專利名稱：基板的制造方法及基板洗滌裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板的制造方法及基板洗滌裝置，特別涉及形成含鉬層的基板的濕式洗滌方法。
背景技術(shù)：
近年，液晶顯示裝置用薄膜晶體管(以下示為TFT)的電極、布線材料，使用布線電阻低的鋁(Al)系和鉬(Mo)系替代過(guò)去的鉻(Cr)系材料。但是當(dāng)把鉬用于電極、布線材料時(shí)，在鉬表面生成的鉬氧化物(MoOx)，在洗滌工序中溶出在洗滌液中。結(jié)果在洗滌液干燥后，會(huì)產(chǎn)生溶出的鉬氧化物再次附著在TFT上的二次污染，這已是眾所周知的事實(shí)。
對(duì)于上面的問(wèn)題，以反交錯(cuò)型a-Si(無(wú)定形硅)TFT的截面結(jié)構(gòu)為例，根據(jù)圖8進(jìn)行說(shuō)明。作為液晶顯示裝置用TFT，反交錯(cuò)型a-Si TFT是制造得最多的結(jié)構(gòu)。
如圖8所示，反交錯(cuò)型a-Si TFT是通過(guò)在用玻璃等形成的透明基板22上形成柵電極層23，然后連續(xù)對(duì)柵級(jí)絕緣層24、半導(dǎo)體層25和歐姆接觸層26成膜，制作圖形而形成的。半導(dǎo)體層25是作為溝道層而形成的，以無(wú)定形硅(a-Si)為材料。另外歐姆接觸層26是作為半導(dǎo)體層25和電極的歐姆接觸層而形成的，以低電阻無(wú)定形硅(n+a-Si)作為材料。然后作為源電極層27和漏電極層28，通過(guò)對(duì)含鉬的材料進(jìn)行成膜制作圖形，就可以完成反交錯(cuò)型a-Si TFT。
當(dāng)源電極層27、漏電極層28表面含有鉬時(shí)，由于氧化，在電極層表面會(huì)生成鉬氧化物。該鉬氧化物對(duì)水、堿性的液體等具有容易溶解的性質(zhì)。因此成膜前用純水洗滌時(shí)，有時(shí)鉬氧化物會(huì)溶出到洗滌液中。然后如果對(duì)在洗滌液中浸漬過(guò)的基板進(jìn)行干燥，在基板上的TFT中會(huì)析出鉬氧化物30。
如圖8所示，如果析出的鉬氧化膜30附著在TFT的溝道表面，則容易通過(guò)鉬氧化物30流過(guò)表面漏電流，因而不能控制TFT的開(kāi)/關(guān)，電流-電壓特性降低。其結(jié)果會(huì)產(chǎn)生液晶顯示裝置的圖像不均勻等圖像缺陷的問(wèn)題。
在專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了解決鉬氧化膜附著的技術(shù)。圖9示出了其實(shí)施方案的模式圖。如圖9所示，在表面形成有鉬氧化物33的基板上，通過(guò)涂布六甲基二硅氮烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)，并進(jìn)行加熱，與基板表面的羥基(OH)反應(yīng)，生成氨(NH4)。該氨和鉬氧化物33結(jié)合，形成(NH4)2Mo3O10，可以除去鉬氧化物33。形成含鉬的布線32之后，在進(jìn)行洗滌處理之前，通過(guò)除去鉬氧化物33，可以防止由鉬氧化物33引起的顯示缺陷。
特開(kāi)平7-30119號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，通過(guò)除去鉬氧化物，可以防止顯示品質(zhì)降低。但是對(duì)于為形成薄膜圖形的工序，該方法通常成為為除去鉬氧化膜的追加處理工序。因此造成增加工序數(shù)目的結(jié)果，使得制造的生產(chǎn)能力降低。
這里基板的洗滌處理是在把基板浸漬在純水等洗滌液中進(jìn)行濕式洗滌之前，通過(guò)照射紫外線(UV)等進(jìn)行除去油分等有機(jī)污染物的干式洗滌。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)該干式洗滌工序?qū)ζ浜竺鏉袷较礈熘械你f氧化物在基板內(nèi)的附著有很大影響。
通過(guò)UV照射的干式洗滌是通過(guò)在UV爐內(nèi)打開(kāi)UV燈而進(jìn)行的。本發(fā)明人進(jìn)行銳意研究的結(jié)果了解到，UV爐內(nèi)的溫度上升是造成鉬氧化物附著的原因。具體是通過(guò)打開(kāi)UV燈，UV爐內(nèi)的溫度上升，由于該熱的作用，使通過(guò)UV爐內(nèi)的基板受熱。然后通過(guò)對(duì)加熱狀態(tài)的基板進(jìn)行濕式洗滌，溶解在洗滌液中的鉬氧化物就會(huì)附著到基板上。
本發(fā)明是以這一事實(shí)為背景進(jìn)行研究的，本發(fā)明的目的是在形成含鉬層的基板的洗滌中，抑制鉬氧化物對(duì)基板的附著。
本發(fā)明是基板的制造方法，其是在基板上形成含鉬的層，在使前述含鉬層露出的狀態(tài)下，對(duì)前述基板進(jìn)行加熱，同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理，在該基板溫度為130℃或130℃以下的狀態(tài)，對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌處理的基板進(jìn)行濕式洗滌的基板的制造方法。通過(guò)該方法，可以消除鉬氧化物向洗滌液的溶出，無(wú)需增加制造工序，就可以防止鉬氧物在TFT溝道表面附著。
另外，本發(fā)明是基板的制造方法，其是在基板上形成含鉬的層，對(duì)前述基板進(jìn)行冷卻，使該基板溫度達(dá)到130℃或130℃以下，在露出前述含鉬層的狀態(tài)下，對(duì)前述經(jīng)冷卻的基板進(jìn)行濕式洗滌的基板的制造方法。通過(guò)這種方法，由于可以在濕式洗滌之前應(yīng)用基板溫度達(dá)到高于130℃的工序，所以沒(méi)有關(guān)于操作溫度的制約，可以有效地進(jìn)行操作。
另外，本發(fā)明是基板洗滌裝置，其具備對(duì)于含鉬層露出而形成的基板進(jìn)行加熱，同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理的預(yù)洗滌處理部、為監(jiān)視前述預(yù)洗滌處理部?jī)?nèi)基板的基板溫度的溫度檢測(cè)器、對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌處理的基板進(jìn)行濕式洗滌的濕式洗滌部和根據(jù)前述溫度檢測(cè)器的檢測(cè)溫度進(jìn)行控制，以便在該基板溫度為130℃或130℃以下?tīng)顟B(tài)對(duì)前述基板進(jìn)行濕式洗滌的控制部。通過(guò)該裝置，可以防止鉬氧化物錯(cuò)誤地溶出到洗滌液中而污染洗滌液。
本發(fā)明是基板洗滌裝置，其具備對(duì)含露出鉬的層露出而形成的基板進(jìn)行加熱，同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理的預(yù)洗滌處理部、對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌的基板進(jìn)行冷卻，使其溫度達(dá)到130℃或130℃以下的冷卻裝置和對(duì)通過(guò)前述冷卻裝置進(jìn)行冷卻的基板進(jìn)行濕式洗滌的洗滌部。通過(guò)該洗滌裝置，可以對(duì)溫度高于130℃的基板進(jìn)行自動(dòng)冷卻，不需要進(jìn)行手工操作，可以降低制造成本。
根據(jù)本發(fā)明，則可以在形成有含鉬層的基板洗滌時(shí)抑制鉬氧化物對(duì)基板的附著。


是本發(fā)明液晶顯示用薄膜晶體管的截面圖。
示出本發(fā)明實(shí)施方案1的制造裝置的結(jié)構(gòu)圖。
示出本發(fā)明實(shí)施方案2的UV裝置的結(jié)構(gòu)圖。
示出本發(fā)明實(shí)施方案2的制造流程。
示出本發(fā)明實(shí)施方案3的UV裝置的結(jié)構(gòu)圖。
示出本發(fā)明實(shí)施方案3的制造流程。
是示出本發(fā)明實(shí)施方案3的另一方案的圖示。
是附著鉬氧化物的液晶顯示裝置用薄膜晶體管的截面圖。
是通過(guò)專利文獻(xiàn)1進(jìn)行的除去鉬氧化物方法的模式圖。
符號(hào)說(shuō)明1基板洗滌裝置；2加料器；3UV裝置；4洗滌裝置；5基板干燥部；6卸料器7控制輥；8輸送輥；9UV燈10爐內(nèi)溫度傳感器；11基板溫度傳感器；12輸送臺(tái)；13基板；14冷卻吹風(fēng)；15冷卻臺(tái)21TFT；22透明基板；23柵電極層；24柵極絕緣層；25半導(dǎo)體層；26歐姆接觸層；27源電極層；28漏電極層；29鈍化膜；30鉬氧化物；31接觸孔；32含鉬的布線；33鉬氧化物。
具體實(shí)施例方式
以下說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，為了明確進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)下述說(shuō)明和圖示進(jìn)行了適當(dāng)省略和簡(jiǎn)化。另外為了進(jìn)行明確說(shuō)明，根據(jù)需要還省略了重復(fù)說(shuō)明。
實(shí)施方案1首先對(duì)有關(guān)本實(shí)施方案的液晶顯示裝置(沒(méi)有圖示)進(jìn)行說(shuō)明。首先用密封劑把在玻璃基板上形成TFT和各電極線以及存儲(chǔ)電容的TFT陣列基板與在玻璃基板上形成共用電極和R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的濾色器的對(duì)置基板貼合。然后把液晶注入到這些基板的間隙之間，用密封劑封住注入口，形成液晶面板。接著把驅(qū)動(dòng)用LSI、安裝有控制面板用IC的驅(qū)動(dòng)電路基板連接到液晶面板上。再把后照燈裝置配置在TFT陣列基板的背部，從而完成液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的液晶面板，可以通過(guò)控制來(lái)自背光燈裝置的光透過(guò)，顯示圖像。
下面根據(jù)圖1說(shuō)明TFT陣列基板的制造方法。圖1示出包括像素電極部分的TFT21，而其它部分被省略。首先用純水或熱硫酸對(duì)用透光性的玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸酯樹(shù)脂等形成的透明基板22進(jìn)行洗滌。接著形成柵電極層23。具體是首先在透明基板22上例如用濺射法形成鉬鉭(MoTa)膜。接著在MoTa膜上涂布光致抗蝕劑，烘烤后，遮蔽所需的圖形形狀，進(jìn)行曝光處理。然后用如有機(jī)堿系的顯影液進(jìn)行顯影，使光致抗蝕劑形成圖形。接著使用如磷酸和硝酸的混合溶液，進(jìn)行濕式蝕刻。由此可以使MoTa膜形成所需的圖形形狀。從透明基板22上除去光致抗蝕劑，對(duì)除去光致抗蝕劑的透明基板22進(jìn)行洗滌，具體洗滌方法，將在以后敘述。經(jīng)過(guò)以上的工序，可以在透明基板22上形成柵電極層23和柵極布線(沒(méi)有圖示)。
接著形成半導(dǎo)體層25、柵極絕緣層24以及歐姆接觸層26。首選通過(guò)化學(xué)氣相成膜法(CVDChemical Vapor Deposition)在透明基板22上，依次層合形成柵級(jí)絕緣層24、無(wú)定形硅膜、n+無(wú)定形硅膜。具體是首先在透明基板22上，形成柵極絕緣膜24。并且在該柵極絕緣層24上層合，形成作為半導(dǎo)體層25材料的無(wú)定形硅膜。再于該無(wú)定形硅層上層合，形成作為歐姆接觸層26材料的n+無(wú)定形硅膜。并且在該層合膜上形成抗蝕刻圖形，進(jìn)行干式蝕刻。由此n+無(wú)定形硅膜、無(wú)定形硅膜、氮化硅(SiN)膜被蝕刻，可以形成所需要的圖形形狀。然后，從透明基板22上除去光致抗蝕劑，對(duì)除去光致抗蝕劑的透明基板22進(jìn)行洗滌。經(jīng)過(guò)以上工序，在透明基板22上，可以形成半導(dǎo)體層25、柵極絕緣層24和歐姆接觸層26。
接著形成源電極層27、漏電極層28以及源極布線。首先，通過(guò)濺射法對(duì)用于形成源電極層27、漏電極層28以及源極布線的金屬膜進(jìn)行成膜。例如在基板上形成Mo-Al-Mo層合膜。在該層合膜上，如上所述形成抗蝕刻圖形后，進(jìn)行濕式蝕刻。由此就可以使Mo-Al-Mo層合膜形成所需要的圖形。并且從透明基板22上除去光致抗蝕劑，對(duì)除去光致抗蝕劑的透明基板22進(jìn)行洗滌，關(guān)于具體洗滌方法將在以后敘述。
接著在透明基板22上形成鈍化膜29。首先通過(guò)如CVD在透明基板22上對(duì)作為鈍化膜29材料的氮化硅(SiN)膜進(jìn)行成膜。在其上面形成抗蝕刻圖形，使用氟(F)系氣體等進(jìn)行干式蝕刻。由此可以在鈍化膜29中形成接觸孔31。從透明基板22上除去光致抗蝕劑，對(duì)除去光致抗蝕劑的透明基板22進(jìn)行洗滌，關(guān)于具體洗滌方法將在以后說(shuō)明。
接著形成像素電極。首先在透明基板22上，通過(guò)濺射對(duì)作為像素電極材料的透明導(dǎo)電膜(例如ITO膜)進(jìn)行成膜。這時(shí)，在接觸孔31的內(nèi)側(cè)也形成ITO膜，使漏電極層28和ITO膜相連接。接著形成抗蝕刻圖形，進(jìn)行濕式蝕刻。由此使ITO膜形成所需的圖形形狀。從透明基板22上除去光致抗蝕劑，對(duì)除去光致抗蝕劑的透明基板22進(jìn)行洗滌。經(jīng)過(guò)以上工序，可以完成TFT陣列基板。
參照?qǐng)D2，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案1進(jìn)行說(shuō)明。圖2是關(guān)于實(shí)施方案1的制造裝置的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，基板洗滌裝置1具備加料器2、UV(紫外線)裝置3、洗滌裝置4、基板干燥部分5和卸料器6。本實(shí)施方案中，即使在TFT制造工序中，也是以形成含鉬的布線層，除去光致抗蝕劑后，在露出含Mo層狀態(tài)下進(jìn)行的洗滌工序作為對(duì)象。
首先，把基板安裝在圖2所示的加料器2上，在UV裝置3中，作為預(yù)洗滌處理進(jìn)行干式洗滌。接著在洗滌裝置4中，使用洗滌液對(duì)基板進(jìn)行濕式洗滌。之后在干燥部分5對(duì)基板進(jìn)行干燥，然后被收到卸料器6中。這一系列的洗滌工作，通過(guò)控制輥7進(jìn)行控制，可以自動(dòng)進(jìn)行。
UV裝置3被設(shè)置在通過(guò)洗滌裝置4進(jìn)行的液體洗滌工序的前面，進(jìn)行用紫外線照射的干式洗滌。通過(guò)照射紫外線，除去存在于基板上的油分等有機(jī)污染物，具有提高對(duì)液體親和性的效果。近年來(lái)由于電路結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化、高密度化，通過(guò)紫外線進(jìn)行的干式洗滌已相當(dāng)普遍地被采用。然后在洗滌裝置4，通過(guò)洗滌液洗滌除去附著在基板表面的粒子等異物。本實(shí)施方案中，作為洗滌液，使用純水。
在基板制造工藝過(guò)程中的掩模制作、成膜、蝕刻等工序中，為了除去殘留在基板表面的化學(xué)藥品、微粒，要使用盡量除去了雜質(zhì)的純水。另外還可以使用離子交換水、或稱為去離子水的，典型的使電導(dǎo)率降至1×10-6S/cm或1×10-6S/cm左右以下的水。根據(jù)電路的集成度不同，還可以使用使電導(dǎo)率降至6×10-8S/cm或6×10-8S/cm以下的高純度的純水。
本實(shí)施方案，通過(guò)使投入到洗滌裝置4中的基板溫度達(dá)到規(guī)定溫度范圍，可以消除鉬氧化物向純水的溶出，防止鉬氧化物對(duì)基板附著。這是因?yàn)槊鞔_了鉬氧化物對(duì)純水的溶出起因于基板溫度的緣故。
例如本實(shí)施方案所示，在用純水進(jìn)行的液體洗滌的前階段，實(shí)施用紫外線進(jìn)行的預(yù)洗滌時(shí)，由于紫外線照射熱作用，通過(guò)UV裝置3內(nèi)的基板被加熱。于是把溫度不同的基板浸漬在純水中的結(jié)果是會(huì)使鉬氧化物向純水的溶出產(chǎn)生不同。表1中示出了在UV裝置3處理后的基板溫度和鉬氧化物對(duì)基板的附著結(jié)果。


如表1所示，如果基板溫度是130℃或130℃以下的溫度，那么基本上就不存在鉬氧化物對(duì)基板的附著。另外當(dāng)減慢輸送速度、增加紫外線照射量時(shí)，如果基板溫度在130℃或130℃以下，那么也沒(méi)有鉬氧化物的附著。也就是通過(guò)實(shí)驗(yàn)明確了造成鉬氧化物對(duì)基板附著原因的鉬氧化物向純水的溶出與紫外線照射量無(wú)關(guān)，而是由于基板溫度造成的。
因此通過(guò)把向洗滌裝置4中投入的基板溫度控制在130℃或130℃以下的溫度，就會(huì)消除鉬氧化物對(duì)純水的溶出，可以防止鉬氧化物對(duì)TFT等的附著。
這里通過(guò)調(diào)節(jié)UV裝置3的紫外線照度，可以降低UV裝置3內(nèi)的溫度，降低通過(guò)UV裝置3的基板溫度。例如，通過(guò)減少在圖中沒(méi)有示出的設(shè)置在UV裝置3內(nèi)的UV燈的亮燈數(shù)，就可以減少紫外線照度，降低UV裝置3內(nèi)的溫度，能夠?qū)⒒鍦囟日{(diào)節(jié)至130℃或130℃以下。
但是通過(guò)減少紫外線照度，不能滿足必要的紫外線照射量時(shí)，可以減慢基板的輸送速度，增加紫外照射時(shí)間。這是因?yàn)樽贤饩€照射量是紫外線照度與照射時(shí)間的乘積。結(jié)果無(wú)需提高UV裝置3內(nèi)的溫度，便可以增加對(duì)基板13的紫外線照射量。通過(guò)實(shí)驗(yàn)表明，即使降低輸送速度，增加紫外線照射量，如果基板的溫度在130℃或130℃以下，仍然不存在鉬氧化物的附著。
浸漬在洗滌液中的基板溫度，更優(yōu)選從130℃至90℃范圍。由此為了增加紫外線照射量，無(wú)需將輸送速度降低到必要以上的速度，就可以防止鉬氧化物從基板溶出。但是當(dāng)基板溫度在室溫(20℃)等90℃或90℃以下時(shí)，也可以浸漬在純水中。
由此可以不增加制造工序，消除鉬氧化物向洗滌液的溶出。因此可以基本上不增加制造工序，消除鉬氧化物對(duì)基板的附著，防止顯示不均勻等顯示不良。
實(shí)施方案2下面參照?qǐng)D3說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案2。圖3是有關(guān)實(shí)施方案2的UV裝置3的結(jié)構(gòu)圖。在構(gòu)成要素和工作原理中，省略了與實(shí)施方案1相同的部分。
如圖3所示，UV裝置3具有輸送輥8、UV燈9、爐內(nèi)溫度傳感器10、基板溫度傳感器11以及控制輥7(沒(méi)有圖示)。設(shè)置在輸送臺(tái)12上的基板13通過(guò)輸送輥8沿箭頭方向在UV裝置3內(nèi)部移動(dòng)，受到紫外線照射。基板13在UV裝置3中被紫外線洗滌基板表面后，被輸送到洗滌裝置4。
這時(shí)為了監(jiān)視即將被投入到洗滌裝置4之前的基板溫度，要設(shè)置基板溫度傳感器11。為了同樣目的，還設(shè)置了爐內(nèi)溫度傳感器10，也具有對(duì)制造條件進(jìn)行管理的目的?；鍦囟葌鞲衅?1設(shè)置在UV裝置3的最后部分，以便測(cè)定即將投入到下一階段洗滌裝置4之前的基板13的溫度。關(guān)于爐內(nèi)溫度傳感器10以及基板溫度傳感器11的溫度測(cè)定方式，可以采用熱電偶或紅外線傳感器等任何方式?？刂戚?根據(jù)基板溫度傳感器11檢測(cè)的溫度對(duì)基板洗滌裝置1中的洗滌處理進(jìn)行控制。
接著把有關(guān)本實(shí)施方案2的操作流程出示在圖4中。被投入到基板洗滌裝置1中的基板13(F11)，通過(guò)一般進(jìn)行的方法實(shí)施至紫外線處理(F12)。然后通過(guò)基板溫度傳感器11測(cè)定基板13的溫度(F13)。測(cè)定結(jié)果，當(dāng)基板13的溫度在規(guī)定溫度(130℃)或其以下時(shí)，被輸送到洗滌裝置4中，用純水進(jìn)行洗滌(F14)。然后通過(guò)一般進(jìn)行的方法在基板干燥部5對(duì)基板13進(jìn)行干燥(F15)，被收到卸料器6中(F16)。
F13的測(cè)定結(jié)果，當(dāng)基板13的溫度高于規(guī)定溫度時(shí)，通過(guò)控制輥7中止向洗滌裝置4中的投入。并且例如通過(guò)手動(dòng)操作輸送基板13(F17)。這時(shí)優(yōu)選使用聯(lián)鎖機(jī)構(gòu)中止操作。該基板13的溫度監(jiān)視器、包括聯(lián)鎖機(jī)構(gòu)開(kāi)/關(guān)的基板洗滌工作，通過(guò)控制輥7進(jìn)行控制。
另外，只要可以測(cè)定即將投入到洗滌裝置4之前的基板溫度，則基板溫度傳感器11可以設(shè)置在與上述不同的其它位置。例如也可以把基板溫度傳感器11設(shè)置在UV裝置3的外部。還可以把基板溫度傳感器11設(shè)置在輸送臺(tái)12上。
通過(guò)以上的結(jié)構(gòu)，即使因?yàn)槿鏤V裝置3的故障引起即將投入到洗滌裝置4之前的基板溫度高于規(guī)定溫度(130℃)，基板13也不會(huì)被錯(cuò)誤地投入到洗滌裝置4中。因此可以防止洗滌液由于鉬氧化物溶出而被污染。
實(shí)施方案3以下參照?qǐng)D5，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案3。圖5是有關(guān)實(shí)施方案3的UV裝置3的結(jié)構(gòu)圖。在構(gòu)成要素和工作原理中，省略了與實(shí)施方案1相同的部分。
如圖5所示在本實(shí)施方案中，在UV裝置3的后面配置冷卻用吹風(fēng)14。當(dāng)通過(guò)UV裝置3處理完畢的基板13的溫度在規(guī)定溫度或其以上時(shí)，按箭頭方向?qū)?3吹冷卻氣體。
圖6表示有關(guān)實(shí)施方案3的操作流程。在紫外線處理(F12)以后，至基板13的溫度測(cè)定(F13)與圖4的流程相同。通過(guò)F13測(cè)定后，當(dāng)基板溫度高于規(guī)定溫度(130℃)時(shí)，通過(guò)冷卻吹風(fēng)14對(duì)基板13進(jìn)行冷卻(F18)。并且再次測(cè)定基板13的溫度，當(dāng)達(dá)到預(yù)先設(shè)定的規(guī)定溫度(130℃)或其以下時(shí)，通過(guò)洗滌裝置4進(jìn)行洗滌(F14)。純水洗滌(F14)以后的處理，與圖4相同。該基板13的溫度監(jiān)視器、包括冷卻操作的基板洗滌工作，通過(guò)控制輥7進(jìn)行控制。
在從UV裝置3至洗滌裝置4的輸送過(guò)程中實(shí)施冷卻吹風(fēng)14是有效的。由此可以不必增加冷卻時(shí)間而進(jìn)行制造。另外冷卻氣體優(yōu)選使用干燥空氣和干燥氮?dú)狻?br> 另外，圖7是有關(guān)實(shí)施方案3中UV裝置3的另一種方案的結(jié)構(gòu)圖。本方案中，作為冷卻基板13的方式，在UV裝置3的后配置冷卻臺(tái)15。當(dāng)通過(guò)UV裝置3處理完畢的基板13的溫度高于規(guī)定溫度(130℃)時(shí)，把基板13置于冷卻臺(tái)15上，冷卻至規(guī)定的溫度。
冷卻臺(tái)15的冷卻方式，可以使用使冷卻水循環(huán)，或者使用珀耳貼元件等方式。另外可以在輸送臺(tái)12中設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)，在UV裝置3中進(jìn)行紫外線照射的同時(shí)進(jìn)行冷卻。由此可以不必增加冷卻時(shí)間進(jìn)行制造。
通過(guò)以上構(gòu)成，當(dāng)基板13高于規(guī)定溫度時(shí)，可以在基板洗滌裝置1中自動(dòng)對(duì)基板13進(jìn)行冷卻，不必要進(jìn)行手動(dòng)操作。因此不必要為進(jìn)行手動(dòng)操作而設(shè)置操作人員。所以可以降低成本。
另外由于可以應(yīng)用基板13的溫度高于規(guī)定溫度的工序，所以沒(méi)有UV裝置3的紫外線照射條件的制約。因此可以應(yīng)用與過(guò)去相同的條件，維持制造品質(zhì)。不僅如此，還可以通過(guò)應(yīng)用過(guò)去的以上條件，達(dá)到縮短洗滌時(shí)間的目的，降低制造成本。
本實(shí)施方案，不僅在通過(guò)紫外線處理的預(yù)洗滌中，而且還可以作為在其它處理中對(duì)溫度上升的基板進(jìn)行冷卻的方式使用。
本發(fā)明并不限定于上述各實(shí)施方案，在本發(fā)明范圍內(nèi)，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員，就可以很容易對(duì)上述實(shí)施方案的各要素進(jìn)行更改、補(bǔ)充、變化，使其達(dá)到能夠考慮到的內(nèi)容。例如上述各實(shí)施方案是對(duì)源電極層、漏電極層或柵極布線層中使用鉬材料的情況進(jìn)行了說(shuō)明，在其它布線中使用鉬材料的時(shí)，同樣也是可以的。
另外不僅是對(duì)液晶顯示裝置中的TFT陣列基板成膜前的洗滌，在涉及使用鉬氧化物的基板制造的濕工序中，同樣也是可以的。例如在干式蝕刻或去除抗蝕劑(アツシング)等形成圖形后，除去光致抗蝕劑殘?jiān)南礈臁㈠兎蠊ば蚝蟮奶幚淼葷袷焦ば?。同樣?dāng)預(yù)洗滌工序是進(jìn)行紫外線照射方式以外的情況時(shí)，也可以使用本實(shí)施方案。
以上以液晶顯示裝置中的TFT陣列基板的制造工序?yàn)槔?，?duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行了說(shuō)明，但是并不局限于這些內(nèi)容，也可以應(yīng)用于一般具有含Mo層的基板的制造。
權(quán)利要求
1.基板的制造方法，其在基板上形成含鉬的層，在使前述含鉬層露出的狀態(tài)下，對(duì)前述基板進(jìn)行加熱，同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理，對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌處理的基板在該基板溫度為130℃或130℃以下的狀態(tài)進(jìn)行濕式洗滌。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制造方法，其中，前述預(yù)洗滌處理是通過(guò)紫外線照射而進(jìn)行的干式洗滌處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板的制造方法，其中，在前述基板的基板溫度為130℃或130℃以下的狀態(tài)下進(jìn)行前述預(yù)洗滌處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板的制造方法，其中，還包括對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌處理的基板進(jìn)行冷卻的處理，并且對(duì)該冷卻的基板進(jìn)行前述濕式洗滌。
5.基板的制造方法，其在基板上形成含鉬的層，對(duì)前述基板進(jìn)行冷卻，使該基板溫度達(dá)到130℃或130℃以下，在使前述含鉬層露出的狀態(tài)下，對(duì)前述經(jīng)冷卻的基板進(jìn)行濕式洗滌。
6.根據(jù)權(quán)利5所述的基板的制造方法，其中，通過(guò)冷卻臺(tái)和/或鼓風(fēng)對(duì)前述基板進(jìn)行冷卻。
7.基板洗滌裝置，其具備對(duì)含鉬層露出而形成的基板進(jìn)行加熱，同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理的預(yù)洗滌處理部；為監(jiān)視前述預(yù)洗滌處理部?jī)?nèi)基板的基板溫度的溫度檢測(cè)器；對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌處理的基板進(jìn)行濕式洗滌的濕式洗滌部；和根據(jù)前述溫度檢測(cè)器的檢測(cè)溫度，控制該基板溫度在130℃或130℃以下的狀態(tài)，對(duì)前述基板進(jìn)行濕式洗滌的控制部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板洗滌裝置，其中，前述預(yù)洗滌處理部進(jìn)行通過(guò)紫外線照射的干式洗滌。
9.基板洗滌裝置，其具備對(duì)含露出鉬的層露出而形成的基板進(jìn)行加熱，同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理的預(yù)洗滌處理部；對(duì)進(jìn)行過(guò)前述預(yù)洗滌處理的基板進(jìn)行冷卻，使該基板溫度冷卻到130℃或130℃以下的冷卻裝置；和對(duì)通過(guò)前述冷卻裝置進(jìn)行冷卻的基板進(jìn)行濕式洗滌的濕式洗滌部。
全文摘要
本發(fā)明涉及通過(guò)消除鉬氧化物向洗滌液的溶出，防止鉬氧化物附著的薄膜晶體管的制造方法及制造裝置。本發(fā)明為基板(13)的制造方法。在基板(13)上形成含鉬的層，在露出含鉬層的狀態(tài)下，對(duì)基板(13)進(jìn)行加熱，與此同時(shí)進(jìn)行預(yù)洗滌處理，在該基板溫度為130℃或130℃以下的狀態(tài)下，對(duì)進(jìn)行過(guò)洗滌處理的基板(13)進(jìn)行濕式洗滌。通過(guò)該方法，可以抑制鉬氧化物向洗滌液的溶出，防止鉬氧化物對(duì)薄膜晶體管的溝道表面附著。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1941331SQ200610142100
公開(kāi)日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者藪下宏二, 山部貴人 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社