專利名稱：芯片型電容器上板隔離防護(hù)處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片型電容器隔離防護(hù)處理的方法。
背景技術(shù)：
如圖10所示，已知芯片型電容器通常于電容器本體1’內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)電極12’，由內(nèi)電極12’延伸至本體兩側(cè)形成端電極11’，而于端電極11’處必須附有多層金屬導(dǎo)體，例如銀導(dǎo)體層2’、鎳導(dǎo)體層3’及錫導(dǎo)體層4’，最外層的錫層作為焊接貼合組立之用。對(duì)于目前適用于高壓的芯片型電容器而言，傳統(tǒng)芯片型電容器其介于兩焊接端間的端電極裸片處并未作有效的隔絕處理，因此當(dāng)裸片上掉入塵?；蚱渌鼘?dǎo)電介質(zhì)形成導(dǎo)體時(shí)，該電容器的裸片容易因電流使得附近分子的基發(fā)放出電磁波，此瞬間電磁波釋放的跳火花現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電容器本身的燒損，嚴(yán)重的甚至導(dǎo)致焊接基板的燒毀，進(jìn)而影響電子組件的工作。
迫切需要對(duì)芯片型電容器進(jìn)行處理，以使芯片型電容器可以安全使用并提高其耐壓性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種芯片型電容器隔離防護(hù)處理的方法，其可以使所得電容器在高壓環(huán)境下安全工作，同時(shí)有效隔絕其它導(dǎo)電介質(zhì)與電容器接觸，進(jìn)而抑制電容器產(chǎn)生瞬間跳火花的現(xiàn)象發(fā)生，以確保電容器上板后達(dá)到正常工作的安全防護(hù)效用。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的芯片型電容器隔離防護(hù)處理的方法包括在電容器本體兩端沾附銀導(dǎo)體并高溫?zé)Y(jié)，然后浸泡于干燥后形成絕緣物質(zhì)的液體(即液態(tài)絕緣材料)中，例如凡立水中，形成絕緣保護(hù)層以提升耐壓性從而保護(hù)電容器，將包覆絕緣保護(hù)層的電容器兩端部絕緣保護(hù)層磨除，再低溫銀漿沾銀、鍍鎳和鍍錫。


圖1為本發(fā)明中電容器本體示意圖；圖2為本發(fā)明中電容器兩端沾附銀導(dǎo)體層的示意圖；圖3為本發(fā)明中電容器隔絕保護(hù)層包覆成形的示意圖；圖4為本發(fā)明中電容器兩端電極處的隔絕保護(hù)層去除包覆的示意圖；圖5為本發(fā)明中電容器兩端電極低溫沾附銀導(dǎo)體層的示意圖；圖6為本發(fā)明中電容器兩端電極電鍍鎳導(dǎo)體層的示意圖；圖7為本發(fā)明中電容器兩端電極電鍍錫導(dǎo)體層的示意圖；圖8為本發(fā)明中電容器焊接結(jié)合基板的示意圖；圖9為本發(fā)明芯片型電容器隔離防護(hù)處理方法的流程示意圖；圖10為已知電容器電極層構(gòu)成示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明1電容器本體；11端電極；12內(nèi)電極；2銀導(dǎo)體層；3絕緣保護(hù)層；4銀導(dǎo)體層；5鎳導(dǎo)體層；6錫導(dǎo)體層；7基板；1’電容器本體；11’端電極；12’內(nèi)電極；2’銀導(dǎo)體層；3’鎳導(dǎo)體層；4’錫導(dǎo)體層。
具體實(shí)施例方式
關(guān)于本發(fā)明為達(dá)上述特征所采用的技術(shù)手段及其功效，現(xiàn)在例舉較佳實(shí)施例并配合

如下請(qǐng)參閱圖1至圖9所示，本發(fā)明芯片型電容器上板隔離防護(hù)處理方法實(shí)施步驟如下步驟1、將內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)電極12的電容器本體1兩端的端電極11以高溫銀漿沾銀處理，經(jīng)過干燥、高溫?zé)Y(jié)、冷卻后形成銀導(dǎo)體層2，如圖2所示，并通過銀導(dǎo)體層2將電極導(dǎo)出。
步驟2、于電容器本體1及沾有銀導(dǎo)體層2的兩端電極11上外覆一層絕緣保護(hù)層3形成隔絕層包覆，如圖3所示，由絕緣保護(hù)層3將整個(gè)電容器本體1及兩端電極部11包覆，形成隔絕的保護(hù)層，其中通過使用浸泡方式，優(yōu)選采用吸附效果較佳的真空浸泡方式將絕緣材料吸附于芯片本體的間隙/毛細(xì)孔隙中中，以補(bǔ)充填滿材料的毛細(xì)孔，，從而提升芯片電容器的耐壓性。
步驟3、將電容器本體1兩端電極11處的絕緣保護(hù)層3予以磨除，使導(dǎo)電性的銀導(dǎo)體層2外露，如圖4所示。
步驟4、將電容器本體1兩端的銀導(dǎo)體層2覆以銀導(dǎo)體層4，如圖5所示，銀導(dǎo)體層4是以低溫銀漿將銀金屬沾附并經(jīng)過干燥、燒結(jié)硬化成型的，由于采低溫?zé)Y(jié)，因此絕緣保護(hù)層3的絕緣保護(hù)效果不會(huì)受到高溫破壞。
步驟5、在電容器本體1兩端電極11電鍍鎳導(dǎo)體層5，如圖6所示，以強(qiáng)化保護(hù)電極端。
步驟6、在電容器本體1兩端電極11電鍍錫導(dǎo)體層6，形成電容器的焊接點(diǎn)，以其結(jié)合于基板7上(如圖7至圖9所示)。
由上述說明可知，本發(fā)明所提供一種芯片型電容器隔離防護(hù)處理方法，是在以電容器本體上形成強(qiáng)化隔絕保護(hù)層包覆并制造電容器本體端電極的方法，其使得電容器本體外緣受一層真空滲透形成的絕緣保護(hù)層包覆，并利用各導(dǎo)體層相互接觸而能與基板焊接，使用該方法生產(chǎn)的電容器可以抑制目前用于高電壓的芯片型電容器上所產(chǎn)生瞬間跳火花現(xiàn)象的發(fā)生，以確保電容器上板后達(dá)到正常工作的安全防護(hù)效用，極具產(chǎn)業(yè)利用性。
權(quán)利要求
1.一種芯片型電容器隔離防護(hù)處理方法，該方法包括在電容器本體兩端沾附銀導(dǎo)體并高溫?zé)Y(jié)，然后浸泡于干燥后形成絕緣物質(zhì)的液體中，形成絕緣保護(hù)層以提升耐壓性從而保護(hù)電容器，將包覆絕緣保護(hù)層的電容器兩端部絕緣保護(hù)層磨除，再低溫銀漿沾銀、鍍鎳和鍍錫。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟步驟1、電容器本體兩端的端電極以高溫銀漿沾銀處理，經(jīng)過干燥、高溫?zé)Y(jié)、冷卻后形成銀導(dǎo)體層；步驟2、將絕緣材料利用浸泡方式在電容器本體及沾有銀導(dǎo)體層的兩端電極包覆形成絕緣保護(hù)層；步驟3、將電容器本體兩端電極處的絕緣保護(hù)層磨除，使銀導(dǎo)體層外露；步驟4、在電容器本體兩端的銀導(dǎo)體上覆以一層以低溫銀漿沾附的銀導(dǎo)體層；步驟5、在電容器本體兩端電極銀導(dǎo)體層上電鍍鎳導(dǎo)體層；步驟6、在電容器本體兩端電極鎳導(dǎo)體層上電鍍錫導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟2中的浸泡為真空浸泡。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種芯片型電容器隔離防護(hù)處理方法，該方法包括在電容器本體兩端沾附銀導(dǎo)體并高溫?zé)Y(jié)，然后浸泡于絕緣材料中形成絕緣保護(hù)層以提升耐壓性從而保護(hù)電容器，將包覆絕緣保護(hù)層的電容器兩端部絕緣保護(hù)層磨除，再低溫銀漿沾銀、鍍鎳和鍍錫。通過該方法處理的電容器可以在高壓環(huán)境下安全工作，同時(shí)有效隔絕其它導(dǎo)電介質(zhì)與電容器接觸，進(jìn)而抑制電容器產(chǎn)生瞬間跳火花的現(xiàn)象發(fā)生，以確保電容器上板后達(dá)到正常工作的安全防護(hù)效用。
文檔編號(hào)H01G2/20GK101055801SQ20061007230
公開日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2006年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月12日
發(fā)明者王朝奎 申請(qǐng)人:青業(yè)電子工業(yè)股份有限公司