多個無源部件通過非襯底耦合在功能上耦合。
10. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，所述引線框的一部分提供將所 述多個無源部件中的至少兩個單獨無源部件的端子耦合的電路徑。
11. 如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述至少兩個單獨無源部件 直接安裝到所述引線框的所述部分。
12. —種i殳備，包括完整功率管理系統(tǒng)，其包括 控制器集成電路；與所述控制器集成電路耦合的功率MOSFET晶體管；多個無源部件，其中包括至少一個電感器；且其中，所述控制器 集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件在功能上 耦合以實現(xiàn)所述完整功率管理系統(tǒng)；并且其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述 多個無源部件被設(shè)置在無引線貼裝封裝上。
13. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述無引線貼裝封裝進一步 包括暴露的金屬底。
14. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述暴露的金屬底起到熱耗 散的熱沉的作用。
15. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述多個無源部件進一步包 括電阻器和電容器。
16. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述多個無源部件中的每個 部件被耦合在金屬引線框的引線柱之間，所述金屬引線框耦合所述控制器 集成電路與所述功率MOSFET晶體管。
17. 如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中，所述金屬引線框包括銅。
18. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進一步包括二極管。
19. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，使用金屬夾接合將所述控制 器集成電路和功率MOSFET晶體管連接到引線框。
20. 如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，所述金屬夾包括銅。
21. 如權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，使用金屬夾^連接所述二 極管。
22. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)是DC 到DC轉(zhuǎn)換器。
23. 如權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中，所述無引線貼裝封裝包括用 于接受DC輸入電壓的第一封裝接觸件和用于供給經(jīng)調(diào)節(jié)的DC輸出電壓 的第二封裝接觸件。
24. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)是運動控制電路。
25. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)是智 能功率模塊。
26. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)包括 恒流控制器。
27. 如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，所述無引線貼裝封裝包括用 于接受DC輸入電壓的第一封裝接觸件和用于供給恒定輸出電流的第二 封裝接觸件。
28. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述控制器集成電路和所述 功率MOSFET晶體管通過非襯底耦合在功能上耦合。
29. —種DC到DC轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，包括 控制器集成電路；與所述控制器集成電路耦合的功率MOSFET晶體管；以及多個無源部件，包括電感器、電阻器和電容器；且其中，所述控制 器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被設(shè)置在具 有暴露的金屬底的無引線貼裝封裝上。
30. 如權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其中，所^露的金屬底起到熱耗 散的熱沉的作用。
31. 如權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其中，所述多個無源部件中的每個 部件被耦合在引線框的引線柱之間，所述引線框耦合所述控制器集成電路 與所述功率MOSFET晶體管。
32. 如權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，進一步包括二極管。
33. 如權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其中，使用金屬夾接合將所述驅(qū)動 器集成電路、控制器集成電路和功率MOSFET晶體管連接到引線框。
34. 如權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其中，所述金屬是銅。
全文摘要
一種以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng)。該系統(tǒng)可被引入DC到DC轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，且該系統(tǒng)在無引線貼裝封裝中包括驅(qū)動器/控制器、MOSFET晶體管、無源部件(例如電感器、電容器、電阻器)和任選的二極管。在各種實施例中，MOSFET晶體管可替換為絕緣柵雙極晶體管IGBT。該系統(tǒng)還可以是功率管理系統(tǒng)、智能功率模塊或運動控制系統(tǒng)。無源部件可連接在引線框連接之間?？墒褂媒饘賷A接合技術(shù)將有源部件與引線框耦合。在一個實施例中，暴露的金屬底可充當(dāng)有效熱沉。
文檔編號H01L23/31GK101283449SQ200680027240
公開日2008年10月8日 申請日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月1日
發(fā)明者弗蘭克·郭, 森 毛, 白宇明, 穆罕默德·卡塞姆, 薩姆·郭, 金·沃揚 申請人:金·沃揚;弗蘭克·郭;薩姆·郭;穆罕默德·卡塞姆;毛 森;白宇明