專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路器件及其制造方法，且特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在集成電路器件的發(fā)展過程中，通過縮小器件的尺寸可達(dá)到高速操作和低耗電量的目的。然而，由于目前縮小器件尺寸的技術(shù)遭受到工藝技術(shù)瓶頸、成本昂貴等因素的限制，所以需發(fā)展其它不同于縮小器件的技術(shù)，以改善器件的驅(qū)動電流。因此，有人提出利用應(yīng)力(stress)控制的方式，來克服器件縮小化的極限。
現(xiàn)有一種利用應(yīng)力控制方式增加器件效能的方法是，依照器件為N型或P型來選擇在基底上形成可當(dāng)作接觸窗蝕刻中止層(contact etching stop layer，CESL)的一層高張力(tensile)或高壓縮(compression)的氮化硅層，以提高器件的驅(qū)動電流。
然而，利用應(yīng)力層以提高器件效能的方法，仍然會存在有一些問題。一般而言，于P型器件上形成一層壓縮應(yīng)力(compressive stress)層，可提高器件的電流增益(current gain)以及器件效能。但是，對一些P型器件而言，其會使器件的可靠度(reliability)產(chǎn)生退化(degradation)。舉例來說，于輸出輸入(I/O)的P型金氧半晶體管上形成一層壓縮應(yīng)力層，會出現(xiàn)閾值電壓(thresholdvoltage，Vt)漂移(shift)的現(xiàn)象，而造成使負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(negative biastemperature instability，NBTI)產(chǎn)生退化，進(jìn)而降低電流增益，以及影響器件的效能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，能夠避免負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性產(chǎn)生退化，電流增益降低，進(jìn)而影響器件的效能。
本發(fā)明的另一目的是提供一種半導(dǎo)體器件，能夠避免因負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性產(chǎn)生退化而衍生的問題，且可提高器件的效能。
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體器件的制造方法，首先提供基底，此基底上已形成有第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管以及核心第二型金氧半晶體管。然后，形成第一應(yīng)力層，以覆蓋住基底、第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管與核心第二型金氧半晶體管。接著，至少移除核心第二型金氧半晶體管上的第一應(yīng)力層，以至少保留第一型金氧半晶體管上的第一應(yīng)力層。隨后，于核心第二型金氧半晶體管上形成第二應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，還包括于形成有第一應(yīng)力層的輸出輸入第二型金氧半晶體管上，形成第二應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述第一型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，而輸出輸入第二型金氧半晶體管與核心第二型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，則第一應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層，第二應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述的第一型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，而輸出輸入第二型金氧半晶體管與核心第二型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，則第一應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層，第二應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述的第一應(yīng)力層的材料例如是氮化硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述的第二應(yīng)力層的材料例如是氮化硅。
本發(fā)明另提出一種半導(dǎo)體元件，包括基底、第一應(yīng)力層以及第二應(yīng)力層。其中，此基底上已形成有第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管以及核心第二型金氧半晶體管。第一應(yīng)力層配置于第一型金氧半晶體管上，或第一型金氧半晶體管與輸出輸入第二型金氧半晶體管上。第二應(yīng)力層配置于核心第二型金氧半晶體管上。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，還包括于覆蓋有第一應(yīng)力層的輸出輸入第二型金氧半晶體管上，配置有第二應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述第一型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，而輸出輸入第二型金氧半晶體管與核心第二型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，則第一應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層，第二應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述的第一型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，而輸出輸入第二型金氧半晶體管與核心第二型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，則第一應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層，第二應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述的第一應(yīng)力層的材料例如是氮化硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述，上述的第二應(yīng)力層的材料例如是氮化硅。
本發(fā)明是于輸出輸入第二型金氧半晶體管上形成一層拉伸應(yīng)力層、一層拉伸應(yīng)力層與一層壓縮應(yīng)力層，或者是不形成任何應(yīng)力層。因此，可使得在基底施加負(fù)偏壓時(shí)，H+不會累積在柵介電層中，因此不會有閾值電壓(threshold voltage，Vt)漂移(shift)的現(xiàn)象，亦即是不會有現(xiàn)有的負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(negative bias temperature instability，NBTI)產(chǎn)生退化的問題。另一方面，本發(fā)明的方法亦不會增加工藝中所需的光掩模數(shù)目，因此并不會額外增加工藝成本。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。


圖1A至圖1D為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面示意圖；圖2為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面示意圖；圖3A至圖3B為依照本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明與現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的應(yīng)力時(shí)間與閾值電壓漂移量的關(guān)系圖。
簡單符號說明100基底102第一型金氧半晶體管102a、104a、106a柵介電層102b、104b、106b多晶硅層102c、104c、106c源極/漏極區(qū)102d、104d、106d間隙壁
104輸出輸入第二型金氧半晶體管106核心第二型金氧半晶體管108隔離結(jié)構(gòu)110、110’、110”第一應(yīng)力層112、112’、112”第二應(yīng)力層具體實(shí)施方式
圖1A至圖1D為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面示意圖。
首先，請參照圖1A，提供一基底100。基底100上已形成有第一型金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106。上述，第一型金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106之間是以隔離結(jié)構(gòu)108區(qū)隔。在此，隔離結(jié)構(gòu)108例如是淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
上述，輸出輸入第二型金氧半晶體管104為輸出輸入(I/O)金氧半晶體管，核心第二型金氧半晶體管106為核心(core)金氧半晶體管。其中，第一型金氧半晶體管102例如是N型金氧半晶體管，而輸出輸入第二型金氧半晶體管104與核心第二型金氧半晶體管106例如是P型金氧半晶體管。而上述的第一型金氧半晶體管102是由柵介電層102a、多晶硅層102b、源極/漏極區(qū)102c與間隙壁102d所構(gòu)成。輸出輸入第二型金氧半晶體管104是由柵介電層104a、多晶硅層104b、源極/漏極區(qū)104c與間隙壁104d所構(gòu)成。核心第二型金氧半晶體管106是由柵介電層106a、多晶硅層106b、源極/漏極區(qū)106c與間隙壁106d所構(gòu)成。
在一實(shí)施例中，可于多晶硅層102b、104b、106b以及源極/漏極區(qū)102c、104c、106c上形成金屬硅化物層(未繪示)用以降低阻值，而金屬硅化物層的材料例如是硅化鎳、硅化鎢或硅化鈷等。在另一實(shí)施例中，視工藝的需要，還可在多晶硅層102b、104b、106b的側(cè)壁處形成一氧化硅間隙壁(未繪示)。
上述，第一型金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106各構(gòu)件的材料與形成方法，是于此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所周知，于此不再贅述。
接著，請參照圖1B，于基底100上方形成第一應(yīng)力層110，以覆蓋住基底100、第一型金氧半金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半金氧半晶體管104與核心第二型金氧半金氧半晶體管106。在此，第一應(yīng)力層110為拉伸應(yīng)力(tensile stress)層，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層，形成方法例如是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或其它合適的方法。
接著，請參照圖1C，移除核心第二型金氧半晶體管106上的第一應(yīng)力層110，以形成第一應(yīng)力層110’。上述，移除核心第二型金氧半晶體管106上的第一應(yīng)力層110的方法例如是，于第一應(yīng)力層110上形成一圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，以曝露出核心第二型金氧半晶體管106上的第一應(yīng)力層110，然后再進(jìn)行一蝕刻工藝，移除未被圖案化光致抗蝕劑層所覆蓋的第一應(yīng)力層110，以形成第一應(yīng)力層110’。
隨后，請參照圖1D，于核心第二型金氧半晶體管106上形成第二應(yīng)力層112。在此，第二應(yīng)力層112為壓縮應(yīng)力(compressive stress)層，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。第二應(yīng)力層112的形成方法例如是，在第一應(yīng)力層110’以及核心第二型金氧半晶體管106上，以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或其它合適的方法形成一層應(yīng)力材料層(未繪示)。然后，于此應(yīng)力材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，以曝露出第一型金氧半晶體管102與輸出輸入第二型金氧半晶體管104上的第一應(yīng)力層110’。接著，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進(jìn)行一蝕刻工藝，移除第一應(yīng)力層110’上方的應(yīng)力材料層，以形成第二應(yīng)力層112。
由上述可知，本發(fā)明是于輸出輸入第二型金氧半晶體管(即輸出輸入金氧半晶體管)上形成一層拉伸應(yīng)力層，因此于基底施加負(fù)偏壓時(shí)，則應(yīng)力層中的Si-H鍵會斷開，H+可經(jīng)由拉伸應(yīng)力層穿出，而不會累積在柵介電層中，因此不會有閾值電壓(threshold voltage，Vt)漂移(shift)的現(xiàn)象，亦即是不會有現(xiàn)有的負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(negative bias temperature instability，NBTI)產(chǎn)生退化的問題。
本發(fā)明除了上述實(shí)施例之外，尚具有其它的實(shí)施型態(tài)。圖2為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面示意圖。其中圖2是接續(xù)上述實(shí)施例的圖1C進(jìn)行，且于圖2中，與圖1A至圖1C相同的構(gòu)件是使用相同的標(biāo)號，并省略其說明。
請參照圖2，在上述的第一應(yīng)力層110’形成之后，可在輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106上形成第二應(yīng)力層112’。在此，第二應(yīng)力層112’為壓縮應(yīng)力層，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。第二應(yīng)力層112’的形成方法例如是，在第一應(yīng)力層110’以及核心第二型金氧半晶體管106上，以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或其它合適的方法形成一層應(yīng)力材料層(未繪示)。然后，于此應(yīng)力材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，以曝露出第一型金氧半晶體管102上的第一應(yīng)力層110’。接著，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進(jìn)行一蝕刻工藝，移除部分應(yīng)力材料層，以形成第二應(yīng)力層112’。
圖3A至圖3B為依照本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的制造方法的剖面示意圖。其中圖3A是接續(xù)上述實(shí)施例的圖1B進(jìn)行，且于圖3A至圖3B中，與圖1A至圖1B相同的構(gòu)件是使用相同的標(biāo)號，并省略其說明。
請參照圖3A，在第一應(yīng)力層110形成之后，移除核心第二型金氧半晶體管106以及輸出輸入第二型金氧半晶體管104上的第一應(yīng)力層110，形成第一應(yīng)力層110”。上述，移除核心第二型金氧半晶體管106以及輸出輸入第二型金氧半晶體管104上的第一應(yīng)力層110的方法例如是，于第一應(yīng)力層110上形成圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，以曝露出核心第二型金氧半晶體管106以及輸出輸入第二型金氧半晶體管104上的第一應(yīng)力層110。然后，再進(jìn)行一蝕刻工藝，移除未被圖案化光致抗蝕劑層所覆蓋的第一應(yīng)力層110，以形成第一應(yīng)力層110”。
接著，請參照圖3B，在輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106上形成第二應(yīng)力層112”。在此，第二應(yīng)力層112”為壓縮應(yīng)力層，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。第二應(yīng)力層112”的形成方法例如是，在第一應(yīng)力層110”、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106上，以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或其它合適的方法形成一層應(yīng)力材料層(未繪示)。然后，于此應(yīng)力材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，以曝露出第一應(yīng)力層110”以及輸出輸入第二型金氧半晶體管104。接著，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進(jìn)行一蝕刻工藝，移除部分應(yīng)力材料層，以形成第二應(yīng)力層112”。
同樣地，本發(fā)明是在輸出輸入第二型金氧半晶體管(即輸出輸入金氧半晶體管)上形成一層拉伸應(yīng)力層與一層壓縮應(yīng)力層，或者是不形成任何應(yīng)力層，因此在基底施加負(fù)偏壓時(shí)，則H+不會累積在柵介電層中，所以不會有閾值電壓漂移的現(xiàn)象，也就是說不會造成現(xiàn)有的負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性產(chǎn)生退化的問題。
在上述實(shí)施例中，是以第一型金氧半晶體管102為N型金氧半晶體管，輸出輸入第二型金氧半晶體管104與核心第二型金氧半晶體管106為P型金氧半晶體管，而第一應(yīng)力層110、110’、110”為拉伸應(yīng)力層，第二應(yīng)力層112、112’、112”為壓縮應(yīng)力層，為例做說明，然本發(fā)明并不限定于此。當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，本發(fā)明的第一型金氧半晶體管102可為P型金氧半晶體管，輸出輸入第二型金氧半晶體管104與核心第二型金氧半晶體管106為N型金氧半晶體管，而第一應(yīng)力層110、110’、110”為壓縮應(yīng)力層，第二應(yīng)力層112、112’、112”為拉伸應(yīng)力層。
以下是說明利用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法所得到的半導(dǎo)體器件。
請?jiān)俅螀⒄請D1D，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括基底100、第一應(yīng)力層110’以及第二應(yīng)力層112。其中，基底100上已形成有第一型金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106。第一應(yīng)力層110’配置于第一型金氧半晶體管102以及輸出輸入第二型金氧半晶體管104上，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。第二應(yīng)力層112配置于核心第二型金氧半晶體管106上，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。
另外，請?jiān)俅螀⒄請D2，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括基底100、第一應(yīng)力層110’以及第二應(yīng)力層112’。其中，基底100上已形成有第一型金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106。第一應(yīng)力層110’配置于第一型金氧半晶體管102以及輸出輸入第二型金氧半晶體管104上，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。第二應(yīng)力層112配置于核心第二型金氧半晶體管106上，以及覆蓋有第一應(yīng)力層110’的輸出輸入第二型金氧半晶體管104上，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。
此外，請?jiān)俅螀⒄請D3B，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件還包括基底100、第一應(yīng)力層110”以及第二應(yīng)力層112”。其中，基底100上已形成有第一型金氧半晶體管102、輸出輸入第二型金氧半晶體管104以及核心第二型金氧半晶體管106。第一應(yīng)力層110”配置于第一型金氧半晶體管102上，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。第二應(yīng)力層112”配置于核心第二型金氧半晶體管106上，其材料例如是氮化硅或其它合適的介電層。
為證實(shí)本發(fā)明的功效，以下是以圖4說明之。圖4為本發(fā)明與現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的應(yīng)力時(shí)間與閾值電壓漂移量的關(guān)系圖。
請參照圖4，圖中的測試對象分別是，于輸出輸入第二型金氧半晶體管上形成壓縮應(yīng)力層的半導(dǎo)體器件(以□的符號表示)、于輸出輸入第二型金氧半晶體管上形成低應(yīng)力層的半導(dǎo)體器件(以◆的符號表示)以及于輸出輸入第二型金氧半晶體管上形成拉伸應(yīng)力層的半導(dǎo)體器件(以△的符號表示)。在固定電壓的條件下，對上述的測試對象進(jìn)行應(yīng)力時(shí)間(stress time)對閾值電壓漂移量(ΔVt)的變化的測量。如圖4所示的應(yīng)力時(shí)間與閾值電壓漂移量的關(guān)系圖可知，隨著應(yīng)力時(shí)間逐漸增加，于輸出輸入第二型金氧半晶體管上形成低應(yīng)力層或拉伸應(yīng)力層的半導(dǎo)體器件的閾值電壓漂移量皆較于輸出輸入第二型金氧半晶體管上形成壓縮應(yīng)力層的半導(dǎo)體器件的閾值電壓漂移量少，其結(jié)果顯示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件不會造成負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性產(chǎn)生退化的問題。
綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件及其制造方法，可使得在基底施加負(fù)偏壓時(shí)，H+不會累積在柵介電層中，因此不會有閾值電壓漂移的現(xiàn)象，亦即是不會有現(xiàn)有的負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性產(chǎn)生退化的問題。另一方面，相對于現(xiàn)有而言，本發(fā)明的方法亦不會增加工藝中所需的光掩模數(shù)目，因此并不會額外增加工藝成本。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供基底，該基底上已形成有第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管以及核心第二型金氧半晶體管；形成第一應(yīng)力層，以覆蓋住該基底、該第一型金氧半晶體管、該輸出輸入第二型金氧半晶體管與該核心第二型金氧半晶體管；至少移除該核心第二型金氧半晶體管上的該第一應(yīng)力層，以至少保留該第一型金氧半晶體管上的該第一應(yīng)力層；以及于該核心第二型金氧半晶體管上形成第二應(yīng)力層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括于形成有該第一應(yīng)力層的該輸出輸入第二型金氧半晶體管上，形成該第二應(yīng)力層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該第一型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，而該輸出輸入第二型金氧半晶體管與該核心第二型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，則該第一應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層，該第二應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該第一型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，而該輸出輸入第二型金氧半晶體管與該核心第二型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，則該第一應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層，該第二應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該第一應(yīng)力層的材料包括氮化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該第二應(yīng)力層的材料包括氮化硅。
7.一種半導(dǎo)體器件，包括基底，該基底上已形成有第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管以及核心第二型金氧半晶體管；第一應(yīng)力層，配置于該第一型金氧半晶體管上，或該第一型金氧半晶體管與該輸出輸入第二型金氧半晶體管上；以及第二應(yīng)力層，配置于該核心第二型金氧半晶體管上。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括于覆蓋有該第一應(yīng)力層的該輸出輸入第二型金氧半晶體管上，配置有該第二應(yīng)力層。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，而該輸出輸入第二型金氧半晶體管與該核心第二型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，則該第一應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層，該第二應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一型金氧半晶體管為P型金氧半晶體管，而該輸出輸入第二型金氧半晶體管與該核心第二型金氧半晶體管為N型金氧半晶體管，則該第一應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力層，該第二應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力層。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一應(yīng)力層的材料包括氮化硅。
12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該第二應(yīng)力層的材料包括氮化硅。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，首先提供一基底，此基底上已形成有第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管以及核心第二型金氧半晶體管。然后，形成第一應(yīng)力層，以覆蓋住基底、第一型金氧半晶體管、輸出輸入第二型金氧半晶體管與核心第二型金氧半晶體管。接著，至少移除核心第二型金氧半晶體管上的第一應(yīng)力層，以至少保留第一型金氧半晶體管上的第一應(yīng)力層。隨后，于核心第二型金氧半晶體管上形成第二應(yīng)力層。
文檔編號H01L27/085GK101060099SQ200610074659
公開日2007年10月24日 申請日期2006年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月21日
發(fā)明者李坤憲, 黃正同, 洪文翰, 丁世汎, 鄭禮賢, 鄭子銘, 梁佳文 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司