專(zhuān)利名稱(chēng)：襯底處理方法和襯底處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底處理方法和襯底處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為用于在保持高蝕刻速率的情況下處理襯底的方法，"沸點(diǎn)控 制方法"是公知的。沸點(diǎn)控制是為如下循環(huán)而執(zhí)行的控制當(dāng)蝕刻劑 的溫度達(dá)到純水添加開(kāi)始溫度時(shí)開(kāi)始純水的供給，并且當(dāng)蝕刻劑的溫 度變?yōu)榧兯砑油Ｖ箿囟葧r(shí)停止純水供給，該純水添加開(kāi)始溫度是蝕 刻劑的沸點(diǎn)，而該純水添加停止溫度是比沸點(diǎn)低若干度C的溫度。使 用此沸點(diǎn)控制，將蝕刻劑的濃度穩(wěn)定在其沸點(diǎn)附近以在保持高蝕刻速 率的情況下執(zhí)行產(chǎn)品處理。
同時(shí)，為了提供經(jīng)歷合適蝕刻處理的襯底，日本專(zhuān)利特開(kāi) No.2006-114590和2001-205158作出了如下所述的提議。
日本專(zhuān)利特開(kāi)No.2006-114590描述了基于預(yù)定溫度(基礎(chǔ)溫度) 與從將半導(dǎo)體襯底裝入蝕刻槽中特定時(shí)段之后的工藝液體的溫度之間 的差來(lái)計(jì)算合適的蝕刻時(shí)間的蝕刻方法。它還描述當(dāng)蝕刻處理時(shí)間變 長(zhǎng)并超過(guò)預(yù)定閾值時(shí)，工藝控制單元判定出現(xiàn)異常并給出關(guān)于過(guò)濾器 堵塞的警報(bào)。
此外，日本專(zhuān)利特開(kāi)No.2001-205158描述了在同一槽中使用采用 化學(xué)處理(蝕刻)的濕處理設(shè)備和濕法凈化的蝕刻方法，該蝕刻方法基于濃縮的化學(xué)溶液和添加的純水的綜合流速來(lái)計(jì)算化學(xué)(蝕刻)溶 液的濃度，并測(cè)量化學(xué)溶液的溫度，從而確定用于襯底的處理時(shí)間。
然而，本發(fā)明人已注意到即使使用這些技術(shù)仍存在下列問(wèn)題。
圖4是指示當(dāng)執(zhí)行沸點(diǎn)控制時(shí)化學(xué)溶液的溫度與氮化硅薄膜的蝕 刻時(shí)間之間的關(guān)系的曲線圖。蝕刻槽中的化學(xué)溶液通過(guò)例如加熱器加 熱。沸點(diǎn)控制方法是通過(guò)重復(fù)如下的循環(huán)來(lái)控制沸點(diǎn)的方法，即，當(dāng) 化學(xué)溶液的溫度由于加熱而升高到純水添加開(kāi)始溫度(tl)時(shí)開(kāi)始純水
供給，而當(dāng)溫度降至純水添加停止溫度(t2)時(shí)停止純水供給。在此情
形中，將純水添加開(kāi)始溫度設(shè)定為化學(xué)溶液的沸點(diǎn)，使化學(xué)溶液的溫 度能接近沸點(diǎn)，同時(shí)使化學(xué)溶液的濃度能保持在特定范圍內(nèi)。由此， 化學(xué)溶液的溫度能維持在沸點(diǎn)附近的溫度處，從而能保持高蝕刻速率。
然而，例如用于加熱化學(xué)溶液的加熱器的損耗導(dǎo)致難以提高化學(xué)
溶液的溫度，這可導(dǎo)致化學(xué)溶液的溫度不能維持在沸點(diǎn)附近。在圖4 中，T25以后的區(qū)段指示當(dāng)加熱器損耗時(shí)化學(xué)溶液的溫度變化。如圖4 中所示，與從T21到T22的時(shí)間(正常狀態(tài))相比，從T23到T24的 時(shí)間(當(dāng)加熱器損耗時(shí))更長(zhǎng)。由此，對(duì)于特定的時(shí)段不能提供足夠 的循環(huán)數(shù)量，化學(xué)溶液處于高蝕刻速率的狀態(tài)(正常狀態(tài))中的時(shí)間 減少，這引發(fā)如下問(wèn)題在沒(méi)有獲得足夠蝕刻量的情況下完成了蝕刻 過(guò)程。
檢測(cè)蝕刻量的這種下降是困難的。此外，控制化學(xué)溶液的蝕刻速 率(化學(xué)溶液的溫度和濃度)高需要通過(guò)監(jiān)控諸如加熱器的發(fā)熱量(電 壓和電流)的波動(dòng)來(lái)執(zhí)行高精度的互鎖控制，并且這種控制由于例如 加熱器之中的個(gè)體差別而不能執(zhí)行。
此外，盡管對(duì)于在設(shè)定范圍之外的化學(xué)溶液的較低溫度能采用互 鎖控制，但是對(duì)于在設(shè)定范圍之內(nèi)的化學(xué)溶液溫度不能執(zhí)行監(jiān)控。由此，不能設(shè)定足夠蝕刻量的過(guò)程很可能產(chǎn)生殘留氮化物薄膜。此外， 由于難以機(jī)械檢測(cè)此問(wèn)題，所以襯底處理繼續(xù)，這導(dǎo)致具有不充足蝕 刻量的襯底增加的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于每一批的襯底處理方法，該方法包括如下步
驟
將襯底浸入存儲(chǔ)在蝕刻槽中的化學(xué)溶液中； 加熱該化學(xué)溶液；
重復(fù)如下循環(huán)當(dāng)化學(xué)溶液的溫度達(dá)到值tl時(shí)，在對(duì)該化學(xué)溶液 進(jìn)行加熱的同時(shí)開(kāi)始向蝕刻槽供給純水，而當(dāng)化學(xué)溶液的溫度下降至 值t2 (tl>t2)時(shí)，停止供給純水；以及
計(jì)數(shù)在預(yù)定時(shí)段期間的循環(huán)的數(shù)量；
其中當(dāng)該循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外時(shí)，提供循環(huán) 的數(shù)量落在該數(shù)量的預(yù)設(shè)范圍之外的通知，并停止對(duì)后續(xù)批次中的襯 底進(jìn)行處理的開(kāi)始。
本發(fā)明提供一種通過(guò)將襯底每一批地浸入化學(xué)溶液中來(lái)對(duì)襯底進(jìn)
行處理的襯底處理設(shè)備，該設(shè)備包括 蝕刻槽，存儲(chǔ)化學(xué)溶液； 加熱器，加熱該化學(xué)溶液；
溫度測(cè)量單元，測(cè)量蝕刻槽中的化學(xué)溶液的溫度； 純水供給單元，將純水供給至蝕刻槽中；
控制器，重復(fù)如下循環(huán)當(dāng)由溫度測(cè)量單元測(cè)量的溫度達(dá)到值tl 時(shí)，在對(duì)化學(xué)溶液進(jìn)行加熱的同時(shí)開(kāi)始純水向蝕刻槽中的供給，而當(dāng) 該溫度下降至值t2 (tl〉t2)時(shí)，停止純水向蝕刻槽中的供給；
計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)在預(yù)定時(shí)段期間的循環(huán)的數(shù)量；
通知單元，當(dāng)由該計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)的循钚的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè) 范圍之外時(shí)，提供循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外的通知-以及停止單元，基于該通知單元的通知糴停止對(duì)后續(xù)批次中的襯底進(jìn) 行處理的開(kāi)始。
此襯底處理構(gòu)造為如下所述，即，對(duì)每一批襯底，計(jì)數(shù)供給純水 用于維持化學(xué)溶液的高蝕刻速率以及停止對(duì)于預(yù)定時(shí)段的供給的重復(fù) 循環(huán)的數(shù)量，并且當(dāng)循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外時(shí)，為 此結(jié)果提供通知。
根據(jù)如上所述構(gòu)造的襯底處理方法和襯底處理設(shè)備，基于在預(yù)定 時(shí)段期間的循環(huán)的數(shù)量來(lái)檢測(cè)襯底處理中的蝕刻量是否合適，因而， 能以良好的精度發(fā)現(xiàn)具有缺陷蝕刻的一批襯底，并且能防止缺陷蝕刻 在后續(xù)批次中出現(xiàn)。


從下面結(jié)合附圖給出的描述，本發(fā)明的上述和其它目的、優(yōu)點(diǎn)和 特征將更加明顯，在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的晶片處理設(shè)備的示意性橫剖視圖2是指示本發(fā)明中化學(xué)溶液的溫度與時(shí)間之間的關(guān)系的曲線
圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的晶片處理程序的流程圖4是指示現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)溶液的溫度與時(shí)間之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照示例性實(shí)施例來(lái)在此對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。本領(lǐng)域中的 技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，使用本發(fā)明的教義能實(shí)現(xiàn)很多可替代的實(shí)施例， 并且本發(fā)明不限于為說(shuō)明性目的而示例的實(shí)施例。
在下文中，將參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的晶片處理方法和晶片處理 設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。對(duì)于附圖的描述，相同的部件設(shè)有相同的附圖標(biāo)記并且將不對(duì)其進(jìn)行重復(fù)描述。
(第一實(shí)施例) 圖1是根據(jù)本發(fā)明的晶片處理設(shè)備的示意性橫剖視圖。
如圖1中所示，晶片處理設(shè)備IOO包括存儲(chǔ)磷酸10的蝕刻槽11; 加熱磷酸10的加熱器13 (加熱單元)；測(cè)量蝕刻槽11中的磷酸10的 溫度的溫度傳感器15 (溫度測(cè)量單元)；將純水供給到蝕刻槽11中的 純水供給閥16 (純水供給單元)；控制單元18;計(jì)數(shù)單元19;以及通 知單元20。
晶片處理設(shè)備IOO還包括過(guò)濾器12、泵14和電磁閥17。
對(duì)于每批晶片，晶片處理設(shè)備IOO通過(guò)將它們浸入磷酸10中來(lái)順 次處理晶片。形成在每個(gè)晶片上的氮化物薄膜被磷酸10 (化學(xué)溶液) 蝕刻。
磷酸IO存儲(chǔ)在蝕刻槽11中。
泵14執(zhí)行吸入溢出蝕刻槽11的磷酸10的操作，將它輸送到加熱 器13，通過(guò)過(guò)濾器12過(guò)濾由加熱器13加熱的磷酸10并將該磷酸10 輸送回到蝕刻槽ll (化學(xué)溶液循環(huán))。
加熱器13加熱通過(guò)泵14循環(huán)的磷酸10。
溫度傳感器15測(cè)量蝕刻槽11中的磷酸10的溫度。
控制單元18控制晶片處理設(shè)備100的總體操作?？刂茊卧?8能 基于例如來(lái)自各部件的信息發(fā)出信號(hào)，以及基于信息作出決定。例如， 控制單元18能如下所述地操作?？刂茊卧?8執(zhí)行控制，從而多次重復(fù)如下循環(huán)在對(duì)磷酸10進(jìn) 行加熱的狀態(tài)中，當(dāng)由溫度傳感器15測(cè)量的磷酸10的溫度達(dá)到tl時(shí)，
純水供給閥16開(kāi)始向蝕刻槽11供應(yīng)純水，而當(dāng)該溫度降低到t2(tl〉t2) 時(shí)停止向蝕刻槽ll供應(yīng)純水。
更具體地，當(dāng)由溫度傳感器15測(cè)量的值達(dá)到tl時(shí)，控制單元18 向電磁閥17發(fā)送信號(hào)以將空氣從電磁閥17供應(yīng)至純水供給閥16,從 而操作純水供給閥16將純水從純水供給閥16供給至蝕刻槽11。此外， 當(dāng)由溫度傳感器15測(cè)量的值達(dá)到t2時(shí)，控制單元18向電磁閥17發(fā)送 信號(hào)以停止從電磁閥17到純水供給閥16的空氣供給，從而操作純水 供給閥16停止從純水供給閥16到蝕刻槽11的純水供給。
此外，通過(guò)使用加熱器13加熱磷酸10，控制單元18能基于由溫 度傳感器15的測(cè)量來(lái)控制蝕刻槽11中的磷酸10的溫度。而且，基于 來(lái)自通知單元20的通知，控制單元18能使停止單元21停止對(duì)后續(xù)批 次晶片的處理的開(kāi)始。由此，能夠防止后續(xù)批次晶片的缺陷蝕刻的進(jìn) 一步出現(xiàn)。
計(jì)數(shù)單元19計(jì)數(shù)在預(yù)定時(shí)段期間循環(huán)的數(shù)量。細(xì)節(jié)將在下文描述。
該預(yù)定時(shí)段指這樣的時(shí)段，即在此期間，計(jì)數(shù)單元19計(jì)數(shù)循環(huán)的 數(shù)量(監(jiān)控時(shí)間)，并且該預(yù)定時(shí)段能預(yù)先設(shè)定。而且，用于開(kāi)始監(jiān)控 時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)能根據(jù)條件設(shè)定。 '
如果由計(jì)數(shù)單元19計(jì)數(shù)的循環(huán)的數(shù)量落在預(yù)定范圍之外，則通知 單元20提供循環(huán)的數(shù)量落在該預(yù)定范圍之外的通知。通知的示例可包 括發(fā)布警告音和顯示警告。接下來(lái)，將使用圖2和圖3來(lái)描述圖1中所示的晶片處理設(shè)備100 的操作。在本實(shí)施例中，在高蝕刻速率的狀態(tài)下執(zhí)行晶片處理，因而， 采用"沸點(diǎn)控制方法"。
圖2是指示本發(fā)明中化學(xué)溶液的溫度與時(shí)間之間的關(guān)系的曲線 圖。在圖2中，tO表示為蝕刻槽11中的磷酸IO設(shè)定的溫度，tl表示 純水添加開(kāi)始溫度，而t2表示純水添加停止溫度。蝕刻槽11中的磷酸 IO通過(guò)加熱器13加熱。在本發(fā)明中，純水僅需要能夠?qū)崿F(xiàn)固定的循環(huán)， 并且可包含雜質(zhì)。
沸點(diǎn)控制方法是通過(guò)重復(fù)如下的循環(huán)來(lái)控制沸點(diǎn)的方法，即，當(dāng) 通過(guò)加熱使磷酸10的溫度升高到U時(shí)開(kāi)始純水的供給，而當(dāng)溫度降至 t2時(shí)停止純水的供給。
在此情形中，將tl設(shè)定為磷酸10的沸點(diǎn)，使磷酸10的濃度保持 在特定范圍內(nèi)，同時(shí)使磷酸10的溫度保持在tl到t2的范圍內(nèi)。換言 之，由于磷酸IO的溫度維持在沸點(diǎn)附近，同時(shí)維持優(yōu)選的濃度，所以 能保持高的蝕刻速率。
在此沸點(diǎn)下，從tl到t2的時(shí)間(Tl-T2)基本固定。因此，利用 設(shè)定為一個(gè)循環(huán)的從T3到T4的時(shí)間能計(jì)數(shù)每單位時(shí)間的循環(huán)數(shù)量(重 復(fù)的循環(huán)的數(shù)量)(循環(huán)/小時(shí))。
計(jì)數(shù)單元19將操作純水供給閥16的電磁閥17的打開(kāi)和關(guān)閉計(jì)數(shù) 為一個(gè)循環(huán)，將該計(jì)數(shù)轉(zhuǎn)換成每單位時(shí)間的循環(huán)數(shù)量(循環(huán)/小時(shí))，并 從該循環(huán)數(shù)量來(lái)計(jì)數(shù)每單位時(shí)間的循環(huán)數(shù)量(循環(huán)/小時(shí))。換言之，對(duì) 于監(jiān)控時(shí)間，計(jì)數(shù)單元19能計(jì)數(shù)循環(huán)的數(shù)量。此外，能使用序列發(fā)生 器、微型計(jì)算機(jī)等來(lái)計(jì)數(shù)。
同時(shí)，能相對(duì)于此監(jiān)控時(shí)間來(lái)設(shè)定"非監(jiān)控時(shí)間"。"非監(jiān)控時(shí)間"是這樣的時(shí)間，即，在該時(shí)間期間計(jì)數(shù)單元19不運(yùn)行。在下文中，將 描述"非監(jiān)控時(shí)間"。
如圖2中所示，在將一批晶片放入蝕刻槽11中之后，磷酸10的 溫度立刻急劇下降，并且該溫度需要特定的時(shí)段(T5-T6)來(lái)再次升高 到設(shè)定溫度(t0)。因而，能對(duì)計(jì)數(shù)單元19進(jìn)行控制以使其在作為"非 監(jiān)控時(shí)間"的從T5 (—批晶片的放入)到T6的時(shí)間期間不開(kāi)始操作。 換言之，可將從當(dāng)開(kāi)始襯底處理并將晶片浸入磷酸10中時(shí)的時(shí)間點(diǎn)到 當(dāng)磷酸10的溫度初次升高到設(shè)定溫度(t0)時(shí)的時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間段設(shè)定 為"非監(jiān)控時(shí)間"。
由此，在低蝕刻速率的狀態(tài)中，能以高精度對(duì)處理進(jìn)行監(jiān)控。
通過(guò)設(shè)定循環(huán)的數(shù)量"n"和可接受范圍"± a "能預(yù)先設(shè)定循環(huán) 的數(shù)量(循環(huán)/小時(shí))。在循環(huán)的數(shù)量落在預(yù)先設(shè)定的計(jì)數(shù)范圍內(nèi)的情形 中，執(zhí)行具有充足蝕刻量的襯底處理，能減少具有缺陷蝕刻的晶片的 生產(chǎn)。此外，在循環(huán)的數(shù)量落在該預(yù)設(shè)范圍的下限之下或更高時(shí)，能 確保更加可靠的蝕刻量。取決于一批晶片是否容納在蝕刻槽11中，循 環(huán)計(jì)數(shù)的優(yōu)選預(yù)定范圍改變，因而，對(duì)于一批晶片容納在蝕刻槽11中 的狀態(tài)以及沒(méi)有一批晶片容納在蝕刻槽11中的狀態(tài)的每一個(gè)狀態(tài)，收 集關(guān)于循環(huán)數(shù)量"ri"的數(shù)據(jù)，從而基于該數(shù)據(jù)的平均值和變化能夠計(jì) 算循環(huán)計(jì)數(shù)的優(yōu)選預(yù)定范圍。然而，例如，取決于加熱單元的輸出和 化學(xué)溶液的種類(lèi)，循環(huán)的數(shù)量改變，因而，優(yōu)選通過(guò)收集數(shù)據(jù)來(lái)不時(shí) 地設(shè)定循環(huán)計(jì)數(shù)的優(yōu)選預(yù)定范圍。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D3來(lái)描述計(jì)數(shù)單元19和控制單元18的操作。 圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的晶片處理過(guò)程的流程圖。
在開(kāi)始操作時(shí)(S101)，計(jì)數(shù)單元19首先檢測(cè)一批晶片是否容納 在蝕刻槽11中(S102)。如果它檢測(cè)到一批晶片，則判定是非監(jiān)控時(shí)間還是監(jiān)控時(shí)間(S106)，并且如果判定是監(jiān)控時(shí)間，則計(jì)數(shù)循環(huán)的數(shù) 量(S103)。如果判定是非監(jiān)控時(shí)間，則計(jì)數(shù)單元19不計(jì)數(shù)循環(huán)的數(shù) 量，直至它檢測(cè)到下一批晶片并判定是監(jiān)控時(shí)間為止。
接下來(lái)，控制單元18判定監(jiān)控時(shí)間期間的循環(huán)數(shù)量是否落在循環(huán) 計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍(n土a個(gè)循環(huán))內(nèi)(S104)。如果它判定循環(huán)的數(shù)量 落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則它終止晶片處理(S105)。而如果它判 定循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外，則它令通知單元20輸出 警報(bào)，給出通知循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外(S107)。 此外，如果控制單元18令通知單元20輸出警報(bào)，則它判定正在進(jìn)行 處理的該批晶片為遭受警告的一批晶片，并使下面等待的一批晶片保 持原狀而不將它移動(dòng)到蝕刻槽11，并且停止晶片處理。因而，當(dāng)循環(huán) 的數(shù)量落在預(yù)定范圍之外時(shí)，互鎖自動(dòng)執(zhí)行。
將對(duì)本實(shí)施例的有利效果進(jìn)行描述。
根據(jù)本實(shí)施例的晶片處理構(gòu)造為使得對(duì)于每批晶片，重復(fù)用于 維持磷酸10的高蝕刻速率的供給純水和停止該供給的循環(huán)；此外，在
監(jiān)控時(shí)間期間計(jì)數(shù)循環(huán)的數(shù)量，并且如果所計(jì)數(shù)的循環(huán)數(shù)量落在循環(huán) 計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外，則為此結(jié)果提供通知。如上所述構(gòu)造的晶片處
理設(shè)備100和晶片處理方法能基于監(jiān)控時(shí)間期間的循環(huán)數(shù)量來(lái)檢測(cè)晶 片處理中的蝕刻量是否合適，從而能夠高精度地發(fā)現(xiàn)具有缺陷蝕刻的 一批晶片以及防止在后續(xù)批次的晶片中出現(xiàn)缺陷蝕刻。
此外，非監(jiān)控時(shí)間的設(shè)置能夠以較高的精度發(fā)現(xiàn)在低蝕刻速率的 狀態(tài)中處理的晶片批次。
日本專(zhuān)利特開(kāi)No.2006-1145卯中描述的技術(shù)涉及與過(guò)濾器替換相 關(guān)的工藝液體的溫度控制。此技術(shù)使用新過(guò)濾器的使用時(shí)的溫度作為 參考以補(bǔ)償新過(guò)濾器的使用時(shí)間和測(cè)量時(shí)間之間的溫度差，并且不執(zhí)行濃度的控制。
此外，在日本專(zhuān)利特開(kāi)No.2001-205158中描述的技術(shù)中，從濃度 和溫度的變化計(jì)算化學(xué)溶液處理時(shí)間。然而，僅計(jì)算晶片處理時(shí)間將 導(dǎo)致異常狀態(tài)的繼續(xù)。
在這些參考文獻(xiàn)中，由于沒(méi)有通過(guò)沸點(diǎn)控制在沸點(diǎn)附近將蝕刻劑 的濃度穩(wěn)定，所以不能得知不能實(shí)現(xiàn)足夠蝕刻量的情形。根據(jù)本發(fā)明， 能夠得知對(duì)于特定時(shí)段保持高蝕刻速率(正常狀態(tài))的化學(xué)溶液的蝕 刻速率下降并且在沒(méi)有提供足夠蝕刻量的情況下執(zhí)行蝕刻處理的情
形。因此，能提供下面所述的襯底處理方法和襯底處理設(shè)備，即，構(gòu) 造為使得能以良好的精度發(fā)現(xiàn)具有缺陷蝕刻的晶片批次并防止在后續(xù) 批次的晶片中出現(xiàn)缺陷蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備和襯底處理方法不限于本實(shí)施例，而 是能作出各種修改。
權(quán)利要求
1. 一種襯底處理方法，包括如下步驟將襯底浸入存儲(chǔ)在蝕刻槽中的化學(xué)溶液中；加熱所述化學(xué)溶液；重復(fù)如下循環(huán)，即，當(dāng)所述化學(xué)溶液的溫度達(dá)到值t1時(shí)，在對(duì)所述化學(xué)溶液進(jìn)行加熱的同時(shí)開(kāi)始供給純水至所述蝕刻槽中，而當(dāng)所述化學(xué)溶液的溫度下降至值t2(t1>t2)時(shí)，停止所述純水的供給；以及計(jì)數(shù)在預(yù)定時(shí)段期間的所述循環(huán)的數(shù)量，其中，當(dāng)所述循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外時(shí)，提供所述循環(huán)的數(shù)量落在所述數(shù)量的所述預(yù)設(shè)范圍之外的通知，并停止開(kāi)始對(duì)于后續(xù)批次中的襯底的處理。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的襯底處理方法，其中， 所述預(yù)定的時(shí)段不包括從當(dāng)開(kāi)始襯底處理并將所述襯底浸入所述化學(xué)溶液中時(shí)的時(shí)間點(diǎn)到當(dāng)所述化學(xué)溶液的溫度提高到設(shè)定溫度時(shí)的 時(shí)間點(diǎn)的時(shí)段。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的襯底處理方法，其中， 所述值tl是具有預(yù)定濃度的所述化學(xué)溶液的沸點(diǎn)，并且， 通過(guò)將所述化學(xué)溶液的溫度保持在從所述值tl到所述值t2的范圍之內(nèi)來(lái)將所述化學(xué)溶液的濃度的變化保持在預(yù)定范圍之內(nèi)。
4. 一種通過(guò)將襯底浸入化學(xué)溶液中來(lái)對(duì)所述襯底進(jìn)行處理的襯 底處理設(shè)備，所述襯底處理設(shè)備包括蝕刻槽，存儲(chǔ)化學(xué)溶液； 加熱器，加熱所述化學(xué)溶液；溫度測(cè)量單元，測(cè)量所述蝕刻槽中的所述化學(xué)溶液的溫度； 純水供給單元，將純水供給至所述蝕刻槽中；控制器，重復(fù)如下循環(huán)，即，當(dāng)由所述溫度測(cè)量單元測(cè)量的所述溫度達(dá)到值tl時(shí)，在對(duì)所述化學(xué)溶液進(jìn)行加熱的同時(shí)開(kāi)始純水向所述蝕刻槽中的供給，而當(dāng)所述溫度下降至值t2 (tl>t2)時(shí)，停止向所述蝕刻槽中的所述純水的供給；計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)在預(yù)定時(shí)段期間的所述循環(huán)的數(shù)量；通知單元，當(dāng)由所述計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)的所述循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外時(shí)，提供所述循環(huán)的數(shù)量落在所述循環(huán)計(jì)數(shù)的所述預(yù)設(shè)范圍之外的通知以及停止單元，停止開(kāi)始對(duì)于后續(xù)批次中的襯底的處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備，其中， 所述預(yù)定的時(shí)段不包括從當(dāng)開(kāi)始襯底處理并將所述襯底浸入所述化學(xué)溶液中時(shí)的時(shí)間點(diǎn)到當(dāng)所述化學(xué)溶液的溫度提高到設(shè)定溫度時(shí)的時(shí)間點(diǎn)的時(shí)段。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備，其中， 所述值tl是具有預(yù)定濃度的所述化學(xué)溶液的沸點(diǎn)，并且， 通過(guò)將所述化學(xué)溶液的溫度保持在從所述值tl到所述值t2的范圍 之內(nèi)來(lái)將所述化學(xué)溶液的濃度的變化保持在預(yù)定范圍之內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及襯底處理方法和襯底處理設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片處理設(shè)備100構(gòu)造為使得在預(yù)定時(shí)段期間的下述重復(fù)循環(huán)的數(shù)量，即，供給純水用于維持磷酸10的高蝕刻速率以完全蝕刻目標(biāo)薄膜以及停止對(duì)每批晶片的供給的循環(huán)，并且當(dāng)循環(huán)的數(shù)量落在循環(huán)計(jì)數(shù)的預(yù)設(shè)范圍之外時(shí)，為此結(jié)果提供通知。由此，能以良好的精度發(fā)現(xiàn)具有缺陷蝕刻的一批晶片，并且能防止缺陷蝕刻在后續(xù)批次的晶片中出現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L21/306GK101546704SQ20091013020
公開(kāi)日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月24日
發(fā)明者伊藤修, 川口英彥 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司