專利名稱：層疊陶瓷電子零部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層疊陶瓷電子零部件。
背景技術(shù)：
裝載著層疊陶瓷電容器、多層陶瓷基板等層疊陶瓷電子零部件的電子設(shè)備，要求高性能化、高功能化，同時(shí)還要求小型化。在層疊陶瓷電子零部件方面，也應(yīng)該瞄準(zhǔn)這些技術(shù)動(dòng)向，要求通過更進(jìn)一步的薄層化、多層化、高密度化來提高特性和實(shí)現(xiàn)小型化。
層疊陶瓷電子零部件通常包括埋設(shè)了內(nèi)部電極的功能層和在功能層的兩面設(shè)置的保護(hù)層。一般而言，由于在保護(hù)層中沒有埋設(shè)內(nèi)部電極，所以相應(yīng)地?zé)Y(jié)收縮率和熱膨脹系數(shù)(以下稱為燒結(jié)收縮率等)與功能層不同。例如，層疊陶瓷電容器的保護(hù)層與功能層相比較，常常是燒結(jié)收縮率較大，熱膨脹系數(shù)較小。
如果功能層和保護(hù)層的燒結(jié)收縮率等不同，則在層疊陶瓷電子零部件的制造工序中，存在的問題是在雙方的邊界附近產(chǎn)生較大的應(yīng)力，從而容易導(dǎo)致剝離、層離、裂紋等問題的發(fā)生。特別在應(yīng)力得以殘留的狀態(tài)下，通過熱處理(退火)或者燒結(jié)，存在容易產(chǎn)生裂紋等問題。
專利文獻(xiàn)1以防止層離和裂紋為目的，公開了一種通過調(diào)整保護(hù)層的粘合劑含量，從而調(diào)整功能層和保護(hù)層的燒結(jié)收縮率以防止裂紋的技術(shù)。
但是，專利文獻(xiàn)1由于必須需要多個(gè)粘合劑含量不同的薄片，所以出現(xiàn)了生產(chǎn)工序變得復(fù)雜這樣的問題。
另外，功能層以及保護(hù)層在其邊界部分的應(yīng)力和物理的應(yīng)變，由于伴隨著薄層化和多層化而增大，所以因近年來層疊陶瓷電子零部件的薄層化、多層化以及高密度化，上述的問題變得更加顯著。
專利文獻(xiàn)1特開2003-309039號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種可以減少剝離、層離、裂紋等發(fā)生的層疊陶瓷電子零部件。
本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種電氣特性良好的層疊陶瓷電子零部件。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種可以謀求生產(chǎn)成品率得以提高的層疊陶瓷電子零部件。
本發(fā)明的再一個(gè)目的在于提供一種容易制造的層疊陶瓷電子零部件。
為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件包括陶瓷基體、內(nèi)部電極和緩沖層。陶瓷基體包括保護(hù)層和功能層。保護(hù)層設(shè)置在功能層的至少一個(gè)面上。內(nèi)部電極埋設(shè)在功能層中。緩沖層埋設(shè)在保護(hù)層中，并且具有與陶瓷基體的燒結(jié)收縮率不同的燒結(jié)收縮率。
在上述本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件中，由于內(nèi)部電極埋設(shè)在功能層中，所以埋設(shè)了內(nèi)部電極的功能層的燒結(jié)收縮率，就成為內(nèi)部電極的燒結(jié)收縮率和在其周圍存在的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率所合成的燒結(jié)收縮率。
另一方面，由于在保護(hù)層中埋設(shè)了緩沖層，所以埋設(shè)了緩沖層的保護(hù)層的燒結(jié)收縮率，就成為緩沖層的燒結(jié)收縮率和其周圍的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率所合成的燒結(jié)收縮率。
在本發(fā)明中，緩沖層具有與陶瓷基體的燒結(jié)收縮率不同的燒結(jié)收縮率。緩沖層的燒結(jié)收縮率例如可以進(jìn)行選擇，以便使埋設(shè)了內(nèi)部電極的功能層的燒結(jié)收縮率和埋設(shè)了緩沖層的保護(hù)層的燒結(jié)收縮率達(dá)到相近的數(shù)值。
如果埋設(shè)了內(nèi)部電極的功能層的燒結(jié)收縮率和埋設(shè)了緩沖層的保護(hù)層的燒結(jié)收縮率達(dá)到相近的數(shù)值，則可以降低在功能層-保護(hù)層的邊界附近產(chǎn)生的應(yīng)力，從而可以減少以前成為問題的在邊界附近的剝離、層離、裂紋等。例如，即使在進(jìn)行熱處理(退火)或者燒結(jié)的情況下，也可以抑制剝離、層離、裂紋等發(fā)生。
而且在保護(hù)層覆蓋功能層的同時(shí)，緩沖層埋設(shè)在保護(hù)層的內(nèi)部，所以即使在層疊陶瓷電子零部件的表面附近產(chǎn)生剝離、層離、裂紋等的情況下，也可以用緩沖層來阻止裂紋等的發(fā)展。因此，可以避免對(duì)內(nèi)部電極的影響，從而獲得良好的電氣特性。另外，可以防止使內(nèi)部電極露出的不良現(xiàn)象(所謂覆蓋剝落)的發(fā)生，從而使生產(chǎn)成品率得以提高。
再者，由于緩沖層埋設(shè)在保護(hù)層的內(nèi)部，所以保護(hù)層被緩沖層分割成層狀，從虛擬的角度來說，相當(dāng)于減薄了保護(hù)層的厚度。由此，保護(hù)層的追蹤性變得良好，從而難以產(chǎn)生剝離、層離、裂紋等。
本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件正如專利文獻(xiàn)1所記載那樣，由于不需要粘合劑含量不同的薄片，所以可以簡化生產(chǎn)工序。例如，如果將構(gòu)成功能層的陶瓷基體以及構(gòu)成保護(hù)層的陶瓷基體設(shè)計(jì)為相同的材料組成，并將內(nèi)部電極和緩沖層設(shè)計(jì)為相同的材料組成，則可以簡單地制造本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件。
另外，根據(jù)緩沖層的層數(shù)、厚度、形狀等的不同，可以很容易地調(diào)整保護(hù)層的燒結(jié)收縮率，所以生產(chǎn)成品率好，而且比較容易制造。
作為其它的方案，不是著眼于緩沖層的燒結(jié)收縮率，而是著眼于緩沖層的熱膨脹系數(shù)，這樣也可以使緩沖層具有與陶瓷基體不同的熱膨脹系數(shù)。在這種情況下，也可以得到同樣的作用效果。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以得到如下的效果。
(a)能夠提供一種可以減少剝離、層離、裂紋等發(fā)生的層疊陶瓷電子零部件。
(b)能夠提供一種電氣特性良好的層疊陶瓷電子零部件。
(c)能夠提供一種可以謀求生產(chǎn)成品率得以提高的層疊陶瓷電子零部件。
(d)能夠提供一種容易制造的層疊陶瓷電子零部件。
關(guān)于其具體實(shí)例，下面參照附圖進(jìn)行更詳細(xì)的說明。附圖只不過是本發(fā)明的例示。


圖1是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的一個(gè)實(shí)施例的正面剖面圖。
圖2是圖1的2-2向剖面放大圖。
圖3是圖2的3-3向剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件產(chǎn)生裂紋時(shí)的狀態(tài)的剖面圖。
圖5是表示比較例的層疊陶瓷電子零部件產(chǎn)生裂紋時(shí)的狀態(tài)的剖面圖。
圖6是層疊陶瓷電容器的特性圖。
圖7是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的又一實(shí)施例的剖面圖。
圖8是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的另一實(shí)施例的剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的再一實(shí)施例的剖面圖。
圖10是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的再一實(shí)施例的剖面圖。
圖11是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的再一實(shí)施例的剖面圖。
圖12是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的再一實(shí)施例的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的一個(gè)實(shí)施例的正面剖面圖，圖2是圖1的2-2向剖面放大圖，圖3是圖2的3-3向剖面圖。圖示的層疊陶瓷電子零部件例如為層疊陶瓷電容器、層疊陶瓷電感器、多層陶瓷基板等。
圖示的層疊陶瓷電子零部件包括陶瓷基體10、內(nèi)部電極30和緩沖層50。陶瓷基體10包括功能層20和保護(hù)層40。
保護(hù)層40是用于保護(hù)功能層20的，覆蓋著功能層20。在圖中，保護(hù)層40設(shè)置在功能層20的上下面，但也可以只設(shè)置在功能層20的上面或下面。
構(gòu)成功能層20的陶瓷基體以及構(gòu)成保護(hù)層40的陶瓷基體，既可以是同一的組合物，也可以是互不相同的組合物。功能層20和保護(hù)層40例如可以用陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成。
功能層20和保護(hù)層40可以不管雙方的邊界線能否識(shí)別。正如后面所敘述的那樣，在陶瓷基體10之中，埋設(shè)著內(nèi)部電極30的部分成為功能層20，埋設(shè)著緩沖層50的部分則成為保護(hù)層40。
內(nèi)部電極30是層疊陶瓷電子零部件的電路元件，埋設(shè)在功能層20內(nèi)。在圖中，內(nèi)部電極30具有相互對(duì)置的電極301、302。內(nèi)部電極30例如也可以是構(gòu)成電感器的線路、電路圖案等。內(nèi)部電極30既可以是圖示的層疊構(gòu)造，也可以是單層構(gòu)造。
外部電極71、72設(shè)置在陶瓷基體10的側(cè)端。外部電極71與電極301電導(dǎo)通，外部電極72與電極302電導(dǎo)通。
緩沖層50用于調(diào)整燒結(jié)收縮率、或熱膨脹系數(shù)(以下稱燒結(jié)收縮率等)，并埋設(shè)在保護(hù)層40中。
緩沖層50具有與陶瓷基體10的燒結(jié)收縮率不同的燒結(jié)收縮率。例如，設(shè)合成內(nèi)部電極30的燒結(jié)收縮率和其周圍的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率而給出的功能層20的燒結(jié)收縮率為α1，設(shè)合成緩沖層50的燒結(jié)收縮率和其周圍的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率而給出的保護(hù)層40的燒結(jié)收縮率為α2，設(shè)構(gòu)成保護(hù)層40的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率為α3，則此時(shí)優(yōu)選設(shè)定的是|α1-α2|＜|α1-α3|。
另外，緩沖層50也可以具有與陶瓷基體10的熱膨脹系數(shù)不同的熱膨脹系數(shù)。例如，設(shè)合成內(nèi)部電極30的熱膨脹系數(shù)和其周圍的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)而給出的功能層20的熱膨脹系數(shù)為β1，設(shè)合成緩沖層50的熱膨脹系數(shù)和其周圍的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)而給出的保護(hù)層40的熱膨脹系數(shù)為β2，設(shè)構(gòu)成保護(hù)層40的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)為β3，則此時(shí)優(yōu)選設(shè)定的是|β1-β2|＜|β1-β3|。
緩沖層50的燒結(jié)收縮率或熱膨脹系數(shù)與陶瓷基體10、內(nèi)部電極30的組成、燒結(jié)收縮率等相對(duì)應(yīng)，可以進(jìn)行任意的設(shè)定。例如，優(yōu)選將緩沖層50設(shè)定為與內(nèi)部電極30具有相同的組合物，表現(xiàn)出相同的熱行為，具有相同的燒結(jié)收縮率，或具有相同的熱膨脹系數(shù)。
例如在層疊陶瓷電容器中，優(yōu)選將緩沖層50設(shè)定為具有比其周圍的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率小的燒結(jié)收縮率，或具有比緩沖層50周圍的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)大的熱膨脹系數(shù)。
緩沖層50既可以是導(dǎo)電性的，也可以是非導(dǎo)電性的。在圖中，緩沖層50是不作為電路元件發(fā)揮作用的電極(偽電極dummy electrode)。
緩沖層50既可以是圖示的單層構(gòu)造，也可以是層疊構(gòu)造(參照圖11)。緩沖層50的層數(shù)、配置、厚度、形狀等是任意的。例如，緩沖層50的厚度既可以是均勻的，也可以是不均勻的。另外，緩沖層50的形狀既可以是對(duì)稱形狀，也可以是不對(duì)稱形狀。
關(guān)于緩沖層50的形成區(qū)域，優(yōu)選的是從內(nèi)部電極30的層疊方向看，只在形成有內(nèi)部電極30的面的內(nèi)部形成，即寬度比內(nèi)部電極30的寬度狹小。這是因?yàn)榫彌_層50有可能在陶瓷基體10的表面露出，從而在電學(xué)性能方面產(chǎn)生不良影響。
例如這是因?yàn)榫彌_層50有可能在陶瓷基體10的兩側(cè)端露出，緩沖層50的一側(cè)與外部電極71電導(dǎo)通，另一側(cè)與外部電極72電導(dǎo)通，從而產(chǎn)生短路不良現(xiàn)象。
在圖2中，保護(hù)層40因?yàn)樵谄渲新裨O(shè)有緩沖層50，所以虛擬的厚度成為厚度t1、t2。厚度t1、t2優(yōu)選為100μm或以下。
在上述本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件中，由于內(nèi)部電極30埋設(shè)在功能層20內(nèi)，所以功能層20的燒結(jié)收縮率就成為內(nèi)部電極30的燒結(jié)收縮率和在其周圍存在的陶瓷基體10的燒結(jié)收縮率所合成的燒結(jié)收縮率。
另一方面，由于在保護(hù)層40埋設(shè)了緩沖層50，所以保護(hù)層40的燒結(jié)收縮率就成為緩沖層50的燒結(jié)收縮率和其周圍的陶瓷基體10的燒結(jié)收縮率所合成的燒結(jié)收縮率。
緩沖層50具有與陶瓷基體10的燒結(jié)收縮率不同的燒結(jié)收縮率。緩沖層50的燒結(jié)收縮率例如可以進(jìn)行選擇，以便使埋設(shè)了內(nèi)部電極30的功能層20的燒結(jié)收縮率與埋設(shè)了緩沖層50的保護(hù)層40的燒結(jié)收縮率達(dá)到相近的數(shù)值。
如果埋設(shè)了內(nèi)部電極30的功能層20的燒結(jié)收縮率與埋設(shè)了緩沖層50的保護(hù)層40的燒結(jié)收縮率達(dá)到相近的數(shù)值，則可以降低在功能層20-保護(hù)層40的邊界附近所產(chǎn)生的應(yīng)力，從而可以減少以前成為問題的在邊界附近的剝離、層離、裂紋等。例如，即使在進(jìn)行熱處理(退火)或者燒結(jié)的情況下，也可以抑制剝離、層離、裂紋等發(fā)生。
與此相對(duì)照，當(dāng)像以前那樣在保護(hù)層中不設(shè)置緩沖層時(shí)，埋設(shè)了內(nèi)部電極的功能層和沒有埋設(shè)內(nèi)部電極的保護(hù)層，其燒結(jié)收縮率大為不同，由于雙方邊界附近產(chǎn)生的應(yīng)力的作用，容易產(chǎn)生剝離、層離、裂紋等現(xiàn)象。
圖4是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件的表面產(chǎn)生裂紋時(shí)的剖面圖。圖5是表示比較例的層疊陶瓷電子零部件的表面產(chǎn)生裂紋時(shí)的剖面圖。比較例的電子零部件在沒有緩沖層50這一點(diǎn)上，是與本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件不同的。
如圖4所示，在本發(fā)明中，由于保護(hù)層40覆蓋著功能層20，同時(shí)緩沖層50埋設(shè)在保護(hù)層40的內(nèi)部，所以即使在層疊陶瓷電子零部件的表面附近產(chǎn)生了剝離、層離、裂紋等的情況下，裂紋也會(huì)集中在緩沖層50，從而難以擴(kuò)展到內(nèi)部電極30。這樣，通過用緩沖層50來阻止裂紋的發(fā)展，可以避免對(duì)內(nèi)部電極30的影響，從而獲得良好的電氣特性。另外，可以防止使內(nèi)部電極30露出的不良現(xiàn)象(所謂覆蓋剝落)的發(fā)生，從而使生產(chǎn)成品率得以提高。
與此相對(duì)照，圖5所示的比較例因?yàn)闆]有設(shè)置緩沖層50，所以表面發(fā)生的裂紋達(dá)到了內(nèi)部電極30。
再者，在本發(fā)明中，由于緩沖層50埋設(shè)在保護(hù)層40的內(nèi)部，所以因保護(hù)層40被緩沖層50分割成層狀，保護(hù)層40的追蹤性變得良好，從而難以產(chǎn)生剝離、層離、裂紋等。
圖6是對(duì)于層疊陶瓷電容器、表示緩沖層的層數(shù)和裂紋發(fā)生率之間的關(guān)系的圖。
圖6是對(duì)于尺寸為3.2mm×1.6mm×1.6mm的層疊陶瓷電容器、表示濕式滾磨后的裂紋發(fā)生率的圖。當(dāng)設(shè)定功能層的內(nèi)部電極的間隔為L1時(shí)，則最外殼的內(nèi)部電極和緩沖層的間隔L2為L1的5倍。當(dāng)緩沖層有多層時(shí)(參照圖11)，緩沖層之間的間隔設(shè)定為與間隔L2相同。緩沖層為長方形圖案時(shí)，其厚度為1.5μm。
如圖6所示，從沒有緩沖層(層數(shù)＝0)開始，因緩沖層1層、2層地增加，裂紋的發(fā)生率得以降低。特別當(dāng)緩沖層設(shè)定為2層或更多層時(shí)，裂紋發(fā)生率幾乎為零，可以得到非常好的特性。
再者，本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，由于不需要粘合劑含量不同的薄片，所以可以簡化生產(chǎn)工序。例如，如果將構(gòu)成功能層20的陶瓷基體及構(gòu)成保護(hù)層40的陶瓷基體設(shè)定為相同的材料組成，并將內(nèi)部電極30和緩沖層50設(shè)定為相同的材料組成，則可以簡單地制作本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件。
圖示的層疊陶瓷電子零部件例如可以按照以下的工序制作。首先，采用薄片法或印刷法，形成成為陶瓷基體10的陶瓷坯片，在陶瓷坯片上印刷導(dǎo)電性漿料，以形成內(nèi)部電極30或緩沖層50。
其次，依次層疊形成有內(nèi)部電極30或緩沖層50的陶瓷坯片而形成層疊構(gòu)造體，撕碎層疊構(gòu)造體，實(shí)施脫粘合劑工序、燒結(jié)工序、熱處理(退火)工序。接著實(shí)施研磨(濕式滾磨)工序、外部電極形成工序，便可以得到圖1所示的成品。此外，本發(fā)明的陶瓷電子零部件也可以用薄片形成方法以外的方法進(jìn)行制作。
本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件根據(jù)緩沖層50的層數(shù)、厚度、形狀等的不同，可以容易地調(diào)整保護(hù)層40的燒結(jié)收縮率，所以生產(chǎn)成品率得以提高，可以容易地進(jìn)行制作。
作為其它的方案，不是著眼于緩沖層的燒結(jié)收縮率，而是著眼于緩沖層的熱膨脹系數(shù)，這樣也可以使緩沖層具有與陶瓷基體不同的熱膨脹系數(shù)。在這種情況下，也可以得到同樣的作用效果。
也就是說，與著眼于緩沖層的燒結(jié)收縮率的情況相同，如果功能層的熱膨脹系數(shù)和保護(hù)層的熱膨脹系數(shù)的數(shù)值達(dá)到相近的數(shù)值，則可以獲得優(yōu)良的作用效果如功能層—保護(hù)層的邊界附近所產(chǎn)生的應(yīng)力得以降低、能夠抑制裂紋等的發(fā)生等。
圖7～圖12是在本發(fā)明的層疊陶瓷電子零部件中，用于說明改變緩沖層50的形狀、配置、層數(shù)的情況。在圖7～圖12中，關(guān)于與圖1～圖6中出現(xiàn)的構(gòu)成部分相當(dāng)?shù)牟糠?，在此?biāo)記相同的參照符號(hào)，并省略重復(fù)說明。各自的實(shí)施例借助于共同的構(gòu)成部分，可以得到同樣的作用效果，在此省略重復(fù)說明。
圖7～圖10是與上述圖3相對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖7中，緩沖層50呈楕圓形狀。在圖8中，緩沖層50為長方形，被分?jǐn)酁?個(gè)。在圖9中，緩沖層50是所謂的環(huán)狀，在中心位置有槽口501。在圖10中，緩沖層50為長方形，被分?jǐn)喑?個(gè)。
圖11、圖12是與上述圖2相對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖11中，緩沖層50設(shè)置為2層，保護(hù)層40的虛擬的厚度分別為厚度t1、t2、t3。在圖12中，緩沖層50由電介質(zhì)層構(gòu)成。
上面參照優(yōu)選的實(shí)施例，就本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行了具體的說明，但基于本發(fā)明基本的技術(shù)構(gòu)思和示范，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以采用各種變化的方案，這是不言自明的。
權(quán)利要求
1.一種層疊陶瓷電子零部件，其包括陶瓷基體、內(nèi)部電極和緩沖層，其中所述陶瓷基體包括保護(hù)層和功能層；所述保護(hù)層設(shè)置在所述功能層的至少一個(gè)面上；所述內(nèi)部電極埋設(shè)在所述功能層中；所述緩沖層埋設(shè)在所述保護(hù)層中，并且具有與所述陶瓷基體的燒結(jié)收縮率不同的燒結(jié)收縮率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電子零部件，其中設(shè)合成所述內(nèi)部電極的燒結(jié)收縮率和其周圍的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率而給出的所述功能層的燒結(jié)收縮率為α1，設(shè)合成所述緩沖層的燒結(jié)收縮率和其周圍的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率而給出的所述保護(hù)層的燒結(jié)收縮率為α2，設(shè)構(gòu)成所述保護(hù)層的陶瓷基體的燒結(jié)收縮率為α3，則此時(shí)|α1-α2|＜|α1-α3|。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電子零部件，其中所述緩沖層具有比其周圍的陶瓷基體小的燒結(jié)收縮率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電子零部件，其中所述緩沖層實(shí)質(zhì)上具有與所述內(nèi)部電極相同的組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電子零部件，其中所述緩沖層是偽電極，且與所述內(nèi)部電極是電絕緣的。
6.一種層疊陶瓷電子零部件，其包括陶瓷基體、內(nèi)部電極和緩沖層，其中所述陶瓷基體包括保護(hù)層和功能層；所述保護(hù)層設(shè)置在所述功能層的至少一個(gè)面上；所述內(nèi)部電極埋設(shè)在所述功能層中；所述緩沖層埋設(shè)在所述保護(hù)層中，并且具有與所述陶瓷基體不同的熱膨脹系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊陶瓷電子零部件，其中設(shè)合成所述內(nèi)部電極的熱膨脹系數(shù)和其周圍的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)而給出的所述功能層的熱膨脹系數(shù)為β1，設(shè)合成所述緩沖層的熱膨脹系數(shù)和其周圍的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)而給出的所述保護(hù)層的熱膨脹系數(shù)為β2，設(shè)構(gòu)成所述保護(hù)層的陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)為β3，則此時(shí)|β1-β2|＜|β1-β3|。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊陶瓷電子零部件，其中所述緩沖層具有比其周圍的陶瓷基體大的熱膨脹系數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊陶瓷電子零部件，其中所述緩沖層實(shí)質(zhì)上具有與所述內(nèi)部電極相同的組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊陶瓷電子零部件，其中所述緩沖層是偽電極，且與所述內(nèi)部電極是電絕緣的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以降低剝離、層離、裂紋等發(fā)生的層疊陶瓷電子零部件。陶瓷基體(10)包括保護(hù)層(40)和功能層(20)。保護(hù)層(40)設(shè)置在功能層(20)的至少一個(gè)面上。內(nèi)部電極(30)埋設(shè)在功能層(20)中。緩沖層(50)具有與陶瓷基體(10)的燒結(jié)收縮率不同的燒結(jié)收縮率，并埋設(shè)在保護(hù)層(40)中。
文檔編號(hào)H01G4/12GK1841596SQ20061007162
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月28日
發(fā)明者外海透, 小島達(dá)也, 巖崎彰則, 政岡雷太郎, 室澤尚吾, 山口晃, 阿部曉太朗, 佐藤司 申請人:Tdk株式會(huì)社