專利名稱：液晶顯示器用薄膜晶體管器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器用薄膜晶體管器件及其制造方法，更具體地，涉及這樣的液晶顯示器用薄膜晶體管器件及其制造方法，即，該薄膜晶體管器件能夠通過利用玻璃成分形成柵極絕緣膜或無機(jī)保護(hù)膜來提高制造生產(chǎn)量。
背景技術(shù)：
隨著面向信息社會(huì)的到來，電子顯示裝置的作用變得越來越重要，而且，當(dāng)前在不同行業(yè)領(lǐng)域中廣泛使用了大量的電子顯示裝置。電子顯示裝置領(lǐng)域已經(jīng)成長起來了，并且已經(jīng)開發(fā)出了各種電子顯示裝置，它們具有滿足來自多樣化面向信息社會(huì)的請(qǐng)求的新功能。通常，電子顯示裝置指通過視覺向人們傳遞多樣化信息的裝置。即，電子顯示裝置是指，用于把從各種電子裝置輸出的電子信息信號(hào)轉(zhuǎn)換成可以通過人類視覺感覺到的光學(xué)信息信號(hào)的電子裝置，并且它可以被認(rèn)為是連接人類與電子裝置的橋梁。
在電子顯示裝置中，利用發(fā)光現(xiàn)象來顯示光學(xué)信息信號(hào)的電子顯示裝置被稱為“發(fā)光型顯示裝置”，而利用通過反射、散射、干涉等的光學(xué)調(diào)制來顯示光學(xué)信息信號(hào)的其它電子顯示裝置被稱為“受光型顯示裝置”。發(fā)光型電子顯示裝置還被稱為有源顯示裝置，可以包括陰極射線管(CRT)、等離子顯示板(PDP)、有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)、發(fā)光二極管(LED)等。而受光型顯示裝置還被稱為無源顯示裝置，可以包括液晶顯示器(LCD)、電泳圖像顯示器(EPID)等。
例如已用作計(jì)算機(jī)顯示器并且具有最長歷史的陰極射線管，因其經(jīng)濟(jì)性等而具有最大的市場(chǎng)份額，但是其還具有很多缺點(diǎn)，如重量沉、尺寸大、功耗高等。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，許多電子裝置趨向于具有更小、更薄并且更輕的主體，還需要更低的電壓和功率。因此，作為另選，對(duì)平板型顯示裝置的需求高度增加，以滿足來自上述新電子環(huán)境的需要。因而，已經(jīng)開發(fā)了諸如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示板(PDP)、有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(OLED)的平板型顯示裝置，其中，尤其是液晶顯示器，因其可以容易地制造成小、輕以及細(xì)尺寸，并且具有低功耗和低驅(qū)動(dòng)電壓，而吸引了極大的注意力。
液晶顯示器包括形成有公共電極、濾色器、黑底等的上透明絕緣基板，形成有開關(guān)器件、像素電極等的下透明絕緣基板，以及具有各向異性介電常數(shù)的液晶材料，所述液晶材料注入在上透明絕緣基板與下透明絕緣基板之間。液晶顯示器可以通過分別將不同電位施加到像素電極和公共電極上，調(diào)節(jié)在液晶材料上產(chǎn)生的電場(chǎng)的強(qiáng)度，改變液晶材料的分子排列，并接著調(diào)節(jié)通過透明絕緣基板的光量，來顯示希望的圖像。作為液晶顯示器，主要使用采用薄膜晶體管(TFT)器件作為開關(guān)器件的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)。
通常，液晶顯示器用薄膜晶體管器件包括在透明絕緣基板上的柵電極、形成在柵電極上的柵極絕緣膜、形成在柵極絕緣膜上的半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層上相互隔開的源電極和漏電極，以及形成在源電極/漏電極上的無機(jī)保護(hù)膜。
同時(shí)，常規(guī)的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的柵極絕緣膜由諸如SiNx膜、SiOx膜等的無機(jī)絕緣材料形成在覆蓋柵電極的區(qū)域上，而無機(jī)保護(hù)膜由例如SiNx的無機(jī)絕緣材料形成在源電極和漏電極上。該無機(jī)絕緣材料利用例如包括化學(xué)汽相淀積(CVD)設(shè)備的真空設(shè)備來形成。這樣，利用諸如CVD設(shè)備的真空設(shè)備來形成無機(jī)絕緣材料的淀積工序具有這樣的問題，即，因?yàn)樾枰叱杀镜恼婵赵O(shè)備并且需要單獨(dú)控制，所以增加了成本并且增加了工序時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是，提供一種液晶顯示器(LCD)用薄膜晶體管(TFT)器件，其能夠通過利用玻璃成分形成柵極絕緣膜或無機(jī)保護(hù)膜來提高制造生產(chǎn)量。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種液晶顯示器(LCD)用薄膜晶體管(TFT)器件的制造方法。
本發(fā)明的目的不限于上述目的，而根據(jù)下面的詳細(xì)描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將更全面地理解本發(fā)明的進(jìn)一步的目的。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件包括柵電極，形成在透明絕緣基板上；柵極絕緣膜，由玻璃成分形成在覆蓋柵電極的區(qū)域上；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣膜上；以及源電極和漏電極，在半導(dǎo)體層上相互隔開，使得它們可以暴露與柵電極相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的半導(dǎo)體層。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，優(yōu)選的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括Al2O3。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
另外，優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件還包括無機(jī)保護(hù)膜，該無機(jī)保護(hù)膜由玻璃成分形成在源電極、漏電極以及半導(dǎo)體層上。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，優(yōu)選的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括Al2O3。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一種液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法包括以下步驟在透明絕緣基板上形成柵電極；在覆蓋柵電極的區(qū)域上利用玻璃成分形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；以及在半導(dǎo)體層上形成相互隔開的源電極和漏電極，該源電極和漏電極暴露與柵電極相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的半導(dǎo)體層。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，優(yōu)選的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括Al2O3。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
另外，優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法還包括以下步驟在源電極、漏電極以及半導(dǎo)體層上利用玻璃成分形成無機(jī)保護(hù)膜。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，優(yōu)選的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括Al2O3。
另外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，優(yōu)選的是，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
在所附詳細(xì)描述和附圖中包含了對(duì)其它實(shí)施例的進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的截面圖。
圖2A到2I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造工序中的每一步的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中例示了其示例，其中，類似的標(biāo)號(hào)始終指類似的要素。
參照?qǐng)D1，對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件進(jìn)行描述。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的截面圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件包括柵電極110、柵極絕緣膜120、半導(dǎo)體層130、源電極141和漏電極142，以及無機(jī)保護(hù)膜150。
柵電極110由包括Al、Cu等的金屬材料形成在透明絕緣基板100上，而柵極絕緣膜120通過印刷工序和燒結(jié)工序，由玻璃成分形成在覆蓋柵電極110的區(qū)域上。
具體地，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。這里，Sb2O3是基本材料，用于降低待形成的玻璃的轉(zhuǎn)變點(diǎn)或軟化點(diǎn)。然而，如果Sb2O3的含量超過50摩爾％，則其難以形成玻璃。向Sb2O3添加B2O3和SiO2，使得可以穩(wěn)定待形成的玻璃并降低熱膨脹系數(shù)。這里，如果B2O3的含量超過50摩爾％，則待形成的玻璃在氣密性上會(huì)劣化。而如果SiO2的含量超過10摩爾％，則待形成的玻璃的轉(zhuǎn)變點(diǎn)將升高，并且在烘焙的時(shí)候，其流動(dòng)性會(huì)變壞。
優(yōu)選的是，向玻璃成分添加Al2O3。這樣，待形成的玻璃可以改進(jìn)其化學(xué)耐久性。然而，如果Al2O3的含量超過10摩爾％，則在烘焙的時(shí)候，其可能不能完全熔化。
此外，優(yōu)選的是，向玻璃成分添加陶瓷填充物。這樣，待形成的玻璃可以減小其熱膨脹系數(shù)。然而，如果陶瓷填充物的含量超過30摩爾％，則在烘焙的時(shí)候，流動(dòng)性會(huì)變壞。
在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器用薄膜晶體管器件中，柵極絕緣膜120由玻璃成分形成，因而，與液晶顯示器的常規(guī)薄膜晶體管的柵極絕緣膜相比，其可以利用印刷工序和燒結(jié)工序來形成，而無需諸如化學(xué)汽相淀積(CVD)設(shè)備的真空設(shè)備。因此，可以減少制造工序并縮短工序時(shí)間，這使得可以有效地提高制造生產(chǎn)量。另外，由玻璃成分形成的玻璃具有低于3的相對(duì)介電常數(shù)，因而可以增強(qiáng)薄膜晶體管器件的電性能，并且可以提高其針對(duì)透明絕緣基板的粘附性。此外，相比于常規(guī)薄膜晶體管的柵極絕緣膜，由玻璃成分形成的玻璃的透明度增大了，因而，可以提高液晶顯示器的透明度。
半導(dǎo)體層130由未摻雜的非晶硅材料和摻雜有n型或p型雜質(zhì)的非晶硅材料形成在柵極絕緣膜120上的覆蓋柵電極110的區(qū)域中。由包括Cr、Mo等的金屬材料形成的源電極141和漏電極142，在半導(dǎo)體層130上相互隔開，使得它們可以暴露與柵電極110相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的半導(dǎo)體層130。而無機(jī)保護(hù)膜150利用印刷工序和燒結(jié)工序，由玻璃成分形成在源電極141、漏電極142，以及半導(dǎo)體層130上。
具體地，如上所述，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。這里，Sb2O3是基本材料，用以降低待形成的玻璃的轉(zhuǎn)變點(diǎn)或軟化點(diǎn)。然而，如果Sb2O3的含量超過50摩爾％，則可能難以形成玻璃。向Sb2O3添加B2O3和SiO2，使得可以穩(wěn)定化待形成的玻璃并降低熱膨脹系數(shù)。這里，如果B2O3的含量超過50摩爾％，則待形成的玻璃在氣密性上會(huì)劣化。而如果SiO2的含量超過10摩爾％，則待形成的玻璃的轉(zhuǎn)變點(diǎn)會(huì)升高，并且在烘焙的時(shí)候，其流動(dòng)性會(huì)變壞。
優(yōu)選的是，向玻璃成分添加Al2O3。這樣，待形成的玻璃可以改進(jìn)其化學(xué)耐久性。然而，如果Al2O3的含量超過10摩爾％，則在烘焙的時(shí)候，其可能不能完全熔化。
此外，優(yōu)選的是，向玻璃成分添加陶瓷填充物。這樣，待形成的玻璃可以減小其熱膨脹系數(shù)。然而，如果陶瓷填充物的含量超過30摩爾％，則在烘焙的時(shí)候，其流動(dòng)性會(huì)變壞。
而且，可以在無機(jī)絕緣膜150上，或者在漏電極142與無機(jī)保護(hù)膜150之間，形成像素電極(未示出)，該像素電極連接到漏電極142，并由諸如ITO(銦錫氧化物)或IZO(銦鋅氧化物)的透明導(dǎo)電材料制成。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管器件可以用于IPS(面內(nèi)切換)模式液晶顯示器或VA(垂直配向)模式液晶顯示器以及TN(扭曲向列)模式液晶顯示器。
下面，參照附圖2A到2I，更詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法。圖2A到2I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造工序中的每一步的截面圖。
首先，如圖2A所示，利用濺射工序在透明絕緣基板上淀積包括Al、Cu等的金屬材料，由此形成柵電極110，接著通過光刻工序和刻蝕工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖。
接下來，由玻璃成分在覆蓋柵電極110的區(qū)域上形成柵極絕緣膜120。如圖2B所示，利用印刷設(shè)備200將膏狀的玻璃成分121施敷在覆蓋柵電極110的區(qū)域上，接著，如圖2C所示，還利用印刷設(shè)備200將粉末狀的玻璃成分122施敷在施敷的玻璃成分121上。接著，如圖2D所示，通過燒結(jié)工序形成柵極絕緣膜120。如圖2E所示，通過將粉末狀的玻璃成分122施敷在膏狀的玻璃成分121上，接著從未形成柵極絕緣膜120的區(qū)域吹去并消除粉末狀的玻璃成分122，再接著執(zhí)行燒結(jié)工序，可以將柵極絕緣膜120不形成在透明絕緣基板100的整個(gè)表面上，而僅形成在覆蓋柵電極110的區(qū)域上。這里，可以在250℃～350℃的溫度下執(zhí)行燒結(jié)工序。
圖2F中例示了利用玻璃成分形成柵極絕緣膜120的另一種方法，其中，通過利用印刷設(shè)備200將粉末狀的玻璃成分施敷在透明絕緣基板100的整個(gè)表面上，接著執(zhí)行燒結(jié)工序，來形成柵極絕緣膜120。如圖2G所示，通過利用印刷設(shè)備200將粉末狀的玻璃成分施敷在覆蓋柵電極110的區(qū)域上，接著執(zhí)行燒結(jié)工序，可以將柵極絕緣膜120不形成在透明絕緣基板100的整個(gè)表面上，而僅形成在覆蓋柵電極110的區(qū)域上。這里，可以在250℃～350℃的溫度下執(zhí)行燒結(jié)工序。
具體地，如上所述，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。這里，Sb2O3是基本材料，用以降低待形成的玻璃的轉(zhuǎn)變點(diǎn)或軟化點(diǎn)。然而，如果Sb2O3的含量超過50摩爾％，則可能難以形成玻璃。向Sb2O3添加B2O3和SiO2，使得可以穩(wěn)定待形成的玻璃并降低熱膨脹系數(shù)。這里，如果B2O3的含量超過50摩爾％，則待形成的玻璃在氣密性上會(huì)劣化。而如果SiO2的含量超過10摩爾％，則待形成的玻璃的轉(zhuǎn)變點(diǎn)會(huì)升高，并且在烘焙的時(shí)候，其流動(dòng)性會(huì)變壞。
優(yōu)選的是，向玻璃成分添加Al2O3。這樣，待形成的玻璃可以改進(jìn)其化學(xué)耐久性。然而，如果Al2O3的含量超過10摩爾％，則在烘焙的時(shí)候，其可能不能完全熔化。
此外，優(yōu)選的是，向玻璃成分添加陶瓷填充物。這樣，待形成的玻璃可以減小其熱膨脹系數(shù)。然而，如果陶瓷填充物的含量超過30摩爾％，則在烘焙的時(shí)候，其流動(dòng)性會(huì)變壞。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法中，柵極絕緣膜120由玻璃成分形成，因而，與液晶顯示器的常規(guī)薄膜晶體管的柵極絕緣膜相比，其可以利用印刷工序和燒結(jié)工序形成，而無需諸如化學(xué)汽相淀積(CVD)設(shè)備的真空設(shè)備。因此，可以減少制造工序并縮短工序時(shí)間，這使得可以有效地提高制造生產(chǎn)量。另外，由玻璃成分形成的玻璃具有低于3的相對(duì)介電常數(shù)，因而可以增強(qiáng)薄膜晶體管器件的電性能，并且可以提高其針對(duì)透明絕緣基板100的粘附性。此外，相比于常規(guī)薄膜晶體管的柵極絕緣膜，由玻璃成分形成的玻璃的透明度增大了，因而，可以提高液晶顯示器的透明度。另外，由玻璃成分形成的柵極絕緣膜120可以容易地利用干法刻蝕、濕法刻蝕或者激光工序，來形成圖案。
接下來，如圖2H所示，通過CVD工序，在柵極絕緣膜120上的覆蓋柵電極110的區(qū)域上淀積未摻雜的非晶硅和摻雜了n型或p型雜質(zhì)的非晶硅，接著通過光刻工序和刻蝕工序進(jìn)行構(gòu)圖，來形成半導(dǎo)體層130。
接下來，如圖2H所示，通過濺射工序在半導(dǎo)體層130上淀積包括Cr、Mo等的金屬材料，并接著通過光刻工序和刻蝕工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖，設(shè)置了源電極141和漏電極142，源電極141和漏電極142在半導(dǎo)體層130上相互隔開，使得它們可以暴露與柵電極110相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的半導(dǎo)體層130。在利用半色調(diào)掩模(halftone mask)來形成半導(dǎo)體層130、源電極141以及漏電極142的情況下，可以同時(shí)形成它們。
接下來，如圖2I所示，由玻璃成分在半導(dǎo)體層130、源電極141以及漏電極142上形成無機(jī)保護(hù)膜。利用玻璃成分形成無機(jī)保護(hù)膜150的工序與利用玻璃成分形成柵極絕緣膜120的工序相同。
并且，可以在無機(jī)保護(hù)膜150上，或者在漏電極142與無機(jī)保護(hù)膜150之間，形成像素電極(未示出)，該像素電極連接到漏電極142，并由諸如ITO(銦錫氧化物)或IZO(銦鋅氧化物)的透明導(dǎo)電材料制成。
盡管已參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)特性的精神的情況下，可以按多種形式來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而非由前述對(duì)本發(fā)明的描述來限定，因此，落入權(quán)利要求的范圍和邊界內(nèi)或者這種范圍和邊界的等同物內(nèi)的所有修改，都將被本權(quán)利要求所涵蓋。
在如上所述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器用薄膜晶體管器件及其制造方法中，柵極絕緣膜由玻璃成分形成，因而，與液晶顯示器的常規(guī)薄膜晶體管的柵極絕緣膜相比，其可以利用印刷工序和燒結(jié)工序來形成，而無需諸如化學(xué)汽相淀積(CVD)設(shè)備的真空設(shè)備。因此，可以減少制造工序并縮短工序時(shí)間，這使得可以有效地提高制造生產(chǎn)量。另外，由玻璃成分形成的玻璃具有低于3的相對(duì)介電常數(shù)，因而可以增強(qiáng)薄膜晶體管器件的電性能，并且可以提高其針對(duì)透明絕緣基板的粘附性。此外，相比于常規(guī)薄膜晶體管的柵極絕緣膜，由玻璃成分形成的玻璃的透明度增大了，因而，可以提高液晶顯示器的透明度。另外，由玻璃成分形成的柵極絕緣膜可以容易地利用干法刻蝕、濕法刻蝕或者激光工序來形成圖案。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器用薄膜晶體管器件，包括柵電極，形成在透明絕緣基板上；柵極絕緣膜，由玻璃成分形成在覆蓋柵電極的區(qū)域上；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣膜上；以及源電極和漏電極，在半導(dǎo)體層上相互隔開，使得它們可以暴露與柵電極相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，其中，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，其中，玻璃成分還包括Al2O3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，其中，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，還包括無機(jī)保護(hù)膜，該無機(jī)保護(hù)膜由玻璃成分形成在源電極、漏電極以及半導(dǎo)體層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，其中，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，其中，玻璃成分還包括Al2O3。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件，其中，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
9.一種液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，包括以下步驟在透明絕緣基板上形成柵電極；在覆蓋柵電極的區(qū)域上利用玻璃成分形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；以及在半導(dǎo)體層上形成相互隔開的源電極和漏電極，該源電極和漏電極暴露與柵電極相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，其中，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，其中，玻璃成分還包括Al2O3。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，其中，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，還包括以下步驟在源電極、漏電極以及半導(dǎo)體層上利用玻璃成分形成無機(jī)保護(hù)膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，其中，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，其中，玻璃成分還包括Al2O3。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法，其中，玻璃成分還包括陶瓷填充物。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器用薄膜晶體管器件及其制造方法。液晶顯示器用薄膜晶體管器件包括柵電極、由玻璃成分形成的柵極絕緣膜、半導(dǎo)體層以及源電極和漏電極。液晶顯示器用薄膜晶體管器件的制造方法包括以下步驟形成柵電極，利用玻璃成分形成柵極絕緣膜，形成半導(dǎo)體層，以及形成源電極和漏電極。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1892383SQ200610091560
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者金種一, 吳載映, 金秀浦 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社