專利名稱：金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件中金屬布線 結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體制程是用淀積工藝、光刻工藝、刻蝕工藝等在硅晶片上形 成集成電路的器件。為了連接各個(gè)部件構(gòu)成集成電路，通常使用具有相對(duì)高 導(dǎo)電率的金屬材料例如銅進(jìn)行布線，也就是金屬布線。用于將半導(dǎo)體器件的 有源區(qū)與其它集成電路連接起來的結(jié)構(gòu)一般為插塞結(jié)構(gòu)。形成插塞的工藝是
用金屬材料填充通孔或者溝槽的工藝，例如申請(qǐng)?zhí)枮镃N98118290的中國(guó)專利 申請(qǐng)文件所提供的形成插塞結(jié)構(gòu)的方法。
在半導(dǎo)體器件的制作過程中，半導(dǎo)體器件的有源區(qū)首先要與其它器件連 接起來，才能形成完整的電路結(jié)構(gòu)。將半導(dǎo)體器件的有源區(qū)與其它器件連接 起來的主要方法是采用插塞，制作方法參考附圖1A至附圖1E。首先，如圖1A 所示，提供一半導(dǎo)體基體IO,所述半導(dǎo)體基體10具有隔離結(jié)構(gòu)11和有源區(qū)12， 隨后，參考附圖1B，在半導(dǎo)體基體10上形成刻蝕阻擋層13，所述刻蝕阻擋層 13材料為氮化硅、氮氧化硅等材料；參考附圖1C，在刻蝕阻擋層13上形成層 間介電層14，所述層間介電層14的材料如氧化硅，以及其它低K值的絕緣材料； 之后，參考附圖1D，在層間介電層14上形成光刻膠層15，并曝光、顯影形成 光刻膠開口，光刻膠開口對(duì)應(yīng)的位置即為需要形成插塞結(jié)構(gòu)的位置；最后， 參考附圖1E，以光刻膠層15為掩膜刻蝕層間介電層14和刻蝕阻擋層13，形成 溝道17。在刻蝕完層間介電層14和刻蝕阻擋層13的工藝中， 一般來說，不可 能控制刻蝕工藝正好使刻蝕過程停留在刻蝕阻擋層與隔離結(jié)構(gòu)11和有源區(qū)12
的界面處， 一般都會(huì)過刻蝕導(dǎo)致隔離結(jié)構(gòu)11和有源區(qū)12的 一部分被刻蝕掉，
而且，由于隔離結(jié)構(gòu)11一般高于有源區(qū)12，因此過刻蝕掉的隔離結(jié)構(gòu)ll的高 度大子過刻蝕掉的有源區(qū)12的髙度。正常情況下，存在少量的過刻蝕是允許 的，而且在隔離結(jié)構(gòu)11的過刻蝕高度與有源區(qū)12的過刻蝕高度之差不大于 500A的情況下，可以認(rèn)為是工藝中的正常誤差，是允許的，但一般不允許使 刻蝕的高度差大于500A。
在SONOS半導(dǎo)體器件的制作過程中，存在另一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，參考附圖2 所示，提供半導(dǎo)體基板200，所述半導(dǎo)體基體200具有隔離結(jié)構(gòu)210和有源區(qū) 220,并且，在隔離結(jié)構(gòu)210上形成有刻蝕阻擋層240,有源區(qū)220上形成有絕 緣氧化層230。當(dāng)這種結(jié)構(gòu)釆用附圖1A至附圖1E所述的工藝形成金屬布線結(jié)構(gòu) 時(shí)，由于絕緣氧化層230的厚度一般大于刻蝕阻擋層240，而且隔離結(jié)構(gòu)210的 表面一般高于有源區(qū)220,因此，當(dāng)完全去除有源區(qū)220上的絕緣氧化層之后， 會(huì)導(dǎo)致隔離結(jié)構(gòu)210的過刻蝕，如圖2B所示，為隔離結(jié)構(gòu)被過刻蝕的半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖，在附圖中，隔離結(jié)構(gòu)210和有源區(qū)220都存在過刻蝕 現(xiàn)象，但是，對(duì)隔離結(jié)構(gòu)的210過刻蝕遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于對(duì)有源區(qū)220的過刻蝕，而且， 對(duì)隔離結(jié)構(gòu)210的過刻蝕高度已經(jīng)大于1000埃。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法在刻蝕層間導(dǎo)電 層、刻蝕阻擋層形成作為金屬布線結(jié)構(gòu)的溝道時(shí)，導(dǎo)致半導(dǎo)體基板具有的隔 離結(jié)構(gòu)的過刻蝕，而且會(huì)導(dǎo)致過刻蝕隔離結(jié)構(gòu)的高度大于器件的允許過刻蝕 高度。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，包括
提供半導(dǎo)體基體，所述半導(dǎo)體基體具有隔離結(jié)構(gòu)和位于隔離結(jié)構(gòu)之間的 有源區(qū)，并且隔離結(jié)構(gòu)上具有腐蝕阻擋層，有源區(qū)上具有絕緣隔離層；
在所述半導(dǎo)體基體上形成第 一刻蝕停止層；
在第 一刻蝕停止層上形成第二刻蝕停止層；
在第二刻蝕停止層上形成層間介電層；
在層間介電層上形成光刻膠圖案；
第一次刻蝕以光刻膠為掩膜刻蝕層間介電層，停止于第二刻蝕停止層；
第二次刻蝕以光刻膠為掩膜刻蝕第二刻蝕停止層，停止于第一刻蝕停 止層；
第三次刻蝕以光刻膠為掩膜，選用對(duì)第一刻蝕停止層和腐蝕阻擋層的 刻蝕速率選擇比大于1，并且對(duì)絕緣隔離層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大 于1的刻蝕試劑，刻蝕第一刻蝕停止層以及腐蝕阻擋層和絕緣隔離層，直至 完全去除絕緣隔離層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
1、 本發(fā)明在半導(dǎo)體基體上依次形成第一刻蝕停止層、第二刻蝕停止層、 層間介電層，然后分三次進(jìn)行刻蝕，在第三次刻蝕工藝中選擇對(duì)第一刻蝕停 止層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1，并且對(duì)絕緣隔離層和腐蝕阻擋層 的刻蝕速率選擇比大于1的刻蝕試劑，可以降低對(duì)隔離結(jié)構(gòu)的過刻蝕，并且 可以通過對(duì)刻蝕劑刻蝕選擇比的進(jìn)一步選擇，例如使刻蝕速率選擇比為8~ 15，更好地控制對(duì)隔離結(jié)構(gòu)過刻蝕。
2、 本發(fā)明在控制對(duì)隔離結(jié)構(gòu)的過刻蝕之后，可以控制金屬布線結(jié)構(gòu)內(nèi)形 成的金屬插塞的均勻性，并能更好地控制接觸電阻。


圖1A至1E為現(xiàn)有技術(shù)形成金屬布線結(jié)構(gòu)的不同工藝步驟的截面結(jié)構(gòu)示 意圖2A為采用現(xiàn)有技術(shù)會(huì)導(dǎo)致隔離結(jié)構(gòu)過刻蝕的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
圖2B為隔離結(jié)構(gòu)被過刻蝕的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖3A至圖31是本發(fā)明形成金屬布線結(jié)構(gòu)的不同工藝步驟的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做一詳細(xì)的說明。
本發(fā)明提供一種金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供半導(dǎo)體基體，所述 半導(dǎo)體基體具有隔離結(jié)構(gòu)和位于隔離結(jié)構(gòu)之間的有源區(qū)，并且隔離結(jié)構(gòu)上具
有腐蝕阻擋層，有源區(qū)上具有絕緣隔離層；在所述半導(dǎo)體基體上形成第一刻 蝕停止層；在第一刻蝕停止層上形成第二刻蝕停止層；在第二刻蝕停止層上 形成層間介電層；在層間介電層上形成光刻膠圖案；第一次刻蝕以光刻膠 為掩膜刻蝕層間介電層，停止于第二刻蝕停止層；第二次刻蝕以光刻膠為 掩膜刻蝕第二刻蝕停止層，停止于第一刻蝕停止層；第三次刻蝕以光刻膠 為掩膜，選用對(duì)第一刻蝕停止層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1，并且 對(duì)絕緣隔離層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1的刻蝕試劑，刻蝕第一 刻蝕停止層以及腐蝕阻擋層和絕緣隔離層，直至完全去除絕緣隔離層。
首先，參考附圖3A,提供一半導(dǎo)體基體100,所述半導(dǎo)體基體100為硅 (Si)或硅鍺(SiGe)或者絕緣體上硅等半導(dǎo)體材料。所述半導(dǎo)體基體100 具有隔離結(jié)構(gòu)110和位于隔離結(jié)構(gòu)110之間的有源區(qū)120，所述隔離結(jié)構(gòu)110 較好的是淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)，形成工藝為現(xiàn)有技術(shù)。所述半導(dǎo)體基體100 的隔離結(jié)構(gòu)110上具有腐蝕阻擋層140,有源區(qū)120上具有絕緣隔離層130， 其中腐蝕阻擋層140的厚度一般在30至150埃，絕緣隔離層130的厚度為300 至800埃。所述腐蝕阻擋層140較好的是氮化硅、氮氧化硅中的一種或者兩 種，所述絕緣隔離層130為較好的是氧化硅或者正硅酸乙酯(TEOS)，本發(fā)
明中，所述的氧化硅包括采用常規(guī)沉積工藝形成的氧化硅以及本領(lǐng)域人員熟
知的另一種低溫氧化硅(LTO)，所述低溫氧化硅(LTO)是在較低的溫度條 件下沉積形成的氧化硅材料，例如在400。C左右的條件下淀積的氣化硅層。附 圖3A所示的結(jié)構(gòu)可能用在氧化硅-氮化硅-氧化硅(SONOS)快閃存儲(chǔ)器 的制作過程中，當(dāng)然，也可能用在其它半導(dǎo)體制程。
參考附圖3B所示，在半導(dǎo)體基體IOO上形成第一刻蝕停止層150，覆蓋 所述腐蝕阻擋層140以及絕緣隔離層130。所述第一刻蝕停止層150較好的是 氧化硅或者正硅酸乙酯(TEOS),較好的是選擇與隔離絕緣層130相同的材 料。所述第一刻蝕停止層150的厚度為100至500埃，較好的是200埃至400 埃。形成第一刻蝕停止層150的工藝為現(xiàn)有技術(shù)，較好的為化學(xué)氣相沉積法。
隨后，參考附圖3C，在第一刻蝕停止層150上形成第二刻蝕停止層160, 所述第二刻蝕停止層160材料為氮化硅、氮氧化硅中的一種或者兩種，較好 的是選擇與腐蝕阻擋層140相同的材料，使本發(fā)明金屬布線結(jié)構(gòu)的制作工藝 變的簡(jiǎn)單，在隨后的刻蝕工藝中，減少所使用的刻蝕劑的種類。第二刻蝕停 止層160的厚度較好的為300至500埃。
參考附圖3D，在第二刻蝕停止層160上形成層間介電層170，所述層間 介電層170的材料為氧化硅、氮氧化硅等絕緣材料，用于器件層或者金屬層 之間的絕緣隔離。形成的層間介電層170的工藝為現(xiàn)有技術(shù)，較好的為化學(xué) 氣相;兄積法。
之后，參考附圖3E,在層間介電層170上形成光刻膠層180，并通過曝 光、顯影工藝形成光刻膠開口 190,其中光刻膠開口 190的位置較好的是與有 源區(qū)對(duì)應(yīng)的，但是在某些工藝制程中，為了提高單位面積的器件數(shù)量，有源 區(qū)會(huì)做的比較小，因此，光刻膠開口的位置在保證與有源區(qū)對(duì)應(yīng)的前提下， 還可能有與部分隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，對(duì)應(yīng)的部分區(qū)域應(yīng)以保證不影響器件的隔 離性能為準(zhǔn)，這種光刻膠開口與部分的隔離區(qū)域相對(duì)應(yīng)，屬于半導(dǎo)體制程的正常誤差范圍。
參考附圖3F，進(jìn)行第一次刻蝕以光刻膠層180為掩膜刻蝕層間介電層 170，當(dāng)完仝去除光刻肢開口 190位置對(duì)應(yīng)的層間介電層170后，停止刻蝕， 在第一次刻蝕過程中，允許有過刻蝕現(xiàn)象存在，但必須保證停止于所述第二 刻蝕停止層160,即刻蝕部分刻蝕第二刻蝕停止層160，但第一次刻蝕不能 完全去除光刻膠開口 190位置對(duì)應(yīng)的第二刻蝕停止層160，刻蝕之后，形成溝 道190a。
為了使第一次刻蝕在去除光刻膠開口 190位置對(duì)應(yīng)的層間介電層170后 較好的停止與第二刻蝕停止層160,應(yīng)該選用對(duì)層間介電層以及第二刻蝕停止 層的刻蝕速率選擇比大于1的刻蝕劑，較好的是，刻蝕劑對(duì)層間介電層以及 第二刻蝕停止層的刻蝕速率選擇比為8至30。刻蝕劑的選擇屬于現(xiàn)有技術(shù)， 例如采用干法刻蝕，選用含有CsF8， Ar， 02,和C0的刻蝕氣體進(jìn)行刻蝕，其中C5F8 的刻蝕氣體在刻蝕劑中的質(zhì)量百分比含量為1%至10%。
例如，層間介電層170為氧化硅，第二刻蝕停止層160為氮化硅，選用 對(duì)氧化硅和氮化硅的刻蝕速率選擇比為15的刻蝕氣體，完全去除氧化硅層， 同時(shí)保證氮化硅層沒有被完全刻蝕掉。
隨后，參考附圖3G,進(jìn)行第二次刻蝕以光刻膠層180為掩膜刻蝕第二 刻蝕停止層160,當(dāng)完全去除光刻膠開口 190位置對(duì)應(yīng)的第二刻蝕停止層160 后，停止刻蝕，形成溝道190b。與第一次刻蝕過程相同，第二次刻蝕過程也 允許有過刻蝕現(xiàn)象存在，刻蝕掉部分第一刻蝕停止層150，作為一種極端的情 況，本發(fā)明也可以完全刻蝕掉第一刻蝕停止層150，刻蝕至絕緣隔離層130, 但必須保證腐蝕阻擋層140不被刻蝕，由于絕緣隔離層130的厚度大于腐蝕 阻擋層140的厚度，因此，刻蝕至絕緣隔離層130但保證腐蝕阻擋層140不 被刻蝕是可能的。但是，本發(fā)明仍然比較優(yōu)選第二次刻蝕工藝在完全去除第 二刻蝕層160后停止在第一刻蝕停止層150。因此，本發(fā)明所述的刻蝕工藝對(duì)
笫二次刻蝕的工藝要求較低，終點(diǎn)便于控制，降低了對(duì)設(shè)備以及操作人員的 要求。
但是，為了使第二次刻蝕在去除光刻膠開口 190位置對(duì)應(yīng)的第一刻蝕停 止層150之后造成較小的過刻蝕，并避免過刻蝕至腐蝕阻擋層140,應(yīng)該選用 對(duì)第二刻蝕停止層160和第一刻蝕停止層150以及絕緣隔離層130的刻蝕速 率選擇比大于1的刻蝕劑，較好的是，刻蝕劑對(duì)第二刻蝕停止層以及第一刻 蝕停止層的刻蝕速率選擇比為2至10 。刻蝕劑的選擇屬于現(xiàn)有技術(shù)，例如采 用干法刻蝕，選用含有CH2F2或者CHF3或者CH3F的刻蝕氣體進(jìn)行刻蝕。
例如，第二刻蝕停止層160為氮化硅，第一刻蝕停止層150以及絕緣隔 離層130都為氧化硅，選用對(duì)氧化硅和氮化硅的刻蝕速率選擇比為8的刻蝕 氣體，完全去除氮化硅，并且使刻蝕終點(diǎn)停止在第一刻蝕停止層150。避免了 刻蝕至腐蝕阻擋層140，并使刻蝕終點(diǎn)的控制變的容易。
之后，參考附圖3H，進(jìn)行第三次刻蝕以光刻膠層180為掩膜刻蝕第一 刻蝕停止層150、腐蝕阻擋層140和絕緣隔離層130,直至完全去除有源區(qū)120 上的絕緣隔離層130，形成溝道190c。此步驟為本發(fā)明的關(guān)鍵步驟，在現(xiàn)有 技術(shù)中，由于隔離結(jié)構(gòu)100的實(shí)際高度高于有源區(qū)120,因此，將有源區(qū)120 上的絕緣隔離層130完全去除之后，半導(dǎo)體基體100上的隔離結(jié)構(gòu)110已經(jīng) 形成了過刻蝕，為了降低對(duì)隔離結(jié)構(gòu)100的過刻蝕程度，本發(fā)明選用對(duì)第一 刻蝕停止層150和腐蝕阻擋層140的刻蝕速率選擇比大于1,并且對(duì)絕緣隔離 層130和腐蝕阻擋層140的刻蝕速率選擇比大于1的刻蝕試劑，更好的選用 對(duì)第一刻蝕停止層150和腐蝕阻擋層140的刻蝕速率選擇比為8-15，并且對(duì) 絕緣隔離層130和腐蝕阻擋層140的刻蝕速率選擇比為8-15的刻蝕試劑進(jìn) 行刻蝕，在刻蝕過程中使刻蝕劑對(duì)腐蝕阻擋層140的刻蝕速率盡可能的慢， 以保證位于腐蝕阻擋層140下部的隔離結(jié)構(gòu)IIO盡可能少的被過腐蝕。
在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，設(shè)定腐蝕阻擋層140的厚度為50埃，設(shè)
定第一刻蝕停止層150和絕緣隔離層130的材料相同，選擇對(duì)第一刻蝕停止 層150和腐蝕阻擋層140的刻蝕速率選擇比為9的刻蝕劑，因此，選擇的刻 蝕劑對(duì)絕緣隔離層130和腐蝕阻擋層140的刻蝕速率選擇比也為9，則對(duì)隔離 結(jié)構(gòu)110的過刻蝕高度可以減少50乘以(9-1 )埃，即400埃。因此，大大減 小了對(duì)隔離結(jié)構(gòu)110的過刻蝕，避免了對(duì)器件性能的影響。
第三次刻蝕的刻蝕劑選擇為現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明優(yōu)選的刻蝕劑含有CtF8、 C5F8和QH6中的一種或者一種以上，輔助Ar、 02、 CO等氣體。
隨后，參考附圖31，去除光刻膠層180,去除光刻膠層180的工藝為現(xiàn)有 技術(shù)，例如采用灰化工藝。最后，在溝道190c中沉積導(dǎo)電金屬材料，例如金 屬鋁、銅、鴒，形成插塞結(jié)構(gòu)。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體基體，所述半導(dǎo)體基體具有隔離結(jié)構(gòu)和位于隔離結(jié)構(gòu)之間的有源區(qū)，并且隔離結(jié)構(gòu)上具有腐蝕阻擋層，有源區(qū)上具有絕緣隔離層；在所述半導(dǎo)體基體上形成第一刻蝕停止層；在第一刻蝕停止層上形成第二刻蝕停止層；在第二刻蝕停止層上形成層間介電層；在層間介電層上形成光刻膠圖案；第一次刻蝕以光刻膠為掩膜刻蝕層間介電層，停止于第二刻蝕停止層；第二次刻蝕以光刻膠為掩膜刻蝕第二刻蝕停止層，直至完全去除第二刻蝕停止層；第三次刻蝕以光刻膠為掩膜，選用對(duì)第一刻蝕停止層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1，并且對(duì)絕緣隔離層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1的刻蝕試劑，刻蝕第一刻蝕停止層以及腐蝕阻擋層和絕緣隔離層，直至完全去除絕緣隔離層；去除光刻膠圖案。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，第三次刻 蝕的刻蝕劑對(duì)第一刻蝕停止層以及腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比為8~ 15，對(duì)絕緣隔離層以及腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比為8~ 15。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，第一次刻 蝕的刻蝕劑對(duì)層間介電層以及第二刻蝕停止層的刻蝕速率選擇比大于1。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，第一次刻 蝕的刻蝕劑對(duì)層間介電層以及第二刻蝕停止層的刻蝕速率選擇比為8~30。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，第二次刻蝕的刻蝕劑對(duì)第二刻蝕停止層以及第 一刻蝕停止層的刻蝕速率選擇比大于
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，第二次刻 蝕的刻蝕劑對(duì)第二刻蝕停止層以及第 一刻蝕停止層的刻蝕速率選擇比為 2~10。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在 于，所述第一刻蝕停止層為氧化硅或者正硅酸乙酯。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在 于，所述第二刻蝕停止層為氮化硅、氮氧化硅中的一種或者兩種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在 于，所述腐蝕阻擋層為氮化硅、氮氧化硅中的一種或者兩種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在 于，所述絕緣隔離層為氧化硅或者正硅酸乙酯。
全文摘要
金屬布線結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供具有隔離結(jié)構(gòu)和位于隔離結(jié)構(gòu)之間的有源區(qū)，并且隔離結(jié)構(gòu)上具有腐蝕阻擋層，有源區(qū)上具有絕緣隔離層的半導(dǎo)體基體；在半導(dǎo)體基體上依次形成第一刻蝕停止層、第二刻蝕停止層、層間介電層；在層間介電層上形成光刻膠圖案；以光刻膠為掩膜刻蝕層間介電層，停止于第二刻蝕停止層；刻蝕第二刻蝕停止層，直至完全去除第二刻蝕停止層；以光刻膠為掩膜，選用對(duì)第一刻蝕停止層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1，并且對(duì)絕緣隔離層和腐蝕阻擋層的刻蝕速率選擇比大于1的刻蝕試劑，刻蝕第一刻蝕停止層以及腐蝕阻擋層和絕緣隔離層，直至完全去除有源區(qū)上的絕緣隔離層，去除光刻膠層。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101197309SQ200610119049
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2006年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月4日
發(fā)明者洪中山 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司