專利名稱：基板處理裝置、基板處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置、基板處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)，尤其涉及除去有機(jī)物層的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術(shù)：
在由硅晶片(以下簡(jiǎn)稱為“晶片”)制造電子器件的電子器件制造方法中，依次反復(fù)運(yùn)行下述工序在晶片表面上形成導(dǎo)電膜、絕緣膜的CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)等成膜工序；在成膜后的導(dǎo)電膜、絕緣膜上形成期望圖案的光致抗蝕劑層的光刻工序；和使用光致抗蝕劑層作為掩模，利用由處理氣體生成的等離子體，在柵極電極上成形導(dǎo)電膜，或在絕緣膜上成形配線槽、接觸孔的蝕刻工序。
例如，在某些電子器件的制造方法中，有時(shí)用HBr(溴化氫)類的處理氣體對(duì)在晶片上形成的由SiN(氮化硅)層和多晶硅層構(gòu)成的浮柵(floating gate)進(jìn)行蝕刻、用CHF3類的處理氣體對(duì)浮柵下的層間SiO2膜進(jìn)行蝕刻、再用HBr(溴化氫)類的處理氣體對(duì)層間SiO2膜下的Si層進(jìn)行蝕刻。在此情況下，在晶片上形成的槽(trench)180的側(cè)面上，形成由3層構(gòu)成的沉積膜181(參照?qǐng)D13)。該沉積膜與上述的各處理氣體對(duì)應(yīng)，由SiOBr層182、CF類沉積層183和SiOBr層184構(gòu)成。SiOBr層182、184是具有與SiO2層相似的性質(zhì)的疑似SiO2層，CF類沉積層183為有機(jī)物層。
但是，由于SiOBr層182、184和CF類沉積層183會(huì)成為電子器件的不利情況、例如導(dǎo)通不良的原因，所以需要除去。
作為疑似SiO2層的除去方法，已知有對(duì)晶片實(shí)施COR(ChemicalOxide Removal化學(xué)氧化物除去)處理和PHT(Post Heat Treatment后熱處理)處理的基板處理方法。COR處理是使疑似SiO2層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成生成物的處理；PHT處理是對(duì)已實(shí)施COR處理的晶片進(jìn)行加熱，使由COR處理的化學(xué)反應(yīng)在晶片上生成的生成物氣化·熱氧化(Thermal Oxidation)從而從該晶片上除去的處理。
作為實(shí)施由該COR處理和PHT處理構(gòu)成的基板處理方法的基板處理裝置，已知有具備化學(xué)反應(yīng)處理裝置和與該化學(xué)反應(yīng)處理裝置連接的熱處理裝置的基板處理裝置?；瘜W(xué)反應(yīng)處理裝置具備腔室，對(duì)收容在該腔室中的晶片實(shí)施COR處理。熱處理裝置也具備腔室，對(duì)收容在該腔室中的晶片進(jìn)行PHT處理(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2004/0185670號(hào)說明書但是，在利用上述的基板處理裝置將作為疑似SiO2層的SiOBr層184除去時(shí)，CF類沉積層183會(huì)露出。該CF類沉積層183即使實(shí)施熱處理也不會(huì)氣化，而且不會(huì)與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而生成生成物，所以，難以利用上述的基板處理裝置除去CF類沉積層183。即，難以高效率地除去SiOBr層184和CF類沉積層183。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供能夠高效率地除去氧化物層和有機(jī)物層的基板處理裝置、基板處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一方面的基板處理裝置，用于對(duì)在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板進(jìn)行處理，包括使上述氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而在上述表面上生成生成物的化學(xué)反應(yīng)處理裝置、和對(duì)在上述表面上生成上述生成物的上述基板進(jìn)行加熱的熱處理裝置，其特征在于，上述熱處理裝置包括收容上述基板的收容室；向該收容室內(nèi)供給氧氣的氧氣供給系統(tǒng)；和向上述收容室內(nèi)導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入裝置。根據(jù)該第一方面所述的基板處理裝置，熱處理裝置包括向收容基板的收容室內(nèi)供給氧氣的氧氣供給系統(tǒng)、和向收容室內(nèi)導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入裝置。在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板上，對(duì)通過與氣體分子的化學(xué)反應(yīng)而從氧化物層生成的生成物進(jìn)行加熱時(shí)，該生成物氣化，有機(jī)物層露出。另外，向已供給氧氣的收容室內(nèi)導(dǎo)入微波時(shí)，會(huì)產(chǎn)生氧自由基。露出的有機(jī)物層被暴露于所產(chǎn)生的氧自由基，該氧自由基會(huì)將有機(jī)物層分解。從而，能夠繼氧化物層之后連續(xù)地除去有機(jī)物層，因此能夠高效率地除去氧化物層和有機(jī)物層。
在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述微波導(dǎo)入裝置具有與收容在上述收容室內(nèi)的基板相對(duì)地配置的圓板狀天線，以包圍該天線的周邊部的方式配置有電磁波吸收體。根據(jù)該優(yōu)選的實(shí)施方式，因?yàn)橐园鼑⒉▽?dǎo)入裝置的天線的周邊部的方式配置有電磁波吸收體，所以，能夠吸收來自天線的微波中的駐波(橫波)，因此，能夠抑制駐波的產(chǎn)生。
在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述有機(jī)物層為由CF類的沉積物構(gòu)成的層。根據(jù)該優(yōu)選的實(shí)施方式，有機(jī)物層為由CF類的沉積物構(gòu)成的層。CF類的沉積物容易被由施加了微波的氧氣所產(chǎn)生的氧自由基分解。因此，能夠更高效地除去有機(jī)物層。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第二方面的基板處理方法，用于對(duì)在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板進(jìn)行處理，其特征在于，具有使上述氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在上述表面上生成生成物的化學(xué)反應(yīng)處理步驟；對(duì)在上述表面上生成上述生成物的上述基板進(jìn)行加熱的熱處理步驟；向已實(shí)施上述熱處理的基板的上方供給氧氣的氧氣供給步驟；和向已供給上述氧氣的基板的上方導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入步驟。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第三方面的存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行對(duì)在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板進(jìn)行處理的基板處理方法的程序，能夠由計(jì)算機(jī)讀取，其特征在于，上述程序包括使上述氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在上述表面上生成生成物的化學(xué)反應(yīng)處理模塊；對(duì)在上述表面上生成上述生成物的上述基板進(jìn)行加熱的熱處理模塊；向已實(shí)施上述熱處理的基板的上方供給氧氣的氧氣供給模塊；和向已供給上述氧氣的基板的上方導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入模塊。
根據(jù)本發(fā)明第二方面所述的基板處理方法和本發(fā)明第三方面所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板上，氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基板的表面上生成生成物，對(duì)在表面上生成該生成物的基板進(jìn)行加熱，向已實(shí)施熱處理的基板的上方供給氧氣，向已供給氧氣的基板的上方導(dǎo)入微波。在對(duì)通過與氣體分子的化學(xué)反應(yīng)而從氧化物層生成的生成物進(jìn)行加熱時(shí)，該生成物氣化，有機(jī)物層露出。另外，向已供給氧氣的基板的上方導(dǎo)入微波時(shí)，會(huì)產(chǎn)生氧自由基。露出的有機(jī)物層被暴露于所產(chǎn)生的氧自由基，該氧自由基會(huì)將有機(jī)物層分解。從而，能夠繼氧化物層之后連續(xù)地除去有機(jī)物層，因此能夠高效率地除去氧化物層和有機(jī)物層。


圖1為表示本發(fā)明實(shí)施方式的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2為圖1中第二處理單元的截面圖，(A)為圖1中沿II-II線的截面圖，(B)為圖2(A)中的A部分的放大圖。
圖3為圖1中第三處理單元的截面圖。
圖4為表示圖3中的氧氣供給環(huán)的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5為表示圖3中的縫隙電極的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖6為表示圖5的縫隙電極的變形例的平面圖，(A)為表示第一變形例的圖，(B)為表示第二變形例的圖，(C)為表示第三變形例的圖。
圖7為表示圖1中的第二處理部的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖8為表示圖7中的第二負(fù)載鎖定單元的單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖9為表示圖1的基板處理裝置中的系統(tǒng)控制器的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖10為作為本實(shí)施方式的基板處理方法的沉積膜除去處理的流程圖。
圖11為表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的第一變形例的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖12為表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的第二變形例的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖13為表示由SiOBr層、CF類沉積層、和SiOBr層構(gòu)成的沉積膜的截面圖。
符號(hào)說明W晶片10、137、160基板處理裝置
11第一處理部(process ship)12第二處理部13裝載單元17第一IMS18第二IMS25第一處理單元34第二處理單元36第三處理單元37第二搬送臂38、50、70腔室39ESC40噴淋頭41MP42、69APC閥45第一緩沖室46第二緩沖室47、48氣體通氣孔49第二負(fù)載鎖定室51臺(tái)式加熱器(stage heater)57氨氣供給管58氟化氫氣體供給管59、66、72壓力表61第二處理單元排氣系統(tǒng)71氮?dú)夤┙o管67第三處理單元排氣系統(tǒng)73第二負(fù)載鎖定單元排氣系統(tǒng)74大氣連通管89EC90、91、92MC93交換集線器(switching hub)95GHOST網(wǎng)絡(luò)
97、98、99I/O模塊100I/O部138、163傳輸單元139、140、141、142、161、162處理單元170LAN171PC180槽181沉積膜182、184SiOBr層183CF類沉積層190微波源191天線裝置192氧氣供給系統(tǒng)193放電氣體供給系統(tǒng)198氧氣供給環(huán)206、214真空泵211放電氣體供給環(huán)217調(diào)溫板218收納部件219、226、227、228縫隙電極(slot electrode)220電介質(zhì)板221電磁波吸收體222溫度控制裝置223滯波部件224、224a、224b狹縫(slit)225狹縫組具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。
首先，說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置。
圖1為表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
在圖1中，基板處理裝置10包括對(duì)電子器件用的晶片(以下簡(jiǎn)稱為“晶片”)(基板)W實(shí)施蝕刻處理的第一處理部11；與該第一處理部11平行地配置，對(duì)在第一處理部11中經(jīng)過蝕刻處理的晶片W進(jìn)行后述的COR處理、PHT處理、和有機(jī)物層除去處理的第二處理部12；以及分別與第一處理部11和第二處理部12連接的矩形形狀的作為共用搬送室的裝載單元(loader unit)13。
除了上述的第一處理部11和第二處理部12以外，裝載單元13上還連接有分別載置有作為收容25片晶片W的容器的前開式晶片盒(Front Opening Unified Pod)14的3個(gè)前開式晶片盒載置臺(tái)15；對(duì)從前開式晶片盒14中搬出的晶片W的位置進(jìn)行預(yù)先對(duì)準(zhǔn)(prealignment)的定位器(orientor)16；和測(cè)定晶片W的表面狀態(tài)的第一和第二IMS(Integrated Metrology System(集成測(cè)量系統(tǒng))、Therma-Wave，Inc.)17、18。
第一處理部11和第二處理部12以與裝載單元13的長(zhǎng)度方向的側(cè)壁連接并且隔著裝載單元13與3個(gè)前開式晶片盒載置臺(tái)15相對(duì)的方式配置，定位器16配置在裝載單元13的長(zhǎng)度方向的一端，第一IMS17配置在裝載單元13的長(zhǎng)度方向的另一端，第二IMS18與3個(gè)前開式晶片盒載置臺(tái)15并列配置。
裝載單元13包括配置在內(nèi)部的搬送晶片W的標(biāo)量型(scalar type)雙臂式(dual arm type)的搬送臂機(jī)構(gòu)19；以及與各前開式晶片盒載置臺(tái)15對(duì)應(yīng)地配置在側(cè)壁上的作為晶片W的輸入口的3個(gè)裝載端口20。搬送臂機(jī)構(gòu)19經(jīng)由裝載端口20將晶片W從載置在前開式晶片盒載置臺(tái)15上的前開式晶片盒14中取出，將該取出的晶片W向第一處理部11、第二處理部12、定位器16、第一IMS17、第二IMS18搬入搬出。
第一IMS17為光學(xué)類的監(jiān)測(cè)器，具有載置搬入的晶片W的載置臺(tái)21和指向載置在該載置臺(tái)21上的晶片W的光學(xué)傳感器22，測(cè)定晶片W的表面形狀，例如表面層的膜厚、以及配線槽和柵極電極等的CD(Critical Dimension臨界尺寸)值。第二IMS18也是光學(xué)類的監(jiān)測(cè)器，與第一IMS17同樣，具有載置臺(tái)23和光學(xué)傳感器24，測(cè)定晶片W表面的顆粒數(shù)。
第一處理部11包括對(duì)晶片W實(shí)施蝕刻處理的第一處理單元25；和內(nèi)置有將晶片W傳遞至該第一處理單元25的連桿式(link type)單拾取型(single pick type)的第一搬送臂26的第一負(fù)載鎖定單元27。
第一處理單元25具有圓筒狀的處理室容器(腔室)以及配置在該腔室內(nèi)的上部電極和下部電極，該上部電極和下部電極之間的距離被設(shè)定為用于對(duì)晶片W進(jìn)行蝕刻處理的適當(dāng)間隔。另外，下部電極在其頂部具有利用庫侖力等吸附晶片W的ESC28。
在第一處理單元25中，將處理氣體導(dǎo)入腔室內(nèi)部，通過在上部電極和下部電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)，將導(dǎo)入的處理氣體等離子體化，產(chǎn)生離子和自由基，利用該離子和自由基對(duì)晶片W進(jìn)行蝕刻處理。
在第一處理部11中，裝載單元13的內(nèi)部壓力被維持在大氣壓，而第一處理單元25的內(nèi)部壓力被維持在真空。因此，第一負(fù)載鎖定單元27在與第一處理單元25相連的連接部具有真空閘閥29、并且在與裝載單元13相連的連接部具有大氣閘閥30，由此構(gòu)成為能夠調(diào)節(jié)其內(nèi)部壓力的真空預(yù)備搬送室。
在第一負(fù)載鎖定單元27的內(nèi)部，在大致中央部設(shè)置有第一搬送臂26，在該第一搬送臂26的第一處理單元25一側(cè)設(shè)置有第一緩沖器31，在第一搬送臂26的裝載單元13一側(cè)設(shè)置有第二緩沖器32。第一緩沖器31和第二緩沖器32配置在支承設(shè)置在第一搬送臂26的前端部的晶片W的支承部(拾取器(pick))33移動(dòng)的軌道上，使已實(shí)施蝕刻處理的晶片W暫時(shí)避讓在支承部33的軌道的上方，由此，能夠在第一處理單元25中，平穩(wěn)地對(duì)未經(jīng)蝕刻處理的晶片W和蝕刻處理完畢的晶片W進(jìn)行更換。
第二處理部12包括對(duì)晶片W實(shí)施COR處理的第二處理單元34(化學(xué)反應(yīng)處理裝置)；通過真空閘閥35與該第二處理單元34連接的對(duì)晶片W實(shí)施PHT處理和有機(jī)物層除去處理的第三處理單元36(熱處理裝置)；以及內(nèi)置有將晶片W傳遞至第二處理單元34和第二處理單元36的連桿式單拾取型的第二搬送臂37的第二負(fù)載鎖定單元49。
圖2為圖1中的第二處理單元的截面圖，(A)為圖1中沿線II-II的截面圖，(B)為圖2(A)中的A部分的放大圖。
在圖2(A)中，第二處理單元34包括圓筒狀的處理室容器(腔室)38；作為配置在該腔室38內(nèi)的晶片W的載置臺(tái)的ESC39；配置在腔室38上方的噴淋頭40；對(duì)腔室38內(nèi)的氣體等進(jìn)行排氣的TMP(Turbo Molecular Pump渦輪分子泵)41；配置在腔室38和TMP41之間，作為控制腔室38內(nèi)的壓力的可變式蝶閥的APC(AdaptivePressure Control自適應(yīng)壓力控制)閥42。
ESC39具有向內(nèi)部施加直流電壓的電極板(未圖示)，利用由直流電壓產(chǎn)生的庫侖力或Johnsen-Rahbek力吸附并保持晶片W。另外，ESC39具有制冷劑室(未圖示)作為調(diào)溫機(jī)構(gòu)。向該制冷劑室循環(huán)供給規(guī)定溫度的致冷劑，例如冷卻水、Galden液等，利用該制冷劑的溫度來控制被吸附保持在ESC39上面的晶片W的處理溫度。ESC39還具有向ESC39的上面和晶片的背面之間全面地供給傳熱氣體(氦氣)的傳熱氣體供給系統(tǒng)(未圖示)。在COR處理期間，傳熱氣體進(jìn)行由制冷劑維持在期望的指定溫度的ESC39和晶片的熱交換，高效而且均勻地將晶片冷卻。
另外，ESC39具有作為從其上面自由突出的升降銷(lift pin)的多個(gè)推出銷(pusher pin)56，在晶片W被吸附保持在ESC39上時(shí)，這些推出銷56被收容在ESC39中，在將已實(shí)施COR處理的晶片W從腔室38搬出時(shí)，這些推出銷56從ESC39的上面突出，將晶片W向上方抬起。
噴淋頭40具有雙層結(jié)構(gòu)，在下層部43和上層部44中分別具有第一緩沖室45和第二緩沖室46。第一緩沖室45和第二緩沖室46分別經(jīng)過氣體通氣孔47、48與腔室38內(nèi)連通。即，噴淋頭40由具有將分別供給至第一緩沖室45和第二緩沖室46的氣體向腔室38內(nèi)供給的內(nèi)部通路的、呈階梯狀層積的兩個(gè)板狀體(下層部43、上層部44)構(gòu)成。
對(duì)晶片W實(shí)施COR處理時(shí)，從后述的氨氣供給管57向第一緩沖室45供給NH3(氨)氣，該被供給的氨氣經(jīng)過氣體通氣孔47供給到腔室38內(nèi)，同時(shí)，從后述的氟化氫氣體供給管58向第二緩沖室46供給HF(氟化氫)氣體，該被供給的氟化氫氣體經(jīng)過氣體通氣孔48供給到腔室38內(nèi)。
另外，噴淋頭40內(nèi)置有加熱器(未圖示)、例如加熱元件。該加熱元件優(yōu)選配置在上層部44上，以控制第二緩沖室46內(nèi)的氟化氫氣體的溫度。
另外，如圖2(B)所示，氣體通氣孔47、48中通向腔室38內(nèi)的開口部形成為扇形展開的形狀。由此，能夠使氨氣、氟化氫氣體向腔室38內(nèi)高效地?cái)U(kuò)散。另外，由于氣體通氣孔47、48的截面呈中間細(xì)的形狀，所以，能防止腔室38中產(chǎn)生的堆積物向氣體通氣孔47、48，進(jìn)而向第一緩沖室45、第二緩沖室46倒流。此外，氣體通氣孔47、48也可以是螺旋狀的通氣孔。
該第二處理單元34通過調(diào)節(jié)腔室38內(nèi)的壓力以及氨氣和氟化氫氣體的體積流量比，對(duì)晶片W進(jìn)行COR處理。另外，由于該第二處理單元34被設(shè)計(jì)成氨氣和氟化氫氣體首先在腔室38內(nèi)進(jìn)行混合(后混合設(shè)計(jì))，因此，在上述兩種氣體被導(dǎo)入腔室38內(nèi)之前，能夠防止該兩種混合氣體混合，從而能夠防止氟化氫氣體與氨氣在被導(dǎo)入腔室38內(nèi)之前發(fā)生反應(yīng)。
另外，在第二處理單元34中，腔室38的側(cè)壁內(nèi)置有加熱器(未圖示)、例如加熱元件，以防止腔室38內(nèi)的氣氛溫度降低。由此，能夠提高COR處理的再現(xiàn)性。另外，側(cè)壁內(nèi)的加熱元件通過控制側(cè)壁的溫度，防止腔室38內(nèi)產(chǎn)生的副生成物附著在側(cè)壁的內(nèi)側(cè)上。
圖3為圖1中的第三處理單元的截面圖。
在圖3中，第三處理單元36包括框體狀的處理室容器(腔室)50；作為以與該腔室50的頂部185相對(duì)的方式配置在腔室50內(nèi)的晶片W的載置臺(tái)的臺(tái)式加熱器51；配置在該臺(tái)式加熱器51的附近，將載置在臺(tái)式加熱器51上的晶片W向上方抬起的緩沖臂52。
臺(tái)式加熱器51由表面形成有氧化膜的鋁構(gòu)成，利用由內(nèi)置的電熱線等構(gòu)成的加熱器186將載置在上面的晶片W加熱到規(guī)定的溫度。具體而言，臺(tái)式加熱器51對(duì)載置的晶片W加熱至少1分鐘，直接加熱到100～200℃、優(yōu)選約135℃。此外，加熱器186的發(fā)熱量由加熱器控制裝置187進(jìn)行控制。另外，臺(tái)式加熱器51中，作為調(diào)溫機(jī)構(gòu)，除了加熱器186之外，還有制冷劑室229。向該制冷劑室229循環(huán)供給規(guī)定溫度的制冷劑，例如冷卻水、Galden液等，在有機(jī)物層除去處理時(shí)，利用該制冷劑的溫度，將載置在臺(tái)式加熱器51上面的晶片W冷卻到規(guī)定溫度。另外，臺(tái)式加熱器51具有向臺(tái)式加熱器51的上面和晶片的背面之間全面地供給傳熱氣體(氦氣)的傳熱氣體供給系統(tǒng)(未圖示)。在有機(jī)物層除去處理期間，傳熱氣體進(jìn)行由制冷劑維持在期望的指定溫度的臺(tái)式加熱器51和晶片W的熱交換，高效而且均勻地冷卻晶片W。
腔室50的側(cè)壁中內(nèi)置有筒式加熱器(cartridge heater)188，該筒式加熱器188將腔室50側(cè)壁的壁面溫度控制在25～80℃。由此，能防止副生成物附著在腔室50的側(cè)壁上，從而能防止因附著的副生成物而產(chǎn)生顆粒，延長(zhǎng)腔室50的清洗周期。此外，腔室50的外周由隔熱層(未圖示)覆蓋，筒式加熱器188的發(fā)熱量由加熱器控制裝置189控制。
作為從上方對(duì)晶片W進(jìn)行加熱的加熱器，可以在頂部185配置片式加熱器(sheet heater)、紫外線放射(UV radiation)加熱器。作為紫外線放射加熱器，可以使用發(fā)射波長(zhǎng)190～400nm的紫外線的紫外線燈等。
緩沖臂52通過使已實(shí)施COR處理的晶片W暫時(shí)避讓在第二搬送臂37的支承部53的軌道的上方，能夠平穩(wěn)地更換第二處理單元34和第三處理單元36中的晶片W。
該第三處理單元36通過對(duì)晶片W進(jìn)行加熱來對(duì)晶片W進(jìn)行PHT處理。
另外，第三處理單元36包括微波源190、天線裝置191(微波導(dǎo)入裝置)、氧氣供給系統(tǒng)192、放電氣體供給系統(tǒng)193。
氧氣供給系統(tǒng)192包括氧氣源194、閥門195、MFC(Mass FlowController質(zhì)量流量控制器)196、以及將它們連接的氧氣供給管路197。另外，氧氣供給系統(tǒng)192通過氧氣供給管路197與配置在腔室50側(cè)壁上的石英制的氧氣供給環(huán)198連接。
在有機(jī)物層除去處理時(shí)，氧氣源194供給氧氣，閥門195打開，MFC196具有例如電橋電路、放大電路、比較控制電路、流量調(diào)節(jié)閥等，通過檢測(cè)與氧氣的流動(dòng)相伴的熱量轉(zhuǎn)移進(jìn)行流量測(cè)定，根據(jù)該測(cè)定結(jié)果，利用流量調(diào)節(jié)閥控制氧氣的流量。
圖4為表示圖3中的氧氣供給環(huán)的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
在圖4中，氧氣供給環(huán)198包括由石英構(gòu)成的環(huán)狀的主體部204、與氧氣供給管路197連接的導(dǎo)入口199、與導(dǎo)入口199連接的圓環(huán)狀的流路200、與流路200連接的多個(gè)氧氣供給噴嘴201、與流路200和后述的氣體排出管路202連接的排出口203。多個(gè)氧氣供給噴嘴201沿著主體部204的圓周方向，以相等間隔配置，在腔室50內(nèi)形成均勻的氧氣流。
另外，氧氣供給環(huán)198的流路200和氧氣供給噴嘴201與氣體排出管路202連接，該氣體排出管路202通過PCV(Pressure Control Valve壓力控制閥)205，與由例如TMP、濺射離子泵、吸氣泵、吸附泵、或低溫泵等構(gòu)成的真空泵206連接。因此，流路200和氧氣供給噴嘴201內(nèi)的(殘留)氧氣和水分等能夠從排出口203排出。由此，能夠?qū)⒃诤笫龅牡谌幚韱卧艢庀到y(tǒng)67中難以完全除去的、流路200和氧氣供給噴嘴201內(nèi)的(殘留)氧氣和水分等殘留物有效地除去。
PCV205被控制為在閥門195打開時(shí)關(guān)閉，在閥門195關(guān)閉時(shí)打開。由此，在閥門195打開的有機(jī)物層除去處理時(shí)，真空泵206關(guān)閉，能夠使氧氣有效地用于有機(jī)物層除去處理。另一方面，在有機(jī)物層除去處理結(jié)束后等有機(jī)物層除去處理以外的期間，真空泵206打開，可靠地排出氧氣供給環(huán)198的流路200和氧氣供給噴嘴201內(nèi)的殘留物。由此，能夠防止在以后的有機(jī)物層除去處理中因殘留物的存在而引起的從氧氣供給噴嘴201不均勻地導(dǎo)入氧氣、和殘留物本身附著在晶片W上。
放電氣體供給系統(tǒng)193包括放電氣體源207、閥門208、MFC209、和連接它們的放電氣體供給管路210。另外，放電氣體供給系統(tǒng)193通過放電氣體供給管路210與配置在腔室50側(cè)壁上的石英制的放電氣體供給環(huán)211連接。
在有機(jī)物層除去處理時(shí)，放電氣體源207供給放電氣體，例如在稀有氣體(氖氣、氙氣、氬氣、氦氣、氡氣、或氪氣中的任一種)中混入N2和H2的混合氣體。由于閥門208、MFC209、放電氣體供給管路210和放電氣體供給環(huán)211分別與閥門195、MFC196、氧氣供給管路197和氧氣供給環(huán)198具有同樣的結(jié)構(gòu)，所以省略它們的說明。
另外，放電氣體供給環(huán)211的流路和放電氣體供給噴嘴(均未圖示)與氣體排出管路212連接，該氣體排出管路212通過PCV213與真空泵214連接。由于氣體排出管路212、PCV213和真空泵214分別與氣體排出管路202、PCV205和真空泵206具有相同的結(jié)構(gòu)和功能，因此省略它們的說明。
微波源190例如由磁控管構(gòu)成，通常能夠以例如5kW的功率產(chǎn)生2.45GHz的微波。另外，微波源190通過波導(dǎo)管215與天線裝置191連接。在波導(dǎo)管215的中途，配置有模式轉(zhuǎn)換器216。模式轉(zhuǎn)換器216將微波源190產(chǎn)生的微波的傳輸形式轉(zhuǎn)換為TM、TE或TEM模式等。另外，在圖3中，省略了吸收因反射而返回磁控管的微波的隔離器(isolator)、以及EH調(diào)諧器、或短線調(diào)諧器。
天線裝置191包括圓板狀的調(diào)溫板217、圓筒狀的收納部件218、圓板狀的縫隙電極219(天線)、圓板狀的電介質(zhì)板220、包圍收納部件218側(cè)面的圓環(huán)狀的電磁波吸收體221、與調(diào)溫板217連接的溫度控制裝置222、以及圓板狀的滯波部件223。
收納部件218在上部載置調(diào)溫板217，并且在其內(nèi)部收納滯波部件223以及與該滯波部件223的下部接觸的縫隙電極219。另外，在縫隙電極219的下方配置有電介質(zhì)板220。收納部件218和滯波部件223由熱傳導(dǎo)率高的材料制成，結(jié)果，收納部件218和滯波部件223的溫度達(dá)到與調(diào)溫板217的溫度大致相同的溫度。
滯波部件223由縮短微波波長(zhǎng)的規(guī)定介電常數(shù)的、熱傳導(dǎo)率高的規(guī)定材料構(gòu)成。另外，為了使導(dǎo)入腔室50的微波的密度均勻，需要在縫隙電極219中形成大量后述的狹縫224，通過滯波部件223縮短微波的波長(zhǎng)，能夠在縫隙電極219中形成大量的狹縫224。
作為滯波部件223的材料，優(yōu)選采用例如氧化鋁類陶瓷、SiN、AlN。例如，AlN的介電常數(shù)εt約為9，用1/(εt)1/2表示的波長(zhǎng)縮短率n約為0.33。由此，通過滯波部件223的微波的速度和波長(zhǎng)分別變?yōu)榧s0.33倍，能夠縮短縫隙電極219中的狹縫224的間隔，從而能夠在縫隙電極219中形成更多的狹縫224。
縫隙電極219用螺釘固定在滯波部件223上，例如由直徑50cm、厚度1mm以下的銅板構(gòu)成?？p隙電極219在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域被稱為徑向線縫隙天線(RLSA)(或超高效率平面天線)。此外，在本實(shí)施方式中，也可以使用RLSA以外的形式的天線，例如單層結(jié)構(gòu)波導(dǎo)管平面天線、電介質(zhì)基板平行平板縫隙陣列天線(slot array)。
圖5為表示圖3中的縫隙電極的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
在圖5中，假設(shè)將縫隙電極219的表面分割成彼此具有相同面積的多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域中都具有由狹縫224a和224b構(gòu)成的一個(gè)狹縫組225。因此，縫隙電極219表面的狹縫組225的密度大致一定。由此，在配置在縫隙電極219下方的電介質(zhì)板220表面，離子能量均勻地分布，所以能夠防止因離子能量不均勻而導(dǎo)致發(fā)生元素從電介質(zhì)板220脫離(游離)。結(jié)果，能夠防止從電介質(zhì)板220脫離的元素作為雜質(zhì)混入氧氣中，因此，能夠?qū)琖實(shí)施高品質(zhì)的有機(jī)物層除去處理。
另外，在各狹縫組225中，狹縫224a和224b大致呈T字形配置，且相互僅有很小的間隔。
各狹縫224a、224b，其長(zhǎng)度L1被設(shè)定為從波導(dǎo)管215內(nèi)的微波波長(zhǎng)(以下稱為“管內(nèi)波長(zhǎng)”)λ的約0.5倍到自由空間中的波長(zhǎng)的約2.5倍的范圍內(nèi)的任意值，且其寬度被設(shè)定為約1mm，相鄰的狹縫組225彼此的間隔L2被設(shè)定為與管內(nèi)波長(zhǎng)λ大致相同。具體而言，各狹縫224a、224b的長(zhǎng)度L1設(shè)定在由下式表示的范圍內(nèi)。
λ02×1ϵt≤L1≤λ0×2.5]]>εt介電常數(shù)各狹縫224a、224b被配置成各自相對(duì)于來自縫隙電極219中心的放射線恰好以45°相交。另外，各狹縫組225的大小隨著距縫隙電極219中心的距離的增加而增大。例如，相對(duì)于配置在距中心規(guī)定距離的狹縫組225，配置在相當(dāng)于該規(guī)定距離的2倍的距離處的狹縫組225的大小可設(shè)定為1.2倍至2倍之間的任意值。
此外，只要能夠使縫隙電極219表面上的狹縫組的密度大致一定，狹縫224的形狀和配置不限于上述，另外，分割出的各區(qū)域的形狀也不限于上述。例如，各區(qū)域可以具有相同的形狀，也可以具有不同的形狀。另外，在具有相同形狀的情況下，其形狀也不限于六角形，可以采用三角形、四角形等任意形狀。另外，各狹縫組225可以排列成同心圓狀或螺旋狀。
可用于本實(shí)施方式的縫隙電極不限于圖5所示的縫隙電極219，也可以采用圖6(A)～(C)所示的縫隙電極226、縫隙電極227、或縫隙電極228。在圖6(A)～(C)所示的縫隙電極226～228中，各區(qū)域?yàn)樗慕切?。另外，縫隙電極226、227均具有T字形的狹縫組225，但狹縫224的尺寸和配置互不相同。另外，在縫隙電極228中，各狹縫組225中，兩個(gè)狹縫呈V字形配置。
另外，以包圍縫隙電極219的周邊部、進(jìn)而包圍收納部件218側(cè)面的方式，配置有由寬度為幾mm左右的防止微波電力反射用放射元件構(gòu)成的圓環(huán)狀的電磁波吸收體221。電磁波吸收體221能夠吸收來自縫隙電極219的微波中的駐波(橫波)、抑制該駐波的產(chǎn)生，由此，能夠防止腔室50內(nèi)的微波分布被駐波擾亂，而且能夠提高縫隙電極219的天線效率。
溫度控制裝置222具有與調(diào)溫板217連接的溫度傳感器和加熱器(均未圖示)，通過調(diào)節(jié)導(dǎo)入調(diào)溫板217的冷卻水或制冷劑(醇、Galden液、氟利昂等)的流量、溫度等，將調(diào)溫板217的溫度控制為規(guī)定溫度。調(diào)溫板217由熱傳導(dǎo)率高、易于在內(nèi)部成形流路的材料構(gòu)成，例如由不銹鋼構(gòu)成。另外，由于滯波部件223和縫隙電極219隔著收納部件218與調(diào)溫板217接觸，所以可利用該調(diào)溫板217控制溫度。因此，能夠?qū)囟纫蛭⒉ǘ仙臏ú考?23和縫隙電極219的溫度控制在期望的溫度，結(jié)果，能夠防止滯波部件223和縫隙電極219因熱膨脹而變形，從而，能夠防止發(fā)生由于滯波部件223和縫隙電極219的變形而引起的腔室50內(nèi)的微波的不均勻分布。根據(jù)以上所述，能夠防止因微波的不均勻分布而引起的有機(jī)物層除去處理的品質(zhì)降低。
電介質(zhì)板220由絕緣體構(gòu)成，配置在縫隙電極219和腔室50之間?？p隙電極219和電介質(zhì)板220例如利用蠟牢固并且密封地面接合。此外，也可以利用絲網(wǎng)印刷等，在由經(jīng)過燒制的陶瓷或氮化鋁(AlN)構(gòu)成的電介質(zhì)板220的背面上燒接銅薄膜，形成含有狹縫的縫隙電極219。
電介質(zhì)板220防止因腔室50內(nèi)的低壓力而造成縫隙電極219變形、以及縫隙電極219被濺射或被銅污染。另外，由于電介質(zhì)板220由絕緣體構(gòu)成，所以，來自縫隙電極219的微波透過電介質(zhì)板220并被導(dǎo)入腔室50內(nèi)。另外，通過用熱傳導(dǎo)率低的材質(zhì)構(gòu)成電介質(zhì)板220，可以防止縫隙電極219受到腔室50的溫度的影響。
本實(shí)施方式的電介質(zhì)板220的厚度設(shè)定為透過該電介質(zhì)板220的微波的波長(zhǎng)的0.5倍～0.75倍范圍內(nèi)的任意值，優(yōu)選設(shè)定為約0.6倍～約0.7倍范圍內(nèi)的任意值。2.45GHz的微波在真空中具有約122.5mm的波長(zhǎng)。如果電介質(zhì)板220由AlN構(gòu)成，則如上所述，介電常數(shù)εt約為9，因此，波長(zhǎng)縮短率約為0.33，電介質(zhì)板220內(nèi)的微波的波長(zhǎng)約為40.8mm。所以，如果電介質(zhì)板220由AlN構(gòu)成，則電介質(zhì)板220的厚度設(shè)定為約20.4mm～約30.6mm之間的任意值，優(yōu)選設(shè)定為約24.5mm～約28.6mm之間的任意值。一般說來，電介質(zhì)板220的厚度H采用透過電介質(zhì)板220的微波的波長(zhǎng)λ表示，優(yōu)選滿足0.5λ＜H＜0.75λ，更優(yōu)選滿足0.6λ≤H≤0.7λ。在此，透過電介質(zhì)板220的微波的波長(zhǎng)λ采用真空中的微波的波長(zhǎng)λ0和波長(zhǎng)縮短率n＝1/(εt)1/2、用λ＝λ0×n表示。
偏壓用高頻電源230和匹配箱(匹配器)231與臺(tái)式加熱器51連接。偏壓用高頻電源230對(duì)晶片W施加負(fù)的直流偏壓(例如13.56MHz的高頻)。因此，臺(tái)式加熱器51也作為下部電極起作用。匹配箱231具有并聯(lián)和串聯(lián)配置的可變電容器，能夠防止腔室50內(nèi)的電極雜散電容、雜散電感等的影響，并且能夠相對(duì)于負(fù)荷進(jìn)行匹配。另外，向晶片W施加負(fù)的直流偏壓時(shí)，離子因該偏壓而向晶片W加速，促進(jìn)利用離子的處理。離子能量由偏壓決定，偏壓能夠利用由偏壓用高頻電源230施加的高頻電力來控制。偏壓用高頻電源230施加的高頻電力的頻率可以根據(jù)縫隙電極219的狹縫224的形狀、數(shù)量和分布進(jìn)行調(diào)節(jié)。
利用第三處理單元排氣系統(tǒng)67將腔室50內(nèi)維持在期望的低壓力，例如真空。第三處理單元排氣系統(tǒng)67通過對(duì)腔室50內(nèi)均勻地排氣，保持該腔室50內(nèi)的等離子體密度均勻。第三處理單元排氣系統(tǒng)67具有例如TMP、DP(Dry Pump干式泵)(均未圖示)，DP等通過PCV(未圖示)、APC閥69與腔室50連接。作為PCV，可以使用例如電導(dǎo)閥(conductance valve)、閘閥或高真空閥等。
該第三處理單元36對(duì)已實(shí)施PHT處理的晶片W，繼該P(yáng)HT處理之后，實(shí)施有機(jī)物層除去處理。
回到圖1，第二負(fù)載鎖定單元49具有內(nèi)置第二搬送臂37的框體狀的搬送室(腔室)70。另外，裝載單元13的內(nèi)部壓力被維持在大氣壓，而第二處理單元34和第三處理單元36的內(nèi)部壓力被維持在真空或大氣壓以下。因此，第二負(fù)載鎖定單元49在與第三處理單元36相連的連接部具有真空閘閥54，并且在與裝載單元13相連的連接部具有大氣門閥55，由此形成為能夠調(diào)節(jié)其內(nèi)部壓力的真空預(yù)備搬送室。
圖7為表示圖1中的第二處理部的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。
在圖7中，第二處理單元34包括向第一緩沖室45供給氨氣的氨氣供給管57、向第二緩沖室46供給氟化氫氣體的氟化氫氣體供給管58、測(cè)定腔室38內(nèi)的壓力的壓力表59、向配置在ESC39內(nèi)的冷卻系統(tǒng)供給制冷劑的冷卻器單元(chiller unit)60。
在氨氣供給管57中設(shè)置有MFC(未圖示)，該MFC調(diào)節(jié)向第一緩沖室45供給的氨氣的流量，并且在氟化氫氣體供給管58中也設(shè)置有MFC(未圖示)，該MFC調(diào)節(jié)向第二緩沖室46供給的氟化氫氣體的流量。氨氣供給管57的MFC與氟化氫氣體供給管58的MFC協(xié)作，調(diào)節(jié)向腔室38供給的氨氣和氟化氫氣體的體積流量比。
另外，在第二處理單元34的下方，配置有與DP(未圖示)連接的第二處理單元排氣系統(tǒng)61。第二處理單元排氣系統(tǒng)61具有與配設(shè)在腔室38和APC閥42之間的排氣管道62連通的排氣管63、和與TMP41下方(排氣側(cè))連接的排氣管64，排出腔室38內(nèi)的氣體等。另外，排氣管64在DP的前面與排氣管63連接。
第三處理單元36具有測(cè)定腔室50內(nèi)的壓力的壓力表66、和排出腔室50內(nèi)的氮?dú)獾鹊牡谌幚韱卧艢庀到y(tǒng)67。
第三處理單元排氣系統(tǒng)67具有與腔室50連通并且與DP(未圖示)連接的主排氣管68；配置在該主排氣管68中途的APC閥69；以及從主排氣管68分支以避開APC閥69、并且在DP的前面與主排氣管68連接的副排氣管68a。APC閥69控制腔室50內(nèi)的壓力。
第二負(fù)載鎖定單元49包括向腔室70供給氮?dú)獾牡獨(dú)夤┙o管71、測(cè)定腔室70內(nèi)的壓力的壓力表72、排出腔室70內(nèi)的氮?dú)獾鹊牡诙?fù)載鎖定單元排氣系統(tǒng)73、將腔室70內(nèi)向大氣開放的大氣連通管74。
氮?dú)夤┙o管71中設(shè)置有MFC(未圖示)，該MFC調(diào)節(jié)向腔室70供給的氮?dú)獾牧髁?。第二?fù)載鎖定單元排氣系統(tǒng)73由一根排氣管構(gòu)成，該排氣管與腔室70連通，并且在DP的前面與第三處理單元排氣系統(tǒng)67中的主排氣管68連接。另外，第二負(fù)載鎖定單元排氣系統(tǒng)73和大氣連通管74各自具有可自由開關(guān)的排氣閥75和減壓閥(reliefvalve)76，該排氣閥75和減壓閥76協(xié)作，將腔室70內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)為從大氣壓到期望的真空度。
圖8為表示圖7中的第二負(fù)載鎖定單元的單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。
在圖8中，作為第二負(fù)載鎖定單元49的單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)77的干燥空氣供給目的地，有大氣門閥55具有的滑動(dòng)門(slidedoor)驅(qū)動(dòng)用的門閥氣缸(door valve cylinder)；作為N2吹掃單元的氮?dú)夤┙o管71具有的MFC；作為大氣開放用的減壓?jiǎn)卧?reliefunit)的大氣連通管74具有的減壓閥76；作為抽真空單元的第二負(fù)載鎖定單元排氣系統(tǒng)73具有的排氣閥75；以及真空閘閥54具有的滑動(dòng)閘(slidegate)驅(qū)動(dòng)用的閘閥氣缸。
單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)77包括從第二處理部12具有的主干燥空氣供給管78分支的副干燥空氣供給管79；以及與該副干燥空氣供給管79連接的第一電磁閥80和第二電磁閥81。
第一電磁閥80分別經(jīng)過干燥空氣供給管82、83、84、85與門閥氣缸、MFC、減壓閥76、和閘閥氣缸連接，通過控制向這些部分供給的干燥空氣量來控制各部分的動(dòng)作。另外，第二電磁閥81經(jīng)過干燥空氣供給管86與排氣閥75連接，通過控制向排氣閥75供給的干燥空氣量來控制排氣閥75的動(dòng)作。此外，氮?dú)夤┙o管71中的MFC還與氮?dú)?N2)供給系統(tǒng)87連接。
另外，第二處理單元34、第三處理單元36也具備與上述的第二負(fù)載鎖定單元49的單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)77具有同樣結(jié)構(gòu)的單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)。
回到圖1，基板處理裝置10具備控制第一處理部11、第二處理部12和裝載單元13的動(dòng)作的系統(tǒng)控制器；和配置在裝載單元13長(zhǎng)度方向的一端的操作面板88。
操作面板88具有例如由LCD(Liquid Crystal Display液晶顯示器)構(gòu)成的顯示部，該顯示部顯示基板處理裝置10的各構(gòu)成要素的動(dòng)作狀況。
另外，如圖9所示，系統(tǒng)控制器包括EC(Equipment Controller設(shè)備控制器)89；三個(gè)MC(Module Controller模塊控制器)90、91、92；以及連接EC89和各MC的交換集線器93。該系統(tǒng)控制器從EC89經(jīng)過LAN(Local Area Network局域網(wǎng))170與作為對(duì)設(shè)置有基板處理裝置10的整個(gè)工場(chǎng)的制造工序進(jìn)行管理的MES(ManufacturingExecution System制造執(zhí)行系統(tǒng))的PC171連接。MES與系統(tǒng)控制器聯(lián)合，將與工場(chǎng)中的工序相關(guān)的實(shí)時(shí)信息反饋到主干業(yè)務(wù)系統(tǒng)(未圖示)中，并且，考慮整個(gè)工場(chǎng)的負(fù)荷等，進(jìn)行與工序相關(guān)的判斷。
EC89是統(tǒng)括各MC、控制基板處理裝置10整體的動(dòng)作的主控制部。另外，EC89具有CPU、RAM、HDD等，根據(jù)與由用戶等在操作面板88中指定的晶片W的處理方法、即方案對(duì)應(yīng)的程序，CPU將控制信號(hào)發(fā)送至各MC，由此控制第一處理部11、第二處理部12和裝載單元13的動(dòng)作。
交換集線器93根據(jù)來自EC89的控制信號(hào)，切換作為EC89的連接目標(biāo)位置的MC。
MC90、91、92分別是控制第一處理部11、第二處理部12和裝載單元13的動(dòng)作的副控制部(從屬控制部)。各MC通過DIST(Distribution分配)板96，經(jīng)由GHOST網(wǎng)絡(luò)95，分別與各I/O(輸入輸出)模塊97、98、99連接。GHOST網(wǎng)絡(luò)95是由在各MC具有的MC板中搭載的被稱為GHOST(General High-Speed Optimum Scalable Transceiver通用高速優(yōu)化可縮放收發(fā)器)的LSI實(shí)現(xiàn)的網(wǎng)絡(luò)。GHOST網(wǎng)絡(luò)95最多能夠連接31個(gè)I/O模塊，在GHOST網(wǎng)絡(luò)95中，MC相當(dāng)于主裝置(master)，I/O模塊相當(dāng)于從屬裝置(slave)。
I/O模塊98由與第二處理部12中的各構(gòu)成要素(以下稱為“終端設(shè)備(end device)”)連接的多個(gè)I/O部100構(gòu)成，用于傳遞向各終端設(shè)備發(fā)送的控制信號(hào)和來自各終端設(shè)備的輸出信號(hào)。在I/O模塊98中與I/O部100連接的終端設(shè)備有例如第二處理單元34中的氨氣供給管57的MFC、氟化氫氣體供給管58的MFC、壓力表59和APC閥42，第三處理單元36中的MFC196、MFC209、微波源190、壓力表66、APC閥69、緩沖臂52和臺(tái)式加熱器51，第二負(fù)載鎖定單元49中的氮?dú)夤┙o管71的MFC、壓力表72和第二搬送臂37，以及單元驅(qū)動(dòng)用干燥空氣供給系統(tǒng)77中的第一電磁閥80和第二電磁閥81等。
此外，I/O模塊97、99具有與I/O模塊98同樣的結(jié)構(gòu)，與第一處理部11對(duì)應(yīng)的MC90和I/O模塊97的連接關(guān)系、以及與裝載單元13對(duì)應(yīng)的MC92和I/O模塊99的連接關(guān)系也是與上述的MC91和I/O模塊98的連接關(guān)系相同的結(jié)構(gòu)，所以省略它們的說明。
另外，各GHOST網(wǎng)絡(luò)95還與控制I/O部100的數(shù)字信號(hào)、模擬信號(hào)和串行信號(hào)(serial signal)的輸入輸出的I/O板(未圖示)連接。
在基板處理裝置10中，在對(duì)晶片W實(shí)施COR處理時(shí)，根據(jù)與COR處理的方案對(duì)應(yīng)的程序，EC89的CPU經(jīng)由交換集線器93、MC91、GHOST網(wǎng)絡(luò)95和I/O模塊98中的I/O部100，向期望的終端設(shè)備發(fā)送控制信號(hào)，由此在第二處理單元34中進(jìn)行COR處理。
具體而言，CPU通過向氨氣供給管57的MFC和氟化氫氣體供給管58的MFC發(fā)送控制信號(hào)，將腔室38中的氨氣和氟化氫氣體的體積流量比調(diào)節(jié)到期望的值，通過向TMP41和APC閥42發(fā)送控制信號(hào)，將腔室38內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)到期望的值。另外，此時(shí)，壓力表59將腔室38內(nèi)的壓力值作為輸出信號(hào)發(fā)送到EC89的CPU，該CPU根據(jù)發(fā)送的腔室38內(nèi)的壓力值，決定氨氣供給管57的MFC、氟化氫氣體供給管58的MFC、APC閥42和TMP41等的控制參數(shù)。
另外，在對(duì)晶片W進(jìn)行PHT處理時(shí)，根據(jù)與PHT處理的方案對(duì)應(yīng)的程序，EC89的CPU通過向期望的終端設(shè)備發(fā)送控制信號(hào)，在第三處理單元36中實(shí)施PHT處理。
具體而言，CPU通過向APC閥69發(fā)送控制信號(hào)，將腔室50內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)到期望的值，通過向臺(tái)式加熱器51發(fā)送控制信號(hào)，將晶片W的溫度調(diào)節(jié)到期望的溫度。另外，此時(shí)，壓力表66將腔室50內(nèi)的壓力值作為輸出信號(hào)發(fā)送到EC89的CPU，該CPU根據(jù)發(fā)送的腔室50內(nèi)的壓力值，決定APC閥69的控制參數(shù)。
另外，在對(duì)晶片W進(jìn)行有機(jī)物層除去處理時(shí)，根據(jù)與有機(jī)物層除去處理的方案對(duì)應(yīng)的程序，EC89的CPU通過向期望的終端設(shè)備發(fā)送控制信號(hào)，在第三處理單元36中實(shí)施有機(jī)物層除去處理。
具體而言，CPU通過向MFC196和MFC209發(fā)送控制信號(hào)，向腔室50內(nèi)導(dǎo)入氧氣和放電氣體，通過向APC閥69發(fā)送控制信號(hào)，將腔室50內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)到期望的值，通過向臺(tái)式加熱器51發(fā)送控制信號(hào)，將晶片W的溫度調(diào)節(jié)到期望的溫度，通過向微波源190發(fā)送控制信號(hào)，從天線裝置191的縫隙電極219向腔室50內(nèi)導(dǎo)入微波。另外，此時(shí)，例如壓力表66將腔室50內(nèi)的壓力值作為輸出信號(hào)發(fā)送到EC89的CPU，該CPU根據(jù)發(fā)送的腔室50內(nèi)的壓力值，決定APC閥69的控制參數(shù)。
在圖9的系統(tǒng)控制器中，多個(gè)終端設(shè)備不與EC89直接連接，與該多個(gè)終端設(shè)備連接的I/O部100被模塊化，構(gòu)成I/O模塊，該I/O模塊通過MC和交換集線器93與EC89連接，所以能夠?qū)⑼ㄓ嵪到y(tǒng)簡(jiǎn)化。
另外，EC89的CPU發(fā)送的控制信號(hào)中包括與期望的終端設(shè)備連接的I/O部100的地址、以及包含該I/O部100的I/O模塊的地址，所以，交換集線器93參照控制信號(hào)中的I/O模塊的地址、MC的GHOST參照控制信號(hào)中的I/O部100的地址，由此，交換集線器93和MC可以不需要向CPU查詢控制信號(hào)的發(fā)送目的地，由此能夠?qū)崿F(xiàn)控制信號(hào)的平滑傳輸。
但是，如上所述，晶片W上的浮柵、層間SiO2膜蝕刻的結(jié)果，在晶片W上形成的槽的側(cè)面上，形成由SiOBr層、CF類沉積層和SiOBr層構(gòu)成的沉積膜。SiOBr層是如上所述具有與SiO2層相似的性質(zhì)的疑似SiO2層。這些SiOBr層和CF類沉積層會(huì)成為電子器件的不利情況、例如導(dǎo)通不良的原因，所以需要除去。
在本實(shí)施方式的基板處理方法中，與此對(duì)應(yīng)，對(duì)在槽的側(cè)面上形成有沉積膜的晶片W實(shí)施COR處理、PHT處理和有機(jī)物層除去處理。
在本實(shí)施方式的基板處理方法中，在COR處理中使用氨氣和氟化氫氣體。在此，氟化氫氣體促進(jìn)疑似SiO2層的腐蝕，氨氣根據(jù)需要來限制氧化膜與氟化氫氣體的反應(yīng)，最終合成用于使反應(yīng)停止的反應(yīng)副產(chǎn)物(By-product)。具體而言，本實(shí)施方式的基板處理方法，在COR處理和PHT處理中，利用以下的化學(xué)反應(yīng)。
(COR處理)SiO2+4HF→SiF4+2H2O↑SiF4+2NH3+2HF→(NH4)2SiF6
(PHT處理)(NH4)2SiF6→SiF4↑+2NH3↑+2HF↑此外，在PHT處理中，還會(huì)產(chǎn)生若干量的N2和H2。
另外，在本實(shí)施方式的基板處理方法中，在有機(jī)物層除去處理中使用由氧氣生成的氧自由基。在此，在已實(shí)施COR處理和PHT處理的晶片W中，在槽的側(cè)面的沉積膜中，最表層的SiOBr層被除去，作為有機(jī)物層的CF類沉積層露出。氧自由基將露出的CF類沉積層分解。具體而言，暴露于氧自由基的CF類沉積層通過化學(xué)反應(yīng)被分解為CO、CO2、F2等。由此，可除去槽的側(cè)面的沉積膜中的CF類沉積層。
圖10為作為本實(shí)施方式的基板處理方法的沉積膜除去處理的流程圖。
在圖10中，在基板處理裝置10中，首先，將在槽的側(cè)面上形成有由SiOBr層、CF類沉積層和SiOBr層構(gòu)成的沉積膜的晶片W收容在第二處理單元34的腔室38中，將該腔室38內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)為規(guī)定壓力，向腔室38內(nèi)導(dǎo)入氨氣、氟化氫氣體和作為稀釋氣體的氬氣(Ar)，在腔室38內(nèi)形成由這些氣體構(gòu)成的混合氣體的氣氛，在規(guī)定的壓力下將最表層的SiOBr層暴露在混合氣體中。由此，使SiOBr層、氨氣和氟化氫氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成具有絡(luò)合物結(jié)構(gòu)的生成物((NH4)2SiF6)(步驟S101)(化學(xué)反應(yīng)處理步驟)。此時(shí)，最表層的SiOBr層在混合氣體中暴露的時(shí)間優(yōu)選為2～3分鐘，另外，ESC39的溫度優(yōu)選設(shè)定為10～100℃范圍內(nèi)的任意溫度。
腔室38內(nèi)的氟化氫氣體的分壓優(yōu)選為6.7～13.3Pa(50～100mTorr)。由此，腔室38內(nèi)的混合氣體的流量比等穩(wěn)定，因此能夠有助于生成物的生成。另外，由于溫度越高，腔室38內(nèi)產(chǎn)生的副產(chǎn)物越難以附著，所以，優(yōu)選利用埋設(shè)在側(cè)壁中的加熱器(末圖示)將腔室38內(nèi)的內(nèi)壁溫度設(shè)定為50℃。
接著，將已生成生成物的晶片W載置在第三處理單元36的腔室50內(nèi)的臺(tái)式加熱器51上，將該腔室50內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)到規(guī)定壓力，從放電氣體供給環(huán)211等向腔室50內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)?，產(chǎn)生粘性流，利用臺(tái)式加熱器51將晶片W加熱到規(guī)定溫度(步驟S102)(熱處理步驟)。此時(shí)，生成物的絡(luò)合物結(jié)構(gòu)由于加熱而分解，生成物分離并氣化成四氟化硅(SiF4)、氨氣和氟化氫。氣化的這些氣體分子被卷入導(dǎo)入腔室50內(nèi)的氮?dú)獾恼承粤髦?，由第三處理單元排氣系統(tǒng)67從腔室50中排出。
在第三處理單元36中，生成物是含有配位鍵的配位化合物(Complex compound)，配位化合物的結(jié)合力弱，即使在較低溫度下熱分解也會(huì)得到促進(jìn)，因此，加熱后的晶片W的規(guī)定溫度優(yōu)選為80～200℃，另外，對(duì)晶片W實(shí)施PHT處理的時(shí)間優(yōu)選為30～120秒。另外，為了使腔室50內(nèi)產(chǎn)生粘性流，提高腔室50內(nèi)的真空度并不適合，而且，需要一定流量的氣流。因此，該腔室50中的規(guī)定壓力優(yōu)選為6.7×10～1.3×102Pa(500mTorr～1Torr)，氮?dú)獾牧髁績(jī)?yōu)選為500～3000SCCM。由此，由于能夠可靠地在腔室50內(nèi)產(chǎn)生粘性流，所以，能夠可靠地除去由生成物的熱分解而產(chǎn)生的氣體分子。
接著，從放電氣體供給系統(tǒng)193，通過放電氣體供給環(huán)211，以規(guī)定的流量向第三處理單元36的腔室50內(nèi)供給放電氣體，并且從氧氣供給系統(tǒng)192，通過氧氣供給環(huán)198，按照規(guī)定的流量供給氧氣。氧氣供給環(huán)198的各氧氣供給噴嘴201，如圖4所示，向腔室50的中心開口。另外，臺(tái)式加熱器51在平面視圖中，配置在腔室50的大致中心位置。因此，氧氣供給環(huán)198向載置在臺(tái)式加熱器51上的晶片W的上方供給氧氣(氧氣供給步驟)(步驟S103)。
接著，例如以TEM模式從微波源190通過波導(dǎo)管215向滯波部件223導(dǎo)入微波。導(dǎo)入滯波部件223的微波在透過該滯波部件223時(shí)其波長(zhǎng)縮短。透過滯波部件223的微波入射到縫隙電極219，縫隙電極219從各狹縫組225將微波導(dǎo)入腔室50內(nèi)。即，縫隙電極219向已供給有氧氣的腔室50內(nèi)導(dǎo)入微波(微波導(dǎo)入步驟)(步驟S104)。此時(shí)，被施加微波的氧氣激發(fā)，產(chǎn)生氧自由基。產(chǎn)生的氧自由基通過化學(xué)反應(yīng)將因最表層的SiOBr層被除去而露出的CF類沉積層分解成CO、CO2、F2等氣體分子。這些氣體分子被卷入由放電氣體供給環(huán)211供給的氮?dú)獾恼承粤髦?，由第三處理單元排氣系統(tǒng)67從腔室50中排出。此時(shí)，向腔室50內(nèi)供給氧氣的時(shí)間優(yōu)選為10秒左右，另外，臺(tái)式加熱器51的溫度優(yōu)選設(shè)定為100～200℃范圍內(nèi)的任意值。此外，從氧氣供給孔197供給的氧氣的流量?jī)?yōu)選為1～5SLM。
另外，在步驟S104中，滯波部件223和縫隙電極219被維持在期望的溫度，不會(huì)發(fā)生熱膨脹等變形，因此，各狹縫組225的狹縫224能夠維持最佳長(zhǎng)度，由此，微波被均勻地(不局部集中地)并且以期望的密度(密度不降低地)導(dǎo)入腔室50內(nèi)。
接著，將在槽的側(cè)面的沉積膜中CF類沉積層被除去而露出最下層的SiOBr層的晶片W收容在第二處理單元34的腔室38中，對(duì)該晶片W實(shí)施與上述步驟S101同樣的處理(步驟S105)，再將該晶片W載置在第三處理單元36的腔室50內(nèi)的臺(tái)式加熱器51上，對(duì)該晶片W實(shí)施與上述步驟S102同樣的處理(步驟S106)。由此，將最下層的SiOBr層除去，此后，結(jié)束本處理。
上述的步驟S103和S104相當(dāng)于有機(jī)物層除去處理。
根據(jù)上述的本實(shí)施方式的基板處理裝置，第三處理單元36具有向腔室50內(nèi)供給氧氣的氧氣供給系統(tǒng)192和氧氣供給環(huán)198、以及向腔室50內(nèi)導(dǎo)入微波的天線裝置191。在槽的側(cè)面上形成有由最表層的SiOBr層覆蓋的CF類沉積層的晶片W中，通過與氨氣和氟化氫氣體的化學(xué)反應(yīng)而由SiOBr層生成的生成物被加熱時(shí)，該生成物將氣化，CF類沉積層將露出。另外，在向已供給氧氣的腔室50內(nèi)導(dǎo)入微波時(shí)，氧氣被激發(fā)，產(chǎn)生氧自由基。露出的有機(jī)物層暴露在產(chǎn)生的氧自由基中，該氧自由基通過化學(xué)反應(yīng)將CF類沉積層分解成CO、CO2、F2等氣體分子。因此，能夠繼最表層的SiOBr層之后連續(xù)地除去CF類沉積層，所以能夠高效率地除去SiOBr層和CF類沉積層。
上述的本實(shí)施方式的基板處理裝置，不限于圖1所示的具有兩個(gè)互相平行配置的處理部的平行式(parallel type)的基板處理裝置，如圖11、圖12等所示，也可以是作為對(duì)晶片W實(shí)施規(guī)定處理的真空處理室的多個(gè)處理單元呈放射狀配置的基板處理裝置。
圖11為表示上述的本實(shí)施方式的基板處理裝置的第一變形例的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖11中，與圖1的基板處理裝置10的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素標(biāo)以相同的符號(hào)，并省略其說明。
在圖11中，基板處理裝置137包括在平面視圖中呈六角形的傳遞單元(transfer unit)138；在該傳遞單元138的周圍呈放射狀配置的4個(gè)處理單元139～142；裝載單元13；以及配置在傳遞單元138和裝載單元13之間，連接傳遞單元138和裝載單元13的兩個(gè)負(fù)載鎖定單元143、144。
傳遞單元138和各處理單元139～142的內(nèi)部壓力被維持在真空，傳遞單元138和各處理單元139～142分別通過真空閘閥145～148連接。
在基板處理裝置137中，裝載單元13的內(nèi)部壓力被維持在大氣壓，而傳遞單元138的內(nèi)部壓力被維持在真空。因此，各負(fù)載鎖定單元143、144在與傳遞單元138連接的連接部分別具有真空閘閥149、150，并且在與裝載單元13連接的連接部分別具有大氣門閥151、152，由此構(gòu)成為其內(nèi)部壓力能夠調(diào)節(jié)的真空預(yù)備搬送室。另外，各負(fù)載鎖定單元143、144具有用于暫時(shí)載置在裝載單元13和傳遞單元138之間傳遞的晶片W的晶片載置臺(tái)153、154。
傳遞單元138具有配置在其內(nèi)部的可自由伸縮和旋轉(zhuǎn)的蛙腿型(frog leg type)搬送臂155，該搬送臂155在各處理單元139～142、和各負(fù)載鎖定單元143、144之間搬送晶片W。
各處理單元139～142分別具有載置進(jìn)行處理的晶片W的載置臺(tái)156～159。在此，處理單元139、140具有與基板處理裝置10中的第一處理單元25同樣的結(jié)構(gòu)，處理單元141具有與第二處理單元34同樣的結(jié)構(gòu)，處理單元142具有與第三處理單元36同樣的結(jié)構(gòu)。因此，處理單元139、140能對(duì)晶片W實(shí)施蝕刻處理，處理單元141能對(duì)晶片W實(shí)施COR處理，處理單元142能對(duì)晶片W實(shí)施PHT處理和有機(jī)物層除去處理。
在基板處理裝置137中，將在槽的側(cè)面形成有由SiOBr層、CF類沉積層和SiOBr層構(gòu)成的沉積膜的晶片W搬入處理單元141實(shí)施COR處理，再將其搬入處理單元142實(shí)施PHT處理和有機(jī)物層除去處理，由此實(shí)施上述的本實(shí)施方式的基板處理方法。
此外，基板處理裝置137的各構(gòu)成要素的動(dòng)作通過與基板處理裝置10中的系統(tǒng)控制器具有同樣結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)控制器進(jìn)行控制。
圖12為表示上述的本實(shí)施方式的基板處理裝置的第二變形例的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖12中，與圖1的基板處理裝置10和圖11的基板處理裝置137的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素標(biāo)以相同的符號(hào)，并省略其說明。
在圖12中，基板處理裝置160相對(duì)于圖11的基板處理裝置137增加了兩個(gè)處理單元161、162，與此相應(yīng)，傳遞單元163的形狀也與基板處理裝置137中的傳遞單元138的形狀不同。增加的兩個(gè)處理單元161、162分別通過真空閘閥164、165與傳遞單元163連接，并且具有晶片W的載置臺(tái)166、167。處理單元161具有與第一處理單元25相同的結(jié)構(gòu)，處理單元162具有與第二處理單元34相同的結(jié)構(gòu)。
另外，傳遞單元163具有由兩個(gè)標(biāo)量臂型(scalar arm type)的搬送臂構(gòu)成的搬送臂單元168。該搬送臂單元168沿著配設(shè)在傳遞單元163內(nèi)的導(dǎo)軌169移動(dòng)，在各處理單元139～142、161、162和各負(fù)載鎖定單元143、144之間搬送晶片W。
在基板處理裝置160中，與基板處理裝置137同樣，將在槽的側(cè)面形成有由SiOBr層、CF類沉積層和SiOBr層構(gòu)成的沉積膜的晶片W搬入處理單元141或處理單元162實(shí)施COR處理，再搬入處理單元142實(shí)施PHT處理和有機(jī)物層除去處理，由此實(shí)施上述的本實(shí)施方式的基板處理方法。
此外，基板處理裝置160中的各構(gòu)成要素的動(dòng)作通過與基板處理裝置10中的系統(tǒng)控制器具有同樣結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)控制器進(jìn)行控制。
通過將存儲(chǔ)有實(shí)現(xiàn)上述本實(shí)施方式的功能的軟件的程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)供給EC89、EC89的計(jì)算機(jī)(或CPU、MPU等)讀出存儲(chǔ)介質(zhì)中儲(chǔ)存的程序代碼并運(yùn)行，也能達(dá)到本發(fā)明的目的。
在此情況下，從存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出的程序代碼本身實(shí)現(xiàn)上述本實(shí)施方式的功能，該程序代碼和該存儲(chǔ)有該程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。
另外，作為用于提供程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)，可以使用例如軟盤(注冊(cè)商標(biāo))、硬盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盤、磁帶、非易失性存儲(chǔ)器插件、ROM等。另外，也可以通過網(wǎng)絡(luò)下載程序代碼。
另外，本發(fā)明不僅包括通過運(yùn)行由計(jì)算機(jī)讀出的程序代碼來實(shí)現(xiàn)上述本實(shí)施方式的功能的情況，而且包括在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的OS(operating system操作系統(tǒng))等根據(jù)該程序代碼的指示，進(jìn)行部分或全部的實(shí)際處理，通過該處理來實(shí)現(xiàn)上述本實(shí)施方式的功能的情況。
另外，本發(fā)明還包括下述情況在將從存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出的程序代碼寫入被插入計(jì)算機(jī)中的功能擴(kuò)展板或與計(jì)算機(jī)連接的功能擴(kuò)展單元所具有的存儲(chǔ)器中之后，具有擴(kuò)展功能的擴(kuò)展板或擴(kuò)展單元的CPU等，根據(jù)該程序代碼的指示，進(jìn)行部分或全部的實(shí)際處理，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述本實(shí)施方式的功能。
上述程序代碼的形式可以由目標(biāo)代碼、利用解釋程序(interpreter)運(yùn)行的程序代碼、提供給OS的腳本數(shù)據(jù)等形式構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，用于對(duì)在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板進(jìn)行處理，包括使所述氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而在所述表面上生成生成物的化學(xué)反應(yīng)處理裝置、和對(duì)在所述表面上生成所述生成物的所述基板進(jìn)行加熱的熱處理裝置，其特征在于所述熱處理裝置包括收容所述基板的收容室；向該收容室內(nèi)供給氧氣的氧氣供給系統(tǒng)；和向所述收容室內(nèi)導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述微波導(dǎo)入裝置具有與收容在所述收容室內(nèi)的基板相對(duì)地配置的圓板狀天線，以包圍該天線的周邊部的方式配置有電磁波吸收體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于所述有機(jī)物層為由CF類的沉積物構(gòu)成的層。
4.一種基板處理方法，用于對(duì)在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板進(jìn)行處理，其特征在于，具有使所述氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在所述表面上生成生成物的化學(xué)反應(yīng)處理步驟；對(duì)在所述表面上生成所述生成物的所述基板進(jìn)行加熱的熱處理步驟；向已實(shí)施所述熱處理的基板的上方供給氧氣的氧氣供給步驟；和向已供給所述氧氣的基板的上方導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入步驟。
5.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行對(duì)在表面上形成有由氧化物層覆蓋的有機(jī)物層的基板進(jìn)行處理的基板處理方法的程序，能夠由計(jì)算機(jī)讀取，其特征在于，所述程序包括使所述氧化物層與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在所述表面上生成生成物的化學(xué)反應(yīng)處理模塊；對(duì)在所述表面上生成所述生成物的所述基板進(jìn)行加熱的熱處理模塊；向已實(shí)施所述熱處理的基板的上方供給氧氣的氧氣供給模塊；和向已供給所述氧氣的基板的上方導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入模塊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠高效率地除去氧化物層和有機(jī)物層的基板處理裝置。基板處理裝置(10)的第三處理單元(36)包括框體狀的處理室容器(腔室)(50)、氧氣供給系統(tǒng)(192)和天線裝置(191)，氧氣供給系統(tǒng)(192)通過氧氣供給環(huán)(198)向收容有晶片(W)的腔室(50)內(nèi)供給氧氣，天線裝置(191)向供給有氧氣的腔室(50)內(nèi)導(dǎo)入微波。
文檔編號(hào)H01L21/311GK101013654SQ20061014249
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2006年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者西村榮一, 菊地貴倫 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社