專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片的電極通過突起電極(凸塊)與布線基板上的導(dǎo)體布線電連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在布線基板上的導(dǎo)體布線上形成有突起電極(凸塊)，半導(dǎo)體芯片的電極通過該凸塊與導(dǎo)體布線電連接的半導(dǎo)體裝置，已知有用于液晶驅(qū)動器等的膜上凸塊(BOFBμmp On Film)等的組件。安裝半導(dǎo)體芯片的布線基板，大多采用在聚酰亞胺等膜基材上形成了布線的帶狀載體基板。
作為在膜基材上的導(dǎo)體布線上通過凸塊電連接了半導(dǎo)體芯片的電極的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的例子，下面參照附圖對日本特開2004-327936號公報中記載的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。
圖11是表示現(xiàn)有的BOF的一構(gòu)成例的半導(dǎo)體裝置的斷面圖。該半導(dǎo)體裝置，在帶狀載體基板9上放置半導(dǎo)體芯片1，半導(dǎo)體芯片1的電路面及帶狀載體基板9的連接部具有用密封樹脂8保護(hù)的結(jié)構(gòu)，主要用作液晶顯示器等的平板顯示器的驅(qū)動用驅(qū)動器。
帶狀載體基板9的主要要素包括柔軟的絕緣性膜基材5、在膜基材5的面上形成的導(dǎo)體布線6、及在導(dǎo)體布線6上設(shè)置的凸塊14。凸塊14在膜基材5上的導(dǎo)體布線6中的、與半導(dǎo)體芯片1上的電極2相對的位置配置的導(dǎo)體配線6上形成。在導(dǎo)體配線6上根據(jù)需要形成金屬鍍覆覆膜及絕緣樹脂的焊料阻擋層。一般來說，作為膜基材5使用聚酰亞胺，作為導(dǎo)體布線6使用銅。
為了將膜基材5上的導(dǎo)體布線6和半導(dǎo)體芯片1上的電極2，通過凸塊14進(jìn)行電連接，通過從半導(dǎo)體芯片的上表面例如施加超聲波振動，來接合在膜基材5的導(dǎo)體布線6上形成的凸塊14和半導(dǎo)體芯片1的電極2。
在上述用現(xiàn)有的BOF的連接方法中，如上所述，由于通過在半導(dǎo)體芯片上施加超聲波振動，直接接合在膜基材的導(dǎo)體布線上形成的凸塊和半導(dǎo)體芯片的電極，所以存在容易對半導(dǎo)體芯片的電極下造成裂縫等機(jī)械損傷的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有問題而提出的。其目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，降低由通過凸塊將半導(dǎo)體芯片的電極與膜基材上的導(dǎo)體布線進(jìn)行電連接用的超聲波振動引起的、對半導(dǎo)體芯片電極下的機(jī)械損傷。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括布線基板，在絕緣基材上排列設(shè)置有多個導(dǎo)體布線，在上述導(dǎo)體布線上形成各個基板凸塊以覆蓋上述導(dǎo)體布線的上表面及兩側(cè)面，并對上述基板凸塊施行了金屬鍍覆；及半導(dǎo)體芯片，安裝在上述布線基板上；上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線通過上述基板凸塊連接。為了解決上述問題，其特征在于在上述半導(dǎo)體芯片的電極上形成有芯片凸塊；通過上述芯片凸塊和上述基板凸塊的接合，上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線相連接，剝?nèi)ド鲜鼋雍系牟糠值纳鲜龌逋箟K的鍍覆的一部分，形成了向上述芯片凸塊和上述基板凸塊的接合面的外側(cè)突出的突出部。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在布線基板上放置半導(dǎo)體芯片，該布線基板在絕緣基材上排列設(shè)置多個導(dǎo)體布線，在上述導(dǎo)體布線上形成各個基板凸塊以覆蓋上述導(dǎo)體布線的上表面及兩側(cè)面，并對上述基板凸塊施行了金屬鍍覆；通過上述基板凸塊連接上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線來安裝上述半導(dǎo)體芯片。為了解決上述問題，其特征在于，包括在上述半導(dǎo)體芯片的電極上形成芯片凸塊的工序；及將上述芯片凸塊和上述基板凸塊接合，在這時削去上述基板凸塊的、與上述芯片凸塊的接合面的表層鍍覆的一部分而向周邊突出的工序。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的斷面圖；圖2A是表示圖1的主要部分的斷面圖，圖2B是表示對圖2A的一部分放大表示的斷面圖；圖3是表示連接不良狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的斷面圖；圖4是表示圖3的主要部分的斷面圖；圖5是表示連接良好狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的凸塊的接合部的斷面照片；圖6是表示連接不良狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的凸塊接合部的斷面照片；圖7A是表示凸塊接合部的連接良好狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置與連接不良狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的剪切(shear)強(qiáng)度測量方法的斷面圖，圖7B是表示測量結(jié)果的比較數(shù)據(jù)的圖；圖8A1～8F1是表示用于本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置制造方法的帶凸塊的帶狀載體基板制造工序的平面圖，圖8A2～8F2是表示對應(yīng)于圖8A1～8F1的斷面圖；圖9A是對使用于本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的帶凸塊的帶狀載體基板的凸塊部分放大表示的斜視圖，圖9B是該圖的平面圖，圖9C是沿著圖9B的B-B’線的斷面圖，圖9D是沿著圖9C的C-C’線的斷面圖；圖10A、10B是表示該制造方法中向帶狀載體基板接合半導(dǎo)體芯片的工序的斷面圖；
圖11是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的斷面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括布線基板，在絕緣基材上排列設(shè)置多個導(dǎo)體布線，在上述導(dǎo)體布線上形成各個基板凸塊以覆蓋其上面及兩側(cè)面，并對上述基板凸塊上施行了金屬鍍覆；及半導(dǎo)體芯片，安裝在上述布線基板上。在上述半導(dǎo)體芯片的電極上形成有芯片凸塊；通過上述芯片凸塊和上述基板凸塊的接合，連接了上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線。剝?nèi)ド鲜鼋雍系牟糠值纳鲜龌逋箟K的鍍覆的一部分，形成有向上述芯片凸塊和上述基板凸塊的接合面的外側(cè)突出的突出部。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，剝?nèi)セ逋箟K的鍍覆頭頂部，該鍍覆突出部位于基板凸塊和芯片凸塊的接合部周邊，其一部分通過與芯片凸塊接合，得到穩(wěn)定的連接可靠性。
因此，在接合基板凸塊和芯片凸塊時使用了超聲波振動的情況下，也可以減少由超聲波振動引起的向半導(dǎo)體芯片的電極下的機(jī)械損傷，可以在基板凸塊和芯片凸塊之間形成堅固的連接狀態(tài)，可以提高裝置的可靠性。
在上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，最好是上述芯片凸塊的平坦部區(qū)域比與上述基板凸塊的接合區(qū)域大，上述基板凸塊的硬度比上述芯片凸塊的硬度低。
另外，最好是向上述接合面外側(cè)突出的上述基板凸塊的鍍覆的一部分，與上述芯片凸塊的鍍覆形成了合金。
另外，最好是上述基板凸塊的上述接合面的鍍覆厚度，與上述接合面以外部分的鍍覆厚度相比，成為1/3到1/8的厚度。
在上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，最好是上述基板凸塊采用硬度比上述芯片凸塊低的材料，在接合上述芯片凸塊和上述基板凸塊時，不會使上述芯片凸塊變形，使上述基板凸塊的頭頂部變形成平坦?fàn)钸M(jìn)行接合。
另外，最好是在接合上述芯片凸塊和上述基板凸塊時，接合成上述基板凸塊的上述接合面的鍍覆厚度比上述接合面以外部分的鍍覆厚度薄。
下面，參照附圖對表示本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法進(jìn)行具體說明。
(實(shí)施方式1)圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的斷面圖。圖2A是表示該半導(dǎo)體裝置的主要部分、即通過凸塊的連接部分的斷面圖，圖2B是放大表示該接合部位的A部分的斷面圖。該圖表示以良好的狀態(tài)連接的情況。
如圖1中所示，在半導(dǎo)體芯片1上設(shè)置的電極2上形成有芯片凸塊3。在電極2的周圍形成有保護(hù)膜4。帶狀載體基板9包括絕緣性的膜基材5、設(shè)置在膜基材5上的導(dǎo)體布線6、及形成在導(dǎo)體布線6的基板凸塊7。通過芯片凸塊3和基板凸塊7的接合，半導(dǎo)體芯片1的電極2和帶狀載體基板9的導(dǎo)體布線6進(jìn)行電連接。在半導(dǎo)體芯片1的電路面和帶狀載體基板9之間的連接區(qū)域填充有密封樹脂8，通過密封樹脂8保護(hù)、固定。
如圖2A及2B所示，芯片凸塊3由Ni基層31和Au表面層32構(gòu)成?；鶎油箟K7由Cu基層71和Au表面層72構(gòu)成。在芯片凸塊3和基板凸塊7之間的接合部13(參照圖2B)，示出Au表面層72變薄的狀態(tài)。即，剝?nèi)ソ雍喜?3的Au表面層72的一部分，向接合部13的外側(cè)突出，形成突出部73。
基板凸塊7的硬度比芯片凸塊3低，形成為覆蓋膜基材5上的導(dǎo)體布線6的上表面及兩側(cè)面。芯片凸塊3的厚度為5～10μm，與通常的凸塊相比是高度低的凸塊，形狀是在電極2上形成為平坦?fàn)?、做成覆蓋到電板2的周圍的保護(hù)膜4上的結(jié)構(gòu)。基板凸塊7的厚度為15～30μm，當(dāng)與芯片凸塊3比較時，形成帶圓形的形狀。因此，連接狀態(tài)在平坦的芯片凸塊3的中央，按壓帶圓形的基板凸塊7的頭頂部，使基板凸塊7的頭頂部的Cu基層71平坦化，芯片凸塊3的Au表面層32和基板凸塊7的Au表面層72，成為Au-Au接合連接的狀態(tài)。
芯片凸塊3的材質(zhì)，采用由無電解鍍覆可以形成膜的多種金屬。如上述一例，使用Ni(鎳)及Au，通過將這些金屬按Ni、Au的順序進(jìn)行無電解鍍覆來層形成凸塊。材質(zhì)并不限于該例，只要是通過無電解鍍覆可以形成膜的金屬，怎樣的金屬組合均可。例如也可以使用Pd、Pt、Cu等金屬。
另一方面，基板凸塊7的材質(zhì)是在由電解鍍覆形成的Cu基層71的表面，施行鍍Au形成Au表面層72的Au/Cu結(jié)構(gòu)。也可以是Au/Ni/Cu那樣的凸塊結(jié)構(gòu)。芯片凸塊3和基板凸塊7的硬度的關(guān)系，以維式硬度，芯片凸塊3為400(Hv)以上，基板凸塊7為100(Hv)以下即可。最好是芯片凸塊3的硬度為基板凸塊7的硬度的5倍以上。
下面，說明芯片凸塊3和基板凸塊7的連接機(jī)構(gòu)。在半導(dǎo)體芯片1的電極2上形成的芯片凸塊3、和形成為覆蓋膜基材5上的導(dǎo)體布線6的上表面及兩側(cè)面的基板凸塊7相互被壓接并施加超聲波時，硬度低的一方的基板凸塊7引起變形。即，成為帶圓形的基板凸塊7的頭頂部的Au表面層72被剝?nèi)サ臓顟B(tài)，剝?nèi)サ腁u表面層72在接合部周邊形成鍍Au的突出部73。鍍Au的突出部73的一部分與芯片凸塊3的Au表面層32接合。而且，基板凸塊7頭頂部的Au表面層72和芯片凸塊3的Au表面層32形成由堅固的Au-Au接合構(gòu)成的接合部13。接合部13的厚度比基板凸塊7頭頂部的Au表面層72的原來的厚度t(0.8～1.5μm)足夠薄，成為1/3t到1/8t的厚度。該1/3t到1/8t的厚度換句話說是比芯片凸塊3的Au表面層32的厚度(0.1～0.5μm)稍微厚的程度，從這一點(diǎn)也可以確認(rèn)由超聲波接合形成了足夠堅固的Au-Au接合。
接合機(jī)構(gòu)如下。即，在施加載荷和超聲波，并在基板凸塊7上按壓芯片凸塊3的過程中，Au表面層32、72的表面的雜質(zhì)被去除突出新生面，進(jìn)行接合，多余的鍍Au的突出部73，在接合的芯片凸塊3和基板凸塊7的周邊，與芯片凸塊的Au表面層32相接合。
如上所述，由于基板凸塊7的硬度比芯片凸塊3低，即，芯片凸塊3的硬度比基板凸塊7高，所以在它們接合時基板凸塊7頭頂部變形，施加在半導(dǎo)體芯片1的應(yīng)力被緩和。而且，帶圓形的基板凸塊7頭頂部的Au表面層72成為剝?nèi)サ臓顟B(tài)，剝?nèi)サ腁u表面層72在接合部13周邊形成鍍Au的突出部73。鍍Au的突出部73的一部分，與芯片凸塊3的Au表面層32進(jìn)行Au-Au接合，得到良好的接合狀態(tài)。
另外，芯片凸塊3的硬度比基板凸塊7高，沒有因接合產(chǎn)生的變形，所以接合載荷均勻地施加在電極2，可以減輕向半導(dǎo)體芯片1的機(jī)械損傷。
為了更明確說明本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及由該結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的效果，圖3表示連接不良狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置(不合格品)整體的斷面圖，圖4表示對圖3的一部分放大的斷面圖。
如圖3、圖4所示，在不合格品中，基板凸塊7的頭頂部變形，但是芯片凸塊3和基板凸塊7的接合部的基板凸塊7的Au表面層72的厚度，與不是接合部的部分的厚度大體相同。另外，基板凸塊7的頭頂部的Au表面層72未剝?nèi)ァ＿@樣的狀態(tài)得不到足夠的接合強(qiáng)度，有可能因密封樹脂8的熱膨脹、半導(dǎo)體裝置的安裝等處理時的機(jī)械應(yīng)力而產(chǎn)生接合不良。
圖5及圖6表示觀察這些合格品、不合格品的芯片凸塊3和基板凸塊7的接合狀態(tài)的照片。圖5是本實(shí)施方式的連接良好的狀態(tài)的接合部13的斷面照片，圖6是連接不良狀態(tài)的接合部13的斷面照片。
參照圖2A、圖4說明的狀態(tài)分別可以在圖5、圖6的照片中觀察。在圖5中可以觀察鍍Au的突出部73、和接合部13變薄的鍍Au。也可以觀察鍍Au的突出部73與芯片凸塊3的Au表面層32進(jìn)行Au-Au接合的情況。在圖6中，看芯片凸塊3和基板凸塊7的接合面，基板凸塊7的Au表面層72的厚度與不是接合面13的部分的厚度大體是相同的厚度。還可以確認(rèn)基板凸塊7的頭頂部的Au表面層72未剝?nèi)ァ?br> 圖7A、7B表示具有與本發(fā)明實(shí)施方式對應(yīng)的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的連接不合格品和連接合格品的剪切強(qiáng)度測量比較數(shù)據(jù)。圖7A表示測量方法。在水平方向以0.1mm/s的速度使剪切工具15接觸基板凸塊7，測量了到剪斷凸塊為止的最大強(qiáng)度。作為測量樣品，對圖5所示的本發(fā)明實(shí)施方式的連接良好的狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置、和圖6的連接不良狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置各測量了n＝6個。
圖7B表示測量結(jié)果。對于合格基準(zhǔn)的剪切強(qiáng)度7g來說，圖6的連接狀態(tài)未得到足夠的連接強(qiáng)度，都不能測量(0g)。另一方面，在圖5的本發(fā)明的實(shí)施方式的樣品中，得到了平均14.8g、最大值16.3g、最小值13.7g的結(jié)果。根據(jù)該結(jié)果，圖6的連接狀態(tài)(不合格品)，從觀察照片一看好像接合緊密，但可以判斷芯片凸塊3和基板凸塊7的Au-Au接合不堅固。另一方面，圖5的本發(fā)明實(shí)施方式的連接狀態(tài)，去除Au表面層32、72表面的雜質(zhì)，突出新生面進(jìn)行接合，鍍Au的突出部73的一部分也進(jìn)行了Au-Au接合，可以確保足夠的接合強(qiáng)度。
(實(shí)施方式2)下面對本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。
圖8表示用于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法的帶凸塊的帶狀載體基板制造工序。圖8A1～8F1是平面圖。圖8A2～圖8F2是放大表示與圖8A1的A-A’線對應(yīng)的位置的各平面圖的斷面的圖。
首先，如圖8A1所示，在長方形的膜基材5上的周圍4邊形成由前端朝向膜基材5內(nèi)側(cè)變細(xì)的多個導(dǎo)體布線6構(gòu)成的端子部。
接著，如圖8B1所示，在覆蓋導(dǎo)體布線6的膜基材5上，以均勻的厚度涂敷光致抗蝕劑10。
然后，如圖8C1所示，通過開長孔狀掩膜圖形11a的曝光掩膜11，對光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光。
然后，如圖8D1所示，進(jìn)行光致抗蝕劑10的顯影，形成長孔狀的圖形12。在開口的長孔狀圖形12中，以一定間隔突出導(dǎo)體布線6的一部分和膜基材5。
然后，如圖8E1所示，通過開口的長孔狀圖形12，對導(dǎo)體布線6施行鍍覆形成凸塊7。
然后如圖8F1所示，去除光致抗蝕劑10，完成帶凸塊的帶狀載體基板9。
圖9A～9D是如上那樣制作的本實(shí)施方式的帶凸塊帶狀載體基板的凸塊部分的放大圖。圖9A表示斜視圖，圖9B表示平面圖、圖9C表示圖9B的B-B’線的斷面圖，圖9D表示圖9C的C-C’線的斷面圖。以覆蓋膜基板5上的導(dǎo)體布線6的上表面及兩側(cè)面的方式形成有凸塊7。
圖10表示利用本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法在如上那樣制作的帶狀載體基板上安裝半導(dǎo)體芯片的工序。
首先，如圖10A所示，預(yù)先在帶狀載體基板9上涂敷密封樹脂8，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片1的芯片凸塊3、和帶狀載體基板9的基板凸塊7的位置對準(zhǔn)。這時的位置對準(zhǔn)，一般利用半導(dǎo)體芯片1的位置對準(zhǔn)標(biāo)記和膜基材5上的位置對準(zhǔn)標(biāo)記，使芯片凸塊3和基板7的位置對準(zhǔn)。
接著，進(jìn)行接合工序。即，在芯片凸塊3和基板凸塊7的位置對準(zhǔn)結(jié)束的狀態(tài)下，對半導(dǎo)體芯片1和帶狀載體基板9，通過接合工具(未圖示)，從半導(dǎo)體芯片1的背面(在圖中是上表面)，一邊增加對半導(dǎo)體芯片1的接合載荷并施加，使芯片凸塊3和基板凸塊7接合。這時的載荷為每1凸塊為0.1N～2.0N。這時，使接合部的溫度從100℃上升到300℃，在該接合時，同時對接合工具施加超聲波信號。超聲波的施加，在振動振幅為0.1μm～1.0μm范圍內(nèi)找到適當(dāng)?shù)臈l件進(jìn)行。通過超聲波信號的施加產(chǎn)生的接合工具的超聲波振動，可以更迅速可靠地進(jìn)行芯片凸塊3和基板凸塊7的接合。載荷達(dá)到一定載荷之后，即使施加超聲波也得不到良好的接合狀態(tài)，因此，為了得到穩(wěn)定的接合狀態(tài)，漸漸增加載荷的并施加超聲波。
圖10B表示芯片凸塊3和基板7的接合結(jié)束的狀態(tài)，是與圖1同樣的圖。對接合工具施加載荷和超聲波的結(jié)果，由于基板凸塊7的硬度比芯片凸塊3低，因此，在它們接合時基板凸塊7頭頂部變形成平坦?fàn)?。這樣，施加在半導(dǎo)體芯片1上的應(yīng)力被緩和。而且，基板凸塊7頭頂部的Au表面層72成為剝?nèi)サ臓顟B(tài)，剝?nèi)サ腁u表面層72在接合部周邊形成為鍍金的突出部73。鍍Au的突出部73的一部分成為與芯片凸塊3的Au表面層32的接合部13，可得到良好的接合狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括布線基板，在絕緣基材上排列設(shè)置有多個導(dǎo)體布線，在上述導(dǎo)體布線上形成各個基板凸塊以覆蓋上述導(dǎo)體布線的上表面及兩側(cè)面，并對上述基板凸塊施行了金屬鍍覆；及半導(dǎo)體芯片，安裝在上述布線基板上；上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線通過上述基板凸塊連接，其特征在于，在上述半導(dǎo)體芯片的電極上形成有芯片凸塊；通過上述芯片凸塊和上述基板凸塊的接合，上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線相連接，剝?nèi)ド鲜鼋雍系牟糠值纳鲜龌逋箟K的鍍覆的一部分，形成了向上述芯片凸塊和上述基板凸塊的接合面的外側(cè)突出的突出部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述芯片凸塊的平坦部區(qū)域比與上述基板凸塊的接合區(qū)域大，上述基板凸塊的硬度比上述芯片凸塊的硬度低。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，向上述接合面的外側(cè)突出的上述基板凸塊的鍍覆的一部分，與上述芯片凸塊的鍍覆形成了合金。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述基板凸塊的上述接合面的鍍覆厚度，與上述接合面以外的部分的鍍覆厚度相比，成為從1/3到1/8的厚度。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在布線基板上放置半導(dǎo)體芯片，該布線基板在絕緣基材上排列設(shè)置有多個導(dǎo)體布線，在上述導(dǎo)體布線上形成各個基板凸塊以覆蓋上述導(dǎo)體布線的上表面及兩側(cè)面，并對上述基板凸塊施行了金屬鍍覆；通過上述基板凸塊連接上述半導(dǎo)體芯片的電極和上述導(dǎo)體布線來安裝上述半導(dǎo)體芯片，其特征在于，包括在上述半導(dǎo)體芯片的電極上形成芯片凸塊的工序；及將上述芯片凸塊和上述基板凸塊接合，在這時削去上述基板凸塊的、與上述芯片凸塊的接合面的表層鍍覆的一部分而向周邊突出的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述基板凸塊采用硬度比上述芯片凸塊低的材料，在接合上述芯片凸塊和上述基板凸塊時，不使上述芯片凸塊變形，而使上述基板凸塊的頭頂部變形成平坦?fàn)钸M(jìn)行接合。
7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在接合上述芯片凸塊和上述基板凸塊時，接合成上述基板凸塊的上述接合面的鍍覆厚度比上述接合面以外的部分的鍍覆厚度薄。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括布線基板，在絕緣基材(5)上排列設(shè)置有多個導(dǎo)體布線(6)，在導(dǎo)體布線上形成各個基板凸塊(7)以覆蓋其上表面及兩側(cè)面，并對基板凸塊施行了金屬鍍覆；及半導(dǎo)體芯片(1)，安裝在布線基板上。在半導(dǎo)體芯片的電極上形成有芯片凸塊(3)；通過芯片凸塊和基板凸塊的接合，半導(dǎo)體芯片的電極和導(dǎo)體布線相連接。剝?nèi)ソ雍系牟糠值幕逋箟K的鍍覆的一部分，形成了向兩凸塊的接合面的外側(cè)突出的突出部?？梢越档驮诎惭b半導(dǎo)體芯片時、由超聲波振動的施加引起的對半導(dǎo)體芯片的機(jī)械損傷。
文檔編號H01L21/60GK1967828SQ200610142598
公開日2007年5月23日 申請日期2006年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
發(fā)明者小坂幸廣, 福田敏行, 下石坂望, 松村和彥 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社