專利名稱：用于制造集成電路器件的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及比如晶片這樣的半導體襯底的制造，并且更特別地涉及在制造工藝的光刻成像過程期間改進襯底的調(diào)平和由此改進襯底的聚焦。
背景技術：
比如晶片和芯片這樣的半導體襯底的制造包含了高分辨率的光刻系統(tǒng)的使用。在這樣的系統(tǒng)中，圖案化的掩膜(即掩膜版)通過如下輻射(例如激光輻射或者來自弧光燈的輻射)來照射，該輻射穿過照射系統(tǒng)而且在掩膜的照射部分之上實現(xiàn)高度的照射均勻性。穿過掩膜的一部分輻射由如下投影透鏡收集，該投影透鏡具有給定尺寸的圖像域。投影透鏡將掩膜圖案成像到比如晶片這樣的成像承載襯底或者工件上。該工件駐留于如下工件臺上，該工件臺相對于投影透鏡移動工件，使得掩膜圖案重復地形成于在多個“曝光域”之上的工件上。
光刻系統(tǒng)包括對準系統(tǒng)，該對準系統(tǒng)關于掩膜的投影圖像來精確地對準工件，由此允許掩膜在工件的選定區(qū)域之上曝光。在制造中通常使用兩類光刻系統(tǒng)。一種系統(tǒng)是步進重復式系統(tǒng)或者“步進器”，而另一種系統(tǒng)是步進掃描式系統(tǒng)或者“掃描器”。利用步進器，借助于單次靜態(tài)曝光使工件上的每個曝光域曝光。利用掃描器，通過貫穿透鏡圖像域同步地掃描工件和掩膜使工件曝光。一種示例性掃描光刻系統(tǒng)和方法在美國專利No.5,281,996中有所描述，通過引用將其結合于此。以下描述將主要地針對步進掃描式系統(tǒng)，不過本領域技術人員將理解到，本發(fā)明可應用于任一類成像系統(tǒng)。
眾所周知，在典型的光刻工藝中，感光材料或光致抗蝕劑的薄層被淀積于半導體晶片之上。在光刻工藝期間，比如紫外線光這樣的照射是經(jīng)過透鏡系統(tǒng)和光刻掩膜或者掩膜版照射到半導體晶片。掩膜版具有特定的器件圖案，而且通過該照射在晶片的一部分之上使圖案曝光以在晶片上建立曝光的區(qū)域和未曝光的區(qū)域。然后洗掉這些曝光的區(qū)域或者未曝光的區(qū)域以在晶片上限定電路單元。這一光刻工藝在晶片的不同層上重復多次以在晶片上限定許多電路單元。在光刻工藝結束之時，將具有曝光的器件圖案的晶片切割成半導體芯片。
通常，掩膜版是由透明板制成而且具有器件曝光區(qū)域和不透明區(qū)域。該板常常由玻璃、石英等制成，而不透明的鉻區(qū)域通常包括鉻層。器件曝光區(qū)域一般具有方形或者矩形形狀而且定位于掩膜版的中央。器件曝光區(qū)域包括對器件圖案進行限定的透明部分和不透明部分。器件曝光區(qū)域中的透明部分允許來自光源的照射經(jīng)過它們傳播并到達晶片。另一方面，器件區(qū)域的不透明區(qū)域阻擋光，而且光無法到達晶片。
圖1示出了典型的現(xiàn)有技術的掩膜版80，該掩膜版具有由不透明鉻區(qū)域84圍繞的方形器件區(qū)域82。為了簡潔起見，器件區(qū)域中的器件圖案88在圖中沒有具體地示出。在器件區(qū)域82與不透明鉻區(qū)域84之間的器件區(qū)域82外圍處有切口區(qū)域86。截口區(qū)域86典型地包含與晶片的光刻工藝有關的重要信息，而且通常包括用以驗證光刻工藝性能的測試結構。例如，截口區(qū)域可以包括在光刻工藝期間用以檢驗掩膜版對準準確度的對準(alignment)標記以及用以測量器件圖案分辨率的配準(registration)標記。
光刻成像與襯底均勻性高度地相關。光刻工藝可以容許在工藝性能中固有的通過“焦深”的小范圍形貌變化。然而，襯底上預料不到的形貌變化對于光刻工藝而言是已知的問題，而且會造成有缺陷的成像工藝以及對所成像工件的廢棄。
比如步進掃描式曝光系統(tǒng)這樣的現(xiàn)代曝光系統(tǒng)利用光學透鏡調(diào)平系統(tǒng)來控制掃描狹縫(slit)在晶片上方的高度(聚焦)。曝光工具可以通過一組簡單的線性運動對步進高度的波動進行調(diào)節(jié)。當如圖2A和2B中所示那樣貫穿掩膜版域出現(xiàn)大的步進高度改變時會發(fā)生問題。甚至使精細的調(diào)平系統(tǒng)面臨相對于不平坦的形貌而將成像聚焦平面置于何處這樣的沖突，而且一般來說，以最小化貫穿成像域的平均聚焦位移這樣的形式來進行折衷。
在多數(shù)產(chǎn)品芯片上，任一層上的圖案密度一般是不均勻的。這會在處理數(shù)個物理層之后由于拋光工藝和其它工藝對變化的圖案密度的反應而造成離散的形貌圖案。常常在曝光之前或者曝光期間對晶片形貌進行采樣的光刻工具設法對形貌做出反應，而且有時候以所不希望的方式來做出反應。典型的反應可以是聚焦平面相對于晶片的傾斜，這一傾斜遵循芯片的總體形貌，但是對于形貌的兩個水準(level)會產(chǎn)生無法令人滿意的結果。這一問題對于僅步進式系統(tǒng)以及步進掃描式系統(tǒng)都是存在的。盡管利用步進掃描式系統(tǒng)，成像工具的聚焦反應也會由于工具在不同的形貌水準之上掃描而在時間上受影響。原理上，掃描方向上的形貌效應可以通過晶片相對于曝光設備的位置移動來校正，但是這會潛在地造成生產(chǎn)量的損失或者降級的聚焦性能。
另外，在許多情況下，測試截口中的圖案密度與產(chǎn)品芯片完全不同。除此以外，產(chǎn)品芯片還可以在成像域之內(nèi)變化。隨著掩膜組成本逐步上升，日益普遍的是，用戶通過將多種不同芯片協(xié)調(diào)到一個掩膜版上，有時甚至通過與其它用戶相協(xié)調(diào)來分擔這些成本。由于這些芯片會具有完全不同的設計目的，因此對于非均勻的圖案密度又有了可乘之機。由于不同密度之上的膜涂覆和CMP拋光變化，這些圖案密度偏移會最終地造成步進高度。由于掃描曝光系統(tǒng)的調(diào)平機制的調(diào)平點對不同的步進高度進行采樣，所以隨著狹縫在這些區(qū)域之上掃描，產(chǎn)生了分段(和聚焦)傾斜。如果簡單的線性傾斜留下相當之多的殘留聚焦誤差，則這些聚焦誤差會導致產(chǎn)品中的關鍵故障。
這樣的誤差難以預測、識別和校正。有問題的步進高度常常隨著在芯片上構建附加層而在后端處理期間發(fā)展。對由于在許多的這些水準中的聚焦誤差所造成的丟失圖案進行識別是具有挑戰(zhàn)性的。在許多情況下，利用常規(guī)的在線檢查技術無法發(fā)現(xiàn)關鍵故障。傳統(tǒng)的補救(fix)包括提高總體工藝寬容度(latitude)(如果步進高度過大則這一點常常并不可行)或者對造成步進高度的CMP/設計問題進行補救。在任一情形下，這些都是既昂貴又耗時的。
Yamada等人的美國專利No.6,081,614涉及一種可應用于狹縫掃描型或者掃描曝光型曝光設備的表面位置檢測方法，用于連續(xù)地檢測晶片表面相對于投影光學系統(tǒng)的光軸方向的位置或者傾斜。正如這一專利中討論的，掩膜圖像在這些設備中的聚焦在掃描曝光工藝期間連續(xù)地執(zhí)行校正驅動以便進行自動聚焦和自動調(diào)平。水準和表面定位檢測機制使用傾斜投影光學系統(tǒng)，其中光從上方傾斜地投影到晶片表面，以及其中來自感光襯底的反射光由傳感器作為位置偏離來檢測。根據(jù)在掃描期間的測量水準值，在測量位置穿過曝光狹縫區(qū)域時對晶片的水準(高度)和傾斜提供校正驅動量。
該專利的圖1在這里被再現(xiàn)為圖5而且表示為狹縫掃描型投影曝光設備的局部示意圖，其中該專利的表面定位檢測方法可應用于該設備。為了清楚起見，在這里包含了該專利的此圖以描述本發(fā)明如何涉及一種提供晶片水準調(diào)節(jié)的典型光刻設備。如圖5中所示，縮版投影透鏡1具有光軸AX和垂直于Z方向的圖像平面。掩膜版2由掩膜版臺3保持，而掩膜版2的圖案由縮版投影透鏡來投影。在4處標示的是其表面涂有抗蝕劑的晶片，而5是其上放置有該晶片的臺。晶片臺5包括用于將晶片4吸引和固定到臺5的卡盤、可沿著X軸和Y軸方向水平地移動的X-Y臺、沿著Z軸方向(與AX方向共面)可移動的而且也可繞著X軸和Y軸旋轉地移動的調(diào)平臺、以及可繞著Z軸可旋轉地移動的可旋轉臺。
圖5中的標號10-19標示的是用于對晶片4的表面位置和傾斜進行檢測的檢測光學系統(tǒng)的組件。光源標示為10，而11是準直儀透鏡，用于將來自光源10的光變換成具有基本上均勻的截面光強分布的平行光。在12處標示的是棱形的狹縫部件，在該部件中具有用于在晶片上形成水準感測點72(39)的多個開口(通常是五個或者六個)。在13處標示的是光學系統(tǒng)，該系統(tǒng)用以借助于鏡14將來自狹縫組件12的針孔的獨立光束導向晶片表面上的獨立測量水準感測點。這些也被稱為如圖3A中的標號39和圖2A中的標號72所示的調(diào)平點或者傳感器。
接著，通過結構單元15-19示出了一種用于對來自晶片4的反射光進行檢測的結構。在16處標示的是光接收光學系統(tǒng)，該系統(tǒng)借助于鏡15接收來自晶片表面14的光束。停止部件17設置于光接收光學系統(tǒng)16之內(nèi)，而穿過光學系統(tǒng)16的光束具有相互平行的軸，而且借助于校正光學系統(tǒng)單元18的單獨校正透鏡在光電轉換裝置單元19的檢測表面上重新成像。
進行對臺5的傾斜校正(由此對晶片4的傾斜校正)，使得在晶片4的表面和光電轉換裝置單元19的檢測表面上的測量(調(diào)平)點置為光學共軛關系。
主控制單元27用以控制整個系統(tǒng)，而且為掩膜版位置控制系統(tǒng)22、表面位置檢測系統(tǒng)26和晶片位置控制系統(tǒng)25提供輸出。當在箭頭3a的方向上掃描掩膜版臺3時，在箭頭5a的方向上掃描式地移動晶片臺5。關于掩膜版圖案在Z軸方向上的對準，晶片臺的調(diào)平臺是基于對晶片4的高度數(shù)據(jù)進行檢測的表面位置檢測系統(tǒng)26的計算結果通過晶片位置控制系統(tǒng)25來控制的。具體來說，計算與在掃描方向上限定的且與狹縫鄰接的高度點有關的高度數(shù)據(jù)，而且關于光軸AX方向來使晶片在垂直于掃描方向以及高度的方向上傾斜。
Yamada等人的專利通過預先測量將相關于水準檢測點而產(chǎn)生的誤差來改進晶片定位，其中這些誤差歸因于在沿著掃描方向設置的水準檢測點之間的圖案結構差異。然后，相關于每個水準檢測點的測量誤差被用來利用表面位置檢測系統(tǒng)對晶片的位置進行校正。
通過將來自掩膜版干涉儀系統(tǒng)21的激光束投影到鏡20來連續(xù)地測量關于X方向和Y方向的掩膜版臺的位置信息。類似地，為了對晶片臺5進行定位，使用晶片臺干涉儀24、晶片定位控制器25和鏡23。
Chen的公開號美國2003/0107719也討論了在晶片制造中的聚焦變化這一問題。在這一公開中，一種用于校正不恰當調(diào)平傾斜的方法包括確定由于半導體設備的調(diào)平傳感器不恰當?shù)貦z測半導體晶片而引起的不恰當?shù)恼{(diào)平傾斜，其中該半導體晶片具有脫離水平的非對稱半導體圖案；以及施加校正調(diào)平傾斜以補償由于調(diào)平傳感器引起的不恰當?shù)恼{(diào)平傾斜。
在Lee的美國專利No.6,172,757中公開了一種使用電可調(diào)二維縮放透鏡的晶片水準傳感器設備?？烧{(diào)縮放透鏡通過在視域上提供可變視野和焦深來在步進器上提供逐域的對準。
如上所述，本專利申請可應用于任一這樣的調(diào)平系統(tǒng)。
通過引用將所有上述專利結合于此。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術的問題和不足，本發(fā)明的目的因此在于提供一種用于利用一種用于在光刻工藝期間對晶片進行調(diào)平的改進方法來制造半導體晶片的方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于利用一種用于在光刻工藝期間對晶片進行調(diào)平的改進設備來制造半導體晶片的設備。
本發(fā)明的更多其它目的和優(yōu)點將部分地顯而易見而且將部分地從說明書中獲悉。
在本發(fā)明中實現(xiàn)了對于本領域技術人員將是顯然的上述目的和其它目的，其中本發(fā)明在第一方面中針對一種用于制造比如晶片這樣的集成電路器件的方法，其中該方法的一個或多個步驟需要包括對晶片進行調(diào)平的光刻步驟，包括步驟將晶片加載到晶片成像光刻曝光系統(tǒng)中；預掃描晶片以確定與晶片在晶片的不同區(qū)域之上的形貌有關的數(shù)據(jù)；為晶片的不同區(qū)域分配聚焦重要性值；基于預掃描形貌數(shù)據(jù)和區(qū)域聚焦重要性值來計算用于光刻步驟的曝光聚焦指令；基于所計算的曝光聚焦指令對晶片進行掃描和曝光；以及從曝光系統(tǒng)釋放晶片并卸載晶片。
在本發(fā)明的另一方面中，提供一種用于制造比如晶片這樣的集成電路器件的設備，其中使用光刻裝置來在晶片的制造期間對晶片進行成像，包括用于將晶片加載到晶片成像光刻曝光系統(tǒng)中的裝置；光刻曝光系統(tǒng)，包括用于預掃描晶片以確定與晶片在晶片的不同區(qū)域之上的形貌有關的數(shù)據(jù)的裝置；用于為晶片的不同區(qū)域分配聚焦重要性值的裝置；用于基于預掃描形貌數(shù)據(jù)和區(qū)域聚焦重要性值來計算用于光刻步驟的曝光聚焦指令的裝置；用于對晶片進行成像的裝置；以及用于從曝光系統(tǒng)釋放晶片并卸載晶片的裝置；其中在工藝的光刻成像步驟期間，該晶片是基于所計算的曝光聚焦指令來曝光的，在曝光期間該晶片是基于所計算的曝光聚焦指令在系統(tǒng)中定位的。


在所附權利要求中具體地闡述了被認為是新穎的本發(fā)明的特征以及作為本發(fā)明特征的單元。附圖僅僅是用于說明目的而且沒有按比例繪制。然而，本發(fā)明本身在結構和操作方法方面都可以參照與附圖相結合的具體描述來最好地加以理解，在附圖中圖1圖示了在半導體晶片制造中使用的常規(guī)現(xiàn)有技術的掩膜版。
圖2A示出了要在光刻工藝中預掃描的晶片的一部分的平面圖。
圖2B示出了圖2A的晶片的側視圖。
圖3A示出了在光刻工藝中預掃描的晶片的一部分的平面圖。
圖3B示出了圖3A的晶片的側視圖，其中包括在光刻工藝期間曝光系統(tǒng)對晶片的傾斜。
圖4示出了本發(fā)明的方法和設備的流程圖。
圖5示出了現(xiàn)有技術中利用表面位置檢測方法的狹縫掃描型投影曝光設備的局部示意圖。
具體實施例方式
在描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例時，將在這里對附圖中的圖1-5進行參照，在附圖中相同的標號指代本發(fā)明的相同特征。
廣而言之，本發(fā)明使得以小片(chiplet)坐標數(shù)據(jù)形式的芯片設計布局可為光刻曝光工具調(diào)平軟件所用，其中該軟件在曝光工藝期間控制對晶片的調(diào)平(以及由此控制對晶片的聚焦)。通過在掃描周期期間知悉這些數(shù)據(jù)以及基于這些數(shù)據(jù)而計算的曝光聚焦指令，該工具例如可以在合適的時候接通和關斷調(diào)平傳感器，使得產(chǎn)品芯片總是在以晶片的測試截口或者其它不那么重要的部分(區(qū)域)為代價來獲得最佳的工藝條件。使得在不同晶片區(qū)域中的潛在故障點的坐標可為曝光工具針對該晶片水準的工藝程序所用。該工具然后將隨著它在這些區(qū)域之上經(jīng)過而動態(tài)地關閉調(diào)平點。以這一方式，在芯片的最關鍵區(qū)域中干擾該工具的聚焦。
更具體來說，由于圖案密度、測試截口、宏等造成的步進高度(以及晶片表面形貌的差異)可以通過曝光工具中的預篩選方法來檢測，正如前述美國專利No.6,081,614中描述的，該方法通常使用調(diào)平點來確定晶片的形貌?？蛇x地，任何其它適當?shù)臏y量技術可以用來在曝光之前獲得此信息。在圖2A和2B以及圖3A和3B中，形貌預掃描將會已經(jīng)確定形貌的不同水準。
參照圖2A和2B，晶片60的一部分表示為標號62，而且具有區(qū)域(小片)64、66和68。區(qū)域64是測試截口區(qū)域，而66和68代表晶片的不同區(qū)域。掃描狹縫被表示為標號70，具有調(diào)平感測點72。參見圖5，其中入射光線撞擊形成調(diào)平點72的晶片表面。在圖2B中，示出了晶片62的側視圖，而且可以看到貫穿晶片的可變高度。因此，測試截口部分64具有一個高度，晶片部分66具有另一高度，而晶片部分68具有最小高度。正如將在下面參照圖3A和3B更為完全地加以討論的，根據(jù)本發(fā)明，將重要性的值依附于晶片的各區(qū)域，使得在掃描曝光工藝期間感測(調(diào)平)指示器72可以有選擇地針對非重要區(qū)域而關掉，由此改進晶片的水準(傾斜)以及對于晶片重要區(qū)域的聚焦。
現(xiàn)在參照圖3A和3B，在圖3A中示出了晶片32的一部分的平面圖。晶片32具有區(qū)域34(表示為“A”)和其它區(qū)域36(表示為“B”)。掃描狹縫38表示為在貫穿晶片32一部分的箭頭方向上移動，還示出了調(diào)平五個(5個)點39(39a-39e)。在圖3B中示出了晶片32的側視圖。晶片32位于調(diào)平臺40上，而區(qū)域36(B)和34(A)的高度示出為不相同。可以使用任一數(shù)目的調(diào)平點。
區(qū)域“A”被芯片制造者認為是高度重要的，而其它區(qū)域“B”則具有較低重要性的監(jiān)視宏。在這一情況下，曝光指令將被編碼用以初始地預掃描整個成像域形貌。然而，當在晶片的實際曝光和成像期間確定聚焦平面的最適合放置之時，例如在殘留聚焦誤差超過預設值時將僅考慮從“A”區(qū)域獲得的調(diào)平信息。可選地，與來自“A”區(qū)域的信息相比，可以通過較小的權值來混入來自“B”區(qū)域的信息。正如本領域技術人員將理解到的，晶片可以分成許多區(qū)域，每個區(qū)域分配有“重要性”值，而且在執(zhí)行曝光掃描時以任一組合相應地對調(diào)平傳感器進行調(diào)節(jié)。
再次參照圖3A和3B，圖3A是具有芯片區(qū)A和監(jiān)視宏區(qū)B的晶片的局部平面圖。因此，總地表示為32的晶片包括多個芯片區(qū)34(A)和宏區(qū)36(B)。成像狹縫3 8表示為在晶片的一部分之上的箭頭方向上移動。這一成像狹縫與掃描設備相組合地用來將如圖1中所示的圖案掩膜版成像到晶片32上。如上所討論地示出調(diào)平點39a-39e，而對于晶片的預掃描，晶片的形貌將被確定為如圖3B中所示。因此，四個(4個)調(diào)平點39b-39e示出為在區(qū)域“A”之上，而一個(1個)調(diào)平點(39a)在區(qū)域“B”之上。在曝光掃描期間，區(qū)域“B”之上的調(diào)平點39a可以被去激活，由此改進晶片的傾斜，如圖3B的線條44中所示。如果沒有去激活調(diào)平點，則晶片將如線條42所示那樣常規(guī)地傾斜。如將要理解到的，根據(jù)特定區(qū)域的形貌，可以運用調(diào)平點的任一去激活組合。例如，調(diào)平點39a和39d可以都被去激活，而39b、39c和39e保持激活。
在圖3B中，示出了晶片32的側視圖，其中晶片34的圖案高度示為高于監(jiān)視宏區(qū)36。晶片示為位于晶片臺40上。在使用常規(guī)調(diào)平設備的曝光成像工藝期間，晶片將如虛線42所示那樣傾斜以在成像工藝期間將晶片維持于“聚焦”。使用本發(fā)明的方法而且去激活區(qū)域“B”之上的調(diào)平點39a，晶片將如虛線44所示那樣在水平平面上傾斜，而與將略微離焦的不那么重要的監(jiān)視宏區(qū)36(B)相比，晶片區(qū)A將處于聚焦。
結果，聚焦平面放置對于“A”區(qū)域而言將盡可能地接近理想而沒有貫穿于它的聚焦偏離的系統(tǒng)性變化。然而，在這一情況下對于“B”區(qū)域而言的聚焦放置將不那么理想。然而這通常將是可接受的，因為“B”區(qū)域中的設計圖案對于聚焦不那么敏感，這可能歸因于較少的特征密度，由此首先造成了形貌的偏離。同樣在本發(fā)明的范圍之內(nèi)的是，通過針對“B”區(qū)域應用不同的圖案偏差、由此增加焦深以及對于聚焦偏移的裕度，來對這一設計區(qū)域中的散焦進行計數(shù)。如果需要則這一過程可以提高對于A區(qū)域的工藝產(chǎn)出量。
現(xiàn)在參照圖4，可以描述本發(fā)明的方法和設備。在從初始化步驟100開始之后，然后在步驟102將晶片加載到光刻系統(tǒng)中。然后在步驟104中預掃描晶片以確定在晶片表面的不同區(qū)域之上的形貌(高度)。在步驟106中為晶片的不同區(qū)域分配聚焦重要性參數(shù)。如在上文中討論的，晶片的一些區(qū)域比其它區(qū)域更關鍵或者更重要，而且這些區(qū)域將分配有較高的重要性參數(shù)級別。例如，截口區(qū)或監(jiān)視宏區(qū)將典型地沒有芯片部分那么重要，并且將被分配較小的值?；诓襟E104的預掃描數(shù)據(jù)和步驟106的聚焦重要性參數(shù)數(shù)據(jù)，在步驟108中計算用于成像工藝的聚焦曝光指令。在步驟110中基于步驟108所計算的聚焦曝光指令對晶片進行掃描和曝光。在晶片表面之上繼續(xù)這樣的操作直至由步驟112確定完全地掃描了晶片為止。在步驟112中完成成像工藝之后，在步驟114中釋放并卸載晶片。
盡管已經(jīng)結合具體優(yōu)選實施例特別地描述了本發(fā)明，但應明白的是，根據(jù)上面的描述，許多替換、修改和變形對于本領域技術人員將是顯然的。因此預期所附權利要求將涵蓋落入本發(fā)明的真正范圍和精神之內(nèi)的任何此類替換、修改和變形。
權利要求
1.一種用于制造比如晶片這樣的集成電路器件的方法，其中所述方法的一個或多個步驟需要包括對所述晶片進行調(diào)平的光刻步驟，包括步驟將晶片加載到晶片成像光刻曝光系統(tǒng)中；預掃描所述晶片以確定與所述晶片在所述晶片的不同區(qū)域之上的形貌有關的數(shù)據(jù)；為所述晶片的不同區(qū)域分配聚焦重要性值；基于所述預掃描形貌數(shù)據(jù)和區(qū)域聚焦重要性值來計算用于所述光刻步驟的曝光聚焦指令；基于所述計算的曝光聚焦指令對所述晶片進行掃描和曝光；以及從所述曝光系統(tǒng)釋放所述晶片并卸載所述晶片。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述光刻曝光系統(tǒng)是步進掃描式系統(tǒng)。
3.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述光刻曝光系統(tǒng)是步進重復式系統(tǒng)。
4.根據(jù)權利要求1的方法，其中使用包含多個調(diào)平點的成像狹縫來預掃描所述晶片以確定所述數(shù)據(jù)，而且在基于所述計算的曝光聚焦指令的所述曝光期間以任一組合來調(diào)節(jié)所述調(diào)平點。
5.一種用于制造比如晶片這樣的集成電路器件的設備，其中使用光刻裝置來在所述晶片的制造期間對所述晶片進行成像，包括用于將晶片加載到晶片成像光刻曝光系統(tǒng)中的裝置；光刻曝光系統(tǒng)，包括用于預掃描所述晶片以確定與所述晶片在所述晶片的不同區(qū)域之上的形貌有關的數(shù)據(jù)的裝置；用于為所述晶片的不同區(qū)域分配聚焦重要性值的裝置；用于基于所述預掃描形貌數(shù)據(jù)和區(qū)域聚焦重要性值來計算用于所述光刻步驟的曝光聚焦指令的裝置；用于對所述晶片進行成像的裝置；以及用于從所述曝光系統(tǒng)釋放晶片和卸載所述晶片的裝置；其中在工藝的光刻成像步驟期間，所述晶片是基于所述計算的曝光聚焦指令來曝光的，在所述曝光期間所述晶片是基于所述計算的曝光聚焦指令在所述系統(tǒng)中定位的。
6.根據(jù)權利要求5的設備，其中所述光刻曝光系統(tǒng)是步進掃描式系統(tǒng)。
7.根據(jù)權利要求5的設備，其中所述光刻曝光系統(tǒng)是步進重復式系統(tǒng)。
8.根據(jù)權利要求5的設備，其中所述光刻曝光系統(tǒng)使用包含多個調(diào)平點的成像狹縫來預掃描所述晶片以確定所述數(shù)據(jù)，而且在基于所述計算的曝光聚焦指令的所述曝光期間以任一組合來調(diào)節(jié)所述調(diào)平點。
全文摘要
提供了一種方法和設備，用于在半導體制造工藝的光刻成像過程期間改進比如晶片這樣的襯底的調(diào)平并由此改進襯底的聚焦。本發(fā)明執(zhí)行晶片形貌的預掃描而且為晶片表面的不同區(qū)域分配重要性值?；诓煌瑓^(qū)域的形貌和重要性值來計算曝光聚焦指令，然后基于所計算的曝光聚焦指令對晶片進行掃描和成像。
文檔編號H01L21/027GK1952787SQ20061013574
公開日2007年4月25日 申請日期2006年10月17日 優(yōu)先權日2005年10月18日
發(fā)明者斯科特·J·布科夫斯基, 科林·J·布羅德斯基, 史蒂文·J·霍姆斯, 伯恩哈德·R·利格爾 申請人:國際商業(yè)機器公司