專利名稱：有機(jī)tft,其制造方法以及平板顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器件，它包括能夠通過防止源和漏電極與基板之間的臺階差異來避免有機(jī)TFT內(nèi)有機(jī)半導(dǎo)體層中圖形失效的有機(jī)薄膜晶體管(TFT)，制造該有機(jī)TFT的方法及具有該有機(jī)TFT的平板顯示器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)TFT被視為下一代驅(qū)動器件，并且現(xiàn)在正在進(jìn)行許多有機(jī)TFT的研究。有機(jī)TFT使用有機(jī)膜代替硅膜來做半導(dǎo)體層，并且有機(jī)膜可以在大氣壓強(qiáng)下，通過一個印制過程形成，而不需要用于形成普通硅薄膜的等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)工藝。制造有機(jī)TFT可以以低成本，使用塑料基板，采用卷到卷工藝制造。
自從能夠在低溫下制造有機(jī)TFT以來，使用有機(jī)膜作為半導(dǎo)體層的有機(jī)TFT已經(jīng)作為柔性有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的開關(guān)器件引起了人們的注意。韓國專利公開物No.2004-00228010中公開了具有高空穴遷移率的并五苯TFT及可減少薄膜沉積時間的并五苯TFT的制造方法。韓國專利公開物No.2004-0084427中公開了具有良好電性能的有機(jī)TFT的結(jié)構(gòu)及制造有機(jī)TFT的方法。另外，日本專利公開物No.2003-92410中披露了由于由具有原子團(tuán)的有機(jī)化合物形成的溝道區(qū)域而具有高載流子遷移率及高開/關(guān)電流比的TFT。
有機(jī)TFT可以分類為具有由如低聚噻吩，并五苯等的低分子有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)膜的低分子有機(jī)TFT，和具有由如聚噻吩族的聚合有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)膜的聚合有機(jī)TFT。并且，有機(jī)TFT可以分類為柵極設(shè)置在有機(jī)半導(dǎo)體層上的頂柵型TFT，和柵極設(shè)置在有機(jī)半導(dǎo)體層下的底柵型TFT。
有機(jī)TFT包括形成于基板之上的源和漏電極，形成于源和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層，形成于有機(jī)半導(dǎo)體層上的柵極絕緣膜，及形成于柵極絕緣膜上的柵電極。源和漏電極形成于基板上之后，通過涂敷或沉積形成有機(jī)半導(dǎo)體層和柵極絕緣膜。特別地，當(dāng)通過涂敷形成有機(jī)半導(dǎo)體層時，如果源和漏電極被形成為厚金屬布線，則有機(jī)半導(dǎo)體層必須被涂敷到等于或大于金屬布線的厚度的厚度。有機(jī)半導(dǎo)體層位于源和漏電極之間的部分起到溝道區(qū)域的作用。因此，如果有機(jī)半導(dǎo)體層太厚，則溝道層不能正常導(dǎo)電，或者必須施加高驅(qū)動電壓使溝道層導(dǎo)電。
因此，有機(jī)半導(dǎo)體層必須足夠薄，以便通過施加預(yù)定驅(qū)動電壓使溝道層很容易地導(dǎo)電。當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層比金屬布線的源和漏電極薄時，源和漏電極的邊緣部分可能經(jīng)歷靜電放電或可能由于不良臺階覆蓋造成半導(dǎo)體層的圖形失效，由此導(dǎo)致溝道區(qū)域中的布線斷開。所需要的是克服這些問題的對有機(jī)TFT和使用該有機(jī)TFT的平板顯示器的改進(jìn)設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，提供一個能通過減小或消除源和漏電極與基板之間的臺階差異來避免有機(jī)半導(dǎo)體層的圖形失效的有機(jī)TFT，是本發(fā)明的一個目標(biāo)。
提供一種在源/漏電極和基板之間存在很少或無臺階覆蓋的有機(jī)TFT的制造方法，也是本發(fā)明的一個目標(biāo)。
本發(fā)明進(jìn)一步的目標(biāo)是，提供具有源和漏電極與基板之間的臺階差異已經(jīng)被減小或消除了的有機(jī)TFT的平板顯示器件。
通過一種制造薄膜晶體管的方法，可以實(shí)現(xiàn)這些和其他方面，該方法包括在基板上形成緩沖膜，通過蝕刻緩沖膜在緩沖膜中形成彼此隔開一定距離的凹形單元，在緩沖膜上形成電極層，使用光刻工藝通過蝕刻電極層在凹形單元內(nèi)形成源和漏電極，在源和漏電極及緩沖膜上形成半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜，并在柵極絕緣膜上形成柵電極。
基板可以是玻璃基板，塑料基板或金屬基板。緩沖膜可以是絕緣膜。柵極絕緣膜可以有一層或多層，所述一層或多層的每一層為氧化硅膜或氮化硅膜。半導(dǎo)體層可以包括一種有機(jī)半導(dǎo)體材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種薄膜晶體管，它包括基板，設(shè)置于基板上且包括多個凹形單元的緩沖膜，該多個凹形單元中的每一個彼此分開一定距離，設(shè)置于緩沖膜中該多個凹形單元內(nèi)的源和漏電極，設(shè)置于源和漏電極及緩沖膜上的半導(dǎo)體層，設(shè)置于半導(dǎo)體層上的柵極絕緣膜，以及設(shè)置于柵極絕緣膜上的柵電極。
基板可以是玻璃基板，塑料基板或金屬基板。緩沖膜可以有一層或多層，所述一層或多層中的每一個為氧化硅膜或氮化硅膜。半導(dǎo)體層可以是有機(jī)半導(dǎo)體材料。該多個凹形單元中的每一個是凹槽和開口中的一種。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，它包括基板，設(shè)置于基板上且包括多個凹形單元的緩沖膜，所述多個凹形單元中的每一個彼此分開一定距離，設(shè)置于緩沖膜上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括設(shè)置于緩沖膜中該多個凹形單元中的源和漏電極，設(shè)置于源和漏電極及緩沖膜之上的半導(dǎo)體層，柵電極，和設(shè)置于半導(dǎo)體層和柵電極之間的絕緣膜，及設(shè)置在薄膜晶體管上的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括連接于源和漏電極中之一的下電極，設(shè)置于下電極上的有機(jī)膜層，及設(shè)置于有機(jī)膜層上的上電極。
緩沖膜可以是無機(jī)絕緣膜。緩沖膜可以有一層或多層，該一層或多層中的每一層為氧化硅膜和氮化硅膜。基板可以是玻璃基板，塑料基板或金屬基板。半導(dǎo)體層可以包括一種有機(jī)半導(dǎo)體材料。凹形單元為凹槽或開口。


參考下面結(jié)合附圖考慮的詳細(xì)描述，對本發(fā)明及其多個附屬優(yōu)點(diǎn)的更完整的認(rèn)識將容易地顯而易見，并得到更好的理解，附圖中相似的參考符號表示相同或相似的部件，其中 通過參照附圖，描述其詳細(xì)示范實(shí)施例可以使本發(fā)明的上述及其他特性和優(yōu)點(diǎn)變得更加明顯，其中 圖1是有機(jī)TFT的截面圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)TFT的截面圖； 圖3A至3F是示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)TFT制造方法的截面圖；以及 圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1是頂柵型有機(jī)TFT100的截面圖。參照圖1，有機(jī)TFT100包括形成于基板110上的源和漏電極121和125，形成于源和漏電極121和125上的有機(jī)半導(dǎo)體層130，形成在有機(jī)半導(dǎo)體層130上的柵極絕緣膜140，以及形成于柵極絕緣膜140上的柵電極150。
在基板110上形成源和漏電極121和125之后，通過涂敷或沉積形成有機(jī)半導(dǎo)體層130和柵極絕緣膜140。特別地，當(dāng)由涂敷形成有機(jī)半導(dǎo)體層130時，如果源和漏電極121和125被形成為厚金屬布線，則有機(jī)半導(dǎo)體層130必須被涂敷到等于或大于金屬布線的厚度的厚度。有機(jī)半導(dǎo)體層130位于源和漏電極121和125之間的部分起到溝道區(qū)域的作用。因此，如果有機(jī)半導(dǎo)體層130太厚，則溝道層不能正常導(dǎo)電，或者必須施加高驅(qū)動電壓使溝道層導(dǎo)電。
因此，有機(jī)半導(dǎo)體層130必須足夠薄，以便通過施加預(yù)定驅(qū)動電壓使溝道層很容易地導(dǎo)電。當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層130比金屬布線的源和漏電極121和125薄時，源和漏電極121和125的邊緣部分(圖1中的部分A)可能經(jīng)歷靜電放電或可能由于不良臺階覆蓋造成半導(dǎo)體層的圖形失效，由此導(dǎo)致溝道區(qū)域中的布線斷開。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2，圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)TFT200的截面圖參照圖2，有機(jī)TFT200包括具有在基板210上彼此隔開預(yù)定距離地設(shè)置的凹形單元221和225的絕緣膜220。凹形單元221和225為凹槽形。源和漏電極231和235分別形成于凹槽221和225中。有機(jī)半導(dǎo)體層250形成于絕緣膜220及源和漏電極231和235上，且柵極絕緣膜260形成于有機(jī)半導(dǎo)體層250上。柵電極270形成于相應(yīng)于源極和柵電極231和235之間的空間的柵極絕緣膜260的一個區(qū)域上。
基板210可以是塑料基板，玻璃基板或金屬基板。金屬基板可以由如不銹鋼(SUS)的金屬構(gòu)成。塑料基板可以是塑料膜，該塑料膜由下述之一制成聚醚砜(PES)，聚丙烯酸酯(PAR)，聚醚酰亞胺(PEI)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚苯硫醚(PPS)，聚烯丙基化合物，聚酰亞胺，聚碳酸酯(PC)，三乙酸纖維素(TAC)，乙酸丙酸紆維素(CAP)等。
絕緣膜220為緩沖層，并且可以是單層或多層的無機(jī)絕緣膜。絕緣膜220中的無機(jī)絕緣膜可以是氧化物膜或氮化物膜。在本實(shí)施例中，凹形單元221和225形成于絕緣薄膜220中，且源和漏電極231和235形成于凹形單元221和225中，但本發(fā)明并非局限于此。即，暴露基板210的部分的開口型凹槽(未示出)可以形成于絕緣膜220中，且源和漏電極231和235可以形成于開口型凹槽中。
當(dāng)基板210為玻璃基板或塑料基板時，由于絕緣膜220被用作緩沖膜，因此絕緣膜220的厚度等于或大于源和漏電極231和235的厚度。凹槽221和225可以根據(jù)源和漏電極231和235的厚度，具有適當(dāng)?shù)纳疃取．?dāng)基板210為金屬基板時，絕緣膜220不僅起緩沖膜的作用，還起到將基板210與源和漏電極231和235絕緣的絕緣膜的作用。因此，考慮到源和漏電極231和235的厚度，以及基板210與源和漏電極231和235之間的絕緣，絕緣膜220可以具有適當(dāng)?shù)暮穸?。并且，凹?21和225可以根據(jù)源和漏電極231和235的厚度，以及基板210與源和漏電極231和235之間的絕緣而具有適當(dāng)?shù)纳疃取?br> 有機(jī)半導(dǎo)體層250包括至少一種有機(jī)膜，該有機(jī)膜由下述中的至少一種制成并五苯、并四苯、蒽、萘、a-6-噻吩、a-4-噻吩、苝及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、蔻及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺(perylene tetracarboxylicdiimide)及其衍生物、苝四羧酸二酐(perylene tetracarboxylic dianhydride)及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對苯撐乙烯(polyparaphenylenevinylene)及其衍生物、聚對苯撐(polyparaphenylene)及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩1，2-亞乙烯基(polythiophenevinylene)及其衍生物、聚噻吩-雜環(huán)芳香族聚合物(polythiophene-heterocyclic aromatic polymeric)及其衍生物、萘的低聚并苯(oligoacene)及其衍生物、a-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、不包含金屬的酞菁及其衍生物、苯均四酸二酐(pyromellitic dianhydride)及其衍生物、苯均四酸二酰亞胺(pyromellitic diimide)及其衍生物、苝四羧酸二酐(perylenetetracarboxylic acid dianhydride)及其衍生物、苝四羧二酰亞胺(perylenetetracarboxylic diimide)及其衍生物、萘四羧二酰亞胺(naphthalenetetracarboxylic diimide)及其衍生物、以及萘四羧酸二酐(naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride)及其衍生物。
在有機(jī)TFT200中，可以消除基板210與源和漏電極231和235之間的臺階差異，并且由于源和漏電極231和235是在凹槽221和225中形成的，所以可以不需要考慮源和漏電極231和235的厚度，形成無圖形失效的有機(jī)半導(dǎo)體層250。在圖2中，有機(jī)半導(dǎo)體層250形成于絕緣膜220的整個表面之上，但也可以代替地構(gòu)圖有機(jī)半導(dǎo)體層250以使相鄰TFT分開。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖3A～3F，圖3A～3F是示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)TFT制造方法的截面圖。參考圖3A，作為緩沖層的絕緣膜220形成于基板210上?；?10可以是塑料基板，玻璃基板或金屬基板。緩沖層220包括至少一層無機(jī)絕緣膜。參考圖3B，在絕緣膜220中形成凹槽221和225，源極和柵電極231和235形成于其中。凹槽221和225彼此隔開預(yù)定距離地設(shè)置，并且可以使用典型的光刻方法，通過蝕刻絕緣膜220來形成。凹槽221和225的深度可以根據(jù)將在隨后的工藝中形成的源和漏電極231和235的厚度來決定。
參照圖3C，使用濺射工藝將用于形成源和漏電極231和235的電極層230沉積于絕緣膜220上?？商鎿Q的是，電極層230也可以使用其他工藝進(jìn)行沉積，比如涂敷工藝。參照圖3D，例如感光圖形的掩模圖形241和245形成于電極層230上。掩模圖形241和245形成于凹槽221和225之上，并且起用于形成源和漏電極231和235的掩模的作用。
參照圖3E，使用掩模圖形241和245作為掩模，通過構(gòu)圖電極層230，形成源和漏電極231和235。即，源和漏電極231和235形成于絕緣膜220的凹槽221和225中。在這種配置下，可以防止或減小基板210與源和漏電極231和235之間，即源和漏電極231和235與絕緣膜220之間的臺階差異。
參照圖3F，半導(dǎo)體層250形成于源和漏電極231和235及絕緣膜220之上。半導(dǎo)體層250包括一種有機(jī)半導(dǎo)體材料。當(dāng)在半導(dǎo)體層250上形成了柵極絕緣膜260和柵極270后，就完成了如圖2中所描述的有機(jī)TFT200的制作。
在根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的頂柵型TFT中，通過在絕緣膜，即緩沖膜中的凹槽中形成源和漏電極，可以防止基板與源和漏電極之間的臺階差異。在底柵型TFT中，通過在形成在柵極絕緣膜中的凹槽中形成源和漏電極，可以去除基板與源和漏電極之間的臺階差異。
現(xiàn)在參照圖4，圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器件300的截面圖。特別地，圖4是構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光顯示器件300的多個像素中的一個的截面圖，該有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括一個用于驅(qū)動有機(jī)EL器件的驅(qū)動TFT和一個電容器。
參照圖4，有機(jī)EL顯示器件300包括具有設(shè)置在其中彼此在基板310上相隔預(yù)定距離的凹槽321和325的絕緣膜320?；?10可以是玻璃基板，塑料基板，或金屬基板。絕緣膜320是緩沖層，并且通過濺射工藝，由沉積至少一層如氮化物膜或氧化物膜的無機(jī)絕緣膜來形成。通過使用典型的光刻工藝蝕刻絕緣膜320來形成凹槽321和325。
源電極331和從源電極331延伸的電容器的下電極337形成于絕緣膜320中的凹槽321中。漏電極335形成于凹槽325中。在絕緣膜320上沉積了電極材料后，通過使用典型的光刻工藝蝕刻電極材料形成源和漏電極331和335及電容器的下電極337，使得只有凹槽321和325中保留了電極材料。
半導(dǎo)體層340形成于源和漏電極331和335，電容器的下電極337和絕緣膜320上，且柵極絕緣膜345形成于半導(dǎo)體層340上。柵電極350形成于柵極絕緣膜345相應(yīng)于源和漏電極331和335之間的絕緣膜320的區(qū)域的部分上。電容器的上電極357形成于柵極絕緣膜345的一個部分上，它對應(yīng)于電容器的下電極337。保護(hù)膜360形成于柵電極350，電容器的上電極357和柵極絕緣膜345之上。下電極370，通過在保護(hù)膜360中形成的通孔365連接于源和漏電極331和335之一(在圖4中連接于漏電極335)。下電極370起陽極的作用。
形成具有暴露下電極370的一部分的開口385的像素隔離膜380。在像素隔離膜380的開口385中形成了有機(jī)膜層390后，在整個得到的結(jié)構(gòu)上方形成上電極395。有機(jī)膜層390包括有機(jī)膜，如，空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層和空穴抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)TFT及有機(jī)EL顯示器件的截面結(jié)構(gòu)并不受限于如圖2和4描述的截面結(jié)構(gòu)，而可以是凹槽形成于基板上的緩沖層中且源和漏電極形成于凹槽中的任何結(jié)構(gòu)，并且可以應(yīng)用于諸如使用TFT作為開關(guān)器件的液晶顯示器件之類的所有平板顯示器件。在上述本發(fā)明的實(shí)施例中，凹槽是使用典型光刻工藝，通過蝕刻絕緣膜形成的，但本發(fā)明并不受限于此，還可以使用其他蝕刻方法，通過蝕刻絕緣膜來形成凹槽。
根據(jù)本發(fā)明，在凹槽形成于絕緣膜中之后，源和漏電極形成于凹槽之中。這樣做可以防止基板與源和漏電極之間的臺階差異，由此防止半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域斷開。并且，可以防止在源和漏電極的邊緣部分的靜電放電(ESD)。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜晶體管的方法，包括在基板上形成緩沖膜；通過蝕刻緩沖膜在緩沖膜中形成多個凹形單元，該多個凹形單元中的每一個彼此分開一定距離；在緩沖膜上形成電極層；使用光刻工藝，通過蝕刻電極層，在該多個凹形單元內(nèi)形成源和漏電極；在源和漏電極上及緩沖膜上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜；以及在柵極絕緣膜上形成柵電極。
2.權(quán)利要求1的方法，其中基板選自玻璃基板，塑料基板和金屬基板構(gòu)成的組中。
3.權(quán)利要求1的方法，其中緩沖膜包括絕緣膜。
4.權(quán)利要求1的方法，其中柵極絕緣膜包括一層或多層，所述一層或多層中的每一層是氧化硅膜或氮化硅膜。
5.權(quán)利要求1的方法，其中半導(dǎo)體層包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。
6.權(quán)利要求1的方法，其中該多個凹形單元中的每一個是凹槽和開口中的一種。
7.一種薄膜晶體管，包括基板；設(shè)置在基板上并包括多個凹形單元的緩沖膜，該多個凹形單元中的每一個彼此分開一定距離；設(shè)置在緩沖膜中該多個凹形單元內(nèi)的源和漏電極；設(shè)置在源和漏電極上及緩沖膜上的半導(dǎo)體層；設(shè)置在半導(dǎo)體層上的柵極絕緣膜；以及設(shè)置在柵極絕緣膜上的柵電極。
8.權(quán)利要求7的薄膜晶體管，其中基板選自玻璃基板，塑料基板和金屬基板構(gòu)成的組中。
9.權(quán)利要求7的薄膜晶體管，其中緩沖膜包括一層或多層，所述一層或多層中的每一個是氧化硅膜或氮化硅膜。
10.權(quán)利要求7的薄膜晶體管，其中半導(dǎo)體層包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。
11.權(quán)利要求7的薄膜晶體管，其中該多個凹形單元中的每一個是凹槽或開口中的一種。
12.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括基板；設(shè)置在基板上并包括多個凹形單元的緩沖膜，所述多個凹形單元中的每一個彼此分開一定距離；設(shè)置在緩沖膜上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括設(shè)置在緩沖膜中該多個凹形單元之中的源和漏電極；設(shè)置在源和漏電極上方及緩沖膜上方的半導(dǎo)體層；柵電極；以及設(shè)置在半導(dǎo)體層與柵電極之間的絕緣膜；以及設(shè)置在薄膜晶體管上的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括連接于源和漏電極中之一的下電極；設(shè)置在下電極上的有機(jī)膜層；以及設(shè)置在有機(jī)膜層上的上電極。
13.權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中緩沖膜包括無機(jī)絕緣膜。
14.權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中緩沖膜包括一層或多層，該一層或多層中的每一層是氧化硅膜和氮化硅膜。
15.權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中基板是選自玻璃基板，塑料基板和金屬基板構(gòu)成的組中。
16.權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中半導(dǎo)體層包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。
17.權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中該多個凹形單元中的每一個是凹槽或開口。
全文摘要
一種有機(jī)薄膜晶體管(TFT)，一種制造方法和一種包括有機(jī)TFT的顯示器。在TFT中，由于通過在緩沖膜中的凹槽之中形成源和漏電極，而減小或消除了基板與源和漏電極之間的臺階差異，所以不會發(fā)生溝道區(qū)域斷開。制造有機(jī)TFT的方法包括在基板上形成緩沖膜，通過蝕刻緩沖膜，在緩沖膜中形成彼此分開一定距離的凹形單元，在緩沖膜上形成電極層，使用光刻工藝，通過蝕刻電極層在凹形單元內(nèi)形成源和漏電極，在源和漏電極及緩沖膜上形成半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜及在柵極絕緣膜上形成柵電極。
文檔編號H01L29/786GK1870235SQ20061009961
公開日2006年11月29日 申請日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月27日
發(fā)明者李憲貞, 徐旼徹, 具在本 申請人:三星Sdi株式會社