專利名稱：氮化物半導(dǎo)體基板及氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體基板及氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法。
背景技術(shù)：
以往，作為氮化鎵基板(GaN基板)已知有各種基板(參照文獻(xiàn)1～3)。在文獻(xiàn)2中記載有氮化鎵晶片，該氮化鎵晶片具有作為表示晶體取向的標(biāo)記的定向平面(orientation flat)(OF)。這種定向平面通過在利用X射線衍射法確認(rèn)晶體取向之后進(jìn)行磨削加工而形成。
在文獻(xiàn)4中記載有對(duì)由GaAs、GaP、InP等化合物半導(dǎo)體而非GaN構(gòu)成的晶片，形成定向平面的方法。另外，在文獻(xiàn)5中記載有檢測(cè)在晶片上形成的定向平面的位置的方法。
文獻(xiàn)1特開2003-183100號(hào)公報(bào)文獻(xiàn)2特開2004-335645號(hào)公報(bào)文獻(xiàn)3特開2000-12900號(hào)公報(bào)文獻(xiàn)4特開平7-307316號(hào)公報(bào)文獻(xiàn)5特開平2-291146號(hào)公報(bào)然而，氮化鎵基板的定向平面的位置精度并不一定充分，希望進(jìn)一步提高位置精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述事情而作出的，目的在于提供一種能夠高精度地確定表示晶體取向的標(biāo)記的位置的氮化物半導(dǎo)體基板及氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法。
為了解決上述的問題，本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法包括準(zhǔn)備圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板的工序，該圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板具備多個(gè)條紋(stripe)區(qū)域，該多個(gè)條紋區(qū)域具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；以所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，在所述氮化物半導(dǎo)體基板的緣的規(guī)定位置形成切口的工序。
在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法中，采用具備多個(gè)條紋區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體基板。形成該多個(gè)條紋區(qū)域時(shí)，可使條紋區(qū)域延伸的方向和期望的晶體取向高精度地一致。因此，通過以條紋區(qū)域延伸的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，可不采用X射線衍射法，高精度地確定作為表示晶體取向的標(biāo)記的切口的位置。
另外，優(yōu)選所述切口是定向平面。該情況下，可高精度地確定定向平面的位置。
另外，優(yōu)選采用切片鋸(dicing saw)形成所述定向平面。由此，可簡(jiǎn)單地形成定向平面。
另外，優(yōu)選所述切口是槽口(notch)。該情況下，在形成切口時(shí)可減少切下的部分。
另外，優(yōu)選形成所述切口的工序包括通過顯微鏡觀察所述氮化物半導(dǎo)體基板，由此確定沿著所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向經(jīng)過所述氮化物半導(dǎo)體基板的中心的直線的工序；以所述直線為基準(zhǔn)，并以所述氮化物半導(dǎo)體基板的中心為軸，使所述氮化物半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)規(guī)定角的工序。該情況下，可更加高精度地確定切口的位置。
另外，優(yōu)選在確定所述直線的工序中，向所述氮化物半導(dǎo)體基板照射紫外線。由此，由于更加清晰地區(qū)別低缺陷區(qū)域和缺陷集中區(qū)域，因此可容易且高精度地確定直線。
本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體基板是具有圓弧狀的緣的氮化物半導(dǎo)體基板，其具備多個(gè)條紋區(qū)域，其具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；定向平面，其設(shè)在該氮化物半導(dǎo)體基板的緣上，且與所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向?qū)嶋H上呈直角延伸。
在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體基板中，可使條紋區(qū)域延伸的方向和期望的晶體取向高精度地一致。定向平面與條紋區(qū)域延伸的方向?qū)嶋H上呈直角延伸。因此，在該氮化物半導(dǎo)體基板中，可高精度地確定定向平面的位置。
另外，優(yōu)選所述定向平面設(shè)在解理面上。該情況下，可高精度地形成定向平面。
本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體基板是具有圓弧狀的緣的氮化物半導(dǎo)體基板，其具備多個(gè)條紋區(qū)域，其具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；槽口，其設(shè)在該氮化物半導(dǎo)體基板的緣上，所述槽口位于沿著所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向經(jīng)過該氮化物半導(dǎo)體基板的中心的直線上。
在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體基板中，可使條紋區(qū)域延伸的方向和期望的晶體取向高精度地一致。因此，在該氮化物半導(dǎo)體基板中，可高精度地確定槽口的位置。


圖1是示意地表示本實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖；圖2是示意地表示另一實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖；圖3是示意地表示氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖；圖4是示意地表示氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖；圖5是示意地表示本實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法中的一工序的俯視圖；圖6是示意地表示氮化物半導(dǎo)體基板的加工裝置的立體圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。再有，在附圖的說明中，對(duì)于相同或相等的要素使用相同符號(hào)，省略重復(fù)的說明。
圖1是示意地表示本實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖。圖1所示的氮化物半導(dǎo)體基板10具有圓弧狀的緣E。氮化物半導(dǎo)體基板10例如是氮化鎵晶片。氮化物半導(dǎo)體基板10優(yōu)選用于例如半導(dǎo)體激光器、LED等半導(dǎo)體光設(shè)備。
氮化物半導(dǎo)體基板10具備多個(gè)條紋區(qū)域2；多個(gè)單晶體區(qū)域4，其由條紋區(qū)域2分隔。多個(gè)條紋區(qū)域2由晶體缺陷密度(位錯(cuò)密度)高于周圍的單晶體區(qū)域4(低缺陷區(qū)域)的缺陷集中區(qū)域構(gòu)成。因此，條紋區(qū)域2的晶體缺陷密度大于單晶體區(qū)域4的晶體缺陷密度。另外，條紋區(qū)域2的晶體取向不同于單晶體區(qū)域4的晶體取向。
在氮化物半導(dǎo)體基板10的緣上，設(shè)有與多個(gè)條紋區(qū)域2中的至少一個(gè)延伸的方向ST實(shí)際上呈直角延伸的定向平面OF(切口)。因此，沿著方向ST經(jīng)過氮化物半導(dǎo)體基板10的中心O的直線SL，實(shí)際上與定向平面OF垂直。具有這種定向平面OF的氮化物半導(dǎo)體基板10，若與具有與條紋區(qū)域平行地延伸的定向平面的氮化物半導(dǎo)體基板相比，則具有定向平面容易進(jìn)行機(jī)械的定位的優(yōu)點(diǎn)。另外，氮化物半導(dǎo)體基板10是例如GaN基板等透明基板的情況下，容易使制造工序自動(dòng)化。
定向平面OF是作為表示晶體取向的標(biāo)記的切口的一例。定向平面OF例如在由氮化物半導(dǎo)體基板10制造半導(dǎo)體激光器的過程中成為記號(hào)。由此，氮化物半導(dǎo)體基板10的自動(dòng)輸送或自動(dòng)定位(alignment)等變得容易。
條紋區(qū)域2延伸的方向ST沿著單晶體區(qū)域4的<1-100>方向或<11-20>方向。再有，<1-100>方向表示與單晶體區(qū)域4的[1-100]方向等等效的晶體取向。<11-20>方向表示與單晶體區(qū)域4的[11-20]方向等等效的晶體取向。
在方向ST沿著單晶體區(qū)域4的<1-100>方向的情況下，定向平面OF沿單晶體區(qū)域4的<11-20>方向延伸。在方向ST沿著單晶體區(qū)域4的<11-20>方向的情況下，定向平面OF沿單晶體區(qū)域4的<1-100>方向延伸。
氮化物半導(dǎo)體基板例如可以通過在GaAs基板上形成具有窗的掩模，并使氮化物半導(dǎo)體在該掩模上外延(epitaxial)生長(zhǎng)，然后除去GaAs基板而獲得。在氮化物半導(dǎo)體基板10中，例如通過使用沿GaAs基板的[-110]方向延伸的條紋掩模形成氮化物半導(dǎo)體基板10，可使條紋區(qū)域2延伸的方向ST和單晶體區(qū)域4的[11-20]方向高精度地-致。
于是，在氮化物半導(dǎo)體基板10中，可使條紋區(qū)域2延伸的方向ST和期望的晶體取向高精度地一致。因此，通過以方向ST為基準(zhǔn)，可高精度地確定定向平面OF的位置。例如在方向ST和[1-100]方向高精度地一致的情況下，可使定向平面OF和單晶體區(qū)域4的[11-20]方向高精度地一致。
其結(jié)果，即使制造定位精度的要求嚴(yán)格例如在0.02度以內(nèi)的半導(dǎo)體激光器時(shí)，也可通過使用氮化物半導(dǎo)體基板10，優(yōu)選地制造半導(dǎo)體激光器。該情況下，優(yōu)選將形成條紋區(qū)域2時(shí)的誤差(例如方向ST和[1-100]方向構(gòu)成的角)控制在0.01度以內(nèi)，將加工定向平面OF時(shí)的誤差(使方向ST旋轉(zhuǎn)了90度的方向和定向平面OF構(gòu)成的角)控制在0.01度以內(nèi)。由此，可將定向平面OF和單晶體區(qū)域4的[11-20]方向構(gòu)成的角控制在0.02度以內(nèi)。另外，通過將形成條紋區(qū)域2時(shí)的誤差控制在0.03度以內(nèi)，將加工定向平面OF時(shí)的誤差控制在0.01度以內(nèi)，可將定向平面OF和單晶體區(qū)域4的[11-20]方向構(gòu)成的角控制在0.04度以內(nèi)。
另外，定向平面OF優(yōu)選設(shè)在解理面上。該情況下，由于形成定向平面OF時(shí)容易切斷氮化物半導(dǎo)體基板，因此可高精度地形成定向平面OF。另外，可優(yōu)選地制造半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體器件。在氮化物半導(dǎo)體基板10例如由氮化鎵構(gòu)成的情況下，單晶體區(qū)域4的[1-100]方向成為解理面的法線方向。
另外，在氮化物半導(dǎo)體基板10為2英寸晶片的情況下，優(yōu)選定向平面OF的長(zhǎng)度為16±1mm。
此外，定向平面OF根據(jù)需要而被倒角。例如，優(yōu)選對(duì)定向平面OF實(shí)施半徑0.1～0.25mm的R倒角。該情況下，在輸送氮化物半導(dǎo)體基板10時(shí)不易產(chǎn)生碎屑。另外，例如也可對(duì)定向平面OF實(shí)施半徑2μm的R倒角。該情況下，由于倒角量變小，因此氮化物半導(dǎo)體基板10的光學(xué)式的定位精度提高。
氮化物半導(dǎo)體基板10的緣E(未形成定向平面OF的緣)，對(duì)氮化物半導(dǎo)體基板10的光學(xué)式的定位精度幾乎不產(chǎn)生影響。因而，優(yōu)選對(duì)氮化物半導(dǎo)體基板10的緣E實(shí)施例如半徑0.1～0.25mm的R倒角。
再有，條紋區(qū)域2內(nèi)整體也可不由缺陷集中區(qū)域構(gòu)成。例如，可在條紋區(qū)域2內(nèi)，沿方向ST交替地重復(fù)配置缺陷集中區(qū)域和單晶體區(qū)域(低缺陷區(qū)域)。
另外，氮化物半導(dǎo)體基板10也可由氮化鎵以外的III族氮化物半導(dǎo)體(例如，氮化鋁、氮化銦等)構(gòu)成。此外，也可在氮化物半導(dǎo)體基板10的緣E上，設(shè)有長(zhǎng)度比定向平面OF短的指標(biāo)平面(index flat)(IF)。在氮化物半導(dǎo)體基板10為2英寸晶片的情況下，優(yōu)選IF的長(zhǎng)度為7±1mm。
另外，也可使條紋區(qū)域2延伸的方向ST和單晶體區(qū)域4的[11-20]方向高精度地一致。該情況下，可使定向平面OF和單晶體區(qū)域4的[1-100]方向高精度地一致。
圖2是示意地表示另一實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖。如圖2所示的氮化物半導(dǎo)體基板10a具有圓弧狀的緣E。氮化物半導(dǎo)體基板10a具備條紋區(qū)域2和單晶體區(qū)域4。氮化物半導(dǎo)體基板10a的緣上設(shè)有槽口NT(切口)。
槽口NT位于沿著條紋區(qū)域2延伸的方向ST經(jīng)過氮化物半導(dǎo)體基板10a的中心O的直線SL上。與定向平面OF相比，槽口NT可減少被切下的部分。其結(jié)果，可從氮化物半導(dǎo)體基板10a獲得較多個(gè)半導(dǎo)體光件設(shè)備。另外，材料成品率也會(huì)提高。
與氮化物半導(dǎo)體基板10相同，氮化物半導(dǎo)體基板10a也可使方向ST和期望的晶體取向高精度地一致。因此，在氮化物半導(dǎo)體基板10a中，可高精度地確定槽口NT的位置。
圖3是示意地表示氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖。如圖3所示的氮化物半導(dǎo)體基板10b具有圓弧狀的緣E。氮化物半導(dǎo)體基板10b具備條紋區(qū)域2和單晶體區(qū)域4。在氮化物半導(dǎo)體基板10b的緣上設(shè)有定向平面OF1(切口)。定向平面OF1相對(duì)于以氮化物半導(dǎo)體基板10b的中心O為軸使直線SL旋轉(zhuǎn)了規(guī)定角α而得到的直線A實(shí)際上呈直角延伸。規(guī)定角α優(yōu)選是+10度以上+80度以下及-10度以上-80度以下。該情況下，即使不形成IF也能夠識(shí)別氮化物半導(dǎo)體基板10b的正背。規(guī)定角α例如為45度。
圖4是示意地表示氮化物半導(dǎo)體基板的俯視圖。如圖4所示的氮化物半導(dǎo)體基板10c具有圓弧狀的緣E。氮化物半導(dǎo)體基板10c具備條紋區(qū)域2、單晶體區(qū)域4和設(shè)在氮化物半導(dǎo)體基板10c的緣上的槽口NT1(切口)。由于槽口NT1位于直線A上，因此能夠識(shí)別氮化物半導(dǎo)體基板10b的正背。
接著，參照?qǐng)D1、圖5及圖6，對(duì)本實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法進(jìn)行說明。圖5是示意地表示本實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法中的一工序的俯視圖。圖6是示意地表示氮化物半導(dǎo)體基板的加工裝置的立體圖。
(基板準(zhǔn)備工序)首先，如圖5所示，準(zhǔn)備圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板20，其具備多個(gè)條紋區(qū)域12，該多個(gè)條紋區(qū)域12由晶體缺陷密度高于周圍的單晶體區(qū)域14(低缺陷區(qū)域)的缺陷集中區(qū)域構(gòu)成。單晶體區(qū)域14由條紋區(qū)域12分隔。在條紋區(qū)域12內(nèi)，也可沿方向ST交替地重復(fù)配置缺陷集中區(qū)域和單晶體區(qū)域(低缺陷區(qū)域)。
(切口形成工序)然后，如圖1及圖5所示，以多個(gè)條紋區(qū)域12中的至少一個(gè)延伸的方向ST為基準(zhǔn)，在氮化物半導(dǎo)體基板20的緣的規(guī)定的位置，形成作為切口的定向平面OF。由此，由條紋區(qū)域12形成條紋區(qū)域2，由單晶體區(qū)域14形成單晶體區(qū)域4。其結(jié)果，可由氮化物半導(dǎo)體基板20獲得氮化物半導(dǎo)體基板10。
定向平面OF例如通過磨削加工、激光加工、放電加工、超聲波加工等形成。雖然材料成本增加，但也可通過解理形成定向平面OF。另外，也可在形成了定向平面OF后，實(shí)施蝕刻或拋光。
定向平面OF通過采用例如如圖6所示的加工裝置30優(yōu)選地形成。加工裝置30具備驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)70，其可沿X軸及Y軸(水平方向)移動(dòng)；平臺(tái)(stage)60，其用于載置設(shè)在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)70上的氮化物半導(dǎo)體基板20。例如，通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)70沿X軸方向或Y軸方向移動(dòng)，可使氮化物半導(dǎo)體基板20沿X軸方向或Y軸方向移動(dòng)。另外，例如，通過平臺(tái)60旋轉(zhuǎn)，可使氮化物半導(dǎo)體基板20旋轉(zhuǎn)。
此外，加工裝置30優(yōu)選具備顯微鏡50，其用于觀察氮化物半導(dǎo)體基板20的表面；切片鋸40，其用于形成定向平面OF。若采用顯微鏡50，則可低成本且容易地形成定向平面OF。另外，若采用切片鋸40，則可簡(jiǎn)單地形成定向平面OF。另外，通過采用市售的切片鋸可實(shí)現(xiàn)低成本化。形成定向平面OF時(shí)，既可移動(dòng)氮化物半導(dǎo)體基板20，也可移動(dòng)切片鋸40。
再有，也可不采用切片鋸40，而采用例如用于磨削加工的砂輪、用于激光加工的激光電源、用于放電加工的電極、用于超聲波加工的工具等，形成定向平面OF。在采用砂輪的情況下，可優(yōu)選采用例如圓筒形的砂輪、具有與倒角形狀對(duì)應(yīng)的形狀的砂輪、或外周刃砂輪等。
顯微鏡50優(yōu)選具備物鏡51，其與氮化物半導(dǎo)體基板20的表面相對(duì)配置；光學(xué)系統(tǒng)53，其接受來自物鏡51的光；顯示部55，其可接受來自光學(xué)系統(tǒng)53的光而顯示氮化物半導(dǎo)體基板20的表面狀態(tài)。優(yōu)選預(yù)先進(jìn)行軸調(diào)整，以便顯微鏡50的X軸及Y軸和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)70的X軸及Y軸分別一致。切片鋸40優(yōu)選具備金剛石刀片41，其用于切斷氮化物半導(dǎo)體基板20；驅(qū)動(dòng)部43，其用于驅(qū)動(dòng)金剛石刀片41。
另外，加工裝置30也可具有加工氮化物半導(dǎo)體基板20的端面的加工裝置(未圖示)。通過采用該加工裝置，可對(duì)定向平面OF實(shí)施倒角。
以下，更加具體地說明切口形成工序。切口形成工序優(yōu)選包含下述的觀察工序及旋轉(zhuǎn)工序。首先，在觀察工序中，通過顯微鏡50觀察氮化物半導(dǎo)體基板20。由此，確定沿著方向ST的直線SL，所述方向ST是條紋區(qū)域12延伸的方向。作為顯微鏡50的光源，例如可采用白色光源、綠色光源、紫外線光源等。若采用綠色光源，則容易清晰地區(qū)別單晶體區(qū)域14和條紋區(qū)域12。
另外，優(yōu)選向氮化物半導(dǎo)體基板20照射紫外線。該情況下，由于氮化物半導(dǎo)體基板20的構(gòu)成材料發(fā)出熒光，因此更加清晰地區(qū)別單晶體區(qū)域14和條紋區(qū)域12，從而可容易且高精度地確定直線SL。
接著，在旋轉(zhuǎn)工序中，以直線SL為基準(zhǔn)，并以氮化物半導(dǎo)體基板20的中心O為軸，使氮化物半導(dǎo)體基板20旋轉(zhuǎn)規(guī)定角。由此，可將氮化物半導(dǎo)體基板20調(diào)整到期望的位置。其結(jié)果，可更加高精度地確定定向平面OF的位置。例如，使氮化物半導(dǎo)體基板20旋轉(zhuǎn)，以使從顯微鏡50的X軸到Y(jié)軸方向的±8μm以內(nèi)的帶狀區(qū)域內(nèi)含有條紋區(qū)域12。由此，可將條紋區(qū)域12延伸的方向ST和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)70的X軸構(gòu)成的角控制在0.01度以內(nèi)。之后，可通過使切片鋸40沿Y軸方向移動(dòng)，形成定向平面OF。
如上所述，在本實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法中，采用具備條紋區(qū)域12的氮化物半導(dǎo)體基板20。在形成條紋區(qū)域12時(shí)，可使條紋區(qū)域12延伸的方向ST和期望的晶體取向高精度地一致。因此，通過以方向ST為基準(zhǔn)，可不采用X射線衍射法而高精度地確定定向平面OF的位置。
再有，也可在切口形成工序中，通過使氮化物半導(dǎo)體基板20旋轉(zhuǎn)規(guī)定角α，形成定向平面OF1而非形成定向平面OF(參照?qǐng)D3)。另外，也可在切口形成工序中，形成槽口NT(參照?qǐng)D2)或槽口NT1(參照?qǐng)D4)而非形成定向平面OF。無論哪種情況，通過以方向ST為基準(zhǔn)，都可不采用X射線衍射法而高精度地確定切口的位置。
以上，詳細(xì)地說明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。
根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能夠高精度地確定表示晶體取向的標(biāo)記的位置的氮化物半導(dǎo)體基板及氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法。
權(quán)利要求
1.一種氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，包括準(zhǔn)備圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板的工序，該圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板具備多個(gè)條紋區(qū)域，該多個(gè)條紋區(qū)域具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；以所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，在所述氮化物半導(dǎo)體基板的緣的規(guī)定位置形成切口的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，所述切口是定向平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，采用切片鋸形成所述定向平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，所述切口是槽口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，形成所述切口的工序包括通過顯微鏡觀察所述氮化物半導(dǎo)體基板，由此確定沿著所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向經(jīng)過所述氮化物半導(dǎo)體基板的中心的直線的工序；以所述直線為基準(zhǔn)，并以所述氮化物半導(dǎo)體基板的中心為軸，使所述氮化物半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)規(guī)定角的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，在確定所述直線的工序中，向所述氮化物半導(dǎo)體基板照射紫外線。
7.一種氮化物半導(dǎo)體基板，其是具有圓弧狀的緣的氮化物半導(dǎo)體基板，其中，具備多個(gè)條紋區(qū)域，其具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；定向平面，其設(shè)在該氮化物半導(dǎo)體基板的緣上，并與所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向?qū)嶋H上呈直角延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化物半導(dǎo)體基板，其中，所述定向平面設(shè)在解理面上。
9.一種氮化物半導(dǎo)體基板，其是具有圓弧狀的緣的氮化物半導(dǎo)體基板，其中，具備多個(gè)條紋區(qū)域，其具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；槽口，其設(shè)在該氮化物半導(dǎo)體基板的緣上，所述槽口位于沿著所述多個(gè)條紋區(qū)域中的至少一個(gè)延伸的方向經(jīng)過該氮化物半導(dǎo)體基板的中心的直線上。
全文摘要
在該氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法中，首先，準(zhǔn)備圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板(20)，其具備多個(gè)條紋區(qū)域(12)，該多個(gè)條紋區(qū)域(12)由晶體缺陷密度高于周圍的單晶體區(qū)域(14)的缺陷集中區(qū)域構(gòu)成。接著，以條紋區(qū)域(12)延伸的方向(ST)為基準(zhǔn)，在氮化物半導(dǎo)體基板(20)的緣的規(guī)定位置形成定向平面(OF)。
文檔編號(hào)H01L21/304GK1929088SQ20061011488
公開日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2006年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月7日
發(fā)明者西浦隆幸, 目崎義雄 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社