專利名稱：半導(dǎo)體器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法，更具體地，涉及一種制造具有接觸插頭的半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件中，通常利用接觸插頭來連接半導(dǎo)體硅襯底和上配線層。
這里，參照?qǐng)D1A到1E，對(duì)制造半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)方法進(jìn)行描述。
如圖1A所示，在半導(dǎo)體襯底1上形成由SiO2等制成的層間絕緣膜2。
然后，在上述層間絕緣膜2上的給定位置處形成光刻膠層(未示出)，此光刻膠層在公知的干法刻蝕處理中用作掩膜，以形成接觸孔3，如圖1B所示。
接下來，如圖1C所示，執(zhí)行濺射處理，在接觸孔3的表面上形成鈦層4。然后，在N2氣的環(huán)境中進(jìn)行退火處理，從而使鈦層4變?yōu)門iN的阻擋層，如圖1D所示。此時(shí)，在位于接觸孔3底部下方的半導(dǎo)體硅襯底1上形成了TiSi2的金屬硅化物層5。
然后，在上述接觸孔3上設(shè)置由鎢、包含雜質(zhì)的多晶硅等構(gòu)成的導(dǎo)電層，以形成接觸插頭7，如圖1E所示。
優(yōu)選地，這樣形成的接觸插頭的電阻較低，以降低半導(dǎo)體器件的功率消耗。為了降低接觸插頭等的電阻，公知的方法是在前述接觸孔的底部形成TiSi2層。
同時(shí)，通過將銦離子注入半導(dǎo)體硅襯底的N型擴(kuò)散層的整個(gè)表面來制造絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法也是已知的，如圖2A和2B所示。
對(duì)此方法解釋如下
首先，如圖2A所示，在半導(dǎo)體硅襯底上形成器件分離絕緣區(qū)13和絕緣膜14。然后，將磷離子和硼離子注入到半導(dǎo)體硅襯底中，從而在半導(dǎo)體硅襯底中形成P型阱8和N型阱9。
之后，有選擇地將硼離子注入P型阱8，將磷離子注入N型阱9。然后，分別在P型阱8和N型阱9上形成P型高濃度阱層10和N型高濃度阱層11。
之后，將銦離子注入P型阱8和N型阱9的整個(gè)表面，從而在半導(dǎo)體硅襯底上形成含銦層12。
此外，如圖2B所示，將砷離子有選擇地注入到具有柵極電極結(jié)構(gòu)20的P型高濃度阱層10中，所述柵極電極結(jié)構(gòu)20設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底上，用作注入阻擋掩膜，從而形成了高濃度N型擴(kuò)散層15和16。
類似地，將BF2離子有選擇地注入到N型高濃度阱層11中，從而形成高濃度P型擴(kuò)散層17和18。
這里，高濃度N型擴(kuò)散層15和16與高濃度P型擴(kuò)散層17和18對(duì)應(yīng)于絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極/漏極結(jié)構(gòu)。
在日本專利申請(qǐng)公開No.2002-368212中提出了上述制造具有含銦層的半導(dǎo)體器件的方法。

發(fā)明內(nèi)容
但是，隨著近年來半導(dǎo)體器件的尺寸縮減和高度集成，由于接觸孔的直徑較小，僅在接觸孔的底部生長TiSi2層不足以防止接觸插頭的電阻值的增加。
此外，上述將銦離子注入到N型高濃度擴(kuò)散層的整個(gè)表面中的方法具有以下問題原子半徑大于硅的銦離子可能會(huì)引起半導(dǎo)體硅襯底中的硅晶體缺陷。因此，需要將銦離子的注入量設(shè)置為5×1011/cm2或更小。
本發(fā)明的目的是提供一種針對(duì)具有極好電阻特性的接觸插頭的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件制造方法。
作為克服上述問題的仔細(xì)研究的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以通過包括以下步驟的半導(dǎo)體器件制造方法獲得具有極好電阻特性的接觸插頭的半導(dǎo)體器件，并成功地完成了本發(fā)明形成到達(dá)設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的表面上的高濃度N型擴(kuò)散層的接觸孔；以及通過接觸孔，注入與N型相反導(dǎo)電型的銦離子，其中銦離子的注入量在1.0×1013/cm2到5.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。
具體地，本發(fā)明提供了[1]一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟(1)在半導(dǎo)體硅襯底的表面上形成高濃度N型擴(kuò)散層；(2)在具有高濃度N型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體硅襯底上形成層間絕緣膜；(3)刻蝕層間絕緣膜的預(yù)定位置，以形成到達(dá)高濃度N型擴(kuò)散層的接觸孔；(4)通過接觸孔，以從30到120keV的范圍內(nèi)的能量和從1.0×1013/cm2到5.0×1014/cm2的范圍內(nèi)的注入量，將銦離子注入高濃度N型擴(kuò)散層的表面部分，以便在接觸孔的底部生長含銦層；(5)在形成在接觸孔底部的含銦層上形成金屬硅化物層；(6)在層間絕緣膜的上表面和接觸孔除了接觸孔的底部以外的內(nèi)表面上形成阻擋層；以及(7)在接觸孔中形成接觸插頭。
本發(fā)明還提供了[2]根據(jù)上述第[1]項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中金屬硅化物層是從由以下材料構(gòu)成的組中選擇出來的至少一種TiSi2、CoSi2、TaSi2、PtSi2和NiSi2。
本發(fā)明還提供了[3]根據(jù)上述第[1]或[2]項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中用于銦離子注入的加速能量在從40到100keV的范圍內(nèi)。
本發(fā)明還提供了[4]根據(jù)上述第[1]到[3]項(xiàng)之一所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中注入量在從4.0×1013/cm2到1.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。
本發(fā)明還提供了[5]一種半導(dǎo)體器件，根據(jù)上述第[1]到[4]項(xiàng)之一所述的半導(dǎo)體器件制造方法制造。
本發(fā)明還提供了[6]一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體硅襯底；設(shè)置在所述半導(dǎo)體硅襯底的表面上的高濃度N型擴(kuò)散層；設(shè)置在所述高濃度N型擴(kuò)散層中的含銦層；設(shè)置在所述半導(dǎo)體硅襯底上的預(yù)定位置處的層間絕緣膜；設(shè)置為與由所述半導(dǎo)體硅襯底的表面和所述層間絕緣膜所限定的接觸孔的內(nèi)表面相接觸、以及與所述層間絕緣膜相接觸的阻擋層；設(shè)置為與所述阻擋層相接觸的接觸插頭；以及設(shè)置在所述含銦層和所述阻擋層之間的邊界區(qū)域處的金屬硅化物層，其中所述含銦層的銦濃度在從5.0×1018/cm3到5.0×1019/cm3的范圍內(nèi)。
本發(fā)明還提供了[7]根據(jù)上述第[5]或[6]項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，包括N溝道絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法能夠提供具有極好電阻特性的接觸插頭的半導(dǎo)體器件。


通過結(jié)合作為示例示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例的附圖，閱讀以下描述，本發(fā)明的上述和其他目的和特征將變得更加清楚，其中圖1A到1E是每一個(gè)均部分地示出了用于解釋制造接觸插頭的方法的重要部分的橫截面圖；圖2A和2B是每一個(gè)均部分地示出了用于解釋制造絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的傳統(tǒng)方法的重要部分的橫截面圖；圖3是部分地示出了通過本發(fā)明獲得的半導(dǎo)體器件的重要部分的橫截面圖；圖4是部分地示出了用于解釋本發(fā)明的制造方法的、半導(dǎo)體硅襯底的重要部分的橫截面圖；圖5是示出了用于解釋本發(fā)明的制造方法的、形成在半導(dǎo)體硅襯底上的層間絕緣膜的局部橫截面圖；圖6是示出了用于解釋本發(fā)明的制造方法的、形成在層間絕緣膜中的接觸孔的局部橫截面圖；圖7是示出了用于解釋本發(fā)明的制造方法的、形成在半導(dǎo)體硅襯底上的含銦層的局部橫截面圖；圖8是示出了用于解釋本發(fā)明的制造方法的、形成在接觸孔上的阻擋層的局部橫截面圖；圖9是示出了用于解釋本發(fā)明的修改示例的、形成在接觸孔上的鈷層的局部橫截面圖；圖10是示出了用于解釋本發(fā)明的修改示例的、所形成的金屬硅化物層的局部橫截面圖；圖11是示出了用于解釋本發(fā)明的修改示例的、從中去除了鈷層的接觸孔的局部橫截面圖；以及圖12是示出了用于解釋本發(fā)明的修改示例的、形成在接觸孔上的阻擋層的局部橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖，對(duì)通過本發(fā)明獲得的半導(dǎo)體器件進(jìn)行描述。
圖3是部分地示出了通過本發(fā)明獲得的半導(dǎo)體器件的重要結(jié)構(gòu)部分的橫截面圖。
半導(dǎo)體器件100是具有N溝道絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N溝道MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。設(shè)置在此半導(dǎo)體器件100的高濃度N型擴(kuò)散層19上的是接觸插頭，在圖3中示出了接觸插頭的示例結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，將高濃度N型擴(kuò)散層19設(shè)置在設(shè)置于半導(dǎo)體硅襯底1中的P型阱8中。
盡管并未具體示出，但與以上所解釋的圖2A和2B的情況一樣，可以在P型阱8的半導(dǎo)體硅襯底表面上設(shè)置P型高濃度阱層。
高濃度N型擴(kuò)散層19對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件100的源極/漏極結(jié)構(gòu)。利用此源極/漏極結(jié)構(gòu)、柵極電極結(jié)構(gòu)(未示出)等，半導(dǎo)體器件用作N溝道MOS。
此外，半導(dǎo)體器件100具有接觸插頭7，如圖3所示。
此接觸插頭7通常由鎢、包含雜質(zhì)的多晶硅等中的至少一個(gè)構(gòu)成。
例如，上述雜質(zhì)包括磷和硼。
接觸插頭7通過阻擋層6設(shè)置在層間絕緣膜2和半導(dǎo)體硅襯底1上。
例如，層間絕緣膜2由SiO2構(gòu)成。
此外，例如，阻擋層6由TiN、TaN等中的至少一個(gè)構(gòu)成。
為了處理簡單，優(yōu)選地，阻擋層6由TiN構(gòu)成。
此外，將阻擋層6設(shè)置為與被稱為“接觸孔”的部分相接觸，所述接觸孔由層間絕緣膜2和半導(dǎo)體硅襯底1限定。
在本發(fā)明中，優(yōu)選地，接觸孔的深度在從400到1000nm的范圍內(nèi)，以便于處理。
此外，接觸孔的底部直徑(即，接觸孔與半導(dǎo)體硅襯底1的表面相對(duì)應(yīng)的部分)優(yōu)選地在從50到260nm的范圍內(nèi)。接觸孔的頂部直徑(即，接觸孔幾乎與層間絕緣膜2的上表面在相同平面內(nèi)的部分)優(yōu)選地在從100到300nm的范圍內(nèi)。
優(yōu)選地，在半導(dǎo)體硅襯底1中，在高濃度N型擴(kuò)散層19上沉積含銦層12。含銦層12是形成在半導(dǎo)體硅襯底1的表面的層。
為了減小接觸插頭7的電阻，含銦層12的深度(從半導(dǎo)體硅襯底1的表面算起)為25nm或更大，或優(yōu)選地為50nm。
包含在含銦層12中的銦的濃度優(yōu)選地在從5.0×1018/cm3到5.0×1019/cm3的范圍內(nèi)，或者更為優(yōu)選地在從5.0×1018/cm3到1.0×1019/cm3的范圍內(nèi)。
此外，形成在含銦層12與阻擋層6之間的邊界區(qū)域處的是金屬硅化物化合物層501。
這種金屬硅化物化合物層501由TiSi2、CoSi2、TaSi2、PtSi2、NiSi2等中的至少一個(gè)構(gòu)成。
金屬硅化物化合物層501優(yōu)選地是從由TiSi2、CoSi2和NiSi2構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)，更為優(yōu)選地，是TiSi2。
下面，將根據(jù)參考附圖的以下示例，對(duì)本發(fā)明的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。這里，本發(fā)明并不局限于以下示例中所描述的實(shí)施例。
本發(fā)明的制造方法包括以下步驟(1)在半導(dǎo)體硅襯底1的表面上形成高濃度N型擴(kuò)散層19，如圖4所示。
半導(dǎo)體硅襯底1包含濃度在從1016/cm3到1018/cm3的范圍內(nèi)的B離子，并且其中形成有P型阱8。
以10keV的能量和2.8×1014/cm2的注入量，從相對(duì)于半導(dǎo)體硅襯底1的垂直方向，將As離子一次性注入P型阱8的預(yù)定位置。
之后，是以18keV的能量和3.0×1013/cm2的注入量，從相對(duì)于半導(dǎo)體硅襯底1的垂直方向，一次性注入P離子。然后，以35keV的能量和4.0×1015cm2的注入量，從相對(duì)于半導(dǎo)體硅襯底1的垂直方向，再次注入As離子。
此外，在從950到1000℃的范圍內(nèi)的溫度處，擴(kuò)散這些離子，從而形成高濃度N型擴(kuò)散層19。
高濃度N型擴(kuò)散層19在離子擴(kuò)散時(shí)的深度(從半導(dǎo)體硅襯底1的表面算起)在從100到150nm的范圍內(nèi)。
高濃度N型擴(kuò)散層19對(duì)應(yīng)于通過本發(fā)明的制造方法獲得的N溝道MOS半導(dǎo)體器件的源極/漏極結(jié)構(gòu)。利用此源極/漏極結(jié)構(gòu)、柵極電極結(jié)構(gòu)(未示出)等，通過本發(fā)明的制造方法獲得的半導(dǎo)體器件用作N溝道MOS。
此外，本發(fā)明的制造方法包括以下步驟(2)在具有高濃度N型擴(kuò)散層19的半導(dǎo)體硅襯底1上形成層間絕緣膜2，如圖5所示。
通過公知的方法，形成層間絕緣膜2，例如，可以利用SiO2、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等形成。
本發(fā)明的制造方法包括以下步驟(3)在層間絕緣膜2的預(yù)定位置上進(jìn)行刻蝕，以形成到達(dá)高濃度N型擴(kuò)散層19的接觸孔，如圖6所示。
在層間絕緣膜2的預(yù)定位置處形成光刻膠層(未示出)，并將此光刻膠層用作執(zhí)行公知的刻蝕處理(如干法刻蝕等)的掩膜，從而形成接觸孔3，如圖6所示。
這樣形成的接觸孔的深度在從550到750nm的范圍內(nèi)。
此外，接觸孔3的底部直徑(即，接觸孔3與半導(dǎo)體硅襯底1的表面相對(duì)應(yīng)的部分)在從60到160nm的范圍內(nèi)。接觸孔的頂部直徑(即，接觸孔幾乎與層間絕緣膜2的上表面在相同平面內(nèi)的部分)優(yōu)選地在從110到190nm的范圍內(nèi)。
此外，本發(fā)明的制造方法包括以下步驟(4)通過接觸孔，以從30到120keV的范圍內(nèi)的能量和從1.0×1013到5.0×1014/cm2的范圍內(nèi)的注入量，將銦離子注入高濃度N型擴(kuò)散層的表面，以便在接觸孔的底部上形成含銦層12。
此銦離子注入處理使含銦層12生長在高濃度N型擴(kuò)散層19上，從而能夠減小接觸插頭的電阻。
這里，在銦離子注入之前，通過接觸孔，以從5到10keV的范圍內(nèi)的能量和從1.0×1013到3.0×1013/cm2的范圍內(nèi)的注入量，將磷離子注入高濃度N型擴(kuò)散層的表面。
在銦離子注入之后，對(duì)半導(dǎo)體硅襯底1進(jìn)行加熱，以便在700℃的溫度下、在氮?dú)猸h(huán)境中，利用體光源(lump light source)，進(jìn)行60秒的退火，從而形成含銦層12。
此外，本發(fā)明的制造方法包括以下步驟(5)在形成在接觸孔3底部的含銦層12上形成金屬硅化物層；以及步驟(6)在層間絕緣膜2的上表面和接觸孔3除了接觸孔的底部以外的內(nèi)表面上形成阻擋層6。
在650℃的溫度下，使流速率為12cm3/m的TiCl4氣與流速率為4000cm3/m的H2氣和流速率為1600cm3/m的Ar氣反應(yīng)，作為CVD的結(jié)果，以膜厚為10nm的TiSi2形成金屬硅化物層501，如圖8所示。
然后，在650℃的溫度下，使流速率為63cm3/m的TiCl4氣與流速率為240cm3/m的NH3氣和流速率為5500cm3/m的N2氣反應(yīng)，作為CVD的結(jié)果，在TiSi2的金屬硅化物層501上沉積膜厚為12.5nm的TiN的阻擋層6。
在此示例中，制造了具有上述TiSi2金屬硅化物層501的半導(dǎo)體器件。但是，也可以制造具有CoSi2金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件，如以下方法所述。
首先，在如圖7所示的接觸孔3的內(nèi)表面和層間絕緣膜2的上表面上，利用濺射方法等沉積如圖9所示的鈷層401。對(duì)于濺射方法沒有特別的限制，可以按照任何已知的技術(shù)來進(jìn)行。
之后，進(jìn)行熱處理，從而使接觸孔3底部的鈷層401與半導(dǎo)體硅襯底中的硅發(fā)生反應(yīng)，以沉積CoSi2的金屬硅化物層502。
在如圖11所示通過如刻蝕等任何公知方法去除鈷層401之后，可以通過與上述相同的方法，在CoSi2的金屬硅化物層502上形成TiN的阻擋層6，如圖12所示。
接下來，本發(fā)明的制造方法包括以下步驟(7)在接觸孔中形成接觸插頭7，如圖3所示。
在450℃的溫度下，使流速率為340cm3/m的WF6氣與流速率為2200cm3/m的H2氣、流速率為4000cm3/m的Ar氣和流速率為200cm3/m的N2氣反應(yīng)，作為CVD的結(jié)果，形成鎢接觸插頭7。
在沉積接觸插頭之后，可以利用刻蝕、CMP或其他處理來修整接觸插頭7的形狀。
在修整了接觸插頭7的形狀之后，可以按照公知的方法，完成半導(dǎo)體器件。
因此，包括上述步驟(1)到(7)的制造方法能夠獲得半導(dǎo)體器件。
在上述制造方法中獲得的接觸插頭的電阻值在從360到420Ω的范圍內(nèi)，而未設(shè)置含銦層12時(shí)、接觸插頭7的電阻值在從580到640Ω的范圍內(nèi)。
此外，在上述示例1中，將銦離子的加速能量設(shè)置為60keV，銦離子的注入量在1.0×1013/cm2到8.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。于是，這樣獲得的接觸插頭的電阻值幾乎相同。
本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在不偏離本發(fā)明的范圍的前提下，多種變化和修改都是可能的。
本申請(qǐng)基于2005年5月9日遞交的日本專利申請(qǐng)No.2005-136726，其全部內(nèi)容一并在此作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟(1)在半導(dǎo)體硅襯底的表面上形成高濃度N型擴(kuò)散層；(2)在具有高濃度N型擴(kuò)散層的半導(dǎo)體硅襯底上形成層間絕緣膜；(3)刻蝕層間絕緣膜的預(yù)定位置，以形成到達(dá)高濃度N型擴(kuò)散層的接觸孔；(4)通過接觸孔，以從30到120keV的范圍內(nèi)的能量和從1.0×1013/cm2到5.0×1014/cm2的范圍內(nèi)的注入量，將銦離子注入高濃度N型擴(kuò)散層的表面部分，以便在接觸孔的底部生長含銦層；(5)在形成在接觸孔底部的含銦層上形成金屬硅化物層；(6)在層間絕緣膜的上表面和接觸孔除了接觸孔的底部以外的內(nèi)表面上形成阻擋層；以及(7)在接觸孔中形成接觸插頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中金屬硅化物層是從由以下材料構(gòu)成的組中選擇出來的至少一種TiSi2、CoSi2、TaSi2、PtSi2和NiSi2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中用于銦離子注入的加速能量在從40到100keV的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中用于銦離子注入的加速能量在從40到100keV的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中注入量在從4.0×1013/cm2到1.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中注入量在從4.0×1013/cm2到1.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中注入量在從4.0×1013/cm2到1.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中注入量在從4.0×1013/cm2到1.0×1014/cm2的范圍內(nèi)。
9.一種半導(dǎo)體器件，根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法制造。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體硅襯底；設(shè)置在所述半導(dǎo)體硅襯底的表面上的高濃度N型擴(kuò)散層；設(shè)置在所述高濃度N型擴(kuò)散層中的含銦層；設(shè)置在所述半導(dǎo)體硅襯底上的預(yù)定位置處的層間絕緣膜；設(shè)置為與由所述半導(dǎo)體硅襯底的表面和所述層間絕緣膜所限定的接觸孔的內(nèi)表面相接觸、以及與所述層間絕緣膜相接觸的阻擋層；設(shè)置為與所述阻擋層相接觸的接觸插頭；以及設(shè)置在所述含銦層和所述阻擋層之間的邊界區(qū)域處的金屬硅化物層，其中所述含銦層的銦濃度在從5.0×1018/cm3到5.0×1019/cm3的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，包括N溝道絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，包括N溝道絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有接觸插頭的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件制造方法，其中以從30到120keV的范圍內(nèi)的能量和從1.0×10
文檔編號(hào)H01L29/78GK1862773SQ20061007949
公開日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2006年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月9日
發(fā)明者池田典昭 申請(qǐng)人:爾必達(dá)存儲(chǔ)器股份有限公司